JP5233092B2 - プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
高周波電源に接続され、プラズマ生成用、またはプラズマ中のイオン引き込み用の電極を兼ねる導電体部材と、
この導電体部材の上面中央部を覆うように設けられ、被処理基板を通してプラズマに印加する高周波電界を均一にするための誘電体層と、
この誘電体層の上に積層され、その間を高周波が通過できるように載置台の径方向に互いに離間して複数に分割された円形の電極膜とこの円形の電極膜の周囲の円環形状の電極膜とが、直流電源に接続された状態で同心円状に埋設されると共に、その上面に被処理基板が載置される静電チャックと、を備え、
前記誘電体層の外縁は、分割された電極膜間の離間領域の内縁の真下またはそれよりも外側であり、且つ、最外位置の前記円環形状の電極膜の外縁よりも内側に位置すると共に、前記被処理基板の外縁よりも内側に位置し、
分割された電極膜は互いに高周波に対して絶縁されていることを特徴とする。
また、他の発明は、載置面に被処理基板を載置するためのプラズマ処理装置用の載置台であって、
高周波電源に接続され、プラズマ生成用、またはプラズマ中のイオン引き込み用の電極を兼ねる導電体部材と、
この導電体部材の上面中央部を覆うように設けられ、被処理基板を通してプラズマに印加する高周波電界を均一にするための誘電体層と、
この誘電体層の上に積層され、その間を高周波が通過できるように載置台の径方向に互いに離間して複数に分割された電極膜が埋設された静電チャックと、を備え、
前記誘電体層の外縁は、分割された電極膜間の離間領域の内縁の真下またはそれよりも外側に位置し、
分割された電極膜は互いに高周波に対して絶縁され、
前記誘電体層は、下のものほど外縁が内側になるように複数段積層され、前記電極膜の分割数は、誘電体層の段数より少なくとも一つ多いことを特徴とする。
図1に示すような平行平板型のプラズマ処理装置をモデル化し、シミュレーションを行ってウエハ上の電界強度の分布を推定した。
電極膜23b、23dの抵抗率:1.0×10−6Ωm
ウエハWの抵抗率 :5.0×10−2Ωm
プラズマの抵抗率 :1.5Ωm
誘電体層22の比誘電率ε :10
印加電力:2kW(周波数40MHz、100MHzの2条件)
(実施例1)
図10(a)に示したように、第2の実施の形態で説明したものと同様の構成を有する載置台2についてのシミュレーションを行った。
ここで、第1の電極膜23bの直径ΦC1=158mm、第2の電極膜23dは内径ΦC2=162mm、外径ΦC3=298mm、誘電体層の直径ΦD=158mmとした。
(実施例2)
図10(b)に示したように、第1の実施の形態で説明したものと同様の構成を有する載置台2についてのシミュレーションを行った。
ここで、第1の電極膜23b、第2の電極膜23dのサイズは実施例1と同様とし、誘電体層22の直径をΦD=240mmとした。
(比較例1)
図10(c)に示すように、誘電体層22が埋設されておらず、静電チャック23の電極膜23bが分割されていない構成の載置台2についてのシミュレーションを行った。
(比較例2)
図10(d)に示すように、誘電体層22が埋設されているが、電極膜23bが分割されていない構成の載置台2についてのシミュレーションを行った。なお、誘電体層22の直径はΦD=160mmとした。
(比較例3)
図10(e)に示すように、第1の実施例や第2の実施例と同様に電極膜23b、23dが分割されているが、誘電体層22の直径が電極膜23bよりも小さいため、誘電体層22の外縁が離間領域23cの内縁よりも内側に位置する構成の載置台2についてのシミュレーションを行った。
ここで、第1の電極膜23b、第2の電極膜23dのサイズは実施例1と同様とし、誘電体層22の直径をΦD=100mmとした。
各実施例、比較例における電界強度分布のシミュレーション結果を図11に示す。図11(a)は、印加した高周波の周波数が40MHzの場合のシミュレーション結果を示している。図11(b)は同じく周波数が100MHzの場合の結果を示している。各グラフの横軸は、ウエハWの中央を「0」とした場合の半径方向への中央からの距離[mm]を示している。縦軸は、「比電界強度(=シミュレーションの結果得られた各位置における電界強度E/すべての位置におけるシミュレーション結果の最大値Emax)」を示している。各シミュレーション結果は、実施例1を三角(△)でプロットし、実施例2を逆三角(▼)、比較例1をひし形(◇)、比較例2を四角(■)、比較例3を丸(●)で夫々プロットした。
(シミュレーション1)の実施例1、2及び比較例2、3で示したものと同様の構造を有する載置台2を作成し、各載置台2の構造の違いが実際のプラズマ処理に及ぼす影響について調べた。
実験においては、図1に示すような平行平板型のプラズマ処理装置に図10の実施例1、2及び比較例2、3に示した各載置台2を組み込んだものを用いた。そして、レジスト膜を塗布したウエハWを載置台2の載置面に載置して、プラズマを発生させレジスト膜のアッシング処理を行った。処理容器11内の圧力は7Pa(5mTorr)、処理ガスはO2ガス(100sccmで供給)、プラズマ生成用の高周波は周波数100MHz、2kWとした。所定時間アッシング処理を行った後、ウエハW上の所定の測定点についてレジスト膜の膜厚を測定し、単位時間当たりのアッシング速度を算出した。
