KR20060053855A - 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (53)
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,제1 배출 가능 챔버;제1 무선 주파수(RF) 전원;상기 제1 RF 전원에 접속되어 있고 상기 제1 챔버로 가스를 유입하는 제1 샤워 플레이트;상기 제1 샤워 플레이트와는 절연되어 있고 상기 제1 챔버에 있는 가스를 통과시키는 제2 샤워 플레이트;인클로저 내에 있고, 상기 제1 및 제2 샤워 플레이트에 접속되어 있는 제1 RF 매칭 회로로서, 상기 제1 RF 매칭 회로를 통해 상기 제1 RF 전원으로부터 상기 제1 샤워 플레이트로 인가되는 RF 전력이 상기 제1 RF 매칭 회로용 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로 복귀하는, 상기 제1 RF 매칭 회로;제2 배출 가능 챔버;제2 RF 전원;처리할 대상을 지지하되, 상기 제2 RF 전원에 접속되어 있지만 상기 제2 샤워 플레이트와는 절연되어, 상기 제2 샤워 플레이트가 상기 제2 챔버로 가스를 유입하도록 구성되어 있는 서포트; 및인클로저 내에 있고, 상기 서포트 및 상기 제2 샤워 플레이트에 접속되어 있 는 제2 RF 매칭 회로로서, 상기 제2 RF 매칭 회로를 통해 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 제2 샤워 플레이트로 인가되는 RF 전력이 상기 제2 RF 매칭 회로용 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제2 RF 전원으로 복귀하는, 상기 제2 RF 매칭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 샤워 플레이트는 서로 격리된 2개의 가스 흐름 경로를 가지며, 하나의 경로는 상기 제2 샤워 플레이트를 관통하는 홀들을 포함하고, 다른 경로는 외부 가스 공급 라인에 접속된 밀폐된 콤파트먼트를 구비하고 그 하부 표면에 다수의 홀을 가지는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 챔버는 처리할 대상을 하역 위치 및 처리 위치로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제2 샤워 플레이트는 상부 샤워 플레이트와 하부 샤워 플레이트로 이루어져 있고, 상기 상부 샤워 플레이트는 상기 제1 챔버에 접속되고 상기 하부 샤워 플레이트는 상기 제2 챔버에 접속되며, 상기 제2 챔버가 처리 위치에 있을 때 상기 상부 샤워 플레이트와 상기 하부 샤워 플레이트는 가스가 새지 않게 접속되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 상부 샤워 플레이트와 상기 하부 샤워 플레이트는 ○-링에 의해 밀봉되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 하부 샤워 플레이트는 서로 격리된 2개의 가스 흐름 경로를 가지며, 제1 경로는 상기 하부 샤워 플레이트를 관통하는 홀들을 포함하고, 제2 경로는 상기 상부 샤워 플레이트를 통해 외부 가스 공급 라인에 접속된 밀폐된 콤파트먼트를 구비하고 그 하부 표면에 다수의 홀을 가지며, 상기 상부 샤워 플레이트는 상기 하부 샤워 플레이트의 제1 경로의 홀들에 대응하는 홀들을 가지며, 상기 외부 가스 공급 라인은 상기 하부 샤워 플레이트에 접속되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 샤워 플레이트는 상기 제2 샤워 플레이트에 접속된 외부 가스 공급 라인과는 상이한 외부 가스 공급 라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 챔버는 내부 측벽을 가지며, 상기 내부 측벽은 상기 제2 샤워 플레이트에 접속되어 도전되지만 상기 제1 샤워 플레이트와는 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 챔버는 내부 측벽을 가지며, 상기 내부 측벽은 상기 제2 샤워 플레이트에 접속되어 도전되지만 상기 서포트는 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2 챔버는 배출 시스템(exhaust system)에 접속되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 RF 매칭 회로 및 상기 제2 RF 매칭 회로는 RF 필터를 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 샤워 플레이트 및 상기 서포트는 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,제1 배출 가능 챔버;제1 무선 주파수(RF) 전원;상기 제1 RF 전원에 접속되어 있고 상기 제1 챔버로 제1 가스를 유입하는 제1 샤워 플레이트;상기 제1 샤워 플레이트와는 절연되어 있고 상기 제1 챔버에 있는 가스를 통과시키는 중간 샤워 플레이트;인클로저 내에 있고, 상기 제1 및 중간 샤워 플레이트에 접속되어 있는 제1 RF 매칭 회로로서, 상기 제1 RF 매칭 회로를 통해 상기 제1 RF 전원으로부터 상기 제1 샤워 플레이트로 인가되는 RF 전력이 상기 제1 RF 매칭 회로용 인클로저와 상기 중간 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로 복귀하는, 상기 제1 RF 매칭 회로;제2 배출 가능 챔버;제2 RF 전원;상기 제2 RF 전원에 접속되어 있고, 처리할 대상을 지지하는 서포트;상기 서포트와는 절연되어 있고, 제2 가스가 유입되면 상기 제1 챔버에 있는 가스를 상기 제2 챔버로 통과시키는 제2 샤워 플레이트; 