JP4943086B2 - 静電チャック装置及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、静電チャック装置及びプラズマ処理装置に関し、さらに詳しくは、電極に高周波を印加してプラズマを生成し、このプラズマにより半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス板等の板状試料にプラズマ処理を施す高周波放電方式のプラズマ処理装置に用いて好適な静電チャック装置及びプラズマ処理装置に関するものである。

従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体デバイス、あるいは液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display : FPD）等の製造プロセスにおけるエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理では、処理ガスに比較的低温で良好な反応を行わせるためにプラズマが多く利用されている。一般に、プラズマ処理装置は、プラズマを生成する方式として、グロー放電または高周波放電を利用する方式と、マイクロ波を利用する方式とに大別される。

図１１は、従来の高周波放電方式のプラズマ処理装置に搭載される静電チャック装置の一例を示す断面図であり、この静電チャック装置１は、真空容器を兼ねるチャンバー（図示略）の下部に設けられ、静電チャック部２と、この静電チャック部２の底面に固定されて一体化された金属ベース部３とにより構成されている。
静電チャック部２は、上面を半導体ウエハ等の板状試料Ｗを載置して静電吸着する載置面４ａとするとともに静電吸着用内部電極５を内蔵した基体４と、この静電吸着用内部電極５に直流電圧を印加する給電用端子６とにより構成され，この給電用端子６には高圧の直流電圧を印加する高圧直流電源７が接続されている。また、金属ベース部３は高周波発生用電極（下部電極）を兼ねるもので、高周波電圧発生用電源８に接続され、その内部に水や有機溶媒等の冷却用媒体を循環させる流路９が形成されている。そして、チャンバーは接地されている。

この静電チャック装置１では、板状試料Ｗを載置面４ａに載置し、高圧直流電源７により給電用端子６を介して静電吸着用内部電極５に直流電圧を印加することにより板状試料Ｗを静電吸着する。次いで、チャンバー内を真空にして処理ガスを導入し、高周波電圧発生用電源８により金属ベース部３（下部電極）と上部電極（図示略）との間に高周波電力を印加してチャンバー内に高周波電界を発生させる。高周波としては、一般に十数ＭＨｚ以下の領域の周波数が用いられる。
この高周波電界により電子が加速され、この電子と処理ガスとの衝突電離によりプラズマが発生し、このプラズマにより各種処理を行うことができる。

ところで、近年、プラズマ処理においては、プラズマ中のイオンエネルギーが低くかつ電子密度が高い「低エネルギー高密度プラズマ」を用いた処理に対する要求が大きくなってきている。この低エネルギー高密度プラズマを用いた処理では、プラズマを発生させる高周波電力の周波数が従来と比べて、例えば１００ＭＨｚと非常に高くなる場合がある。このように、印加する電力の周波数を上昇させると、電界強度は、静電チャック部２の中央、即ち板状試料Ｗの中央に相当する領域で強くなる一方、その周縁部では弱くなる傾向がある。このため、電界強度の分布が不均一になると、発生するプラズマの電子密度も不均一となってしまい、板状試料Ｗの面内における位置により処理速度等が異なってくるため、面内均一性の良好な処理結果が得られないという問題が生じていた。

このような問題を解消するために、図１２に示すプラズマ処理装置が提案されている（特許文献１）。
このプラズマ処理装置１１は、プラズマ処理の面内均一性を向上させるために、高周波電力を印加する下部電極（金属ベース部）１２の上部電極１３と対向する側の表面の中央部にセラミックス等の誘電体層１４を埋設して電界強度分布を均一にしたものである。なお、図中、１５は高周波発生用電源、ＰＺはプラズマ、Ｅは電界強度、Ｗは板状試料である。
このプラズマ処理装置１１では、高周波発生用電源１５により下部電極１２に高周波電力を印加すると、表皮効果により下部電極１２の表面を伝播して上部に達した高周波電流は、板状試料Ｗの表面に沿って中央に向かいつつ、一部が下部電極１２側に漏れ、その後、下部電極１２の内部を外側へ向かって流れる。この過程で高周波電流は、誘電体層１４が設けられている部分では、誘電体層１４が設けられていない部分と比べてより深く潜めることによりＴＭモードの空洞円筒共振を発生させる。その結果、板状試料Ｗの面上からプラズマに供給する中央部分の電界強度が弱くなり、板状試料Ｗの面内の電界が均一になる。

ところで、プラズマ処理は、真空に近い減圧下にて行われる場合が多く、このような場合には、板状試料Ｗの固定に図１３に示すような静電チャック装置が用いられることが多い。
この静電チャック装置１６は、誘電体層１７に導電性の静電吸着用内部電極１８を内蔵した構造であり、例えばアルミナ等を溶射して形成された２つの誘電体層にて導電性の静電吸着用内部電極を挟持したものである。
この静電チャック装置１６では、高圧直流電源７により静電吸着用内部電極１８に高圧直流電力を印加して誘電体層１７の表面に生じる静電吸着力を利用することにより，板状試料Ｗを静電吸着し固定している。
特開２００４−３６３５５２号公報 （第１５頁段落００８４〜００８５、図１９）

ところで、上述した従来のプラズマ処理装置１１では、下部電極１２の上に静電チヤック装置１６を設置して板状試料Ｗのプラズマ処理を行うと、高周波電流が静電チャック装置１６の静電吸着用内部電極１８を通過することができず、静電吸着用内部電極１８で外側へ向かう流れが生じてしまうこととなる。
言い換えると、静電チャック装置１６内に静電吸着用内部電極１８が存在するために、プラズマＰＺからは誘電体層１４が見えなくなってしまい、この誘電体層１４が埋設された領域のプラズマの電位を低くするための効果が発揮できなくなってしまうこととなる。この結果、板状試料Ｗの中央部の上方のプラズマの電位が高く、周縁部の電位が低い状態となり、板状試料Ｗの中央部と周縁部とで処理速度が異なってしまうため、エッチング等のプラズマ処理における面内不均一の要因となっていた。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、プラズマ処理装置に適用した場合に、プラズマ中の電界強度の面内均一性が向上し、板状試料に対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる静電チャック装置及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記の（１）、（２）のいずれかの構成とすれば、上記の課題を効率的に解決し得ることを知見し、本発明を完成するに至った。
（１）金属ベース部の静電チャック部側の主面に凹部を形成し、この凹部内に誘電体板を固定し、この誘電体板と静電チャック部とを、絶縁性の接着・接合剤層を介して接着・接合するとともに、この誘電体板と凹部とを、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合する。
（２）金属ベース部の静電チャック部側の主面に凹部を形成し、この凹部に静電チャック部を固定し、この静電チャック部と凹部とを、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合する。

