CN107887248A - 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 - Google Patents

Abstract

提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在等离子体处理时使覆盖件与盖一同下降而对运输载体进行保护。等离子体处理装置具备：基座，具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具有对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于基座进行升降，在通过盖下降并与基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在载置面的基板的等离子体处理，运输载体具备保持片以及配置在保持片的外周部的框架，基板保持在保持片，并且经由保持片载置在载置面，等离子体处理装置还具备：引导件，沿着电极体的周围配置，并对框架进行定位；以及覆盖件，与盖一体设置，在形成有密闭空间时，至少覆盖运输载体的框架。

Description

等离子体处理装置以及等离子体处理方法

技术领域

本发明涉及利用等离子体对基板进行清洗、蚀刻的等离子体处理装置以及等离子体处理方法，详细而言，涉及对保持在运输载体的基板进行等离子体处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。

背景技术

等离子体处理装置一般具备箱型的盖和具有电极体的基座。盖能够进行升降，在将等离子体处理的对象物(基板)载置在电极体之后，使盖下降，并使盖与基座密接，从而形成密闭空间。对形成的密闭空间内进行减压，并供给工艺气体，并且对电极体施加高频电力，从而在密闭空间产生等离子体。由此，对载置在电极体的基板进行等离子体处理。

作为将基板载置在电极体的方法，在专利文献1有使用末端执行器的教导。基板以支承在末端执行器的状态载置到电极体。然后，抽出末端执行器，将基板直接载置在电极体上。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2010-502016号公报

发明内容

为了提高运输等中的基板的操控性，有时在将基板粘附在具备保持片和配置在保持片的外周部的框架的运输载体的状态下进行等离子体处理。在该情况下，若框架直接暴露于等离子体，则会被加热而产生损伤或变形(例如，起伏等)。损伤的框架将被更换，在耗费成本的同时生产效率下降。此外，若框架变形，则有时会相对于载置面产生基板的上翘。在该情况下，在基板的上翘部和其它部分，等离子体处理会变得不均匀，从而产生加工形状的偏差、未处理部。进而，有时还会在上翘部产生局部性的温度上升或者异常放电。

因此，在这样的等离子体处理装置内的等离子体处理台的上方具备覆盖件。在等离子体处理时，覆盖件覆盖框架，使得框架不会暴露于等离子体。覆盖件具备开口，基板从开口露出而暴露于等离子体。这样的覆盖件通常具备与盖的升降独立的升降机构。

本发明的一个方面涉及等离子体处理装置，具备：基座，具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于所述基座进行升降，在通过所述盖下降并与所述基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在所述载置面的所述基板的等离子体处理，所述运输载体具备保持片以及配置在所述保持片的外周部的框架，所述基板保持在所述保持片，并且经由所述保持片载置在所述载置面，所述等离子体处理装置还具备：引导件，沿着所述电极体的周围配置，并对所述框架进行定位；以及覆盖件，与所述盖一体设置，在形成有所述密闭空间时，至少覆盖所述运输载体的所述框架。

本发明的另一个方面涉及等离子体处理方法，在通过使基座与盖密接而形成的密闭空间产生等离子体，从而对载置在载置面的基板进行等离子体处理，所述基座具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的所述基板进行载置的所述载置面，所述盖能够相对于所述基座进行升降，所述运输载体具备保持片以及配置在所述保持片的外周部的框架，所述等离子体处理方法具备：准备工序，准备保持所述基板的所述运输载体；搬入工序，将所述运输载体搬入到与所述载置面分离并且与所述载置面对置的位置；载置工序，在使所述框架沿着配置在所述电极体的周围的引导件的同时使搬入的所述运输载体朝向所述载置面移动，并且将所述基板经由所述保持片载置在所述载置面；以及密闭工序，在所述载置工序之后，使所述盖下降，从而形成所述密闭空间，在所述密闭工序中，所述框架被与所述盖一体设置的覆盖件所覆盖。

发明效果

根据本发明的等离子体处理装置，通过使盖下降的操作(工序)，覆盖件同时下降。因此，生产效率以及成品率均提高。

附图说明

图1是分别示意性地示出本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的盖、基座以及基板的立体图((a)～(c))。