및인클로저 내에 있고, 상기 서포트 및 상기 제2 샤워 플레이트에 접속되어 있는 제2 RF 매칭 회로로서, 상기 제2 RF 매칭 회로를 통해 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 서포트로 인가되는 RF 전력이 상기 제2 RF 매칭 회로용 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제2 RF 전원으로 복귀하는, 상기 제2 RF 매칭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,가스가 유입되는 제1 배출 가능 챔버;상기 제1 챔버 내에 배치되어 있지만 상기 제1 챔버와는 절연되어 있는 상부 플레이트;제1 RF 매칭 박스 및 상기 제1 RF 매칭 박스를 통해 상기 상부 플레이트에 RF 전력을 인가하는 제1 외부 무선 주파수(RF) 전원;가스가 유입되는 제2 배출 가능 챔버;상기 제2 챔버 내에 배치되어 있고, 처리할 대상을 지지하는 서포트; 및제2 RF 매칭 박스 및 상기 제2 RF 매칭 박스를 통해 상기 서포트에 RF 전력을 인가하는 제2 외부 RF 전원을 포함하며,상기 제1 RF 전원으로부터 상기 상부 플레이트로 인가된 RF 전력 및 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 서포트로 인가된 RF 전력은 상기 제1 챔버의 내부 표면과 상기 제1 RF 매칭 박스의 내부 표면을 통하여 그리고 상기 제2 챔버의 내부 표면과 상기 제2 RF 매칭 박스의 내부 표면을 각각 통하여 상기 제1 및 제2 RF 전원으로 각각 복귀하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 챔버는 서로 다른 가스 공급 라인에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 챔버에 각각 유입된 가스의 여기는 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 상부 플레이트는 다수의 가스 분출공을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 챔버의 하부에 상부 샤워 플레이트를 더 포함하며, 상기 제1 챔버에서 여기된 가스가 상기 샤워 플레이트를 통해 제2 챔버로 통과하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제18항에 있어서,상기 제2 챔버의 상부에 하부 샤워 플레이트를 더 포함하며, 상기 하부 샤워 플레이트는 여기된 가스를 상기 제1 챔버에서 상기 제2 챔버로 방출하는 다수의 구멍 및 처리 가스를 상기 외부 전원으로부터 상기 제2 챔버로 방출하는 다수의 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제19항에 있어서,상기 상부 샤워 플레이트 및 상기 하부 샤워 플레이트는 별개의 부분인 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제19항에 있어서,상기 상부 샤워 플레이트 및 상기 하부 샤워 플레이트는 일체인 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 RF 전원 및 제2 RF 전원은 독립적으로 제어 가능한 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 챔버는 각각 전기 전도성 측벽에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 샤워 플레이트 및 상기 서포트는 히터를 구비하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,상부 전극에서 인가된 RF파에 의해 발생되는 플라즈마용으로서, 가스 공급 시스템에 접속되어 있는 제1 반응 챔버;하부 전극에서 인가된 RF파에 의해 발생되는 플라즈마용으로서, 처리할 대상이 배치되며, 가스 공급 시스템과 가스 방전 시스템에 접속되어 있는 제2 반응 챔버; 및상기 제1 반응 챔버와 상기 제2 반응 챔버를 분리하고, 상기 제1 반응 챔버에서 상기 제2 반응 챔버로 가스를 통과시킬 수 있으며, 상기 상부 전극에서 인가된 RF파와 상기 하부 전극에서 인가된 RF파를 개별적으로 제어하여 상기 플레이트를 통해 상기 상부 전극과 상기 하부 전극으로 각각 복귀시키는 전기 전도성 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제25항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 가스 공급 시스템에 접속된 샤워 플레이트인 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제25항에 있어서,상기 하부 전극은 서셉터(susceptor)인 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제25항에 있어서,상기 전기 전도성 플레이트는 상기 가스 공급 시스템에 접속된 샤워 플레이트인 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,유동성 전달에 접속되어 있는 2개의 반응 스페이스를 포함하며, 상기 유동성 전달에는 상기 반응 스페이스들 중 하나에 물질이 배치되며, 상기 반응 스페이스들은 서로 다른 가스 입구 라인과 서로 다른 RF 시스템을 구비하며, 각각의 반응 스페이스는 RF파 진입 경로와 RF파 복귀 경로를 구비하여 RF 전원으로부터 반응 스페이스로 RF 전력을 공급하고 그 RF 전력을 동일한 RF 전원으로 복귀시키는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제29항에 있어서,상기 2개의 반응 스페이스는 상부 반응 스페이스와 하부 반응 스페이스이며, 상기 물질은 상기 하부 반응 스페이스에 배치되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제30항에 있어서,상기 상부 반응 스페이스는 가스를 유입하기 위한 상부 샤워 플레이트를 포함하고, 상기 하부 반응 스페이스는 상기 물질이 배치되는 서셉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제31항에 있어서,상기 상부 반응 스페이스 및 상기 하부 반응 스페이스는 중간 샤워 플레이트에 의해 분리되어 있고, 상기 중간 샤워 플레이트는 상기 상부 반응 스페이스로부터 상기 하부 반응 스페이스로 가스를 통과시키며 외부 가스원으로부터 상기 하부 반응 스페이스로 가스를 유입시키는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제31항에 있어서,상기 상부 반응 스페이스 내의 RF파 진입 경로는 상기 상부 샤워 플레이트에 의해 구성되고, 상기 상부 반응 스페이스 내의 RF파 복귀 경로는 상기 상부 반응 스페이스를 둘러싸는 측벽과 상기 중간 샤워 플레이트에 의해 구성되는 것을 특징 으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제31항에 있어서,상기 하부 반응 스페이스 내의 RF파 진입 경로는 상기 서셉터에 의해 구성되고, 상기 하부 반응 스페이스 내의 RF파 복귀 경로는 상기 하부 반응 스페이스를 둘러싸는 측벽과 상기 중간 샤워 플레이트에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제33항에 있어서,상기 상부 반응 스페이스용 RF 시스템은 상기 RF파 진입 경로를 통해 상기 상부 반응 스페이스에 RF 전력이 공급되고 상기 RF파 복귀 경로를 통해 상기 RF 전력이 복귀하는 상부 RF 매칭 박스를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제34항에 있어서,상기 하부 반응 스페이스용 RF 시스템은 상기 RF파 진입 경로를 통해 상기 하부 반응 스페이스에 RF 전력이 공급되고 상기 RF파 복귀 경로를 통해 상기 RF 전력이 복귀하는 하부 RF 매칭 박스를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제35항에 있어서,상기 상부 반응 스페이스용 RF 시스템은 대역 필터를 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제36항에 있어서,상기 하부 반응 스페이스용 RF 시스템은 대역 필터를 구비하지 않는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제32항에 있어서,상기 중간 샤워 플레이트는 개별적으로 부착되어 있는 상부 샤워 플레이트와 하부 샤워 플레이트로 이루어져 있고, 상기 하부 반응 스페이스는 처리 위치와 하역 위치 사이를 이동하며, 상기 하부 플레이트는 상기 하부 반응 플레이트와 함께 이동하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치에 있어서,제1 배출 가능 챔버;제1 전도성 섀시에 의해 둘러싸여 있지만 상기 섀시와는 절연되어 있고, 상기 제1 챔버로 가스를 유입하는 제1 샤워 플레이트;상기 제1 샤워 플레이트와는 절연되어 있고 상기 제1 전도성 섀시에 접속되어 있으며, 상기 제1 챔버에 있는 가스를 통과시키는 제2 샤워 플레이트;인클로저 내에 있고, 상기 제1 샤워 플레이트에 접속되어 있는 제1 RF 매칭 회로로서, 상기 인클로저는 상기 제1 전도성 섀시에 접속되어 있는, 상기 제1 RF 매칭 회로;제2 배출 가능 챔버;처리할 대상을 지지하고, 상기 제2 샤워 플레이트와 절연되어 있으며, 제2 전도성 섀시에 의해 둘러싸여 있지만 상기 제2 전도성 섀시와는 절연되어 있는 서포트; 및인클로저 내에 있고, 상기 서포트에 접속되어 있는 제2 RF 매칭 회로로서, 상기 인클로저는 상기 제2 전도성 섀시에 접속되어 있는, 상기 제2 RF 매칭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제40항에 있어서,상기 제1 챔버에서, RF파는 상기 제1 RF 매칭 회로, 상기 제1 샤워 플레이트의 표면, 상기 제1 샤워 플레이트와 상기 제2 샤워 플레이트 사이의 스페이스, 상기 제2 샤워 플레이트의 표면, 상기 제1 전도성 섀시의 내부 표면, 및 상기 제1 RF 매칭 회로용 인클로저의 내부 표면을 순차적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제40항에 있어서,상기 제2 챔버에서, RF파는 상기 제2 RF 매칭 회로, 상기 서포트의 표면, 상 기 제2 샤워 플레이트와 상기 서포트 사이의 스페이스, 상기 제2 샤워 플레이트의 표면, 상기 제2 전도성 섀시의 내부 표면, 및 상기 제2 RF 매칭 회로용 인클로저의 내부 표면을 순차적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제40항에 있어서,상기 제2 샤워 플레이트는 탈착 가능한 상부 샤워 플레이트와 하부 샤워 플레이트로 이루어져 있고, 상기 하부 샤워 플레이트는 상기 제2 전도성 섀시에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제43항에 있어서,상기 하부 샤워 플레이트, 상기 제2 전도성 섀시, 및 상시 서포트는 상기 상부 샤워 플레이트와 상기 제2 샤워 플레이트와 관련해서 이동 가능한 것을 특징으로 하는 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치.
- 제1항의 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치를 사용하는 플라즈마 CVD 방법에 있어서,상기 제1 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제2 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스와 상기 제1 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원 으로부터 상기 제1 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제1 챔버 내의 가스를 여기시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계;상기 제2 RF 매칭 박스와 상기 서포트를 통해 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 제2 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제1 챔버 내의 가스를 여기시켜 상기 처리할 대상을 처리하는 단계; 및상기 제1 RF 전원으로 복귀하는 RF 전력과의 간섭없이, 상기 제2 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제2 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제45항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위의 막 증착인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제45항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위에 형성된 막의 에칭인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제13항의 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치를 사용하는 플라즈마 CVD 방법에 있어서,상기 제1 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제2 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스와 상기 제1 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로부터 상기 제1 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제1 챔버 내의 가스를 여기시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 중간 샤워 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계;상기 제2 RF 매칭 박스와 상기 서포트를 통해 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 제2 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제2 챔버 내의 가스를 여기시켜 상기 처리할 대상을 처리하는 단계; 및상기 제1 RF 전원으로 복귀하는 RF 전력과의 간섭없이, 상기 제2 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 제2 샤워 플레이트를 통해 상기 제2 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제48항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위의 막 증착인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제48항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위에 형성된 막의 에칭인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제14항의 듀얼 챔버 플라즈마 처리 장치를 사용하는 플라즈마 CVD 방법에 있어서,상기 제1 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제2 챔버로 가스를 유입시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스와 상기 상부 플레이트를 통해 상기 제1 RF 전원으로부터 상기 제1 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제1 챔버 내의 가스를 여기시키는 단계;상기 제1 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 제1 챔버의 내부 표면을 통해 상기 제1 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계;상기 제2 RF 매칭 박스와 상기 서포트를 통해 상기 제2 RF 전원으로부터 상기 제2 챔버로 RF 전력을 인가함으로써 상기 제2 챔버 내의 가스를 여기시켜 상기 처리할 대상을 처리하는 단계; 및상기 제1 RF 전원으로 복귀하는 RF 전력과의 간섭없이, 상기 제2 RF 매칭 박스의 인클로저와 상기 제2 챔버의 내부 표면을 통해 상기 제2 RF 전원으로 RF 전력을 복귀시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제51항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위의 막 증착인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
- 제51항에 있어서,상기 처리할 대상의 처리는 상기 처리할 대상 위에 형성된 막의 에칭인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
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