すなわち、本発明の請求項１記載の静電チャック装置は、一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した基体と、この静電吸着用内部電極に直流電圧を印加する給電用端子とを備えた静電チャック部と、この静電チャック部の基体の他の主面に固定されて一体化され、高周波発生用電極となる金属ベース部とを備え、前記金属ベース部の前記静電チャック部側の主面に凹部が形成され、この凹部内に誘電体板が固定され、この誘電体板と前記静電チャック部とは、絶縁性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、前記誘電体板と前記凹部とは、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、前記静電吸着用内部電極の体積固有抵抗は、１．０×１０ ^−１ Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０ ^８ Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。

本発明の請求項２記載の静電チャック装置は、請求項１記載の静電チャック装置において、前記誘電体板の厚みは、中央部から周縁部に向かって薄くなっていることを特徴とする。

本発明の請求項３記載の静電チャック装置は、請求項１または２記載の静電チャック装置において、前記誘電体板と前記凹部とのクリアランスは、前記誘電体板が円形の場合は直径の０．１％以上であり、前記誘電体板が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上であることを特徴とする。

本発明の請求項４記載の静電チャック装置は、請求項１、２または３記載の静電チャック装置において、前記誘電体板と前記凹部とのクリアランスは、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする。

本発明の請求項５記載の静電チャック装置は、請求項１ないし４のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記凹部は、前記誘電体板の該凹部側の主面と相補形状であることを特徴とする。

本発明の請求項６記載の静電チャック装置は、請求項１ないし５のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記静電チャック部と前記金属ベース部との間の熱伝導度は、前記静電チャック部の全吸着領域に亘って均一であることを特徴とする。

本発明の請求項７記載の静電チャック装置は、一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した基体と、この静電吸着用内部電極に直流電圧を印加する給電用端子とを備えた静電チャック部と、この静電チャック部の基体の他の主面に固定されて一体化され、高周波発生用電極となる金属ベース部とを備え、
前記金属ベース部の前記静電チャック部側の主面に凹部が形成され、この凹部に前記静電チャック部が固定され、前記静電チャック部と前記凹部とは、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、前記静電吸着用内部電極の体積固有抵抗は、１．０×１０ ^−１ Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０ ^８ Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。

本発明の請求項８記載の静電チャック装置は、請求項７記載の静電チャック装置において、前記基体の厚みは、中央部から周縁部に向かって薄くなっていることを特徴とする。

本発明の請求項９記載の静電チャック装置は、請求項７または８記載の静電チャック装置において、前記基体と前記凹部とのクリアランスは、前記基体が円形の場合は直径の０．１％以上であり、前記基体が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上であることを特徴とする。

本発明の請求項１０記載の静電チャック装置は、請求項７、８または９記載の静電チャック装置において、前記基体と前記凹部とのクリアランスは、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする。

本発明の請求項１１記載の静電チャック装置は、請求項７ないし１０のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記凹部は、前記基体の他の主面と相補形状であることを特徴とする。

本発明の請求項１２記載の静電チャック装置は、請求項７ないし１１のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記静電チャック部と前記金属ベース部との間の熱伝導度は、前記静電チャック部の全吸着領域に亘って均一であることを特徴とする。

本発明の請求項１３記載の静電チャック装置は、請求項１ないし１２のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記導電性の接着・接合剤層は、導電性フィラー含有シリコーン系接着・接合剤または金属系接着・接合剤からなることを特徴とする。

本発明の請求項１４記載の静電チャック装置は、請求項１ないし１３のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記静電吸着用内部電極は、互いに絶縁された同心円状の複数の電極部からなり、これらの電極部それぞれに前記給電用端子が接続されていることを特徴とする。

本発明の請求項１５記載の静電チャック装置は、請求項１ないし１３のいずれか１項記載の静電チャック装置において、前記静電吸着用内部電極の中央部には、この静電吸着用内部電極の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の開口が形成され、この開口には絶縁材料が充填されていることを特徴とする。
本発明の請求項１６記載のプラズマ処理装置は、プラズマ処理を施すためのチャンバー内に、請求項１ないし１５のいずれか１項記載の静電チャック装置を搭載してなることを特徴とする。

本発明の請求項１の静電チャック装置によれば、金属ベース部の静電チャック部側の主面に凹部を形成し、この凹部内に誘電体板を固定し、この誘電体板と前記静電チャック部とを、絶縁性の接着・接合剤層を介して接着・接合したので、金属ベース部に高周波電圧を印加した場合に、高周波電流が絶縁性の接着・接合剤層を通過することができ、高周波電流が絶縁性の接着・接合剤層を伝わって外縁部方向に向かって流れるのを阻止することができ、静電チャック部の表面の電界強度を均一化することができる。したがって、板状試料の表面におけるプラズマ密度を平坦化することができ、その結果、板状試料の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる。

また、誘電体板と凹部とを、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合したので、この導電性の接着・接合剤層中に気泡が生じたり、あるいは欠陥が生じたりした様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もない。したがって、板状試料の表面におけるプラズマ密度を平坦化することができ、その結果、板状試料の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる。

本発明の請求項２の静電チャック装置によれば、誘電体板の厚みを、中央部から周縁部に向かって薄くしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。

本発明の請求項３の静電チャック装置によれば、誘電体板と凹部とのクリアランスを、誘電体板が円形の場合は直径の０．１％以上とし、誘電体板が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上としたので、誘電体板と金属ベース部との熱膨張係数の差に起因する金属ベース部の反り、この反りに伴う誘電体板や静電チャック部の基体の破損、金属ベース部と誘電体板との間における接着・接合剤層の剥離、誘電体板と静電チャック部との間における接着・接合剤層の剥離を防止することができる。

本発明の請求項４記載の静電チャック装置によれば、誘電体板と凹部とのクリアランスを２．０ｍｍ以下としたので、板状試料の面内均熱性を向上させることができ、プラズマ処理の均一化を図ることができる。

本発明の請求項５記載の静電チャック装置によれば、凹部を、誘電体板の該凹部側の主面と相補形状としたので、金属ベース部と誘電体板との間の位置決め及び固定を容易かつ確実にすることができる。

本発明の請求項６記載の静電チャック装置によれば、静電チャック部と金属ベース部との間の熱伝導度を静電チャック部の全吸着領域に亘って均一としたので、板状試料の面内均熱性を向上させることができ、プラズマ処理の均一化を図ることができる。