図12は、ウエハW上の各測定点において実験結果から算出したアッシング速度をプロットした結果を示している。図12(a)、(b)は比較例2、比較例3の載置台2についての実験結果を夫々示し、図12(c)、(d)は実施例1、実施例2の載置台2についての実験結果を夫々示している。ここで各グラフの横軸は、図10(a)に示した方向に座標軸を設定した場合において、X軸方向(図に向かって左右方向、右側を正とする)及び、Y軸方向(図に向かって手前から奥の方向、奥側を正とする)へのウエハWの中央からの距離[mm]を示している。また、縦軸はアッシング速度[nm/min]を示している。各実験結果について、X軸方向のアッシング速度をひし形(◆)でプロットし、Y軸方向を三角(△)でプロットしている。また、グラフ中に記載した数字は、各実験条件におけるアッシング速度の平均値と、この平均値に対する実験結果の相対的な変化幅[%]とを示している。
W ウエハ
1 プラズマ処理装置
2 載置台
9 プラズマ処理装置
11 処理容器
11a 上部室
11b 下部室
12 排気口
13 排気管
14 排気装置
15 搬入出口
16 ゲートバルブ
17 支持ケース
18 バッフル板
21 下部電極
21a 支持台
22 誘電体層
22a 第1の誘電体層
22b 第2の誘電体層
23 静電チャック
23a 絶縁膜
23b 電極膜(第1の電極膜)
23c 離間領域(第1の離間領域)
23d 電極膜(第2の電極膜)
23e 第2の離間領域
23f 第3の電極膜
24 絶縁部材
25 貫通孔
26 冷媒流路
27 ガス流路
28 フォーカスリング
31 上部電極
32 ガス供給孔
33 ガス導入管
35 処理ガス供給源
41a 高周波電源(第1の高周波電源)
41b 高周波電源(第2の高周波電源)
42a、42b 整合器
43a、43b 高インピーダンス回路
44 スイッチ
45 抵抗
46 高圧直流電源
47a、47b マルチポールリング磁石
91 下部電極
92 上部電極
93 高周波電源
94 誘電体層
95 静電チャック
96 電極膜
97 高圧直流電源
Claims (7)
- 載置面に被処理基板を載置するためのプラズマ処理装置用の載置台であって、
高周波電源に接続され、プラズマ生成用、またはプラズマ中のイオン引き込み用の電極を兼ねる導電体部材と、
この導電体部材の上面中央部を覆うように設けられ、被処理基板を通してプラズマに印加する高周波電界を均一にするための誘電体層と、
この誘電体層の上に積層され、その間を高周波が通過できるように載置台の径方向に互いに離間して複数に分割された円形の電極膜とこの円形の電極膜の周囲の円環形状の電極膜とが、直流電源に接続された状態で同心円状に埋設されると共に、その上面に被処理基板が載置される静電チャックと、を備え、
前記誘電体層の外縁は、分割された電極膜間の離間領域の内縁の真下またはそれよりも外側、且つ、最外位置の電極膜の外縁よりも内側に位置すると共に、前記被処理基板の外縁よりも内側に位置し、
分割された電極膜は互いに高周波に対して絶縁されていることを特徴とするプラズマ処理装置用の載置台。 - 載置面に被処理基板を載置するためのプラズマ処理装置用の載置台であって、
高周波電源に接続され、プラズマ生成用、またはプラズマ中のイオン引き込み用の電極を兼ねる導電体部材と、
この導電体部材の上面中央部を覆うように設けられ、被処理基板を通してプラズマに印加する高周波電界を均一にするための誘電体層と、
この誘電体層の上に積層され、その間を高周波が通過できるように載置台の径方向に互いに離間して複数に分割された電極膜が埋設された静電チャックと、を備え、
前記誘電体層の外縁は、分割された電極膜間の離間領域の内縁の真下またはそれよりも外側に位置し、
分割された電極膜は互いに高周波に対して絶縁され、
前記誘電体層は、下のものほど外縁が内側になるように複数段積層され、
前記電極膜の分割数は、誘電体層の段数より少なくとも一つ多いことを特徴とするプラズマ処理用の載置台。 - 前記誘電体層は、円柱状に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記誘電体層の厚さは、中央部よりも周縁部の方が小さいことを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記誘電体層は、ドーム状または円錐状であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記高周波電源より供給される高周波の周波数は、13MHz以上であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 被処理基板に対してプラズマ処理が行われる処理容器と、
この処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理容器内に設けられた請求項1ないし6のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置用の載置台と、
この載置台の上方側に当該載置台と対向するように設けられた上部電極と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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