JP5317424B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
また、第1の電極の主面の周辺部と周辺誘電体との接触界面および周辺誘電体とフォーカスリングとの接触界面に伝熱シートが挿入されるので、冷媒によって冷却される第1の電極とフォーカスリングとの間に良好な熱的結合ないし伝熱性を得ることができる。
さらに、第1の電極の主面上で周辺部が基板載置部よりも一段低く形成され、周辺誘電体と主誘電体とが同一の材質からなり、周辺誘電体が主誘電体よりも大きな厚さを有する構成により、たとえば溶射法によって第1の電極上に周辺誘電体を形成する場合に、周辺誘電体を主誘電体と一体的または一緒に形成することができる。
上記の装置構成においては、周辺誘電体内の流動性誘電体物質の容積を可変に制御することで、周辺誘電体全体の静電容量を可変に制御することができる。
上記の装置構成においては、第2の導電体に直流電圧が印加されると、周辺誘電体とフォーカスリングの第1の環状体との間に発生する静電力によって第2の環状体が周辺誘電体に吸着される。このとき、第1の環状体も、第2の環状体によって周辺誘電体に押し付けられので、一緒に固定される。
12 サセプタ(下部電極)
12a サセプタ本体(ベース)
12b RFプレート
12A 主サセプタ
12B 周辺サセプタ
24 排気装置
28 第2の高周波電源
30 第1の高周波電源
32 マッチングユニット
36 フォーカスリング
36A 内側フォーカスリング
36B 外側フォーカスリング
38 主静電チャック
38a 主誘電体
38b 導電体
40 直流電源
42 周辺誘電体
44 導電体
45 周辺静電チャック
54 伝熱ガス通路
75 支持棒
76 アクチタエータ
84 タンク
96 可変容量結合部材
102 整合器
104 フィルタ
Claims (9)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する第1の電極と、
前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、
前記第1の電極または前記第2の電極のいずれかに第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
前記第1の電極の内部に形成されている冷媒室に所定温度の冷媒を循環供給する温度制御部と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記第1の電極の主面の前記基板を載置する基板載置部に設けられる主誘電体と、
前記基板載置部よりも外側に位置する前記第1の電極の主面の周辺部を覆うように、前記第1の電極に取り付けられるフォーカスリングと、
前記主誘電体により前記第1の電極と前記基板との間に与えられる単位面積当たりの静電容量よりも小さな単位面積当たりの静電容量を前記第1の電極と前記フォーカスリングとの間に与えるように、前記第1の電極の主面の周辺部の上に設けられる周辺誘電体と、
前記第1の電極の主面の周辺部と前記周辺誘電体との接触界面および前記周辺誘電体と前記フォーカスリングとの接触界面に挿入される伝熱シートと
を有し、
前記第1の電極の主面上で、前記周辺部は前記基板載置部よりも一段低く形成され、
前記周辺誘電体と前記主誘電体とが同一の材質からなり、前記周辺誘電体が前記主誘電体よりも大きな厚さを有する、
プラスマ処理装置。 - 前記周辺誘電体は、前記主誘電体の10〜20倍の厚さを有する、請求項1に記載のプラスマ処理装置。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、
前記第1の電極または前記第2の電極のいずれかに第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記第1の電極の主面の前記基板を載置する基板載置部に設けられる主誘電体と、
前記基板載置部よりも外側に位置する前記第1の電極の主面の周辺部を覆うように、前記第1の電極に取り付けられるフォーカスリングと、
前記主誘電体により前記第1の電極と前記基板との間に与えられる単位面積当たりの静電容量よりも小さな単位面積当たりの静電容量を前記第1の電極と前記フォーカスリングとの間に与えるように、前記第1の電極の主面の周辺部に設けられる周辺誘電体と
を有し、
前記周辺誘電体が、中空に形成され、その中に容積可変の流動性誘電体物質を含む、プラスマ処理装置。 - 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、
前記第1の電極または前記第2の電極のいずれかに第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記第1の電極の主面の前記基板を載置する基板載置部に設けられる主誘電体と、
前記基板載置部よりも外側に位置する前記第1の電極の主面の周辺部を覆うように、前記第1の電極に取り付けられるフォーカスリングと、
前記主誘電体により前記第1の電極と前記基板との間に与えられる単位面積当たりの静電容量よりも小さな単位面積当たりの静電容量を前記第1の電極と前記フォーカスリングとの間に与えるように、前記第1の電極の主面の周辺部に設けられる周辺誘電体と
を有し、
前記フォーカスリングが、前記主誘電体の外周エッジに隣接して配置される第1の環状体と、前記第1の環状体の外周面に隣接して配置される第2の環状体とを有し、
前記第1の電極の前記基板載置部の上に載置される前記基板の外周エッジと前記第2の環状体の内周面との間に形成される隙間が前記第1の環状体の上に位置するように、前記第1の環状体が配置され、
前記フォーカスリングに対する静電吸着力を生成するための第2の導電体が前記第2の環状体と対向する位置に限定して前記周辺誘電体の中に設けられる、
プラスマ処理装置。 - 前記主誘電体の中に第1の導電体が設けられ、前記第1の導電体に前記基板に対する静電吸着力を生成するための直流電圧が印加される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラスマ処理装置。
- 前記主誘電体と前記基板との間に伝熱用の不活性ガスを供給するための第1の伝熱ガス供給部を有する請求項5に記載のプラスマ処理装置。
- 前記周辺誘電体の中に第2の導電体が設けられ、前記第2の導電体に前記フォーカスリングに対する静電吸着力を生成するための直流電圧が印加される、請求項3〜6のいずれか一項に記載のプラスマ処理装置。
- 前記周辺誘電体と前記フォーカスリングとの間に伝熱用の不活性ガスを供給するための第2の伝熱ガス供給部を有する請求項7に記載のプラスマ処理装置。
- 前記第1の電極に前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波を印加する第2の高周波給電部を有する請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラスマ処理装置。
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