本発明の請求項７記載の静電チャック装置によれば、金属ベース部の静電チャック部側の主面に凹部を形成し、この凹部に静電チャック部を固定し、静電チャック部と凹部とを、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合したので、この導電性の接着・接合剤層中に気泡が生じたり、あるいは欠陥が生じたりした様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もない。したがって、板状試料の表面におけるプラズマ密度を平坦化することができ、その結果、板状試料の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる。
また、金属ベース部の凹部に静電チャック部を固定したので、金属ベース部と静電チャック部との間の位置決め及び固定を容易に行うことができる。

本発明の請求項８記載の静電チャック装置によれば、基体の厚みを、中央部から周縁部に向かって薄くしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。

本発明の請求項９記載の静電チャック装置によれば、基体と凹部とのクリアランスを、基体が円形の場合は直径の０．１％以上とし、基体が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上としたので、静電チャック部と金属ベース部との熱膨張係数の差に起因する金属ベース部の反り、この反りに伴う静電チャック部の基体の破損、金属ベース部と静電チャック部との間における接着・接合剤層の剥離を防止することができる。

本発明の請求項１０記載の静電チャック装置によれば、基体と凹部とのクリアランスを２．０ｍｍ以下としたので、板状試料の面内均熱性を向上させることができ、プラズマ処理の均一化を図ることができる。

本発明の請求項１１記載の静電チャック装置によれば、凹部を、基体の他の主面と相補形状としたので、金属ベース部と基体との間の位置決め及び固定を容易かつ確実にすることができる。

本発明の請求項１２記載の静電チャック装置によれば、静電チャック部と金属ベース部との間の熱伝導度を静電チャック部の全吸着領域に亘って均一としたので、板状試料の面内均熱性を向上させることができ、プラズマ処理の均一化を図ることができる。

本発明の請求項１３記載の静電チャック装置によれば、導電性の接着・接合剤層に、導電性フィラー含有シリコーン系接着・接合剤または金属系接着・接合剤を用いたので、導電性の接着・接合剤層の体積固有抵抗を１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下に容易に調製することができる。

本発明の請求項１４記載の静電チャック装置によれば、静電吸着用内部電極を互いに絶縁された同心円状の複数の電極部により構成し、これらの電極部それぞれに給電用端子を接続したので、高周波電圧を印加した場合に、高周波電流が静電吸着用内部電極を経由して外縁部方向に向かって流れるのを有効に阻止することができ、中心部ほど高密度であったプラズマ分布をさらに平坦化することができる。

本発明の請求項１５記載の静電チャック装置によれば、静電吸着用内部電極の中央部に、この静電吸着用内部電極の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の開口を形成し、この開口に絶縁材料を充填したので、高周波電圧を印加した場合に、高周波電流が静電吸着用内部電極を経由して外縁部方向に向かって流れるのを有効に阻止することができ、中心部ほど高密度であったプラズマ分布をさらに平坦化することができる。

本発明の静電チャック装置及びプラズマ処理装置を実施するための最良の形態について説明する。
なお、以下の各実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態の単極型の静電チャック装置を示す断面図であり、この静電チャック装置２１は、静電チャック部２２と、金属ベース部２３と、誘電体板２４とにより構成されている。
静電チャック部２２は、上面（一主面）を板状試料Ｗを載置する載置面とし静電吸着用内部電極２５を内蔵した円板状の基体２６と、この静電吸着用内部電極２５に直流電圧を印加する給電用端子２７とにより構成されている。

基体２６は、上面３１ａが半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス板等の板状試料Ｗを載置するための載置面とされた円板状の載置板３１と、この載置板３１の下面（他の一主面）側に対向配置された円板状の支持板３２と、載置板３１と支持板３２との間に挟持された円形状の静電吸着用内部電極２５と、この内部電極２５の外周側にこれを囲む様に設けられた環状の絶縁材層３３とを主体として構成されている。

一方、金属ベース部２３には、その内部に水や有機溶媒等の冷却用媒体を循環させる流路２８が形成され、上記の載置面に載置される板状試料Ｗの温度を所望の温度に維持することができるように構成されている。この金属ベース部２３は高周波発生用電極を兼ねている。
この金属ベース部２３の静電チャック部２２側の表面（主面）には、円形状の凹部３４が形成され、この凹部３４内には体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して誘電体板２４が接着・固定され、この誘電体板２４と静電チャック部２２の支持板３２とは、絶縁性の接着・接合剤層３６を介して接着・接合されている。

ここで、誘電体板２４と凹部３４とを、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して接着・接合したことにより、この導電性の接着・接合剤層３５中に気泡が生じたり、あるいは欠陥が生じたりした様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層３５の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もない。これにより、板状試料Ｗの表面におけるプラズマ密度が平坦化され、よって、板状試料Ｗの全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことが可能になる。

また、誘電体板２４と静電チャック部２２の支持板３２とを、誘電率が誘電体板２４及び基体２６の支持板３２のいずれよりも小さい絶縁性の接着・接合剤層３６を介して接着・接合したことにより、金属ベース部２３に高周波電圧を印加した場合に、高周波電流が絶縁性の接着・接合剤層３６を通過し、高周波電流が絶縁性の接着・接合剤層３６を伝わって外縁部方向に向かって流れるのを有効に阻止し、静電チャック部２２の表面の電界強度を均一化する。これにより、板状試料Ｗの表面におけるプラズマ密度が平坦化され、よって、板状試料Ｗの全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことが可能になる。

また、誘電体板２４の厚みを薄くすることもできる。例えば、絶縁性の接着・接合剤として熱伝導度が良好なものを用いた場合、金属ベース部２３と静電チャック部２２との間の熱伝導度が向上し、したがって、板状試料Ｗの面内均熱性が向上し、よって、板状試料Ｗの全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことが可能になる。

誘電体板２４と凹部３４とのクリアランスは、誘電体板２４が円形の場合は直径の０．１％以上が好ましく、より好ましくは０．２％以上、さらに好ましくは０．３％以上である。また、誘電体板２４が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上が好ましく、より好ましくは０．２％以上、さらに好ましくは０．３％以上である。

ここで、誘電体板２４と凹部３４とのクリアランスが０．１％を下回ると、誘電体板２４と金属ベース部２３との熱膨張係数の差に起因する金属ベース部２３の反りが生じ易くなり、この反りに伴って誘電体板２４や静電チャック部２２の基体２６に破損が生じたり、金属ベース部２３と誘電体板２４との間の接着・接合剤層３５が剥離したり、誘電体板２４と静電チャック部２２の基体２６との間の接着・接合剤層３６が剥離したり等が生じる虞がある。

また、誘電体板２４と凹部３４とのクリアランスは、数値範囲による場合、２．０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは１．５ｍｍ以下、さらに好ましくは１．０ｍｍ以下である。
誘電体板２４と凹部３４とのクリアランスが２．０ｍｍを上回ると、板状試料Ｗの面内均熱性が低下してプラズマ処理の均一化を図ることができなくなる虞がある。

