JP2010161109A - 載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10の載置台12は、第1の高周波電源28及び第2の高周波電源29に接続される下部電極20と、該下部電極20の上面中央部分において埋設される誘電体層21と、該誘電体層21の上に載置される静電チャック22と、ウエハW及び誘電体層21の間に配される導電膜45とを有し、該静電チャック22は電極膜37を有し、導電膜45は条件「δ1/z1≧85」及び条件「ρs1≦2.67×105Ω/□」を満たし、電極膜37は条件「δ2/z2≧85」を満たす。但し、z1:導電膜45の厚さ、δ1:導電膜45のスキンデプス、ρs1:導電膜45の表面抵抗率、z2:電極膜37の厚さ、δ2:電極膜37のスキンデプス。
【選択図】図6
Description
δ=(2ρv/(μω))1/2=(ρv/(μπf))1/2 … (5)
ここで、μは薄膜の透磁率(H/m)であり、ωは2πf(π:円周率、f:第1の高周波電源28から印加されるプラズマ生成用電力の周波数(Hz))であり、ρvは薄膜を構成する電極材料の比抵抗(Ω・m)である。
E=E0exp(−iωt)exp(iz/δ)exp(−z/δ) … (6)
ここで、zは薄膜の厚さ(m)であり、E0は薄膜に入射する電界の強度である。
E/E0∝exp(−z/δ) … (7)
上記式(7)より「z/δ」の値が「0」に近づくほど電界の透過率は1.0(100%)に近づき、「δ」が小さいほど電界の透過率が低くなる。ここで、電極膜37の抵抗REが小さいことは電極膜37の比抵抗ρvが小さいことに他ならないので、抵抗REが小さいと「(ρv/(μπf))1/2」で示されるスキンデプスδが小さくなり、電極膜37を透過する電界を発生させることが困難となる。
ρs=ρv/z (Ω/□) … (8)
ここで用いた薄膜としての各電極膜37のδ/z(及びρs)は、7518(及び8.9×105Ω/□)、6711(及び2.67×105Ω/□)、297(及び1740Ω/□)、195(及び750Ω/□)、124(及び304Ω/□)、103(及び208Ω/□)、92(及び166Ω/□)、85(及び115Ω/□)、並びに47(及び35Ω/□)であった。
10 プラズマ処理装置
11 チャンバ
12 載置台
20 下部電極
21 誘電体層
22 静電チャック
22a 基材
28 第1の高周波電源
29 第2の高周波電源
37 電極膜
42 高圧直流電源
43,44,50 電気回路
45 導電膜
46 給電ピン
47 樹脂シート
48 絶縁性接着剤
51 接着剤層
Claims (12)
- 基板が載置されるプラズマ処理装置用の載置台であって、
プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、
該導電体部材の上面中央部分において埋設される誘電体層と、
該誘電体層の上に載置される静電チャックと、
前記基板及び前記誘電体層の間に配される導電膜とを備え、
前記静電チャックは高圧直流電源に接続される電極膜を有し、
前記導電膜は下記式(1)に示す条件を満たし、前記電極膜は下記式(2)に示す条件を満たすことを特徴とする載置台。
δ1/z1 ≧ 85 且つ ρs1 ≦ 2.67×105Ω/□ … (1)
但し、δ1=(ρv1/(μ1πf))1/2
但し、z1:前記導電膜の厚さ、δ1:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力に対する前記導電膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力の周波数、π:円周率、μ1:前記導電膜の透磁率、ρv1:前記導電膜の比抵抗、ρs1:前記導電膜の表面抵抗率
δ2/z2 ≧ 85 … (2)
但し、δ2=(ρv2/(μ2πf))1/2
但し、z2:前記電極膜の厚さ、δ2:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、μ2:前記電極膜の透磁率、ρv2:前記電極膜の比抵抗 - 基板が載置されるプラズマ処理装置用の載置台であって、
プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、
該導電体部材の上面中央部分において埋設される誘電体層と、
該誘電体層の上に載置される静電チャックと、
前記基板及び前記誘電体層の間に配される導電膜とを備え、
前記静電チャックは高圧直流電源に接続される電極膜を有し、
前記導電膜は下記式(3)に示す条件を満たし、前記電極膜は下記式(4)に示す条件を満たすことを特徴とする載置台。
115Ω/□ ≦ ρs1 ≦ 2.67×105Ω/□ … (3)
但し、ρs1:前記導電膜の表面抵抗率
115Ω/□ ≦ ρs2 … (4)
但し、ρs2:前記電極膜の表面抵抗率 - 前記導電膜の表面抵抗率ρs1が304Ω/□以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記基板側から前記導電膜を眺めた場合において該導電膜は前記誘電体層を隠すことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電膜の表面抵抗率ρs1が前記電極膜の表面抵抗率ρs2よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電体部材及び前記静電チャックは互いに接着されて結合し、前記導電膜は前記導電体部材及び前記静電チャックの間に挟まれることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電膜は樹脂からなるシート上に形成され、該シートは前記導電体部材又は前記静電チャックの表面に貼着されることを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電膜は前記導電体部材又は前記静電チャックの表面に形成されることを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電膜は蒸着によって形成されることを特徴とする請求項7又は8記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 前記導電膜は前記静電チャックに内蔵されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置用の載置台。
- 基板が載置される載置台を備え、
前記載置台は、プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、該導電体部材の上面中央部分において埋設される誘電体層と、該誘電体層の上に載置される静電チャックと、前記基板及び前記誘電体層の間に配される導電膜とを有するプラズマ処理装置であって、
前記静電チャックは高圧直流電源に接続される電極膜を有し、
前記導電膜は下記式(1)に示す条件を満たし、前記電極膜は下記式(2)に示す条件を満たすことを特徴とするプラズマ処理装置。
δ1/z1 ≧ 85 且つ ρs1 ≦ 2.67×105Ω/□ … (1)
但し、δ1=(ρv1/(μ1πf))1/2
但し、z1:前記導電膜の厚さ、δ1:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力に対する前記導電膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力の周波数、π:円周率、μ1:前記導電膜の透磁率、ρv1:前記導電膜の比抵抗、ρs1:前記導電膜の表面抵抗率
δ2/z2 ≧ 85 … (2)
但し、δ2=(ρv2/(μ2πf))1/2
但し、z2:前記電極膜の厚さ、δ2:前記プラズマ生成用の高周波電源から印加される高周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、μ2:前記電極膜の透磁率、ρv2:前記電極膜の比抵抗 - 基板が載置される載置台を備え、
前記載置台は、プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、該導電体部材の上面中央部分において埋設される誘電体層と、該誘電体層の上に載置される静電チャックと、前記基板及び前記誘電体層の間に配される導電膜とを有するプラズマ処理装置であって、
前記静電チャックは高圧直流電源に接続される電極膜を有し、
前記導電膜は下記式(3)に示す条件を満たし、前記電極膜は下記式(4)に示す条件を満たすことを特徴とするプラズマ処理装置。
115Ω/□ ≦ ρs1 ≦ 2.67×105Ω/□ … (3)
但し、ρs1:前記導電膜の表面抵抗率
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但し、ρs2:前記電極膜の表面抵抗率
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