CN112885690B - 一种等离子体处理装置 - Google Patents

一种等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112885690B
CN112885690B CN201911200020.2A CN201911200020A CN112885690B CN 112885690 B CN112885690 B CN 112885690B CN 201911200020 A CN201911200020 A CN 201911200020A CN 112885690 B CN112885690 B CN 112885690B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ring
layer
capacitance
conductive material
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911200020.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885690A (zh
Inventor
涂乐义
叶如彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to CN201911200020.2A priority Critical patent/CN112885690B/zh
Priority to TW109133988A priority patent/TWI809318B/zh
Publication of CN112885690A publication Critical patent/CN112885690A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112885690B publication Critical patent/CN112885690B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。

Description

一种等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造技术领域，更为具体地说，涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
等离子体处理装置是在真空反应腔室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应腔室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便通过等离子体刻蚀半导体基片表面上的材料层或在半导体基片上淀积材料层，进而对半导体基片进行加工。
如图1所示，为现有的一种等离子体处理装置的结构示意图，包含真空的反应腔室1，反应腔室1内的顶部设有气体喷淋头2等进气装置，并可同时实现上电极的功能，使其耦接于大地或者射频电位。反应腔室1内的底部设有基座3，通过基座3上设置的静电吸盘将半导体基片4承载吸附；基座3处设有下电极并对其施加射频功率，从而在反应腔室1内形成射频电场，将引入的反应气体生成等离子体。在半导体基片4外缘环绕设置有聚焦环5，通过其调节反应腔室1内整个射频电场的分布，尤其是在半导体基片4边缘的电场分布。
在等离子体刻蚀过程中，半导体基片的边缘刻蚀准直性强烈依赖于半导体基片与聚焦环之间的电场分布，但是现有半导体基片与聚焦环之间电场分布均一性较差，使得半导体基片的边缘刻蚀准直性较差。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的技术问题，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种等离子体处理装置，包括：
反应腔室；
位于所述反应腔室内的基座；
位于所述基座上且用于吸附半导体基片的静电吸盘；
位于所述基座上且环绕所述静电吸盘的聚焦环；
位于所述聚焦环与所述基座之间的导电材料插入环；
以及，第一电容调节层，位于所述导电材料插入环与所述基座之间，或位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间，用于实现所述聚焦环与所述基座的电隔离。
可选的，所述等离子体处理装置还包括：
第二电容调节层，其中，所述第一电容调节层位于所述导电材料插入环与所述基座之间时，所述第二电容调节层位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间；
以及，所述第一电容调节层位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间时，所述第二电容调节层位于所述导电材料插入环与所述基座之间。
可选的，所述第一电容调节层与所述第二电容调节层为低介电常数材料镀层。
可选的，所述低介电常数材料镀层的材质为氧化铝、氮化铝或氧化钇中的至少一种。
可选的，定义位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间的低介电常数材料镀层为第一镀层，及位于所述导电材料插入环与所述基座之间的低介电常数材料镀层为第二镀层；其中，所述第一镀层镀设于导电材料插入环与聚焦环相对表面的至少之一者；
以及，所述第二镀层镀设于导电材料插入环与基座相对表面的至少之一者。
可选的，所述等离子体处理装置还包括：
与所述第一电容调节层同层、且位于所述第一电容调节层的侧壁处的第一导热层；
和/或，与所述第二电容调节层同层、且位于所述第二电容调节层的侧壁处的第二导热层。
可选的，位于同层的电容调节层与导热层为一体化结构。
可选的，位于同层的电容调节层与导热层为相互独立的层结构。
可选的，位于同层的电容调节层与导热层中的电容调节层为位于导热层两侧壁的两个子层结构。
可选的，所述第一导热层和所述第二导热层为柔性材料导热层。
可选的，所述等离子体处理装置还包括：
位于所述导电材料插入环的侧壁与所述基座之间的隔离环。
可选的，所述隔离环的材质为氧化铝或氮化铝。