導電性の接着・接合剤層３５は、導電性、接着・接合性及び耐熱性を有し、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の接着・接合剤層であり、例えば、導電性フィラー含有シリコーン系接着・接合剤または金属系接着・接合剤からなる接着・接合剤層が好適である。
この導電性フィラー含有シリコーン系接着・接合剤としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、カーボン（Ｃ）等の導電性フィラーを含むシリコーン系接着・接合剤が挙げられる。
また、金属系接着・接合剤としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｚｎ等の金属を含むロウ材が挙げられる。

例えば、金属ベース部２３及び誘電体板２４が酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）焼結体または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体からなる場合、Ａｌ、Ａｇ等の導電性フィラーを含むシリコーン系接着・接合剤、あるいは、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属を含むロウ材が好適である。

絶縁性の接着・接合剤層３６は、絶縁性、接着・接合性及び耐熱性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、シリコーン系接着・接合剤、エポキシ系接着・接合剤等の絶縁性の接着・接合剤からなる接着・接合剤層が好適である。
例えば、誘電体板２４及び支持板３２が酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）焼結体または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体からなる場合、窒化アルミニウム添加シリコーン系接着・接合剤が好適である。

この窒化アルミニウム添加シリコーン系接着・接合剤は、誘電率が酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）焼結体及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体より小さいので、金属ベース部２３に高周波電圧を印加した場合に、誘起された高周波電流が表皮効果により絶縁性の接着・接合剤層３６の表面を伝わって周縁部から中心部へ向かって流れることを阻止し、プラズマが均一化されるという優れた特徴を有する。

この絶縁性の接着・接合剤層３６の熱伝導率は、０．３Ｗ／ｍ^２Ｋ以上が好ましく、より好ましくは０．５Ｗ／ｍ^２Ｋ以上、さらに好ましくは１．０Ｗ／ｍ^２Ｋ以上である。
ここで、この絶縁性の接着・接合剤層３６の熱伝導率を０．３Ｗ／ｍ^２Ｋ以上と限定した理由は、熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ^２Ｋ未満では、金属ベース部２３から板状試料Ｗへの熱伝導性が低下し、板状試料Ｗを所望の一定の温度に維持することが困難になるからである。

これらの接着・接合剤層３５、３６については、静電チャック部２２の全吸着領域に亘って熱伝導度が同一となるよう、導電性の接着・接合剤層３５及び絶縁性の接着・接合剤層３６の材質及び厚みを調整することにより、静電チャック部２２と金属ベース部２３との間の熱伝導率を均一化することができ、板状試料Ｗの面内均熱性を向上させることができる。

例えば、誘電体板２４の導電性の接着・接合剤層３５側の形状が、中心部が厚く周縁部が薄い、同心円の階段状または円錐状の場合には、導電性の接着・接合剤層３５の中心部を薄く、周縁部を厚くすればよい。
また、誘電体板２４の絶縁性の接着・接合剤層３６側の形状が、中心部が厚く周縁部が薄い、同心円の階段状または円錐状の場合には、絶縁性の接着・接合剤層３６の中心部を薄く、周縁部を厚くすればよい。
これにより、板状試料Ｗの面内均熱性が向上し、プラズマ処理の均一化が図られることとなる。

また、支持板３２及び金属ベース部２３の中央部近傍には、給電用端子挿入孔３７が形成され、この給電用端子挿入孔３７には、静電吸着用内部電極２５に直流電圧を印加するための給電用端子２７が円筒状の碍子３８を介して挿入されている。この給電用端子２７の上端部は静電吸着用内部電極２５に電気的に接続されている。
また、載置板３１、支持板３２、静電吸着用内部電極２５及び金属ベース部２３には、これらを貫通する冷却ガス導入孔３９が形成され、この冷却ガス導入孔３９により載置板３１と板状試料Ｗの下面との隙間にＨｅ等の冷却ガスが供給されるようになっている。

この載置板３１の上面３１ａは、１枚の板状試料Ｗを搭載し、この板状試料Ｗを静電吸着力により静電吸着する静電吸着面とされ、この上面（静電吸着面）３１ａには、この上面３１ａに沿う断面が略円形状の円柱状の突起部が複数個設けられ（図示略）、これらの突起部各々の頂面は、上面３１ａに平行とされている。
また、この上面３１ａの周縁部には、Ｈｅ等の冷却ガスが漏れないように、この周縁部に沿って連続し、かつ突起部の高さと同じ高さの壁部（図示略）が、この上面３１ａの周縁部を一巡するように形成されている。

このように構成された静電チャック装置２１は、プラズマエッチング装置等のプラズマ処理装置のチャンバー内に搭載され、載置面である上面３１ａに板状試料Ｗを載置し、静電吸着用内部電極２５に給電用端子２７を介して所定の直流電圧を印加することにより、静電気力を利用して板状試料Ｗを吸着固定しつつ、高周波発生用電極を兼ねる金属ベース部２３と上部電極との間に高周波電圧を印加して載置板３１上にプラズマを発生させることにより、板状試料Ｗに各種のプラズマ処理を施すことができるように構成されている。

次に、この静電チャック装置の各構成要素についてさらに詳しく説明する。
「載置板及び支持板」
載置板３１及び支持板３２は、ともに、セラミックスからなるものである。
このセラミックスとしては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、サイアロン、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）から選択された１種からなるセラミックス、あるいは２種以上を含む複合セラミックスが好ましい。

また、これらを構成する材料は、単一であっても混合物であってもよいが、熱膨張係数が可能な限り内部電極２５の熱膨張係数に近似したもので、しかも焼結し易いものが好ましい。また、載置板３１の上面３１ａは静電吸着面となるから、特に誘電率が高い材質であって、静電吸着する板状試料Ｗに対して不純物とならないものを選択することが好ましい。
以上のことを考慮すれば、載置板３１及び支持板３２は、実質的に１重量％以上かつ２０重量％以下の炭化ケイ素を含み、残部を酸化アルミニウムとする炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体が好ましい。

この炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体として、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）と、表面を酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で被覆した炭化ケイ素（ＳｉＣ）とからなる複合焼結体とし、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の含有率を複合焼結体全体に対して５重量％以上かつ１５重量％以下とすると、室温（２５℃）における体積固有抵抗は、１．０×１０^１４Ω・ｃｍ以上となり、クーロン型の静電チャック装置の載置板３１として好適である。さらに、耐磨耗性に優れ、ウエハの汚染やパーティクルの発生の原因とならず、しかも、耐プラズマ性が向上したものとなっている。

また、この炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体として、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）とからなる複合焼結体とし、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の含有率を複合焼結体全体に対して５重量％以上かつ１５重量％以下とすると、室温（２５℃）における体積固有抵抗は、１．０×１０^９Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下となり、ジョンソン・ラーベック型の静電チャック装置の載置板３１として好適である。さらに、耐磨耗性に優れ、ウエハの汚染やパーティクルの発生の原因とならず、しかも、耐プラズマ性が向上したものとなっている。

また、この炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体における炭化ケイ素粒子の平均粒子径は０．２μｍ以下が好ましい。
炭化ケイ素粒子の平均粒子径が０．２μｍを超えると、プラズマ照射時の電場が炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体中の炭化ケイ素粒子の部分に集中し、炭化ケイ素粒子の周辺が損傷を受け易くなるからである。

また、この炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体における酸化アルミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下が好ましい。
酸化アルミニウム粒子の平均粒子径が２μｍを超えると、炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体がプラズマエッチングされ、スパッタ痕が形成され易くなり、表面粗さが粗くなるからである。

「静電吸着用内部電極」
静電吸着用内部電極２５は、厚みが１０μｍ〜５０μｍ程度の平板状のセラミックスが用いられ、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗は、１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは１．０×１０^２Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^４Ω・ｃｍ以下である。

ここで、体積固有抵抗の範囲を上記のように限定した理由は、体積固有抵抗が１．０×１０^−１Ω・ｃｍを下回ると、金属ベース部２３に高周波電圧を印加した場合に、高周波電流が静電吸着用内部電極２５を通過することができず、静電チャック部２２の表面の電界強度を均一化することができず、したがって、プラズマの均一化を図ることができないからであり、一方、体積固有抵抗が１．０×１０^８Ω・ｃｍを越えると、静電吸着用内部電極２５が実質的に絶縁体となり、静電吸着用の内部電極としての機能を発現することができず、静電吸着力が発現しないか、もしくは静電吸着力の応答性が低下して所要の静電吸着力の発現までに長時間を要することとなるからである。

静電吸着用内部電極２５を構成するセラミックスとしては、次に挙げるような各種の複合焼結体が挙げられる。
（１）酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスに、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の半導体セラミックスを添加した複合焼結体。
（２）酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスに、窒化タンタル（ＴａＮ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化モリブデン（Ｍｏ_２Ｃ）等の導電性セラミックスを添加した複合焼結体。
（３）酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスに、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属を添加した複合焼結体。
（４）酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスに、炭素（Ｃ）等の導電材料を添加した複合焼結体。

これらの材料は、導電性成分の添加量を制御することにより体積固有抵抗を１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下の範囲内に容易に制御することができる。特に、載置板３１及び支持板３２を共にセラミックスで形成した場合には熱膨張係数が近似したものとなるので、静電吸着用内部電極２５を形成する材料として好適である。

静電吸着用内部電極２５の形状や大きさについては、適宜調整が可能である。また、静電吸着用内部電極２５の全領域が１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下の範囲内の体積固有抵抗を有する材料で形成されている必要はなく、静電吸着用内部電極２５の全領域の５０％以上、好ましくは７０％以上の領域が１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下の範囲内の体積固有抵抗を有する材料で形成されていればよい。

「絶縁材層」
絶縁材層３３は、載置板３１と支持板３２とを接合一体化するためのものであり、また、静電吸着用内部電極２５をプラズマや腐食性ガスから保護するためのものである。この絶縁材層３３を構成する材料としては、載置板３１及び支持板３２と主成分が同一の絶縁性材料が好ましく、例えば、載置板３１及び支持板３２が炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体により構成されている場合には、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）とするのが好ましい。

「誘電体板」
誘電体板２４は、静電チャック部２２の中央部の電界強度を低下させるためのものであり、金属ベース部２３に高周波電力を印加した場合の静電チャック部２２の表面の電界強度がさらに均一化する。これにより、プラズマ密度がさらに均一化される。
このような誘電体板２４としては、絶縁性に優れ、かつ、熱伝導度が良好なセラミックスが好ましく、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体等を挙げることができる。

この誘電体板２４の厚みは、１ｍｍ以上かつ１５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは４ｍｍ以上かつ８ｍｍ以下である。
この誘電体板２４の厚みが１ｍｍを下回ると、静電チャック部２２の中央部の電界強度を低下させるのに充分な効果が得られず、一方、誘電体板２４の厚みが１５ｍｍを越えると、金属ベース部２３から板状試料Ｗへの熱伝導度が低下し、板状試料Ｗを所望の一定の温度に維持することが困難になる。

「静電チャック装置の製造方法」
本実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。
ここでは、載置板３１及び支持板３２を、実質的に１重量％〜２０重量％の炭化ケイ素を含む炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体を用いて製造する場合を例にとり説明する。
用いる炭化ケイ素（ＳｉＣ）の原料粉末としては、平均粒子径が０．１μｍ以下の炭化ケイ素粉末を用いることが好ましい。

その理由は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末の平均粒子径が０．１μｍを越えると、得られた炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体は、炭化ケイ素粒子の平均粒子径が０．２μｍを超えることとなり、載置板３１及び支持板３２の強度向上の効果が小さくなるからである。
また、この炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体からなる載置板３１は、プラズマに曝されたときに電場が炭化ケイ素（ＳｉＣ）粒子の部分に集中して大きな損傷を受け易くなり、プラズマ耐性が低く、プラズマ損傷後の静電吸着力が低下する虞があるからである。

この炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末としては、プラズマＣＶＤ法により得られた粉末が好ましく、特に、非酸化性雰囲気のプラズマ中に、シラン化合物またはハロゲン化ケイ素と炭化水素の原料ガスを導入し、反応系の圧力を１×１０^５Ｐａ（１気圧）から１．３３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の範囲で制御しつつ気相反応させることにより得られた平均粒子径が０．１μｍ以下の超微粉末が、焼結性に優れ、高純度であり、粒子形状が球状であるために成形時の分散性が良好であるので、好ましい。

一方、酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）の原料粉末としては、平均粒子径が１μｍ以下の酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粉末を用いることが好ましい。
その理由は、平均粒子径が１μｍを越える酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粉末を用いて得られた炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体においては、複合焼結体中の酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粒子の平均粒子径が２μｍを越えるために、載置板３１の板状試料を載置する側の上面３１ａがプラズマによりエッチングされ易くなり、よって、スパッタ痕が形成されることとなり、この上面３１ａの表面粗さが粗くなり、静電チャック装置２１の静電吸着力が低下する虞があるからである。
なお、使用する酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粉末としては、平均粒子径が１μｍ以下かつ高純度のものであればよく、特段限定されない。