图2是概略性地示出本发明的一个实施方式涉及的、形成有密闭空间的状态的等离子体处理装置的剖视图。

图3的(a)是概略性地示出本发明的一个实施方式涉及的保持了基板的运输载体的顶视图，图3的(b)是其B-B线处的剖视图。

图4是概略性地示出图2所示的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图4的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图4的(b)示出引导件处于下降位置的情况。

图5是概略性地示出本发明的第二实施方式涉及的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图5的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图5的(b)示出引导件处于下降位置的情况。

图6是概略性地示出本发明的第三实施方式涉及的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图6的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图6的(b)示出引导件处于下降位置的情况。

图7是示意性地示出本发明的实施方式涉及的等离子体处理方法的各工序中的等离子体处理装置的剖视图((a)～(c))。

符号说明

100：等离子体处理装置

110：基座

111：基体

112：电极体

112X：载置面

114：绝缘构件

116：密封构件

117：排气口

120：盖

121：盖主体

122：联动单元

123：覆盖件

124：第一施力单元

130：引导件

130X：第一主面

130Y：第二主面

130Z：引导面

130Za：引导部(引导区域)

130Zs：支承面

131：第二施力单元

200：臂

300：基板

400：电源部

401：高频电源

402：自动匹配器

500：运输载体

510：保持片

510X：粘接面

510Y：非粘接面

520：框架

520a：切角

具体实施方式

本发明涉及的等离子体处理装置具备基座和盖，基座具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具备载置基板的载置面。盖能够相对于基座进行升降，通过盖下降并与基体密接，从而形成密闭空间(以下，有时称为腔)。在腔内产生等离子体，从而进行载置在载置面的基板的等离子体处理。

基板以保持在运输载体的状态载置在载置面。运输载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板粘附在保持片，并保持在运输载体。即，基板经由保持片载置在载置面。基板与运输载体一同通过臂进行运输。当运输载体到达与载置面分离并且与载置面对置的位置时，例如交接给后述的引导件，并通过引导件下降而载置在载置面。

等离子体处理装置具备至少能够覆盖运输载体的框架的覆盖件。覆盖件与盖一体设置，当使盖下降时，覆盖件也下降。即，在形成有密闭空间时，至少框架被覆盖件所覆盖。因此，可抑制由等离子体造成的框架的损伤以及变形。此外，通过使盖下降而形成密闭空间的操作，同时覆盖框架。因此，生产效率以及成品率提高。

等离子体处理装置还具备引导件。引导件通过对运输载体的框架进行定位，从而对载置在载置面的基板进行定位。由此，基板经由保持片以高精度载置在载置面的给定的位置。因此，能够通过覆盖件可靠地覆盖框架，因此抑制框架的损伤以及变形的效果提高。除此以外，因为基板的位置确定，所以能够进行高精度的等离子体处理。

引导件沿着电极体的周围配置，具备与盖对置的第一主面、与基体对置的第二主面、以及面向电极体的侧面的引导面。在未形成密闭空间时，引导面的至少一部分从载置面向盖侧突出，即，引导面的至少一部分处于比载置面更靠近盖的状态。因此，在使框架沿着突出的引导面的同时，运输载体朝向载置面移动。

[第一实施方式]

以下，参照图1以及图2对第一实施方式涉及的等离子体处理装置进行具体说明。

图1是分别示意性地示出等离子体处理装置100的盖120、基座110、以及基板300的立体图。图1(a)示出盖120，图1(b)示出保持在运输载体500的基板300，图1(c)示出基座110。图2是概略性地示出形成有密闭空间的状态的等离子体处理装置100的剖视图。

等离子体处理装置100具备基座110以及盖120。盖120是具有顶部以及从顶部的周围延伸出的侧壁的箱型，通过盖120的侧壁的端面与基座110的周缘(基体111)密接，从而在内部形成例如箱型的腔。

基座110在与盖120对置的面具备电极体112。电极体112与电源部400连接。通过在工艺气体的存在下从电源部400对电极体112施加高频电力，从而在腔内产生等离子体。盖120具有作为基座110所具备的电极体112的异性极的功能。电源部400例如由高频电源401和自动匹配器402构成。自动匹配器402具有防止由施加在电极体112与盖120之间的高频的反射波造成的干扰的作用。