可选的，所述导电材料插入环的材质为铝。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种等离子体处理装置，包括：反应腔室；位于所述反应腔室内的基座；位于所述基座上且用于吸附半导体基片的静电吸盘；位于所述基座上且环绕所述静电吸盘的聚焦环；位于所述聚焦环与所述基座之间的导电材料插入环；第一电容调节层，位于所述导电材料插入环与所述基座之间，或位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间，用于实现所述聚焦环与所述基座的电隔离。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；以及，通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，本发明提供的技术方案通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有的一种等离子体处理装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种等离子体处理装置的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种等离子体处理装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种聚焦环与基座之间等效电容的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，在等离子体刻蚀过程中，半导体基片的边缘刻蚀准直性强烈依赖于半导体基片与聚焦环之间的电场分布，但是现有半导体基片与聚焦环之间电场分布均一性较差，使得半导体基片的边缘刻蚀准直性较差。尤其的，在高深宽比刻蚀工艺中，对半导体基片的边缘刻蚀越深，半导体基片的边缘刻蚀准直性较差现象越为明显。
基于此，本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的技术问题，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图2至图5对本发明实施例提供的技术方案进行详细的说明。
参考图2所示，为本发明实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图，其中，本发明提供的等离子体处理装置包括：
反应腔室100；
位于所述反应腔室100内的基座200；
位于所述基座200上且用于吸附半导体基片300的静电吸盘400；
位于所述基座200上且环绕所述静电吸盘400的聚焦环500；
位于所述聚焦环500与所述基座200之间的导电材料插入环600；
以及，第一电容调节层710，位于所述导电材料插入环600与所述基座200之间，或位于所述导电材料插入环600与所述聚焦环500之间，用于实现所述聚焦环500与所述基座200的电隔离。
可以理解的，本发明提供的导电材料插入环为悬空电极而不接入信号。其中，本发明提供的技术方案，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；以及，通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，本发明提供的技术方案通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。本发明通过调节聚焦环表面的电压和基片表面的电压一致，保证边缘区域电场分布不发生倾斜，进而实现基片中心区域和边缘区域刻蚀的均匀性。
进一步的，结合图3所示，为本发明实施例提供的另一种等离子体处理装置的结构示意图，本发明提供的所述等离子体处理装置还包括：
第二电容调节层720，其中，所述第一电容调节层710位于所述导电材料插入环600与所述基座200之间时，所述第二电容调节层720位于所述导电材料插入环600与所述聚焦环500之间；
以及，所述第一电容调节层710位于所述导电材料插入环600与所述聚焦环500之间时，所述第二电容调节层720位于所述导电材料插入环600与所述基座200之间。
可以理解的，本发明提供的技术方案，通过第一电容调节层和第二电容调节层共同作用，实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，及实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。
具体的，由于聚焦环上电压VFR主要由聚焦环的电阻RFR和聚焦环与基座之间电容CFR决定，即增大电容CFR或减小电阻RFR，可以增加聚焦环上电压VFR，进而能够改变半导体基片与聚焦环之间电场分布Ewafer-FR，从而实现对半导体基片的边缘刻蚀准直性的调控。由于电阻RFR仅仅由聚焦环的几何尺寸和材质所决定而为定值，因此，本发明在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容CFR而达到提高聚焦环上电压VFR的目的。此外，为了达到使半导体基片与聚焦环之间的电场分布Ewafer-FR均一性更高的效果，通过调节聚焦环表面的电压和基片表面的电压一致，保证边缘区域电场分布不发生倾斜。本发明在聚焦环与导电材料插入环之间设置一电容调节层，和/或在导电材料插入环与基座之间设置一电容调节层，进而在聚焦环与基座之间电容CFR由于导电材料插入环的设置而增大的同时，进一步通过电容调节层来对电容CFR调节，保证最终调节后的聚焦环上电压VFR使半导体基片与聚焦环之间电场分布Ewafer-FR均一性高。
需要说明的是，本发明实施例提供的第一电容调节层和第二电容调节层，其对聚焦环与导电材料插入环之间电容和导电材料插入环与基座之间电容的调节量不作具体限制，对此需要根据实际应用进行具体设计。在本发明一实施例中，本发明提供的第一电容调节层和第二电容调节层的厚度可以不小于2微米，对此厚度数值本发明不做具体限制。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述第一电容调节层与第二电容调节层可以为低介电常数材料镀层。可以理解的，本申请实施例提供的低介电常数材料的相对介电常数范围为5-20，包括端点值。
可选的，本发明提供的低介电常数材料镀层，其材质可以具体为导热材质或非导热材质。其中，本发明提供的所述低介电常数材料镀层的材质具体为氧化铝、氮化铝或氧化钇等中的至少一种，对此本发明不作具体限制。
以及，本发明提供的低介电常数材料层为镀层，其中，定义位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间的低介电常数材料镀层为第一镀层，及位于所述导电材料插入环与所述基座之间的低介电常数材料镀层为第二镀层；其中，所述第一镀层镀设于导电材料插入环与聚焦环相对表面的至少之一者；