次いで、上記の炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末と酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粉末とを、所望の体積固有抵抗値が得られる比率となるよう、秤量、混合する。
次いで、得られた混合粉を、金型を用いて所定形状に成形し、その後、得られた成形体を、例えば、ホットプレス（ＨＰ）を用いて、加圧しながら焼成し、炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体を得る。

ホットプレス（ＨＰ）の条件としては、加圧力は、特に制限されるものではないが、炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体を得る場合には、例えば、５〜４０ＭＰａが好ましい。加圧力が５ＭＰａを下回ると、充分な焼結密度の複合焼結体が得られず、一方、加圧力が４０ＭＰａを超えると、黒鉛等からなる治具が変形損耗するからである。

また、焼成する際の温度としては、１６５０〜１８５０℃が好ましい。焼成温度が１６５０℃未満であると、充分緻密な炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体を得ることができず、一方、１８５０℃を超えると、焼成過程にて焼結体の分解や粒成長が生じ易くなるからである。
また、焼成時の雰囲気としては、炭化ケイ素の酸化を防止するという観点で、アルゴン雰囲気、窒素雰囲気等の不活性雰囲気が好ましい。
この様にして得られた２枚の炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体のうち、一方の複合焼結体の所定位置に給電用端子挿入孔３７を機械加工により形成し、支持板３２とする。

また、静電吸着用内部電極を形成するための塗布剤として、酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）等の絶縁性セラミックス粉末に、炭化モリブデン（Ｍｏ_２Ｃ）等の導電性材料粉末を、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下となるような割合で添加してペースト化された塗布剤を作製し、この塗布剤を支持板３２の静電吸着用内部電極を形成する領域内に塗布して導電層を形成し、この導電層を形成した領域の外側の領域に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）等の絶縁性セラミックス粉末を含むペースト化された塗布剤を塗布し、絶縁層を形成する。

次いで、支持板３２の給電用端子挿入孔３７に円筒状の碍子３８を介して給電用端子２７を挿入し、この支持板３２の導電層及び絶縁層が形成されている面と、載置板３１とを重ね合わせ、次いで、これら載置板３１及び支持板３２を、例えば、１６００℃以上に加熱しながら加圧し、上記の導電層により静電吸着用内部電極２５を形成するとともに、絶縁層により接合層となる絶縁材層３３を形成し、載置板３１及び支持板３２を静電吸着用内部電極２５及び絶縁材層３３を介して接合する。そして、載置面となる載置板３１の上面３１ａをＲａ（中心線平均粗さ）が０．３μｍとなるよう研磨し、静電チャック部２２とする。

一方、アルミニウム（Ａｌ）板を用いて、表面に円形状の凹部３４が形成され内部に冷却用媒体を循環させる流路２８が形成された金属ベース部２３を作製する。また、酸化アルミニウム（Ａｌ_２０_３）粉末を成形、焼成して酸化アルミニウム焼結体からなる誘電体板２４を作製する。

次いで、金属ベース部２３の凹部３４の内面全面に静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤を塗布し、次いで、この導電性の接着・接合剤上に誘電体板２４を接着・接合し、この誘電体板２４を含む金属ベース部２３上に絶縁性の接着・接合剤を塗布し、この絶縁性の接着・接合剤上に静電チャック部２２を接着・接合する。

この接着・接合に際しては、静電チャック部２２の全吸着領域に亘って熱伝導度が同一となるよう、導電性の接着・接合剤層３５及び絶縁性の接着・接合剤層３６の材質及び厚みを調整することにより、静電チャック部２２と金属ベース部２３との間の熱伝導率が均一化され、板状試料Ｗの面内均熱性が向上する。

例えば、誘電体板２４の導電性の接着・接合剤層３５側の形状が、中心部が厚く周縁部が薄い、同心円の階段状または円錐状の場合には、導電性の接着・接合剤の塗膜の厚みを、中心部を薄く、周縁部を厚くすればよい。
また、誘電体板２４の絶縁性の接着・接合剤層３６側の形状が、中心部が厚く周縁部が薄い、同心円の階段状または円錐状の場合には、絶縁性の接着・接合剤の塗膜の厚みを、中心部を薄く、周縁部を厚くすればよい。
これにより、板状試料Ｗの面内均熱性が向上し、プラズマ処理の均一化が可能になる。

この接着・接合過程で、誘電体板２４は、金属ベース部２３の凹部３４内に導電性の接着・接合剤層３５を介して接着・固定され、静電チャック部２２の支持板３２は、金属ベース部２３及び誘電体板２４に絶縁性の接着・接合剤層３６を介して接着・固定される。
以上により、本実施形態の静電チャック装置を得ることができる。

以上説明したように、本実施形態の静電チャック装置によれば、金属ベース部２３の静電チャック部２２側の表面に円形状の凹部３４を形成し、この凹部３４内に静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して誘電体板２４を接着・固定し、この誘電体板２４と静電チャック部２２の支持板３２とを絶縁性の接着・接合剤層３６を介して接着・接合したので、金属ベース部２３に高周波電圧を印加した場合においても、静電チャック部２２の表面の電界強度を均一化することができる。

また、導電性の接着・接合剤層３５中に気泡が生じたり、あるいは欠陥が生じた様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層３５の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もない。したがって、板状試料の表面におけるプラズマ密度を均一化することができ、板状試料の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる。

［第２の実施形態］
図２は、本発明の第２の実施形態の静電チャック装置を示す断面図であり、本実施形態の静電チャック装置４１が第１の実施形態の静電チャック装置２１と異なる点は、金属ベース部２３の静電チャック部２２側の表面（主面）に、静電チャック部２２の下面と同一形状でありかつ深さが静電チャック部２２の高さと比べて浅い凹部４２を形成し、この凹部４２と静電チャック部２２の下部の支持板３２とを、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して接着・接合した点である。

この静電チャック装置４１では、静電チャック部２２と凹部４２とを、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して接着・接合したことにより、この導電性の接着・接合剤層３５中に気泡が生じたり、あるいは欠陥が生じたりした様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層３５の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もない。これにより、板状試料Ｗの表面におけるプラズマ密度が平坦化され、よって、板状試料Ｗの全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことが可能になる。

この凹部４２と基体２６とのクリアランスは、基体２６が円形の場合は直径の０．１％以上が好ましく、より好ましくは０．２％以上、さらに好ましくは０．３％以上である。また、基体２６が矩形の場合は、その対角線の長さの０．１％以上が好ましく、より好ましくは０．２％以上、さらに好ましくは０．３％以上である。