腔内能够经由与腔连通的排气口117维持为减压环境。排气口117与未图示的真空吸引单元连通。真空吸引单元由真空泵、排气配管、压力调整阀等构成。在基体111的与盖120的抵接面设置有密封构件116，可提高腔内的密闭性。另外，虽然未图示，但是等离子体处理装置100具备用于将成为等离子体原料的工艺气体导入到腔内的气体供给单元。气体供给单元由供给氩、氧、氮等工艺气体的储气瓶、向腔内导入工艺气体的配管等构成。

在基板300的向腔内的搬入时以及向腔外的搬出时，使盖120从基座110分离，从而腔开放(参照图7的(a)以及(b))。另一方面，在对基板300进行等离子体处理时，使盖120与基体111密接，从而腔封闭(参照图7(c))。腔的开闭通过使盖120进行升降来进行。盖120的升降通过未图示的给定的驱动源进行控制。

电极体112经由绝缘构件114支承在基体111。电极体112由导电性材料(导体)形成，具备对基板300进行载置的载置面112X。电极体112的侧面经其全周而被未图示的绝缘构件所覆盖，从而与后述的引导件130绝缘。电极体112也可以是多个电极体的层叠体。

如图3所示，运输载体500具备框架520和保持片510。保持片510在一面(后述的粘接面510X)具有粘接剂，通过粘接剂固定在框架520，并覆盖框架520的开口。基板300通过与保持片510粘合而保持在运输载体500。另外，虽然在图示例中示出了框架520的开口以及基板300均为圆形的情况，但是不限定于此。图3(a)是概略性地示出保持了基板300的运输载体500的顶视图，图3(b)是图3(a)中的B-B线处的剖视图。

框架520是具有与基板300的整体相同或其以上的面积的开口的框体，具有给定的宽度以及大致恒定的较薄的厚度。框架520对保持片510以及基板300进行保持，具有能够进行运输的程度的刚性。

框架520的开口的形状没有特别限定，例如可以是圆形、矩形、六边形等多边形。也可以在框架520设置有定位用的切角520a、未图示的凹口等。作为框架520的材质，例如可举出铝以及不锈钢等金属、树脂等。在框架520的一面粘合有保持片510的一面的外周缘附近。

保持片510例如具备具有粘接剂的面(粘接面510X)和不具有粘接剂的面(非粘接面510Y)。粘接面510X的外周缘粘合在框架520的一面，并覆盖框架520的开口。此外，在粘接面510X的从框架520的开口露出的部分粘合基板300。粘接面510X优选由通过紫外线的照射而粘接力减小的粘接成分构成。这是因为，通过在等离子体处理后进行紫外线照射，从而能够容易地从粘接面510X剥离基板300。例如，保持片510可以由UV固化型丙烯酸粘接剂和聚烯烃制的基材构成。

在盖120的主体部分(盖主体121)一体设置有覆盖件123。覆盖件123是在形成有密闭空间时能够至少覆盖框架520的构件。在框架520被覆盖件123覆盖的状态下进行等离子体处理。因此，在抑制框架520的由等离子体照射造成的损伤以及变形的同时对基板300进行所希望的等离子体处理。在密闭空间中，覆盖件123也可以像图示例那样与框架520一同覆盖保持片510的至少一部分。此外，如上所述，覆盖件123与盖120一体设置，因此通过盖120的下降而形成密闭空间，并且框架520被覆盖件123所覆盖。因此，能够在不损害生产效率的情况下进行框架520的被覆。

覆盖件123优选经由第一施力单元124与盖主体121连结。这是因为，即使在由于操作失误等而在运输载体500处于电极体112的上方的状态下使盖120下降的情况下，或在异物置于载置面112X的外缘附近的状态下使盖120下降的情况下，第一施力单元124也会吸收冲击，从而容易抑制覆盖件123的破损。此外，在密闭空间中覆盖件123与框架520或基板300接触的情况下，若第一施力单元124介于覆盖件123与盖主体121之间，则覆盖件123能够以适当的压力按压框架520或基板300。因此，能够在不使框架520或基板300损伤的情况下限制它们的翘曲。作为第一施力单元124，没有特别限定，例如可举出弹簧。第一施力单元124的数目以及配置也没有特别限定，只要根据覆盖件123的形状等进行设定即可。在像图示例那样覆盖件123为框状体的情况下，优选以等间隔配置多个第一施力单元124。

覆盖件123的形状没有特别限定，从能够有效地抑制框架520的变形的方面考虑，优选为与框架520对应的形状(例如，如图1所示的框状)。此时，覆盖件123具有与框架520的内径相同或比框架520的内径小的内径，并且具有与框架520的外径相同或比框架520的外径大的最大外径。

在形成有密闭空间时，如图2以及图4(b)所示，覆盖件123也可以不与框架520接触。虽然覆盖件123因暴露于等离子体而容易被加热，但是，在该情况下，覆盖件123的热难以传递到框架520。因此，可进一步抑制由热造成的框架520的变形、损伤。进而，在形成有密闭空间时，覆盖件123与保持片510以及基板300不接触。因此，还可抑制由热造成的保持片510以及基板300的变形、损伤。图4是概略性地示出图2所示的等离子体处理装置100的引导件130附近的剖视图。在图4中，引导件130能够进行升降，图4(a)示出引导件130处于上升位置的情况，图4(b)示出引导件130处于下降位置的情况。所谓引导件130处于上升位置，是指引导件130的第一主面130X从载置面112X向盖120侧突出的状态。所谓引导件130处于下降位置，是指引导件130的第一主面130X处于比上升位置更靠基座110侧的状态。即，在引导件130处于上升位置时，引导件130的第一主面130X处于比载置面112X更靠近盖120的状态，在引导件130处于下降位置时，引导件130的第一主面130X处于比载置面112X更靠近基座110的状态。

在电极体112的周围配置有引导件130。引导件130通过对框架520进行定位，从而对保持在运输载体500的基板300进行定位。引导件130具备与盖120对置的第一主面130X、与基体111对置的第二主面130Y、以及面向电极体112的侧面的引导面130Z。所谓引导面130Z面向电极体112的侧面，是指在使引导件130向载置面112X的法线方向移动时描绘的引导面130Z的轨迹的至少一部分与电极体112的侧面对置。即，在引导件130沿着与电极体112正交的方向移动时，面向电极体112的侧面的引导面130Z沿着该侧面在对置的同时进行移动。

在本实施方式中，框架520的外径比载置面112X大。因此，引导面130Z具备沿着框架的外周的引导部130Za(也称为“引导区域”。)和对框架进行支承的支承面130Zs，并且引导件130能够相对于电极体112进行升降。

至少在未形成密闭空间时，引导件130处于上升位置，如图4(a)所示，引导部130Za的至少一部分处于比载置面112X更靠盖120侧。支承面130Zs也处于比载置面112X更靠盖120侧。运输载体500例如以被臂200(参照图7(a))支承的状态搬入到腔内。臂200将运输载体500交接给引导件130，使得框架520支承在支承面130Zs。

交接给引导件130的运输载体500的框架520以被引导部130Za限制(即，引导或位置对齐)的状态支承在支承面130Zs。然后，在维持该状态的情况下，引导件130下降至下降位置。当引导件130到达下降位置时，如图4(b)所示，支承面130Zs和框架520成为不接触状态，基板300载置在载置面112X。因此，基板300高精度地载置在载置面112X的给定的位置。因此，能够通过覆盖件123可靠地覆盖框架520。进而，因为基板300的位置确定，所以等离子体处理的精度也提高。

引导件130的升降通过介于引导件130与基体111之间的第二施力单元131来进行。对第二施力单元131的负荷通过与盖120一体设置的联动单元122来进行。在形成有密闭空间时，引导件130被联动单元122下压到下降位置，基板300经由保持片510载置在载置面112X。联动单元122例如是安装在盖120的内壁面的突起构件。突起构件的形状没有特别限定。

在将基板300载置在载置面112X时，空气会进入到载置面112X与保持片510之间，因此两者间的摩擦减小。因此，通常运输载体500在载置面112X上容易横向滑动。但是，根据该结构，运输载体500以框架520的侧面被引导件130限制的状态载置在载置面112X，因此可抑制运输载体500相对于载置面112X的位置偏移。

进而，因为将联动单元122与盖120一体设置，所以通过使盖120下降的操作，除了基于覆盖件123的下降的框架520的被覆以外，还可达成基于引导件130的下降的基板300的载置。因此，能够以高的生产效率进行高精度的等离子体处理。