以及，所述第二镀层镀设于导电材料插入环与基座相对表面的至少之一者。
可以理解的，本发明提供的第一镀层可以直接镀设于导电材料插入环的表面，或者第一镀层镀设于聚焦环的表面，或者第一镀层分为两子层分别镀设于导电材料插入环的表面及聚焦环的表面；以及，本发明提供的第二镀层可以直接镀设于导电材料插入环的表面，或者第二镀层镀设于基座的表面，或者第二镀层分为两子层分别镀设于导电材料插入环的表面及基座的表面，对此本发明不作具体限制。
以及，本发明提供的第一电容调节层和第二电容调节层均为低介电常数材料镀层，故而，通过低介电常数材料镀层的面积和厚度进行调整，即能够通过第一镀层实现对聚焦环与导电材料插入环之间电容调整，以及，通过第二镀层实现导电材料插入环与基座之间电容调整，最终实现对聚焦环与基座之间电容调整的目的，进而达到对聚焦环上电压进行调控的目的。
需要说明的是，本发明实施例对提供的第一镀层和第二镀层的几何尺寸不作具体限制，对此需要根据实际应用进行具体设计，进而达到聚焦环与半导体基片之间电场分布均一性高的目的即可。
进一步的，为了实现对聚焦环的温度有效冷却和控制的目的。参考图4所示，为本发明提供的又一种等离子体处理装置的结构示意图，其中，本发明提供的所述等离子体处理装置还包括：
与所述第一电容调节层710同层、且位于所述第一电容调节层710的侧壁处的第一导热层810；
和/或，与所述第二电容调节层720同层、且位于所述第二电容调节层720的侧壁处的第二导热层820。
可以理解的，聚焦环产生的热量能够通过第一导热层、导电材料插入环和第二导热层传递到基座上，通过基座将热量导出；进一步的，本发明提供的基座上可以设置有冷却系统，进而通过冷却系统将热量快速带走，达到对聚焦环的温度有效冷却和控制的目的。在本发明提供的一实施例中，所述第一导热层和所述第二导热层为柔性材料导热层，进而使得导热层与上下部件的接触面能够更好的贴合。
在本发明一实施例中，本发明提供的等离子体处理装置包括有导热层时，本发明提供的位于同层的电容调节层与导热层可以为一体化结构；或者，位于同层的电容调节层与导热层为相互独立的层结构；以及，本发明提供的电容调节层(或镀层)可以为一体化结构层，或者，本发明提供的电容调节层还可以划分为位于导热层两侧壁的两个子层结构(即，位于同层的电容调节层与导热层中的电容调节层为位于导热层两侧壁的两个子层结构)，对此本发明不作具体限制。如图4中第一镀层711包括位于第一导热层810两侧壁的两个子层结构，以及，第二镀层721包括位于第二导热层820两侧壁的两个子层结构。
本发明提供的插入环的侧壁与基座之间相互隔离，进而避免导体之间产生电弧。具体的，本发明提供的基座包括放置静电吸盘的凸起区域，及环绕凸起区的边缘凹陷区域，其中，边缘凹陷区域处表面低于凸起区域处表面而呈台阶状环绕凸起区域，聚焦环、导电材料插入环、电容调节层、导热层等设置于边缘凹陷区域处表面，并且，导电材料插入环的侧壁与基座之间相互隔离。其中，本发明可以采用隔离层的设置，将导电材料插入环的侧壁与基座之间进行隔离。具体结合图2至图4所示，本发明实施例提供的所述等离子体处理装置还包括：
位于所述导电材料插入环600的侧壁与所述基座200之间的隔离环900。
在本发明一实施例中，结合图2至图4所示，本发明提供的基座200可以为中央凸起而边缘凹陷的台阶状结构。其中，静电吸盘400设置于基座200的中央的凸起区域，且聚焦环500设置于基座200的边缘凹陷区域，对此本发明不作具体限制。进一步在导电材料插入环的侧壁与基座之间设置隔离环，能够避免导体之间产生电弧。进一步的，结合图2至图4所示，本发明提供的隔离环900还延伸将聚焦环500的侧壁与基座200之间相互隔离，避免高压的聚焦环与其侧壁处的基座、半导体基片等部件之间产生电弧。其中，本发明提供的隔离环延伸隔离至聚焦环的侧壁与基座之间时，隔离环可覆盖且不完全覆盖聚焦环的侧壁与静电吸盘的侧壁之间交叠区域。本发明提供的隔离环进一步延伸将基座朝向第一电容调节层和第二电容调节层处的侧壁覆盖。
在本发明上述任意实施例中，本发明提供的基座的材质可以为铝等；静电吸盘的材质可以为氧化铝等；隔离环的材质可以为氧化铝或氮化铝等；聚焦环的材质可以为硅或碳化硅等；以及，所述导电材料插入环的材质为铝等，对此本发明不作具体限制。
下面结合图4和图5对本发明提供的等离子体处理装置中，聚焦环和基座之间的电容进行具体分析。图5为本发明实施例提供的一种聚焦环与基座之间等效电容的示意图，其中，电容调节层为低介电常数材料镀层。
其中，CCR//BP为隔离层900引入的电容部分；CFR//IR为聚焦环500对导电材料插入环600的电容，其包括有第一导热层810处的电容CFR//IR-TT1和第一镀层711处的电容CFR//IR-coating1；CIR//BR为导电材料插入环600对基座200的电容，其包括有第二导热层820处的电容CFR//IR-TT2和第二镀层721处的电容CFR//IR-coating2；
以第一导热层810的厚度远大于第一镀层711的厚度、且第二导热层820的厚度远大于第二镀层721的厚度为例，可做如下简化处理：
CCR//BP<<CFR//IR
CFR//IR-TT1<<CFR//IR-coating1
CIR//BP-TT2<<CIR//BP-coating2
进而，此时聚焦环500对基座200的电容CFR//BR等效于CFR//IR-coating1和CIR//BP-coating2的串联电容。进而，通过改变镀层的材质和几何参数，能够调控电容CFR//IR-coating1和CIR//BP-coating2，进而实现对聚焦环500与基座200之间电容的调控，实现对聚焦环500上电压的调控，最终实现对半导体基片300与聚焦环500之间的电场分布Ewafer-FR均一性的调控，保证半导体基片300的边缘刻蚀准直性较高。
相应的，本发明实施例还提供了一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括上述任意一实施例提供的等离子体处理装置。
本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，包括：反应腔室；位于所述反应腔室内的基座；位于所述基座上且用于吸附半导体基片的静电吸盘；位于所述基座上且环绕所述静电吸盘的聚焦环；位于所述聚焦环与所述基座之间的导电材料插入环；第一电容调节层，位于所述导电材料插入环与所述基座之间，或位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间，用于实现所述聚焦环与所述基座的电隔离。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；以及，通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，本发明提供的技术方案通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔室；