ここで、凹部３４と基体２６とのクリアランスが０．１％を下回ると、基体２６と金属ベース部２３との熱膨張係数の差に起因する金属ベース部２３の反りが生じ易く、この反りに伴って静電チャック部２２の基体２６に破損が生じたり、金属ベース部２３と基体２６との間の接着・接合剤層３５に剥離が生じる虞がある。
また、凹部４２と基体２６とのクリアランスは、数値範囲としては、２．０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは１．５ｍｍ以下、さらに好ましくは１．０ｍｍ以下である。
凹部４２と基体２６とのクリアランスが２．０ｍｍを上回ると、板状試料Ｗの面内均熱性が低下してプラズマ処理の均一化を図ることができない虞がある。

本実施形態の静電チャック装置４１によれば、凹部４２と静電チャック部２２の下部の支持板３２とを、静電チャック装置の使用温度下における体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層３５を介して接着・接合したので、金属ベース部２３に高周波電圧を印加した場合においても、導電性の接着・接合剤層３５中に気泡が生じたり、厚みが変動したり、あるいは欠陥が生じた様な場合においても、この導電性の接着・接合剤層３５の誘電率が不均一になる虞が無く、プラズマ分布に乱れ等の影響が生じる虞もなく、したがって、板状試料Ｗの表面におけるプラズマ密度を均一化することができ、板状試料Ｗの全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができる。
また、金属ベース部２３と静電チャック部２２との間の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる。

［第３の実施形態］
図３は、本発明の第３の実施形態の静電チャック装置の誘電体板を示す断面図であり、本実施形態の誘電体板５１が第１の実施形態の誘電体板２４と異なる点は、誘電体板５１の厚みが中央部から周縁部に向かって同心円状に漸次薄くなる様に、誘電体板５１の下面５１ａを円錐状とした点である。
この誘電体板５１を用いる場合、金属ベース部２３に誘電体板５１の下面５１ａと相補形状の凹部５２を形成すると、金属ベース部２３と誘電体板５１との間の位置決め及び固定が容易かつ確実になる。

本実施形態の誘電体板５１によれば、厚みを中央部から周縁部に向かって同心円状に漸次薄くなる様にしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。
また、金属ベース部２３に、誘電体板５１の下面５１ａと相補形状の凹部５２を形成すれば、金属ベース部２３と誘電体板５１との間の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる。

［第４の実施形態］
図４は、本発明の第４の実施形態の静電チャック装置の誘電体板を示す断面図であり、本実施形態の誘電体板６１が第１の実施形態の誘電体板２４と異なる点は、誘電体板６１の厚みが中央部から周縁部に向かって同心円状に段階的に薄くなる様に、誘電体板６１の下面６１ａを断面階段状とした点である。
この誘電体板６１を用いる場合、金属ベース部２３に誘電体板６１の下面６１ａと相補形状の凹部６２を形成すると、金属ベース部２３と誘電体板６１との間の位置決め及び固定が容易かつ確実になる。

本実施形態の誘電体板６１によれば、厚みを中央部から周縁部に向かって同心円状に段階的に薄くなる様にしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。
また、金属ベース部２３に、誘電体板６１の下面６１ａと相補形状の凹部６２を形成すれば、金属ベース部２３と誘電体板６１との間の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる。

［第５の実施形態］
図５は、本発明の第５の実施形態の静電チャック装置の支持板を示す断面図であり、本実施形態の支持板７１が第２の実施形態の支持板３２と異なる点は、支持板７１の厚みが中央部から周縁部に向かって同心円状に漸次薄くなる様に、支持板７１の下面７１ａを円錐状とした点である。
この支持板７１を用いる場合、金属ベース部２３に支持板７１の下面７１ａと相補形状の凹部７２を形成すると、金属ベース部２３と支持板７１との間の位置決め及び固定が容易かつ確実になる。

本実施形態の支持板７１によれば、厚みを中央部から周縁部に向かって同心円状に漸次薄くなる様にしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。
また、金属ベース部２３に、支持板７１の下面７１ａと相補形状の凹部７２を形成すれば、金属ベース部２３と支持板７１との間の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる。

［第６の実施形態］
図６は、本発明の第６の実施形態の静電チャック装置の支持板を示す断面図であり、本実施形態の支持板８１が第２の実施形態の支持板３２と異なる点は、支持板８１の厚みが中央部から周縁部に向かって同心円状かつ段階的に薄くなる様に、支持板８１の下面８１ａを断面階段状とした点である。
この支持板８１を用いる場合、金属ベース部２３に支持板８１の下面８１ａと相補形状の凹部８２を形成すると、金属ベース部２３と支持板８１との間の位置決め及び固定が容易かつ確実になる。

本実施形態の支持板８１によれば、厚みを中央部から周縁部に向かって同心円状かつ段階的に薄くなる様にしたので、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができ、板状試料の表面におけるプラズマ密度をより均一化することができる。
また、金属ベース部２３に、支持板８１の下面８１ａと相補形状の凹部８２を形成すれば、金属ベース部２３と支持板８１との間の位置決め及び固定を容易かつ確実に行うことができる。

［第７の実施形態］
図７は、本発明の第７の実施形態の静電チャック装置の基体を示す断面図であり、本実施形態の基体９１が第１の実施形態の基体２６と異なる点は、載置板３１と支持板３２との間に挟持された静電吸着用内部電極が、同心円状の複数の電極部９３〜９５により構成され、これらの電極部９３〜９５間及び中心部にはそれぞれ絶縁材層９６が形成され、これらの電極部９３〜９５それぞれに給電用端子２７、…が接続され、給電用端子２７、…は直流電源９７を介して接地されている点である。

本実施形態の静電チャック装置によれば、静電吸着用内部電極を同心円状の複数の電極部９３〜９５により構成し、これらの電極部９３〜９５間及び中心部に絶縁材層９６を形成し、これらの電極部９３〜９５それぞれに給電用端子２７、…を接続したので、高周波電圧が印加された場合においても、高周波電流が静電吸着用内部電極を経由して流れるのを防止することができ、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができる。

［第８の実施形態］
図８は、本発明の第８の実施形態の双極型の静電チャック装置の基体を示す断面図であり、本実施形態の基体１０１が第７の実施形態の基体９１と異なる点は、複数の電極部９３〜９５それぞれに給電用端子２７、２７を介して直流電源９７が接続されて双極型の静電チャック装置とされている点である。
本実施形態においても、第７の実施形態と全く同様の効果を奏することができる。

［第９の実施形態］
図９は、本発明の第９の実施形態の静電チャック装置の静電吸着用内部電極を示す平面図であり、本実施形態の静電吸着用内部電極１１１が第１の実施形態の静電吸着用内部電極２５と異なる点は、中央部に、この静電吸着用内部電極１１１の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の円形状の開口１１２が形成され、この開口１１２に絶縁材層９６が充填されている点である。

