JP7122551B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記保持部は、前記被処理基板の周縁部を下方から支持する支持面と、前記被処理基板の前記周縁部に沿って前記支持面から前記長尺部の上面まで延びるように設けられ、前記被処理基板の前記周縁部をガイドするガイド面とを備える。
また前記誘電体部は、下降位置にある前記長尺部と対向する一対の第1領域と、前記一対の第1領域に挟まれた第2領域とを有し、前記第2領域において、前記一対の第1領域の間に延在するとともに、前記第1領域から上方に突出するように形成された中央隆起部と、前記中央隆起部の周囲に配置された周縁凸部とを備える。
プラズマ処理装置は、前記基体と電気的に絶縁された状態で取り付けられ、高周波電圧が印加される電極体と、前記電極体の上に配置され、基台部と、前記基台部から隆起する中央隆起部と、前記中央隆起部の周縁部からさらに隆起する周縁凸部と、を有する誘電体部と、基板を保持するための一対の長尺部と、前記長尺部を保持し、付勢手段を介して前記基体に取り付けられ、昇降可能に設けられた枠体と、をさらに備える。
前記蓋体が前記上昇位置にあるとき、前記枠体は付勢手段によって付勢されて上昇し、前記長尺部が被処理基板を支持するとともに、前記蓋体が前記下降位置にあるとき、前記蓋体は前記枠体を押圧して下降させ、前記中央隆起部が前記被処理基板を支持する。
基体10には、高周波電圧が印加される電極体15が、基体10と電気的に絶縁された状態で取り付けられている。電極体15の上には、基台部13と、基台部13から隆起する中央隆起部14と、中央隆起部14の周縁部からさらに隆起する周縁凸部16と、を有する誘電体部12が配置されている。さらに被処理基板40を保持するための一対の長尺部32と、長尺部32を保持するとともに、付勢手段を介して基体10に取り付けられ、昇降可能に設けられた枠体30が設けられる。
蓋体20が上昇位置にあるとき(基板の搬送時)、枠体30は付勢手段によって付勢されて上昇し、長尺部32が被処理基板40を支持する。一方、蓋体20が下降位置にあるとき(プラズマ処理時)、蓋体20は枠体30を押圧して下降させ、中央隆起部14が被処理基板40を支持する。
上述のようにプラズマ処理装置を構成することにより、中央隆起部14の周縁部に周縁凸部16を設けることにより、被処理基板40の周縁部のうち、長尺部(板状部材)32に隣接する部分、および周縁凸部16が隣接する部分における高周波電界(プラズマ照射条件)を均一にし、被処理基板40の周縁部全体において、プラズマ照射によるエッチングレートのばらつきを低減し、被処理基板40の生産歩留まりを向上させることができる。
減圧した真空チャンバ3に例えばArガス等のプロセスガスを導入し、電極体15に高周波電圧を印加することにより、電極体15と接地された蓋体20との間に高周波電界を形成し、プロセスガスのプラズマ雰囲気(Arプラズマ)を発生させ、Arイオンを半導体ウェーハ40の表面に衝突させることによりプラズマ処理される。
例えば、半導体ウェーハ40が載置される誘電体部12が半導体ウェーハ40より大きい略円形の平面形状を備え、かつ、電極体15が半導体ウェーハ40より大きい場合、電極体15と蓋体20との間に形成される高周波電界は、半導体ウェーハ40の表面全体において実質的に均一に形成され、Arイオンが半導体ウェーハ40の表面に衝突する速度も実質的に一定となりやすく、したがって、Arプラズマ照射によるエッチングレートは、半導体ウェーハ40の表面全体にわたって均一となりやすいと考えられる。
特に、ロボットアームによる半導体ウェーハ40の搬入と搬出を互いに異なる方向から行う場合、枠体30とロボットアームとの干渉を回避するためのスペースを確保しやすくなるため、1対の板状部材32を複数の枠体30で支持することが好ましい。例えば、図2のように、枠体30を2つ設けて一対の板状部材32のそれぞれを別の枠体30で支持する場合、2つの枠体30の間にロボットアームが出入り可能な寸法の間隔を設けることにより、搬入を図2におけるX軸方向の一方の側から行い、搬出をX軸方向の他方の側から行うプラズマ処理装置を比較的容易に実現できる。
Claims (10)
- 基体と、前記基体に対し昇降する蓋体と、を有する筐体と、
前記基体とは電気的に絶縁され、高周波電圧が印加される電極体と、
前記電極体を覆うとともに被処理基板が載置される誘電体部と、
前記誘電体部の上方において、前記被処理基板の搬入および搬出を行う際の上昇位置と、前記被処理基板に対してプラズマ処理を行う際の下降位置との間で昇降可能に設けられ、昇降中の前記被処理基板の両端を保持する保持部を備える、一対の長尺部と、を備えるプラズマ処理装置であって、
前記保持部は、
前記被処理基板の周縁部を下方から支持する支持面と、
前記被処理基板の前記周縁部に沿って前記支持面から前記長尺部の上面まで延びるように設けられ、前記被処理基板の前記周縁部をガイドするガイド面とを備え、
前記誘電体部は、
下降位置にある前記長尺部と対向する一対の第1領域と、前記一対の第1領域に挟まれた第2領域とを有し、
前記第2領域において、前記一対の第1領域の間に延在するとともに、前記第1領域から上方に突出するように形成された中央隆起部と、
前記中央隆起部の周囲に配置された周縁凸部とを備える、プラズマ処理装置。 - 前記長尺部の底面から前記支持面までの高さが、前記第1領域における前記誘電体部から前記中央隆起部までの高さよりも小さい、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下降位置における前記長尺部の前記上面が、前記誘電体部の前記周縁凸部と面一となるように構成された、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガイド面、および前記中央隆起部に対向する前記周縁凸部の側面の少なくとも一方がテーパ面を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の長尺部が、前記誘電体部を横断するように配置される一対の板状部材からなり、
前記誘電体部に隣接して設けられるとともに前記板状部材を保持する枠体と、
前記枠体を前記基体に係合させる付勢手段と、をさらに備え、
前記蓋体は、前記蓋体が前記基体に対して相対的に移動する際に、前記蓋体による前記付勢手段の付勢状態を変化させることにより、前記板状部材の昇降を可能とする、押圧部材を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 基体と、前記基体に対する上昇位置および下降位置の間で昇降可能な蓋体と、を有する筐体を備えたプラズマ処理装置であって、
前記基体と電気的に絶縁された状態で取り付けられ、高周波電圧が印加される電極体と、
前記電極体の上に配置され、基台部と、前記基台部から隆起する中央隆起部と、前記中央隆起部の周縁部からさらに隆起する周縁凸部と、を有する誘電体部と、
基板を保持するための一対の長尺部と、
前記長尺部を保持し、付勢手段を介して前記基体に取り付けられ、昇降可能に設けられた枠体と、をさらに備え、
前記蓋体が前記上昇位置にあるとき、前記枠体は付勢手段によって付勢されて上昇し、前記長尺部が被処理基板を支持するとともに、
前記蓋体が前記下降位置にあるとき、前記蓋体は前記枠体を押圧して下降させ、前記中央隆起部が前記被処理基板を支持する、プラズマ処理装置。 - 前記蓋体は、前記枠体を押圧して前記下降位置にあるとき、前記長尺部が前記基台部と離間するように構成された、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記蓋体は、前記枠体を押圧して前記下降位置にあるとき、前記長尺部および前記周縁凸部のそれぞれの頂面が実質的に面一となるように構成された、請求項6または7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺部および前記周縁凸部の少なくとも一方は、前記被処理基板を前記中央隆起部に案内する傾斜面を有する、請求項6~8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中央隆起部および前記周縁凸部は、前記一対の長尺部の間において、ともに円形の平面形状を有する、請求項6~9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253365A (ja) | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US20130154175A1 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for use with an extended and independent rf powered cathode substrate for extreme edge tunability |
JP2015012045A (ja) | 2013-06-26 | 2015-01-19 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
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- 2018-03-16 JP JP2018050035A patent/JP7122551B2/ja active Active
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