JP2006253365A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処置室10内に半導体ウェハ8を搬入してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、半導体ウェハ8を載置してプラズマ放電を発生させる電極部6を、半導体ウェハ8を保持する2列のガイド部7の間で昇降自在に配設された板状の昇降体14に、電極部6を上下に貫通して昇降自在に配設された昇降ロッド15を連結し、昇降ロッド15を圧縮ばね23によって下方に付勢した構成を採用する。これにより処理室10内の減圧時に昇降ロッド15と昇降体14とをともに圧力差により上昇させて、昇降体14が半導体ウェハ8の下面に近接した状態でプラズマ処理を行うことができ、均一なプラズマ処理を安定して行うことができる。
【選択図】図3
Description
に絶縁体を介して装着され前記高周波電源部と接続された電極部材と、前記電極部材の上面に半導体ウェハの搬送方向に配置され前記半導体ウェハの両端部をそれぞれ下面側から支持する2列のガイド部と、前記2列のガイド部の間で昇降自在に配設された昇降体と、前記電極部材を上下方向に貫通して昇降自在に設けられ上端部が前記昇降体の下面と連結された昇降ロッドと、前記昇降ロッドを下方に付勢する付勢手段とを有し、前記処理室内を減圧することにより前記昇降ロッドが前記昇降体とともに処理室内外の圧力差により上昇した状態において、前記昇降体が前記ガイド部に支持された半導体ウェハの下面に近接する。
2電極部材17、第3電極部材16の3つに分割された電極部材と、電極部材の上面に配置された2列のガイド部7と、これらの2列のガイド部7との間で昇降自在に配設された昇降体14と、昇降体14の下面と連結された昇降ロッド15および昇降ロッド15を下方に付勢する付勢手段としての圧縮バネ23より構成される。
に際しては、図4(a)に示すように、搬送アーム9によって半導体ウェハ8の下面を保持して、半導体ウェハ8をガイド部7に対して位置合わせする。
体ウェハ8の下面側に隙間が存在しない状態でプラズマ処理を行うことができ、均一なプラズマ処理を安定して行うことが可能となる。
3 蓋部材
6 電極部
7 ガイド部
8 半導体ウェハ
9 搬送アーム
10 処理室
12 真空排気部
13 ガス供給部
14 昇降体
15 昇降ロッド
23 圧縮バネ
25 高周波電源部
Claims (1)
- 処理室内に搬入された半導体ウェハを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記処理室の底部を形成する水平なベース部と、このベース部に対して昇降し下降状態において前記ベース部に当接して密閉された前記処理室を形成する蓋部材と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記半導体ウェハが載置される電極部と、前記電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備え、
前記電極部は、前記ベース部に絶縁体を介して装着され前記高周波電源部と接続された電極部材と、前記電極部材の上面に半導体ウェハの搬送方向に配置され前記半導体ウェハの両端部をそれぞれ下面側から支持する2列のガイド部と、前記2列のガイド部の間で昇降自在に配設された昇降体と、前記電極部材を上下方向に貫通して昇降自在に設けられ上端部が前記昇降体の下面と連結された昇降ロッドと、前記昇降ロッドを下方に付勢する付勢手段とを有し、前記処理室内を減圧することにより前記昇降ロッドが前記昇降体とともに処理室内外の圧力差により上昇した状態において、前記昇降体が前記ガイド部に支持された半導体ウェハの下面に近接することを特徴とするプラズマ処理装置。
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