位于所述反应腔室内的基座；
位于所述基座上且用于吸附半导体基片的静电吸盘；
位于所述基座上且环绕所述静电吸盘的聚焦环；
位于所述聚焦环与所述基座之间的导电材料插入环，所述导电材料插入环为悬空电极；
以及，第一电容调节层，位于所述导电材料插入环与所述基座之间，或位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间，用于实现所述聚焦环与所述基座的电隔离。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：
第二电容调节层，其中，所述第一电容调节层位于所述导电材料插入环与所述基座之间时，所述第二电容调节层位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间；
以及，所述第一电容调节层位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间时，所述第二电容调节层位于所述导电材料插入环与所述基座之间。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电容调节层与所述第二电容调节层为低介电常数材料镀层。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述低介电常数材料镀层的材质为氧化铝、氮化铝或氧化钇中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，定义位于所述导电材料插入环与所述聚焦环之间的低介电常数材料镀层为第一镀层，及位于所述导电材料插入环与所述基座之间的低介电常数材料镀层为第二镀层；其中，所述第一镀层镀设于导电材料插入环与聚焦环相对表面的至少之一者；
以及，所述第二镀层镀设于导电材料插入环与基座相对表面的至少之一者。
6.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：
与所述第一电容调节层同层、且位于所述第一电容调节层的侧壁处的第一导热层；
和/或，与所述第二电容调节层同层、且位于所述第二电容调节层的侧壁处的第二导热层。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，位于同层的电容调节层与导热层为一体化结构。
8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，位于同层的电容调节层与导热层为相互独立的层结构。
9.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，位于同层的电容调节层与导热层中的电容调节层为位于导热层两侧壁的两个子层结构。
10.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一导热层和所述第二导热层为柔性材料导热层。
11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：
位于所述导电材料插入环的侧壁与所述基座之间的隔离环。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述隔离环的材质为氧化铝或氮化铝。
13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电材料插入环的材质为铝。
CN201911200020.2A 2019-11-29 2019-11-29 一种等离子体处理装置 Active CN112885690B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911200020.2A CN112885690B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种等离子体处理装置
TW109133988A TWI809318B (zh) 2019-11-29 2020-09-30 電漿處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911200020.2A CN112885690B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种等离子体处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885690A CN112885690A (zh) 2021-06-01
CN112885690B true CN112885690B (zh) 2023-10-20

Family

ID=76038487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911200020.2A Active CN112885690B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种等离子体处理装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112885690B (zh)
TW (1) TWI809318B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101809719A (zh) * 2007-06-28 2010-08-18 朗姆研究公司 具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置
US8298371B2 (en) * 2007-03-28 2012-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN202651058U (zh) * 2012-07-06 2013-01-02 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制基座外缘聚焦环温度的组件
