JP5142914B2 - 載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)δ/z ≧ 85 (但し、δ=(ρ v /(μπf)) 1/2 )、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、z:前記電極膜の厚さ、δ:前記プラズマ生成用の高周波電源から供給される高 周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から 供給される高周波電力の周波数、π:円周率、μ:前記電極膜の透磁率、ρ v :前記電極 膜の比抵抗
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする。
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)115Ω/□ ≦ ρ s 、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、ρ s :前記電極膜の表面抵抗率
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする。
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)δ/z ≧ 85 (但し、δ=(ρ v /(μπf)) 1/2 )、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、z:前記電極膜の厚さ、δ:前記プラズマ生成用の高周波電源から供給される高 周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から 供給される高周波電力の周波数、π:円周率、μ:前記電極膜の透磁率、ρ v :前記電極 膜の比抵抗
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする。
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)115Ω/□ ≦ ρ s 、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、ρ s :前記電極膜の表面抵抗率
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする。
δ=(2ρv/(μω))1/2=(ρv/(μπf))1/2 … (1)
ここで、μは電極膜37の透磁率(H/m)であり、ωは2πf(π:円周率、f:第1の高周波電源28から供給される高周波電力の周波数(Hz))であり、ρvは電極膜37を構成する電極材料の比抵抗(Ω・m)である。
E=E0・exp(−iωt)・exp(iz/δ)・exp(−z/δ) … (2)
ここで、zは電極膜37の厚さ(m)であり、E0は電極膜37に入射する電界の強度である。
E/E0∝exp(−z/δ) … (3)
上記式(3)より「z/δ」の値が「0」に近づくほど電界の透過率は1.0(100%)に近づき、「δ」が小さいほど電界の透過率が低くなる。ここで、電極膜37の抵抗REが小さいことは電極膜37の比抵抗ρvが小さいことに他ならないので、抵抗REが小さいと「(ρv/(μπf))1/2」で示されるスキンデプスδが小さくなり、電極膜37を透過する電界を発生させることが困難となる。
ρs=ρv/z (Ω/□) … (4)
ここで用いた各電極膜37のδ/z(及びρs)は、7518(及び8.9×105Ω/□)、6711(及び2.67×105Ω/□)、297(及び1740Ω/□)、195(及び750Ω/□)、124(及び304Ω/□)、103(及び208Ω/□)、92(及び166Ω/□)、85(及び115Ω/□)、並びに47(及び35Ω/□)であった。
10 プラズマ処理装置
11 チャンバ
12 載置台
20 下部電極
21 誘電体層
22 静電チャック
28 第1の高周波電源
29 第2の高周波電源
37 電極膜
37a 中央部分
37b 周縁部分
Claims (6)
- 表面抵抗率が26Ω/□以上である基板が載置されるプラズマ処理装置用の載置台であって、
プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、
前記導電体部材の上面中央部分において埋設される第1の誘電体で構成する誘電体層と、
前記誘電体層の上に載置され、第2の誘電体で構成し、前記第2の誘電体内に埋め込ま れた電極膜を有する静電チャックとを備え、
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)δ/z ≧ 85 (但し、δ=(ρ v /(μπf)) 1/2 )、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、z:前記電極膜の厚さ、δ:前記プラズマ生成用の高周波電源から供給される高 周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から 供給される高周波電力の周波数、π:円周率、μ:前記電極膜の透磁率、ρ v :前記電極 膜の比抵抗
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする載置台。 - 表面抵抗率が26Ω/□以上である基板が載置されるプラズマ処理装置用の載置台であって、
プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、
前記導電体部材の上面中央部分において埋設される第1の誘電体で構成する誘電体層と、
前記誘電体層の上に載置され、第2の誘電体で構成し、前期第2の誘電体内に埋め込ま れた電極膜を有する静電チャックとを備え、
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)115Ω/□ ≦ ρ s 、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、ρ s :前記電極膜の表面抵抗率
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とする載置台。 - 前記プラズマ生成用の高周波電源は40MHz以上の高周波電力を供給することを特徴とする請求項1又は2に記載の載置台。
- 前記イオン引き込み用の高周波電源は13.56MHz以下の高周波電力を供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の載置台。
- プラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内に配置され、表面抵抗率が26Ω/□以上である基板が載置される載置台と、を備え、
前記載置台は、プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、前記導電体部材の上面中央部分において埋設される第1の誘電体で 構成する誘電体層と、前記誘電体層の上に載置され、第2の誘電体で構成し、前記第2の 誘電体内に埋め込まれた電極膜を有する静電チャックと、を有し、
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)δ/z ≧ 85 (但し、δ=(ρ v /(μπf)) 1/2 )、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、z:前記電極膜の厚さ、δ:前記プラズマ生成用の高周波電源から供給される高 周波電力に対する前記電極膜のスキンデプス、f:前記プラズマ生成用の高周波電源から 供給される高周波電力の周波数、π:円周率、μ:前記電極膜の透磁率、ρ v :前記電極 膜の比抵抗
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内に配置され、表面抵抗率が26Ω/□以上である基板が載置される載置台と、を備え、
前記載置台は、プラズマ生成用の高周波電源及びイオン引き込み用の高周波電源に接続される導電体部材と、前記導電体部材の上面中央部分において埋設される第1の誘電体で 構成する誘電体層と、前記誘電体層の上に載置され、第2の誘電体で構成し、前記第2の 誘電体内に埋め込まれた電極膜を有する静電チャックと、を有し、
前記電極膜は高圧直流電源に接続され、且つ以下の(1)乃至(3)の条件を満たし、
(1)115Ω/□ ≦ ρ s 、
(2)前記基板の表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における表面抵抗率、
(3)前記電極膜の周縁部分における表面抵抗率 > 前記電極膜の中央部分における 表面抵抗率、
但し、ρ s :前記電極膜の表面抵抗率
前記電極膜における前記周縁部分及び前記中央部分の境界は、前記誘電体層の周縁端よ りも10mm以上前記導電体部材の周縁側に位置し、前記電極膜の中央部分における表面 抵抗率は2×10 2 Ω/□以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008245722A JP5142914B2 (ja) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
US12/560,924 US8512511B2 (en) | 2008-09-25 | 2009-09-16 | Mounting table and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008245722A JP5142914B2 (ja) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080597A JP2010080597A (ja) | 2010-04-08 |
JP5142914B2 true JP5142914B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=42036425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008245722A Expired - Fee Related JP5142914B2 (ja) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8512511B2 (ja) |
JP (1) | JP5142914B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4898718B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
CN103227086B (zh) * | 2012-01-31 | 2015-09-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种用于等离子体处理装置的载片台 |
CN106716619B (zh) * | 2014-09-30 | 2020-09-15 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电吸盘装置 |
JP2018063974A (ja) | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 |
KR102641752B1 (ko) | 2018-11-21 | 2024-03-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 모듈, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102656790B1 (ko) | 2018-11-21 | 2024-04-12 | 삼성전자주식회사 | 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
KR20210104696A (ko) | 2019-01-15 | 2021-08-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 프로세싱 챔버들을 위한 페디스털 |
US11401608B2 (en) * | 2020-10-20 | 2022-08-02 | Sky Tech Inc. | Atomic layer deposition equipment and process method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167283A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-06-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4472372B2 (ja) | 2003-02-03 | 2010-06-02 | 株式会社オクテック | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板 |
JP5125024B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
US20080062609A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-03-13 | Shinji Himori | Electrostatic chuck device |
JP5233093B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
JP5233092B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置 |
US20080041312A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Shoichiro Matsuyama | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus |
-
2008
- 2008-09-25 JP JP2008245722A patent/JP5142914B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-16 US US12/560,924 patent/US8512511B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010080597A (ja) | 2010-04-08 |
US8512511B2 (en) | 2013-08-20 |
US20100071850A1 (en) | 2010-03-25 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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