JP7110076B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
次に、本実施形態に係る基板処理装置の構成例について説明する。図1は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。本実施形態では、基板処理装置を、処理対象の基板としての半導体ウエハWに対してプラズマエッチングを実施するプラズマ処理装置1とした場合を例にする。なお、基板処理装置は、プラズマ処理装置1に特に限定されるものではない。
イオン液体は、イオンのみで構成される室温で液体の塩の総称である。イオン液体は、蒸気圧がほぼゼロ、不揮発性(高温でも真空中でも揮発しない)、高いイオン電導性、熱伝導性が高い、熱的に非常に安定、難燃性などの特徴を有する。また、イオン液体は、親水性のものと疎水性のものがあり、高い極性を有するなどの特徴を有する。イオン液体は、液体であるために配管22a、22bを通して処理容器10内へ供給することが可能である。また、イオン液体は、エッチング処理中に該イオン液体が消耗したとしても、配管22a、22bを通してイオン液体を補充すれば状態を回復することができるため、交換のためにプラズマ処理装置1の操業を停止する必要なくなる。これにより、プラズマ処理装置1は、生産性を上げることができる。また循環型の濾過または交換システムを付与することで、イオン液体が劣化しても処理容器10を開けることなく劣化していないイオン液体を供給することができ、生産を維持することができる。また、イオン液体は、導電性があるので、導電性が要求される部位にも使用できる。
10 処理容器
17 容器
22a、22b 配管
23 液体供給部
23a タンク
23b フィルター
W 半導体ウエハ
Claims (13)
- 処理対象の基板が内部に配置され、基板処理が実施される処理容器と、
前記基板の周囲に設けられ、環状の底面、当該底面の内周側に内側壁、及び当該底面の外周側に外側壁を有し、前記内側壁と前記外側壁との間の上部領域が全て開口した容器として形成され、イオン液体を保持する保持部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前処理容器は、基板処理の際に内部が真空状態とされ、
前記保持部に対して前記イオン液体の供給および回収の少なくとも一方を行う機構をさらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 処理対象の基板が内部に配置され、基板処理の際に内部が真空状態とされ、基板処理が実施される処理容器と、
前記処理容器内の前記基板処理により消耗または劣化する部品の一部または全部としてイオン液体を保持する保持部と、
前記保持部に対して前記イオン液体の供給および回収の少なくとも一方を行い、イオン液体の色の変化、電気的特性の変化の少なくとも一方に基づき、イオン液体の劣化を判定する機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記機構は、イオン液体を濾過するフィルターが設けられて、前記保持部から回収したイオン液体を前記フィルターで濾過して前記保持部に供給する
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の基板処理装置。 - 前記機構は、前記処理容器の内部に配置された
ことを特徴とする請求項2~4の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記機構は、前記処理容器の外部に配置された
ことを特徴とする請求項2~4の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記機構は、イオン液体の色の変化、電気的特性の変化の少なくとも一方に基づき、イオン液体の劣化を判定する
ことを特徴とする請求項2~6の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記基板処理は、前記処理容器内に処理ガスを供給しつつプラズマを生成して基板をエッチングするエッチング処理である
ことを特徴とする請求項1~7の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記保持部は、前記基板の周囲に設けられ、上側が開口し、イオン液体を保持する容器とされた
ことを特徴とする請求項1~8の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記イオン液体は、疎水性を有する、
ことを特徴とする請求項1~9の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記イオン液体は、非水溶性、かつ水と反応しない性質を有する、
ことを特徴とする請求項1~10の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 前記イオン液体は、
チオサリチル酸メチルトリオクチルアンモニウム、
ビス(2-エチルヘキシル)リン酸トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、
メチルトリオクチルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1-ヘキシル-3-メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1-メチル-1-プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミド、
の少なくとも1つである、
ことを特徴とする請求項1~11の何れか1つに記載の基板処理装置。 - 処理対象の基板が内部に配置され、基板処理が実施される処理容器内の前記基板の周囲に設けられ、環状の底面、当該底面の内周側に内側壁、及び当該底面の外周側に外側壁を有し、前記内側壁と前記外側壁との間の上部領域が全て開口した容器として形成された保持部にイオン液体を保持する工程と、
前記処理容器内で基板処理を実施する工程と、
前記基板処理による消耗に応じて前記保持部にイオン液体を補充する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
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