引导部130Za从第一主面130X朝向支承面130Zs倾斜。在该情况下，最初接纳运输载体500的第一主面130X与引导面130Z的边界与支承面130Zs相比充分设置在外侧。因此，即使在臂200进入到从给定的位置稍微偏移的位置的情况下，也能够将基板300以高位置精度载置在载置面112X的给定的位置。择一地，引导部130Za也可以沿着第一主面130X的法线形成。此外，虽然在图示例中支承面130Zs与第二主面130Y平行，但是不限定于此。

引导件130的形状以及配置没有特别限定。在运输载体500的运输中使用臂的情况下，只要是不妨碍臂的进入以及退出的那样的形状以及配置即可。作为第二施力单元131，没有特别限定，例如可举出弹簧。第二施力单元131的数目以及配置也没有特别限定，只要根据引导件130的形状等进行设定即可。

构成等离子体处理装置100的各构件的材质没有特别限定，但是覆盖件123、基体111以及联动单元122等在等离子体处理中暴露于等离子体的构件通常由硬度高的绝缘材料形成。作为绝缘材料，例如可举出氧化铝、二氧化硅等金属氧化物、氮化硅、氮化铝等金属氮化物、以及其它绝缘性陶瓷材料等。各施力单元124、131以及引导件130等由于强度、轻量化以及加工性等理由而由铝、不锈钢等导电性材料(导体)形成。作为导体，可举出铝、不锈钢等金属材料。由这样的导体形成的构件，其表面也可以进行绝缘加工(例如，硬质防蚀铝处理加工)。

虽然在本实施方式中，示出了在形成有密闭空间时覆盖件123与保持片510、框架520以及基板300不接触的情况，但是不限定于此。在形成有密闭空间时，覆盖件123与框架520或基板300也可以接触。另外，从抑制由接触造成的损伤的观点出发，覆盖件123和保持片510优选为不接触。

以下，参照附图对形成有密闭空间时覆盖件123与框架520或基板300接触的情况进行说明。

[第二实施方式]

如图5(b)所示，第二实施方式除了在形成有密闭空间时覆盖件123与框架520接触以外，与第一实施方式相同。该实施方式在框架520存在翘曲的情况下特别有用。在框架520翘曲的情况下，保持在固定于翘曲了的框架的保持片510的基板300有时也会翘曲。因为通过覆盖件123可限制框架520的翘曲，所以与此相伴地也可限制基板300的翘曲。图5(a)示出引导件130处于上升位置(未形成密闭空间)的情况。

[第三实施方式]

如图6(b)所示，第三实施方式除了在形成有密闭空间时覆盖件123与基板300接触以外，与第一实施方式相同。该实施方式在基板300存在翘曲的情况下特别有用。这是因为，通过覆盖件123可更有效地限制基板300的翘曲。图6(a)示出引导件130处于上升位置(未形成密闭空间)的情况。

接下来，对使用等离子体处理装置100对基板300进行等离子体处理的方法进行说明。

本实施方式的等离子体处理方法具备：将基板粘合在保持片，准备保持了基板的运输载体的准备工序；将运输载体搬入到与载置面分离并且与载置面对置的位置的搬入工序；在使框架沿着配置在电极体的周围的引导件的同时使搬入的运输载体朝向载置面移动，并且将基板经由保持片载置到载置面的载置工序；以及在载置工序之后使盖下降而形成密闭空间的密闭工序。在密闭工序中，形成密闭空间，并且通过与盖一体设置的覆盖件来覆盖框架。

以下，参照图7对使用了第一实施方式的等离子体处理装置100的情况下的等离子体处理方法进行详细说明。

(准备工序)

将基板300粘合在运输载体500的保持片510，从而准备保持了基板300的运输载体500。

(搬入工序)

如图7(a)所示，在腔开放的状态下，将保持了基板300的运输载体500(以下，简称为运输载体500)搬入到腔内。运输载体500例如以被臂200支承的状态搬入到腔内。运输载体500在被臂200支承的同时运输至与载置面112X分离并且与载置面112X对置的位置。此时，引导件130被来自第二施力单元131的作用力上推而处于上升位置。

(载置工序以及密闭工序)

当运输载体500被运输至与载置面112X对置的位置时，臂200开始下降。使臂200下降，直到框架520的底面支承在引导件130的支承面130Zs为止，然后停止下降。由此，框架520在设置于引导面130Z的支承面130Zs的给定的位置被支承(图7(b))。将运输载体500交接给引导件130的臂200从腔退出。

接下来，使盖120下降而封闭腔，从而形成密闭空间(图7(c))。此时，设置在盖120的覆盖件123也与盖120的下降联动而下降，至少覆盖框架520。进而，设置在盖120的联动单元122的前端与引导件130抵接，与盖120的下降联动地，向下方下压引导件130。由此，基板300经由保持片510载置到载置面112X的给定的位置。

接下来，使用吸引单元对密闭状态的腔内的空气进行排气，在达到给定的减压状态的时间点，例如，从安装在基座110的内部的气体供给单元向腔内导入氩等工艺气体。

在腔内达到给定的压力的时间点，通过电源部400在电极体112与盖120之间施加高频电力。由此，腔内的工艺气体被等离子体化。其结果是，基板300的表面暴露于等离子体，基板300的表面被清洗。

当利用等离子体进行的基板300的清洗结束时，腔内向大气开放，减压状态解除。接下来，当使盖120上升时，联动单元122对引导件130的负荷解除，框架520在再次被支承面130Zs支承的同时上升。与此相伴地，保持片510以及基板300也从载置面112X分离。接下来，臂200再次进入到腔内，并对运输载体500进行支承。支承了运输载体500的臂200从腔内退出，从而一系列的等离子体处理结束。

另外，虽然在上述实施方式中对使用等离子体处理装置100来清洗基板300的情况进行了说明，但是在对基板300进行蚀刻加工的情况下，也能够按照上述方法进行蚀刻。

本发明涉及的等离子体处理装置以及等离子体处理方法能够高效地保护运输载体的框架不受等离子体照射的损害，因此在对保持在运输载体的基板进行等离子体处理的情况下是有用的。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，具备：基座，其具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，其能够相对于所述基座进行升降，

在通过所述盖下降并与所述基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在所述载置面的所述基板的等离子体处理，

所述运输载体具备：保持片；以及框架，其配置在所述保持片的外周部，

所述基板保持在所述保持片，并且经由所述保持片载置在所述载置面，

所述等离子体处理装置还具备：

引导件，其沿着所述电极体的周围而配置，并对所述框架进行定位；以及

覆盖件，其与所述盖一体设置，在形成有所述密闭空间时，至少覆盖所述运输载体的所述框架。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述覆盖件经由第一施力单元与所述盖连结。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，所述引导件具备：

第一主面，其与所述盖对置；

第二主面，其与所述基体对置；以及

引导面，其面向所述电极体的侧面，

在未形成所述密闭空间时，所述引导面的至少一部分处于比所述载置面更靠近所述盖的状态。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，所述框架具有比所述载置面大的外径，

所述引导面具有：

引导区域，其沿着所述框架的所述外周；以及

支承面，其对所述框架进行支承，

在未形成所述密闭空间时，所述引导区域的至少一部分从所述载置面向所述盖侧突出。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，所述引导区域从所述第一主面朝向所述支承面倾斜。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，还具备：

第二施力单元，其介于所述引导件与所述基体之间，使所述引导件能够相对于所述电极体进行升降；以及

联动单元，其与所述盖一体设置，并将所述引导件从上升位置下压到下降位置，

在形成有所述密闭空间时，所述引导件被所述联动单元下压到所述下降位置。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述覆盖件是与所述运输载体的所述框架对应的框状体。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，在形成有所述密闭空间时，所述覆盖件与所述框架、所述保持片以及所述基板不接触。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，在形成有所述密闭空间时，所述覆盖件与所述框架接触。

10.一种等离子体处理方法，在通过使基座与盖密接而形成的密闭空间产生等离子体，从而对载置在载置面的基板进行等离子体处理，所述基座具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的所述基板进行载置的所述载置面，所述盖能够相对于所述基座进行升降，

所述运输载体具备保持片以及配置在所述保持片的外周部的框架，

所述等离子体处理方法具备：

准备工序，准备保持所述基板的所述运输载体；

搬入工序，将所述运输载体搬入到与所述载置面分离并且与所述载置面对置的位置；

载置工序，使所述框架沿着配置在所述电极体的周围的引导件的同时使搬入的所述运输载体朝向所述载置面移动，并且将所述基板经由所述保持片载置到所述载置面；以及

密闭工序，在所述载置工序之后，使所述盖下降，从而形成所述密闭空间，

在所述密闭工序中，所述框架被与所述盖一体设置的覆盖件所覆盖。