この静電吸着用内部電極１１１では、中央部に、この静電吸着用内部電極１１１の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の開口１１２を形成し、この開口１１２を絶縁材層９６で充填したことにより、高周波電圧が印加された場合においても、高周波電流は静電吸着用内部電極１１１を経由して外縁部方向に向かって流れ難くなり、中心部ほど高密度であったプラズマ分布が平坦化される。

本実施形態の静電チャック装置によれば、静電吸着用内部電極１１１の中央部に、この静電吸着用内部電極１１１の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の開口１１２を形成し、この開口１１２を絶縁材層９６で充填したので、高周波電圧が印加された場合においても、高周波電流が静電吸着用内部電極１１１を経由して外縁部方向に向かって流れるのを防止することができ、中心部ほど高密度であったプラズマ分布を平坦化することができる。

［第１０の実施形態］
図１０は、本発明の第１０の実施形態の静電チャック装置の静電吸着用内部電極を示す平面図であり、本実施形態の静電吸着用内部電極１２１が第９の実施形態の静電吸着用内部電極１１１と異なる点は、全体形状を矩形状とし、その中央部に、この静電吸着用内部電極１２１の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の矩形状の開口１２２が形成され、この開口１２２に絶縁材層９６が充填されている点である。
本実施形態においても、第９の実施形態と全く同様の効果を奏することができる。

本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態の静電チャック装置の誘電体板を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態の静電チャック装置の誘電体板を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態の静電チャック装置の支持板を示す断面図である。 本発明の第６の実施形態の静電チャック装置の支持板を示す断面図である。 本発明の第７の実施形態の静電チャック装置の基体を示す断面図である。 本発明の第８の実施形態の静電チャック装置の基体を示す断面図である。 本発明の第９の実施形態の静電チャック装置の静電吸着用内部電極を示す平面図である。 本発明の第１０の実施形態の静電チャック装置の静電吸着用内部電極を示す平面図である。 従来の静電チャック装置の一例を示す断面図である。 従来のプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。 従来の静電チャック装置が搭載されたプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。

符号の説明

２１ 静電チャック装置
２２ 静電チャック部
２３ 金属ベース部
２４ 誘電体板
２５ 静電吸着用内部電極
２６ 基体
２７ 給電用端子
２８ 流路
３１ 載置板
３１ａ 上面
３２ 支持板
３３ 絶縁材層
３４ 凹部
３５ 導電性の接着・接合剤層
３６ 絶縁性の接着・接合剤層
３７ 給電用端子挿入孔
３８ 碍子
３９ 冷却ガス導入孔
４１ 静電チャック装置
４２ 凹部
５１ 誘電体板
５１ａ 下面
５２ 凹部
６１ 誘電体板
６１ａ 下面
６２ 凹部
７１ 支持板
７１ａ 下面
７２ 凹部
８１ 支持板
８１ａ 下面
８２ 凹部
９１ 基体
９３〜９５ 電極部
９６ 絶縁材層
９７ 直流電源
１０１ 基体
１１１ 静電吸着用内部電極
１１２ 開口
１２１ 静電吸着用内部電極
１２１ 開口
Ｗ 板状試料

Claims (16)

1. 一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した基体と、この静電吸着用内部電極に直流電圧を印加する給電用端子とを備えた静電チャック部と、
   この静電チャック部の基体の他の主面に固定されて一体化され、高周波発生用電極となる金属ベース部とを備え、
   前記金属ベース部の前記静電チャック部側の主面に凹部が形成され、この凹部内に誘電体板が固定され、
   この誘電体板と前記静電チャック部とは、絶縁性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、
   前記誘電体板と前記凹部とは、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、
   前記静電吸着用内部電極の体積固有抵抗は、１．０×１０ ^−１ Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０ ^８ Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする静電チャック装置。
2. 前記誘電体板の厚みは、中央部から周縁部に向かって薄くなっていることを特徴とする請求項１記載の静電チャック装置。
3. 前記誘電体板と前記凹部とのクリアランスは、前記誘電体板が円形の場合は直径の０．１％以上であり、前記誘電体板が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上であることを特徴とする請求項１または２記載の静電チャック装置。
4. 前記誘電体板と前記凹部とのクリアランスは、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１、２または３記載の静電チャック装置。
5. 前記凹部は、前記誘電体板の該凹部側の主面と相補形状であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の静電チャック装置。
6. 前記静電チャック部と前記金属ベース部との間の熱伝導度は、前記静電チャック部の全吸着領域に亘って均一であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の静電チャック装置。
7. 一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した基体と、この静電吸着用内部電極に直流電圧を印加する給電用端子とを備えた静電チャック部と、
   この静電チャック部の基体の他の主面に固定されて一体化され、高周波発生用電極となる金属ベース部とを備え、
   前記金属ベース部の前記静電チャック部側の主面に凹部が形成され、この凹部に前記静電チャック部が固定され、
   前記静電チャック部と前記凹部とは、体積固有抵抗が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性の接着・接合剤層を介して接着・接合され、
   前記静電吸着用内部電極の体積固有抵抗は、１．０×１０ ^−１ Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０ ^８ Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする静電チャック装置。
8. 前記基体の厚みは、中央部から周縁部に向かって薄くなっていることを特徴とする請求項７記載の静電チャック装置。
9. 前記基体と前記凹部とのクリアランスは、前記基体が円形の場合は直径の０．１％以上であり、前記基体が矩形の場合は該矩形の対角線の長さの０．１％以上であることを特徴とする請求項７または８記載の静電チャック装置。
10. 前記基体と前記凹部とのクリアランスは、２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７、８または９記載の静電チャック装置。
11. 前記凹部は、前記基体の他の主面と相補形状であることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか１項記載の静電チャック装置。
12. 前記静電チャック部と前記金属ベース部との間の熱伝導度は、前記静電チャック部の全吸着領域に亘って均一であることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか１項記載の静電チャック装置。
13. 前記導電性の接着・接合剤層は、導電性フィラー含有シリコーン系接着・接合剤または金属系接着・接合剤からなることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項記載の静電チャック装置。
14. 前記静電吸着用内部電極は、互いに絶縁された同心円状の複数の電極部からなり、これらの電極部それぞれに前記給電用端子が接続されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項記載の静電チャック装置。
15. 前記静電吸着用内部電極の中央部には、この静電吸着用内部電極の全面積の１／９以上かつ４／９以下の面積の開口が形成され、この開口には絶縁材料が充填されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項記載の静電チャック装置。
16. プラズマ処理を施すためのチャンバー内に、請求項１ないし１５のいずれか１項記載の静電チャック装置を搭載してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

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