JP2017017054A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN106920725A (zh) * 2015-12-24 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法
CN107644802A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘
CN109216144A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 中微半导体设备(上海)有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器
CN109841474A (zh) * 2017-11-27 2019-06-04 北京北方华创微电子装备有限公司 聚焦环、承载装置及反应腔室
CN109920716A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US7837827B2 (en) * 2007-06-28 2010-11-23 Lam Research Corporation Edge ring arrangements for substrate processing
KR102581226B1 (ko) * 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8298371B2 (en) * 2007-03-28 2012-10-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN101809719A (zh) * 2007-06-28 2010-08-18 朗姆研究公司 具有可调节电容的等离子体处理系统的方法和装置
CN202651058U (zh) * 2012-07-06 2013-01-02 中微半导体设备(上海)有限公司 一种控制基座外缘聚焦环温度的组件
JP2017017054A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN106920725A (zh) * 2015-12-24 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法
CN107644802A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘
CN109216144A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 中微半导体设备(上海)有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器
CN109841474A (zh) * 2017-11-27 2019-06-04 北京北方华创微电子装备有限公司 聚焦环、承载装置及反应腔室
CN109920716A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI809318B (zh) 2023-07-21
CN112885690A (zh) 2021-06-01
TW202121472A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4482308B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR102023679B1 (ko) 극단 엣지 튜닝성을 위한 연장형 및 독립형의 ｒｆ 전력공급형 음극 기판
JP3171623U (ja) プラズマ処理チャンバの可動基板支持アセンブリ用の消耗絶縁リング
JP3210105U (ja) ユニバーサルプロセスキット
JP2020534667A (ja) ２つの埋込電極を有する基板支持体
KR100841118B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP7382329B2 (ja) 基板支持体のためのプロセスキット
JP2019054274A (ja) 環状のバッフル
US20070227666A1 (en) Plasma processing apparatus
WO2008143742A1 (en) Variable volume plasma processing chamber and associated methods
US20060043065A1 (en) Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
TW202224092A (zh) 高溫雙極靜電卡盤
KR102053792B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US8034213B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW201916092A (zh) 用於電漿處理設備之冷卻聚焦環
TW202135219A (zh) 雙極靜電吸盤上的邊緣均勻性調諧
CN112885690B (zh) 一种等离子体处理装置
CN214477329U (zh) 等离子体处理装置和下电极组件
US20220344134A1 (en) Process kit for a substrate support
KR20230106181A (ko) 용량 결합 플라즈마를 사용한 실리콘 산화물 갭 충전
US20030037879A1 (en) Top gas feed lid for semiconductor processing chamber
TWI856290B (zh) 等離子體處理裝置、下電極組件及其形成方法
US20220351933A1 (en) Plasma treatment apparatus, lower electrode assembly and forming method thereof
KR100919487B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
WO2024015187A1 (en) Process kit for a substrate support

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant