KR20140004718U - 극단 엣지 튜닝성을 위한 연장형 및 독립형의 ｒｆ 전력공급형 음극 기판과 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 구성요소들 - Google Patents

극단 엣지 튜닝성을 위한 연장형 및 독립형의 ｒｆ 전력공급형 음극 기판과 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 구성요소들 Download PDF

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Abstract

프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 구성요소들이 여기에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링은, 외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 외측 엣지는 약 12.473 인치 내지 약 12.479 인치의 직경을 갖고, 내측 엣지는 약 11.726 인치 내지 약 11.728 인치의 직경을 갖고, 링 형상의 본체는 약 0.116 내지 약 0.118 인치의 높이를 가짐 ―; 및 링 형상의 본체의 상단부 표면 상에 배치된 복수의 돌출부들을 포함할 수 있으며, 복수의 돌출부들 각각은 링 형상의 본체 주위에 대칭적으로 배치된다.

Description

극단 엣지 튜닝성을 위한 연장형 및 독립형의 ＲＦ 전력공급형 음극 기판과 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 구성요소들{PROCESS KIT COMPONENTS FOR USE WITH AN EXTENDED AND INDEPENDENT RF POWERED CATHODE SUBSTRATE FOR EXTREME EDGE TUNABILITY}
본원 고안의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 장비에 관한 것이다.
플라즈마 반응기들과 같은 기판 프로세싱 시스템들이 기판 상에서 층들을 증착, 에칭, 또는 형성하기 위해서 또는 기판의 표면들을 달리 처리하기 위해서 이용될 수 있을 것이다. 그러한 기판 프로세싱의 양태들을 제어하는데 있어서 유용한 하나의 기술로서, 기판 지지부 상에 배치된 기판 아래에 배치된 전극에 무선 주파수(RF) 에너지를 커플링시키는 것에 의한 것과 같이, 기판 근처의 플라즈마를 제어하기 위해서 RF 에너지를 이용하는 것이 있다.
여기에서, 본원 고안자들은, 기판 프로세싱 시스템의 개선된 RF 에너지 제어 및 웨이퍼 엣지 근처의 플라즈마 외피(sheath)의 탄력적 제어를 제공할 수 있는 기판 프로세싱 시스템들의 실시예들을 제공한다.
프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 구성요소들이 여기에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링은, 외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 외측 엣지는 약 12.473 인치 내지 약 12.479 인치의 직경을 갖고, 내측 엣지는 약 11.726 인치 내지 약 11.728 인치의 직경을 갖고, 링 형상의 본체는 약 0.116 내지 약 0.118 인치의 높이를 가짐 ―; 및 링 형상의 본체의 상단부 표면 상에 배치된 복수의 돌출부들을 포함할 수 있으며, 복수의 돌출부들 각각은 링 형상의 본체 주위에 대칭적으로 배치된다.
일부 실시예들에서, 프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 링은, 외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 외측 엣지는 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치의 직경을 갖고, 내측 엣지는 약 11.752 인치 내지 약 11.757 인치의 직경을 갖고, 링 형상의 본체는 약 0.510 인치 내지 약 0.520 인치의 두께를 가짐 ―; 외측 엣지와 내측 엣지 사이에 링 형상의 본체에 형성된 제 1 단차부 및 제 2 단차부 ― 제 1 단차부는 약 12.077 인치 내지 약 12.087 인치의 외측 직경을 갖고, 제 2 단차부는 약 11.884 인치 내지 약 11.889 인치의 외측 직경을 가짐 ―; 및 링 형상의 본체의 외측 엣지 근처에서 링 형상의 본체의 기저부로부터 하향 연장하는 링을 포함할 수 있으며, 링은 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치의 내측 직경을 갖는다.
일부 실시예들에서, 프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 링은, 외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 외측 엣지는 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치의 직경을 갖고, 내측 엣지는 약 12.245 인치 내지 약 12.250 인치의 직경을 갖고, 링 형상의 본체는 약 0.520 인치 내지 약 0.530 인치의 두께를 가짐 ―; 링 형상의 본체의 내측 엣지 주위에 대칭적으로 배치된 복수의 돌출부들 ― 복수의 돌출부들은 링 형상의 본체의 중심을 향해서 내측 엣지로부터 내측으로 연장함 ―; 및 본체의 외측 엣지 근처에서 링 형상의 본체의 기저부로부터 하향 연장하는 링을 포함할 수 있으며, 링은 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치의 내측 직경을 갖는다.
본원 고안의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 이하에서 설명된다.
앞서서 간략히 요약되었고 이하에서 더 구체적으로 설명되는 본원 고안 실시예들이 첨부 도면들에 도시된 고안의 예시적인 실시예들의 참조에 의해서 이해될 수 있다. 그러나, 고안이 다른 균등하게 효과적인 실시예들에 대해서도 인정될 수 있기 때문에, 첨부 도면들이 본원 고안의 단지 전형적인 실시예들을 도시한 것이고 그에 따라 고안의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않는다는 것을 주목하여야 할 것이다.
도 1은 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기의 도면을 도시한다.
도 2는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 도면을 도시한다.
도 3은 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 부분적인 도면을 도시한다.
도 4는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 부분적인 도면을 도시한다.
도 5a-b는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기 내에서 이용하기 위한 프로세스 키트 링의 상면도 및 측방향 횡단면도를 각각 도시한다.
도 6a-c는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기 내에서 이용하기 위한 프로세스 키트 링의 상면도, 측방향 횡단면도 및 상기 측방향 횡단면도의 상세도를 각각 도시한다.
도 7a-e는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기 내에서 이용하기 위한 프로세스 키트 링의 상면도, 측방향 횡단면도, 상기 측방향 횡단면도의 상세도, 상기 상면도의 상세도, 및 상기 상면도의 상세부의 측방향 횡단면도를 각각 도시한다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 나타내기 위해서 동일한 참조 번호들을 사용하였다. 도면들은 실척으로(scale) 도시된 것이 아니고 그리고 명료함을 위해서 단순화되어 있을 수 있을 것이다. 추가적인 언급이 없이도, 일 실시예의 요소들 및 특징들이 다른 실시예들에서 유리하게 포함될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치들이 여기에서 개시되어 있다. 고안에 따른 방법들 및 장치들은, 통상적인 플라즈마 프로세싱 장치들에 비해서, 기판들의 보다 균일한 플라즈마 프로세싱을 촉진할 수 있을 것이다. 예를 들어, 고안의 실시예들은 기판의 엣지에서의 엣지 롤 오프(edge roll off) 또는 엣지 롤 업(edge roll up)을 감소시킬 수 있을 것이고, 그에 의해서 보다 균일한 기판을 제공할 수 있을 것이다. 고안자들은 엣지 롤 오프 또는 롤 업이, 다른 인자들 중에서, 기판의 엣지 근처에서의 RF 커플링의 불연속성에 의해서 유발될 수 있다는 것을 관찰하였다. 고안에 따른 방법들 및 장치들은, 기판의 엣지 근처에서의 RF 전력 커플링을 개선하기 위해서, 전극, 또는 하나 또는 둘 이상의 부가적인 전극들을 제공함으로써, 기판의 엣지에서의 불연속성에 대처한다.
도 1은 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 유도 결합형 플라즈마 반응기(반응기(100))의 측면도를 도시한다. 반응기(100)는 단독으로 이용될 수 있고, 또는 미국 캘리포니아 산타클라라에 소재하는 Applied Materials, Inc.로부터 입수가 가능한 CENTURA® 집적된 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템과 같은, 집적된 반도체 기판 프로세싱 시스템, 또는 클러스터 툴의 프로세싱 모듈로서 이용될 수 있을 것이다. 본원 고안의 실시예들에 따른 변경으로부터의 유리한 이득을 취할 수 있는 적합한 플라즈마 반응기들의 예들이, 또한 Applied Materials, Inc.로부터 입수가 가능한 MESATM 등과 같은, 반도체 장비의 DPS® 라인 또는 다른 유도 결합형 플라즈마 반응기들을 포함한다. 반도체 장비에 관한 전술한 나열은 단지 예시적인 것이고, 그리고 다른 에칭 반응기들, 및 비-에칭 장비(예를 들어, CVD 반응기들, 또는 다른 반도체 프로세싱 장비)가 또한 본원 교시내용들에 따라서 적절하게 변경될 수 있을 것이다. 예를 들어, 여기에서 개시된 고안에 따른 방법들과 함께 이용될 수 있는 적합한 예시적인 플라즈마 반응기들을, V. Todorow 등에 의해서 2010년 6월 23일자로 출원되고 명칭이 "INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS"인 미국 특허출원 제 12/821,609 호, 및 S. Banna 등에 의해서 2010년 6월 23일자로 출원되고 명칭이 "DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY"인 미국 특허출원 제 12/821,636 호에서 확인할 수 있을 것이다.
반응기(100)는 일반적으로, 내부 부피를 함께 형성하는 전도성 본체(벽)(130) 및 덮개(120)(예를 들어, 천장)를 가지는 프로세스 챔버(104), 상기 내부 부피(기판(115)을 지지하는 것으로 도시됨) 내에 배치된 기판 지지부(116), 유도 결합형 플라즈마 장치(102), 및 제어기(140)를 포함한다. 상기 벽(130)은 전형적으로 전기 접지(134)에 커플링된다. 반응기(100)가 유도 결합형 플라즈마 반응기로서 구성되는 실시예들에서, 상기 덮개(120)는 상기 반응기(100)의 내부 부피와 대면하는 유전체 재료를 포함할 수 있을 것이다.
상기 기판 지지부(116)는 일반적으로 기판(115)을 지지하기 위한 지지 표면을 포함한다. 지지 표면이 유전체 재료로 형성될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(116)가, 매칭 네트워크(124)를 통해서 바이어스 전원(122)에 커플링된 음극을 포함할 수 있을 것이다. 바이어스 공급원(122)이, 예시적으로, 예를 들어, 약 13.56 MHz의 주파수의 약 1000 W(그러나, 약 1000 W로 제한되는 것은 아니다)까지의 RF 에너지의 공급원일 수 있으나, 특별한 적용예들에서 요구되는 바에 따라서 다른 주파수들 및 전력들이 제공될 수 있을 것이다. 바이어스 공급원(122)이 연속적인 또는 펄스형의 전력 중 어느 하나 또는 양자 모두를 생성할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 바이어스 공급원(122)이 DC 또는 펄스형 DC 공급원일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 바이어스 공급원(122)이 복수의 주파수들을 제공할 수 있을 것이고, 또는 하나 또는 둘 이상의 바이어스 공급원들(도 2에 도시된 바와 같음)이 동일한 매칭 네트워크(124)를 통해서 또는 복수의 주파수들을 제공하기 위한 하나 또는 둘 이상의 부가적인 매칭 네트워크(도 2에 도시된 바와 같음)를 통해서 기판 지지부(116)에 커플링될 수 있을 것이다.
도 2는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 기판 지지부(116)에 대한 추가적인 상세 내용을 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(116)가 상기 기판 지지부(116) 내에 배치된 제 1 전극(200)을 포함할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 1 전극(200)이 상기 기판 지지부(116)의 지지 표면(216) 아래에서 중심에 배치될 수 있을 것이다. 제 1 전극(200)이, 알루미늄(Al), 도핑된 실리콘 탄화물(SiC), 또는 프로세스 분위기와 양립가능한 다른 적합한 전도성 재료들 중 하나 또는 둘 이상과 같은, 전도성 재료로 형성될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 1 전극(200)이, 기판 지지부(116)의 유전체 지지 표면을 지지하는 본체(205) 내에 배치될 수 있고, 또는 그러한 본체(205)일 수 있을 것이다. 상기 본체(205)가 둘레 엣지(202) 및 제 1 표면(204)을 가질 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 열 전달 매체가 채널들(207)을 통해서 유동할 수 있도록 상기 본체(205)를 통해서 배치된 복수의 채널들(207)을 상기 본체(205)가 포함할 수 있을 것이다. 열 전달 매체 공급원(209)이 상기 복수의 채널들(207)에 커플링되어, 열 전달 매체를 복수의 채널들(207)로 제공할 수 있을 것이다. 예를 들어, 복수의 채널들(207)을 통한 열 전달 매체의 유동을 이용하여, 기판 지지부(116) 상에 배치된 기판의 온도를 조절할 수 있을 것이다.
제 2 전극(206)이 상기 기판 지지부(116) 내에 배치될 수 있을 것이다. 상기 제 2 전극(206)이 상기 제 1 전극(200)의 제 1 표면(204) 주위에 그리고 그 위에 배치된 제 2 표면(208)을 가질 수 있을 것이다. 제 2 전극(206)이, 예를 들어, 이하에서 설명되는 바와 같이 제 1 전극(200)의 둘레 엣지(202)를 지나는 것과 같이, 제 1 전극(200)으로부터 방사상으로 연장할 수 있을 것이다. 제 2 전극(206)이, Al, 도핑된 SiC, 또는 프로세스 분위기와 양립가능한 다른 적합한 전도성 재료들 중 하나 또는 둘 이상과 같은, 임의의 적합한 전도성 재료들로 형성될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 2 전극(206)이 제 1 전극(200)에 전기적으로 커플링될 수 있을 것이고, 그에 따라 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)이 공통 RF 전원(예를 들어, 바이어스 공급원(122))에 커플링될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)이, 여기에서 교시된 기능들을 제공하기에 적합한 형상으로 형성된 단일의 통합형 전극일 수 있을 것이다. 대안적으로, 일부 실시예들에서, 제 2 전극(206)이 제 1 전극(200)으로부터 전기적으로 절연될 수 있을 것이고, 그에 따라 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)이 동일한 또는 분리된 RF 전원들에 의해서 개별적으로 제어될 수 있을 것이다.
예를 들어, 일부 실시예들에서, 바이어스 전원(122)(예를 들어, 제 1 RF 전원)이 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)의 각각에 커플링되어, 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)로 RF 에너지를 제공할 수 있을 것이다. 그러한 실시예들에서, 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)이 (단일 통합형 전극으로서, 또는 분리된 전극들로서) 전기적으로 커플링될 수 있을 것이고, 또는 전기적으로 절연될 수 있을 것이다. 대안적으로, 바이어스 전원(122)이 제 1 전극(200)에 커플링되어 제 1 전극(200)으로 RF 에너지를 제공할 수 있을 것이고, 그리고 제 2 전원(210)(점선으로 도시됨)이 매칭 네트워크(211)(점선으로 도시됨)를 통해서 제 2 전극(206)에 커플링되어 제 2 전극(206)으로 RF 에너지를 제공할 수 있을 것이다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)을 전기적으로 절연하기 위해서, 유전체 층(213)(점선으로 도시됨)이, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(200)과 제 2 전극(206) 사이에 배치될 수 있을 것이다. 대안적으로, 베이스(212)(이하에서 설명됨)의 일부 실시예들을 이용하여 제 1 전극(200)과 제 2 전극(206)을 전기적으로 절연시킬 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 베이스(212)가 제 1 전극(200) 상에 배치될 수 있을 것이다. 상기 제 1 및 제 2 전극들(200, 206)이 전기적으로 커플링되는 실시예들에서, 베이스(212)가, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(200)의 적어도 일부 주위로 배치된 전도성 링 등일 수 있을 것이다. 대안적으로, 베이스(212)가 제 1 전극(200) 주위에 배치된 전도성 경로들을 가질 수 있을 것이다.
베이스(212)가, 제 1 전극(200)과 제 2 전극(206) 사이의 아크발생(arcing)을 방지하기에 적합한 유전체 재료로, 전체적으로 또는 부분적으로, 제조될 수 있을 것이다. 제 2 전극(206)이, 제 1 전극(200)의 둘레 엣지(202)를 지나서 연장하는 베이스(212)의 상단부에 배치된 방사상 연장 부분(214)을 포함한다. 베이스(212) 및 방사상 연장 부분(214)이 단일의 통합된 구성요소일 수 있고, 또는 함께 조립되어 제 2 전극(206)을 형성할 수 있는 분리된 구성요소들일 수 있을 것이다. 상기 제 2 전극(206)의 제 2 표면(208)의 위치가, 프로세싱 중에 기판 지지부(116) 상에 배치되는 기판의 둘레 근처의 RF 에너지 커플링을 제어하도록 위치결정될 수 있을 것이다. 또한, 방사상 연장 부분(214)이 상기 제 1 전극(200)의 둘레 엣지(202)를 지나서 연장하는 길이를 조정하여, 기판 지지부(116) 상에 배치된 기판의 둘레 근처의 희망 RF 에너지 커플링을 달성할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 베이스(212)의 높이 및/또는 방사상 연장 부분(214)의 두께가 제 1 표면(204)에 대한 제 2 표면(208)의 위치를 함께 규정할 수 있을 것이다.
기판 지지부가 제 1 전극(200)의 제 1 표면(204) 위에 배치된 기판 지지 표면(216)을 포함할 수 있을 것이다. 예를 들어, 기판 지지 표면(216)이 정전기 척(218)의 일부일 수 있을 것이다. 정전기 척(218)이 제 1 전극(200) 위에 배치될 수 있을 것이고, 기판 지지 표면(216)이 정전기 척(218)의 상부 표면일 수 있을 것이다. 정전기 척(218)이, 도 2에 도시된 바와 같이, 세라믹 퍽(220)과 같은 유전체 플레이트를 포함할 수 있을 것이다. 세라믹 퍽(220)이 그 내부에 배치된 전극(222)을 포함하여, 기판(115)을 정전기 척(218)에 대해서 척킹하기 위한 DC 에너지를 제공할 수 있을 것이다. 전극(222)이 DC 전원(226)에 커플링될 수 있을 것이다.
엣지 링(228)이 정전기 척(218) 주위에 배치될 수 있을 것이다. 예를 들어, 엣지 링(228)이, 기판(224)의 둘레 엣지 근처의 프로세싱을 개선하도록 및/또는 기판 지지부를 프로세싱 중에 바람직하지 못한 플라즈마 노출로부터 보호하도록 디자인된, 프로세스 키트 등일 수 있을 것이다. 엣지 링(228)이, 예를 들어, 석영, 이트리아(Y2O3), 알루미늄 질화물(AlN), 다이아몬드 코팅된 실리콘 탄화물(SiC) 등 중 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것과 같은, 유전체 일 수 있고 또는 외측 유전체 층을 가질 수 있을 것이다. 도 2에 도시된 바와 같은, 일부 실시예들에서, 엣지 링(228)이, 정전기 척(218) 상에 배치될 때, 기판(115)의 프로세싱 표면과 대략적으로 동일한 높이일 수 있을 것이다. 대안적으로, 정전기 척(218) 상에 놓인 기판의 프로세싱 표면에 대한 엣지 링의 높이가 달라질 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같은, 일부 실시예들에서, 엣지 링(300)이 기판(115)의 프로세싱 표면의 높이 보다 더 높은 높이를 가질 수 있을 것이다. 엣지 링이, 엣지 링(300)과 같이, 하나의 재료로 구성된 단일 피스일 수 있을 것이다. 대안적으로, 엣지 링(300) 상에 놓일 수 있는 및/또는 엣지 링(300) 상에 피팅/적층될 수 있는 링(302)과 같이, 기판(115)의 프로세싱 표면 위의 엣지 링의 높이를 연장하기 위해서 부가적인 링들이 이용될 수 있을 것이다. 예를 들어, 엣지 링(300) 및 링(302)이 동일한 재료들을 포함할 수 있을 것이다. 대안적으로, 엣지 링(300) 및 링(302)이 상이한 재료들을 포함할 수 있을 것이고, 예를 들어, 엣지 링(300)이 석영을 포함할 수 있을 것이고 링(302)이 SiC을 포함할 수 있을 것이다. 기판(115)의 프로세싱 표면 위의 엣지 링(300)(예를 들어, 엣지 링(300) 또는 엣지 링(300)과 링(302)의 조합)의 높이가, 기판(115)의 둘레 엣지 근처의 플라즈마의 균일성을 개선하기 위해서, 최적화될 수 있을 것이다.
도 2를 다시 참조하면, 엣지 링(228)이 제 2 전극(206)의 방사상 연장 부분(214) 위에 그리고 그 근처에 배치될 수 있을 것이고, 그에 따라 엣지 링(228)이 연장 부분(214)과 접지 층(230)(예를 들어, RF 접지 층) 사이에 배치될 수 있을 것이다. 예를 들어, 엣지 링(228)이 상기 연장 부분(214)을 상기 접지 층(230)으로부터 분리하도록, 엣지 링(228)이 단일 피스로 형성될 수 있을 것이다. 대안적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 유전체 이격부재 등과 같은 링(232)이 엣지 링(228)의 아래에 그리고 제 2 전극(206)의 연장 부분(214)과 접지 층(230) 사이에 배치될 수 있을 것이다. 어느(either) 실시예에서, 즉 링(232)을 가지거나 가지지 않는 실시예에서, 연장 부분(214)과 접지 층(230) 사이의 아크발생이 제한 및/또는 방지되도록, 연장 부분(214)을 접지 층(230)으로부터 충분히 절연시키는 것이 바람직할 수 있을 것이다.
링(232)이 단일 피스일 수 있고 또는 도 2의 파선으로 도시된 바와 같이 적층된 또는 함께 상호 연결된 복수의 피스들을 포함할 수 있을 것이다. 복수의 적층된 피스들이 이용되는 실시예들에서, 상기 피스가 동일한 또는 상이한 재료들을 포함할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 다른 링들이 이용될 수 있을 것이고 또는 제 2 전극(206)의 보다 큰 연장 부분을 수용기 위해서 하나 또는 둘 이상의 피스들이 제거될 수 있을 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 링(400)이 큰 연장 부분(402)(예를 들어, 연장 부분(214) 보다 더 크다)을 수용하기 위해서 이용될 수 있을 것이다. 도시된 바와 같이, 연장 부분(402)이 제 1 유전체 층(234)(이하에서 설명됨)을 지나서 연장할 수 있을 것이다. 링(232)과 유사하게, 링(400)을 이용하여 연장 부분(402)을 접지 층(230)으로부터 충분히 절연시킬 수 있을 것이다. 연장 부분(예를 들어, 214 또는 402)이, 예를 들어, 기판(115)의 둘레 엣지(202) 근처의 플라즈마의 균일성을 최적화하기 위한 길이 범위를 가질 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 연장 부분의 길이 및 엣지 링의 높이 모두를 최적화하여, 기판(115)의 둘레 엣지 근처의 플라즈마의 희망하는 균일성을 달성할 수 있을 것이다.
도 5a-b는, 본원 고안의 일부 실시예들에 따른, 링(232) 또는 링(400)으로서 이용될 수 있는 링(502)의 상면도 및 측면 횡단면도를 각각 도시한다. 바람직하게, 상기 링(502)이 전술한 기판 지지부(116)와 함께 이용되기에 적합하도록, 이하에서 설명되는 링(502)의 치수들이 결정된다. 일부 실시예들에서, 링(502)이 실리콘 탄화물(SiC)로 제조된다. 링(502)을 실리콘 탄화물로 제조함으로써, 프로세스 챔버 내의 프로세스 분위기에 노출될 때, 상기 링(502)이 유리하게 저하(degratation)에 대해서 내성을 가질 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 일반적으로, 링(502)은, 외측 엣지(511), 내측 엣지(513), 상단부 표면(515), 및 기저부 표면(517)을 가지는 링 형상의 본체(504)를 포함할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 상기 본체(504)가 상기 상단부 표면(515)으로부터 상향 연장하는 복수의 돌출부들(506)(3개의 돌출부들(506)이 도시됨)을 포함할 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 외측 엣지(511)의 직경이 약 12.473 인치 내지 약 12.479 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 내측 엣지(513)의 직경이 약 11.726 인치 내지 약 11.728 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 상기 링(502)의 내측 엣지(513)가 복수의 돌출부들(506) 중 하나 근처의 편평한 부분(509)을 포함한다. 상기 편평한 부분(509)이 기판 지지부의 일부와 인터페이싱하여, 기판 지지부 상에 설치되었을 때, 링(502)의 적절한 배향을 돕는다. 일부 실시예들에서, 링(502)의 편평한 부분(509)으로부터 중심(510)까지의 거리(512)가 약 5.826 인치 내지 약 5.831 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 편평한 부분(509)이 약 1.310 인치 내지 약 1.320 인치의 길이(508)를 가질 수 있을 것이다.
복수의 돌출부들(506)(3개의 돌출부들(506)이 도시됨)은, 존재할 때, 링(502)의 상단부에서 기판 지지부의 구성요소(예를 들어, 전술한 기판 지지부(116)의 엣지 링(228))를 지지하고 그리고 그 사이에 갭을 제공한다. 3개의 돌출부들(506)이 존재하는 실시예들에서, 돌출부들(506)이 본체(504) 주위로 대칭적으로 배치될 수 있을 것이다. 예를 들어, 3개의 돌출부들(506)의 각각이 본체(504) 주위로 서로 약 120도의 각도(519)만큼 분리될 수 있을 것이다. 또한, 돌출부(506)의 외측 엣지(527)와 본체(504)의 중심(510) 사이의 거리(525)가 약 6.995 인치 내지 약 6.105 인치가 되도록, 각각의 돌출부(506)가 본체(504) 주위에 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 돌출부(506)의 내측 엣지(529)로부터 본체(504)의 중심(510)까지의 거리(523)가 약 5.937 인치 내지 약 5.947 인치이다.
도 5b를 참조하면, 일부 실시예들에서, 본체(504)가 약 0.116 인치 내지 약 0.118 인치의 높이(H1)를 가질 수 있을 것이다. 돌출부(506)가 본체(504)의 표면(515)으로부터 약 0.049 인치 내지 약 0.059 인치의 높이(H2)까지 연장할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 돌출부(506)가, 상기 본체(504)의 표면(515)에 대해서 수직한 축(533)으로부터 약 9도 내지 약 11도로 각도를 이루는 경사진 측부(531)를 가질 수 있을 것이다.
도 6a-c는, 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기 내에서 이용하기 위한 엣지 링(228) 또는 엣지 링(300)으로서 이용될 수 있는 프로세스 키트 링(602)의 상면도, 측방향 횡단면도 및 상기 측방향 횡단면도의 상세도를 각각 도시한다. 바람직하게, 프로세스 키트 링(602)이 전술한 기판 지지부(116)와 함께 이용되기에 적합하도록, 이하에서 설명되는 프로세스 키트 링(602)의 치수들이 결정된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(602)이 석영(SiO2)으로 제조된다. 프로세스 키트 링(602)을 석영으로 제조함으로써, 바람직하게, 상기 프로세스 키트 링(602)이 유전체일 수 있고 그리고, 프로세스 챔버 내의 프로세스 분위기에 노출될 때, 저하에 대해서 내성을 가질 수 있을 것이다.
일반적으로, 프로세스 키트 링(602)은 외측 엣지(615), 내측 엣지(616), 상단부 표면(604), 및 기저부(613)를 가지는 링 형상의 본체(601)를 포함한다. 제 1 단차부(607) 및 제 2 단차부(608)가 상기 외측 엣지(615)와 상기 내측 엣지(616) 사이에 형성될 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 외측 엣지(615)의 직경이 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 내측 엣지(616)의 직경이 약 11.752 인치 내지 약 11.757 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 본체(601)의 내측 엣지(616)가 편평한 부분(617)을 포함하고, 상기 편평한 부분(617)은, 기판 지지부의 일부와 인터페이싱하여, 상기 기판 지지부 상에 설치되었을 때, 프로세스 키트 링(602)의 적절한 배향을 돕도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 상기 편평한 부분(617)과 상기 프로세스 키트 링(602)의 중심 축 사이의 거리(605)가 약 5.825 내지 약 5.830 인치일 수 있을 것이다.
도 6b를 참조하면, 제 1 단차부(607)는, 프로세싱을 위해서 상기 프로세스 키트 링(602) 상에 배치될 때, 기판의 둘레 위에 그리고 그 주위에 개방 지역(634)을 제공한다. 상기 개방 지역(634)은 프로세싱을 허용할 수 있고 및/또는 기판으로부터 프로세스 키트 링(602)으로의 열 전달량을 감소시킬 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 1 단차부(607)가 약 12.077 인치 내지 약 12.087 인치의 외경(614)을 가질 수 있고 그리고 제 2 단차부(608)의 외경(612)까지 연장할 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 2 단차부(608)의 표면(609)으로부터 프로세스 키트 링(602)의 상단부 표면(604)으로의 전이부(611)가, 도 6c에 도시된 바와 같이, 약 99 도 내지 약 101 도의 각도를 가질 수 있을 것이다. 도 6b를 다시 참조하면, 그러한 실시예들에서, 상단부 표면(604)의 내경(610)이 약 12.132 인치 내지 약 12.142 인치일 수 있을 것이다.
제 2 단차부(608)는, 프로세싱을 위해서 프로세스 키트 링(602) 상에 배치될 때, 기판에 대한 지지 표면을 공한다. 제 2 단차부(608)가 약 11.884 인치 내지 약 11.889 인치의 외경(612)을 가질 수 있고 그리고 프로세스 키트 링(602)의 내측 엣지(616)까지 연장할 수 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(602)이 상기 프로세스 키트 링(602)의 외측 엣지(630) 주위의 그리고 상기 프로세스 키트 링(602)의 기저부(613)로부터 하향 연장하는 링(632)을 포함할 수 있을 것이다. 상기 링(632)은, 프로세스 키트 링(602)이 기판 지지부의 상단부에 확실하게 안착될 수 있게 하고 그리고 기판 지지부의 다른 구성요소들이 프로세스 키트 링(602) 아래에 피팅될 수 있게 한다(예를 들어, 전술한 링(502)). 일부 실시예들에서, 링(632)이 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치의 내경(633)을 가질 수 있을 것이다. 도 6c를 참조하면, 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(602)의 전체 두께(620)가 약 0.510 인치 내지 약 0.520 인치일 수 있을 것이다.
도 7a-e는 본원 고안의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응기 내에서 이용하기 위한 프로세스 키트 링의 상면도, 측방향 횡단면도, 상기 측방향 횡단면도의 상세도, 상기 상면도의 상세도, 및 상기 상면도의 상세부의 측방향 횡단면도를 각각 도시한다. 프로세스 키트 링(702)이 전술한 기판 지지부(116)와 함께 이용하기에 적합해지도록, 이하에서 설명되는 프로세스 키트 링(702)의 치수들이 결정된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(702)이 석영(SiO2)으로 제조된다. 프로세스 키트 링(702)을 석영으로 제조함으로써, 바람직하게, 상기 프로세스 키트 링(702)이 유전체일 수 있고 그리고, 프로세스 챔버 내의 프로세스 분위기에 노출될 때, 저하에 대해서 내성을 가질 수 있을 것이다.
일반적으로, 프로세스 키트 링(702)은 외측 엣지(705), 내측 엣지(706), 상단부 표면(707), 기저부(709), 및 상기 프로세스 키트 링(702)의 내측 엣지(706)로부터 중심(711)을 향해서 내측으로 연장하는 복수의 돌출부들(3개의 돌출부들(716)이 도시됨)을 가지는 링 형상의 본체(704)를 포함한다.
일부 실시예들에서, 외측 엣지(705)의 직경(708)이 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 내측 엣지(706)의 직경이 약 12.245 인치 내지 약 12.250 인치일 수 있을 것이다.
복수의 돌출부들(716)은, 프로세싱을 위해서 프로세스 키트 링(702) 상에 배치될 때, 기판에 대한 지지 표면을 제공한다. 일부 실시예들에서, 복수의 돌출부들(716)이, 예를 들어 서로로부터 약 120도로 배치되는 것과 같이, 프로세스 키트 링(702)의 내측 엣지(706) 주위로 대칭적으로 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 상기 복수의 돌출부들(716)의 각각의 중심(711)으로부터 단부(719)까지의 거리(710)가 약 5.937 인치 내지 약 5.947 인치가 되도록, 복수의 돌출부들(716)의 각각이 프로세스 키트 링(702)의 중심(711)을 향해서 연장한다.
도 7d를 참조하면, 일부 실시예들에서, 복수의 돌출부들(716)의 각각이 약 약 0.205 인치 내지 약 0.216 인치의 폭(731)을 가질 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 복수의 돌출부들(716)의 각각이 둥근 단부(741)를 포함할 수 있을 것이다.
도 7e를 참조하면, 일부 실시예들에서, 복수의 돌출부들(716)의 각각의 기판 지지 표면(737)이 프로세스 키트 링(702)의 상단부 표면(707) 아래에 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(702)의 기판 지지 표면(737)과 상단부 표면(707) 사이의 전이부(735)가 곡선화될 수 있을 것이다.
도 7b를 참조하면, 일부 실시예들에서, 노치(notch)(726)가 내측 엣지(706) 아래에 형성될 수 있을 것이다. 노치(726)가 기판 지지부의 다른 구성요소와 인터페이싱하여, 상기 구성요소 상에서 상기 프로세스 키트 링(702)을 센터링하는 것을 도울 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 노치(726)가 프로세스 키트 링(702) 내에서 약 12.405 인치 내지 약 12.505 인치의 직경(720)까지 형성될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(702)이 상기 프로세스 키트 링(702)의 외측 엣지(726) 주위에서 상기 프로세스 키트 링(702)의 기저부(709)로부터 전방으로 연장하는 링(724)을 포함할 수 있을 것이다. 상기 링(724)은, 상기 프로세스 키트 링(702)이 기판 지지부의 상단부에 확실하게 안착될 수 있게 하고 그리고 기판 지지부의 다른 구성요소들이 프로세스 키트 링(702) 아래에 피팅될 수 있게 한다(예를 들어, 전술한 링(502)). 일부 실시예들에서, 링(724)의 내경(722)이 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 내측 엣지(706)가 상기 내측 엣지(706)로부터 상기 상단부 표면(707)까지 연장하는 테이퍼링된(tapered) 부분(739)을 포함할 수 있을 것이고, 그에 의해서 프로세스 키트 링(702)의 상단부 표면(707) 근처에 약 12.295 인치 내지 약 12.305 인치의 내경(718)을 제공할 수 있을 것이다. 도 7c를 참조하면, 그러한 실시예들에서, 상기 테이퍼링된 부분(735)과 상기 표면 사이의 각도(743)가 약 99 도 내지 약 101 도일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트 링(702)의 전체 두께(729)가 약 0.520 인치 내지 약 0.530 인치일 수 있을 것이다.
도 2를 다시 참조하면, 링(232)(또는 링(400))이 제 1 유전체 층(234) 상에 놓일 수 있을 것이다. 제 1 유전체 층(234)이 제 1 전극(200)의 둘레 엣지(202) 주위에 배치될 수 있을 것이다. 예를 들어, 제 1 유전체 층(234)이 제 1 전극(200) 및/또는 제 2 전극(206)의 적어도 일부를 접지 층(230)으로부터 전기적으로 절연시킬 수 있을 것이다. 도시된 바와 같이, 접지 층(230)이 제 1 유전체 층(234) 주위에 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 제 2 전극(206)의 방사상 연장 부분(214)이, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 유전체 층(234) 주위로 적어도 부분적으로 배치될 수 있을 것이다. 제 1 유전체 층(234)이, 석영, 이트리아(Y2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 다이아몬드 코팅된 석영, 등 중 하나 또는 둘 이상과 같은, 임의의 적합한 유전체 재료들을 포함할 수 있을 것이다. 접지 층(230)이, 알루미늄, 도핑된 SiC, 도핑된 다이아몬드, 또는 프로세스 분위기와 양립가능한 다른 적합한 전도성 재료들 중 하나 또는 둘 이상과 같은, 임의의 적합한 전도성 재료를 포함할 수 있을 것이다. 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 접지 층(230)이, 기판 지지부(116) 주위로, 예를 들어, 제 1 유전체 층(234) 주위로 배치될 수 있는 플라즈마 차폐부(236)에 커플링될 수 있을 것이다.
도 1을 다시 참조하면, 일부 실시예들에서, 덮개(120)가 실질적으로 편평할 수 있을 것이다. 챔버(104)의 다른 변형예들이, 예를 들어, 돔-형상의 덮개 또는 다른 형상들과 같은 다른 타입들의 덮개들을 가질 수 있을 것이다. 전형적으로, 유도 결합형 플라즈마 장치(102)가 상기 덮개(120) 위에 배치되고 그리고 RF 전력을 프로세스 챔버(104) 내로 유도 결합시키도록 구성된다. 유도 결합형 플라즈마 장치(102)가, 상기 덮개(120) 위에 배치된, 제 1 및 제 2 코일들(110, 112)을 포함한다. 각각의 코일의 직경들의 비율 및/또는 각각의 코일 내의 선회들(turns)의 수가, 예를 들어 각각의 코일 상의 인덕턴스 제어를 통해서 형성 플라즈마의 프로파일 또는 밀도를 제어하기 위해서 요구되는 바에 따라서, 각각 조정될 수 있다. 제 1 및 제 2 코일들(110, 112)의 각각이 매칭 네트워크(114)를 통해서 RF 공급 구조물(106)을 경유하여 RF 전원(108)으로 커플링된다. RF 전원(108)이, 예시적으로, 50 kHz 내지 13.56 MHz 범위의 튜닝가능한 주파수에서 약 4000 W(그러나, 약 4000 W로 제한되는 것은 아니다)까지 생성할 수 있을 것이나, 특별한 적용예들에서 요구되는 바에 따라서 다른 주파수들 및 전력들이 제공될 수도 있을 것이다.
일부 실시예들에서, 분할 커패시터와 같은, 전력 분할기(105)가 RF 공급 구조물(106)과 RF 전원(108) 사이에 제공되어, 각각의 제 1 및 제 2 코일들로 제공되는 RF 전력의 상대적인 양을 제어할 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 코일로 제공되는 RF 전력의 양을 제어하기 위해서(그에 의해서 제 1 및 제 2 코일들에 상응하는 구역들 내의 플라즈마 특성들을 제어하는 것을 돕기 위해서), 전력 분할기(105)가 RF 공급 구조물(106)을 RF 전원(108)에 커플링시키는 라인 내에 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 전력 분할기(105)가 매칭 네트워크(114) 내로 통합될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 전력 분할기(105) 이후에, RF 전류가 RF 공급 구조물(106)로 흐르고, 그러한 RF 공급 구조물에서 RF 전류가 제 1 및 제 2 RF 코일들(110, 112)로 분배된다. 대안적으로, 분할된(split) RF 전류가 개별적인 제 1 및 제 2 RF 코일들의 각각으로 직접 공급될 수 있을 것이다.
히터 요소(121)가 덮개(120)의 상단부에 배치되어, 프로세스 챔버(104)의 내부를 가열하는 것을 도울 수 있을 것이다. 히터 요소(121)가 덮개(120)와 제 1 및 제 2 코일들(110, 112) 사이에 배치될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 히터 요소(121)가 저항형 가열 요소를 포함할 수 있을 것이고 그리고 히터 요소(121)의 온도가 약 50 ℃ 내지 약 100 ℃ 가 되도록 제어하기 위해서 충분한 에너지를 제공하도록 구성된, AC 전원과 같은, 전원(123)에 커플링될 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 히터 요소(121)가 오픈 브레이크(open break; 개방되어 불연속적인) 히터일 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 히터 요소(121)가, 환형 요소와 같은, 노 브레이크(no break; 연속적인) 히터를 포함할 수 있을 것이고, 그에 의해서 프로세스 챔버(104) 내의 균일한 플라즈마 형성을 도울 수 있을 것이다.
동작 중에, 기판(115)(예를 들어, 반도체 웨이퍼 또는 플라즈마 프로세싱에 적합한 다른 기판)이 기판 지지부(116) 상에 배치될 수 있고 그리고 프로세스 가스들이 진입 포트들(126)을 통해서 가스 패널(138)로부터 공급되어 프로세스 챔버(104) 내에서 기체 혼합물(150)을 형성할 수 있을 것이다. 예를 들어, 프로세스 가스들의 도입에 앞서서, 챔버 내의 표면들과 대면하는 내측 부피가 약 100 내지 200 ℃ 또는 약 150 ℃의 온도를 가지도록, 챔버 내의 표면들의 온도가, 예를 들어, 전술한 바와 같은 히터(121)에 의해서 제어될 수 있을 것이다. 전원(108)으로부터 제 1 및 제 2 코일들(110, 112)로 전력을 인가함으로써, 기체 혼합물(150)이 프로세스 챔버(104) 내에서 플라즈마(155)로 점화될(ignited) 수 있을 것이다. 일부 실시예들에서, 바이어스 공급원(122)으로부터의 전력이 또한 기판 지지부(116)로 제공될 수 있을 것이다. 챔버(104) 내부의 압력이 스로틀 밸브(127) 및 진공 펌프(136)를 이용하여 제어될 수 있을 것이다. 챔버 벽(130)의 온도가, 벽(130)을 통해서 연장하는 액체-함유 도관들(미도시)을 이용하여 제어될 수 있을 것이다.
제어기(140)가 중앙처리유닛(CPU)(144), 메모리(142), 및 CPU(144)를 위한 지원 회로들(146)을 포함하고 그리고, 여기에서 설명된 바와 같은, 반응기(100)의 구성요소들의 그리고, 예를 들어, 플라즈마를 형성하는 방법들의 제어를 돕는다. 제어기(140)는 여러 가지 챔버들 및 하위-챔버들을 제어하기 위한 산업적인 셋팅에서 이용될 수 있는 임의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있을 것이다. CPU(144)의 메모리, 또는 컴퓨터-판독가능 매체(142)가 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 근거리 또는 원격지의 디지털 저장장치와 같은 용이하게 이용가능한 메모리 중 하나 또는 둘 이상일 수 있을 것이다. 통상적인 방식으로, 프로세서를 지원하기 위해서, 지원 회로들(146)이 CPU(144)에 커플링된다. 이러한 회로들은 캐시, 전원들, 클록 회로들, 입/출력 회로망, 및 하위 시스템들 등을 포함한다. 메모리(142)는, 반응기(100)의 동작을 여기에서 설명된 방식으로 제어하기 위해서 실행 또는 호출될(invoked) 수 있는 소프트웨어(소스 코드 또는 목적 코드)를 저장한다. 소프트웨어 루틴이 또한, CPU(144)에 의해서 제어되는 하드웨어로부터 원격지에 위치된 제 2 CPU(미도시)에 의해서 저장 및/또는 실행될 수 있을 것이다.
전술한 내용들이 본원 고안의 실시예들에 관한 것이지만, 고안의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본원 고안의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고도 안출될 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 링으로서,
    외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부(bottom)를 가지는 링 형상의 본체 ― 상기 외측 엣지는 약 12.473 인치 내지 약 12.479 인치의 직경을 갖고, 상기 내측 엣지는 약 11.726 인치 내지 약 11.728 인치의 직경을 갖고, 상기 링 형상의 본체는 약 0.116 내지 약 0.118 인치의 두께를 가짐 ―; 및
    상기 링 형상의 본체의 상기 상단부 표면 상에 배치된 복수의 돌출부들
    을 포함하며,
    상기 복수의 돌출부들 각각은 링 형상의 본체 주위에(about) 대칭적으로(symmetrically) 배치되는,
    프로세스 키트 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부들은 단지 3개의 돌출부들만을 포함하고, 상기 단지 3개의 돌출부들은 상기 링 형상의 본체 주위에서 서로로부터 약 120 도로 배치되는,
    프로세스 키트 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부들 각각은 약 0.049 인치 내지 약 0.059 인치의 높이를 갖는,
    프로세스 키트 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부들 각각은 경사진 측부(sloped side)를 포함하고, 상기 경사진 측부는 상기 링 형상의 본체의 표면에 대해 수직한 축으로부터 약 9 도 내지 약 11 도로 각도를 이루는,
    프로세스 키트 링.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 링은 실리콘 탄화물(SiC)로 제조되는,
    프로세스 키트 링.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 내측 엣지는 상기 복수의 돌출부들 중 하나 근처에 배치된 편평한 부분을 포함하며, 상기 편평한 부분은 약 1.310 인치 내지 약 1.320 인치의 길이를 갖는,
    프로세스 키트 링.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부들 각각의 외측 엣지와 상기 링 형상의 본체의 중심 사이의 거리는 약 6.995 인치 내지 약 6.105 인치이고, 상기 복수의 돌출부들 각각의 내측 엣지와 상기 링 형상의 본체의 중심 사이의 거리는 약 5.937 인치 내지 약 5.947 인치인,
    프로세스 키트 링.
  8. 프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 링으로서,
    외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 상기 외측 엣지는 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치의 직경을 갖고, 상기 내측 엣지는 약 11.752 인치 내지 약 11.757 인치의 직경을 갖고, 상기 링 형상의 본체는 약 0.510 인치 내지 약 0.520 인치의 두께를 가짐 ―;
    상기 외측 엣지와 상기 내측 엣지 사이에 상기 링 형상의 본체에 형성된 제 1 단차부 및 제 2 단차부 ― 상기 제 1 단차부는 약 12.077 인치 내지 약 12.087 인치의 외측 직경을 갖고, 상기 제 2 단차부는 약 11.884 인치 내지 약 11.889 인치의 외측 직경을 가짐 ―; 및
    상기 링 형상의 본체의 외측 엣지 근처에서 상기 링 형상의 본체의 기저부로부터 하향 연장하는 링
    을 포함하며,
    상기 링은 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치의 내측 직경을 갖는,
    프로세스 키트 링.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 단차부의 상단부 표면으로부터 상기 링 형상의 본체의 상단부 표면으로의 전이부(transition)는, 상기 링 형상의 본체의 상단부 표면에 대하여 약 99 도 내지 약 101 도의 각도를 갖는,
    프로세스 키트 링.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 내측 엣지는 상기 기판 지지부의 부분과 인터페이싱(interface)하도록 구성된 편평한 부분을 포함하는,
    프로세스 키트 링.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트 링은 석영(SiO2)으로 제조되는,
    프로세스 키트 링.
  12. 프로세스 챔버의 기판 지지부와 함께 사용하기 위한 프로세스 키트 링으로서,
    외측 엣지, 내측 엣지, 상단부 표면, 및 기저부를 가지는 링 형상의 본체 ― 상기 외측 엣지는 약 15.115 인치 내지 약 15.125 인치의 직경을 갖고, 상기 내측 엣지는 약 12.245 인치 내지 약 12.250 인치의 직경을 갖고, 상기 링 형상의 본체는 약 0.520 인치 내지 약 0.530 인치의 두께를 가짐 ―; 및
    상기 링 형상의 본체의 내측 엣지 주위에 대칭적으로 배치된 복수의 돌출부들
    을 포함하며,
    상기 복수의 돌출부들은 상기 링 형상의 본체의 중심을 향해서 상기 내측 엣지로부터 내측으로 연장하는,
    프로세스 키트 링.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트 링은 석영(SiO2)으로 제조되는,
    프로세스 키트 링.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출부들은,
    단지 3개의 돌출부들 ― 상기 단지 3개의 돌출부들은 상기 링 형상의 본체의 내측 엣지 주위에서 서로로부터 약 120 도로 배치됨 ―;
    약 5.937 인치 내지 약 5.947인, 상기 복수의 돌출부들 각각의 말단부로부터 상기 링 형상의 본체의 중심으로의 거리;
    상기 링 형상의 본체의 상단부 표면과 상기 복수의 돌출부들 각각의 기판 지지 표면 사이의 휘어진 전이부; 또는
    상기 링 형상의 본체의 상단부 표면 아래에 배치된 상기 복수의 돌출부들 각각의 기판 지지 표면
    중 적어도 하나를 포함하는,
    프로세스 키트 링.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 링 형상의 본체의 내측 엣지 아래의 상기 링 형상의 본체에서의 노치(notch) ― 상기 노치는 약 12.405 인치 내지 약 12.505 인치의 외측 직경을 가짐 ―;
    상기 링 형상의 본체의 내측 엣지로부터 상기 링 형상의 본체의 상단부 표면으로 연장하는 테이퍼링된(tapered) 부분 ― 상기 링 형상의 본체의 상단부 표면과 상기 테이퍼링된 부분 사이의 각도는 약 99 도 내지 약 101 도임 ―; 또는
    상기 본체의 외측 엣지 근처에서 상기 링 형상의 본체의 기저부로부터 하향 연장하는 링 ― 상기 링은 약 14.905 인치 내지 약 14.915 인치의 내측 직경을 가짐 ―
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    프로세스 키트 링.
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