JP6524566B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第一実施形態に係るプラズマ処理装置であるドライエッチング装置1の構造を概念的に示す断面図である。
ドライエッチング装置1は、環状のフレーム7と保持シート6とを備える搬送キャリア4に保持された基板2に、プラズマ処理として、プラズマダイシングを施す装置である。プラズマダイシングとは、例えば複数の集積回路(IC)が形成されたシリコンウエハなどの基板2を、ドライエッチングにより境界線(ストリート)で切断し、複数のICに個片化する工法である。
図6Aおよび図6Bは、本発明の第二実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。本実施形態が第一実施形態と異なる点は、ステージ内に設置された磁力発生源22cを具備する点である。磁力発生源22cとしては、例えば電磁石、永久磁石などを用いることができる。よって、フレーム7が磁性材料を具備する場合には、磁力発生源22cによりフレーム7に磁力を働かせ、磁力によりフレーム7をステージ11の電極部15に引き寄せ、密着させることができる。これにより、プロセスの更なる安定化を図ることができる。この効果を得る観点からは、ステージ11の誘電体部15bの載置面18付近において、フレーム7と対向するように磁力発生源22cを設置することが好ましい。磁性材料としては、例えば鉄、ニッケルなどが挙げられる。
図7Aおよび図7Bは、本発明の参考形態である第三実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。図7Cは、本実施形態に係るカバー24の周側部24b内面から突出する矯正部材である枝部24dの斜視図である。
図8Aおよび図8Bは、本発明の参考形態である第四実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。図8Cは、本実施形態に係るカバー24の周側部24b内面から突出する矯正部材である環状フランジ部24eの切り欠き斜視図である。
図9Aおよび図9Bは、本発明の第五実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。図9Cは、本実施形態に係るカバー24のルーフ部24aおよび周側部24b内面から突出する矯正部材である突起部24fの斜視図である。
図10Aおよび図10Bは、本発明の第六実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。
本実施形態が第一実施形態と異なる点は、ステージ11の搬送キャリア4と当接する表面が、搬送キャリア4に保持された基板2と対向する平坦な第1領域と、第1領域を囲むように設けられた第1領域より標高の低い第2領域と、を有する点である。矯正部材24cがフレーム7をステージ11の電極部15に対して押圧しているとき、フレーム7は第2領域と対向している。これにより、保持シート6に適度な張力が付与され、基板2と第1領域との密着性が高められる。よって、プロセスの安定性が更に向上する。第1領域と第2領域との標高差は、例えば0.5mm以上が好ましく、1m以上が更に好ましい。ただし、標高差が大きすぎると、保持シート6の負担が大きくなるため、標高差は5mm以下とすることが好ましい。
図11Aおよび図11Bは、本発明の第七実施形態に係るプラズマ処理装置の第一状態および第二状態の要部の構造を、それぞれ概念的に示す断面図である。ただし、ドライエッチング装置1のカバー24がステージ11(電極部15)に対して相対的に降下位置にある状態が第一状態であり、相対的に上昇位置にある状態が第二状態である。
Claims (9)
- フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理室を有するチャンバと、
前記処理室にプラズマを発生させるプラズマ励起装置と、
前記搬送キャリアが載置される前記チャンバ内のステージと、
前記ステージを冷却するための冷却機構と、
前記ステージに載置された前記搬送キャリアの前記保持シートの一部と前記フレームの少なくとも一部とを覆い、かつ前記基板をプラズマに露出させる窓部を備えるカバーと、
前記フレームに対する前記カバーの相対的な位置を移動させる移動装置と、を備え、
前記カバーは、
前記ステージに載置された前記フレームと対向するルーフ部と、
前記ルーフ部の前記ステージ側の表面の一部に設けられる接合面から前記ステージに載置された前記フレームに対して突出するとともに、前記フレームを前記ステージに対して押圧して前記フレームの歪を矯正する矯正部材と、
を具備し、
前記矯正部材と前記フレームとの接触面積は、前記矯正部材と前記ルーフ部との前記接合面の面積よりも小さく、
前記ルーフ部の前記ステージ側の前記表面の面積よりも前記接合面の面積が小さい、プラズマ処理装置。 - 前記矯正部材が、少なくとも前記ルーフ部から前記フレームに対して突出する突起部を含む、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記突起部は、前記フレームを前記ステージに対して押圧しているときに、前記フレームに当接する第一接触部および前記ステージに当接する第二接触部を有する、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記矯正部材の熱伝導率が、前記ルーフ部よりも大きい、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 複数の前記突起部が、前記フレームに沿うように一定間隔毎に設けられている、請求項2〜4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 更に、前記ステージ内に設置された静電チャックを具備し、
前記静電チャックが、前記フレームに静電気力を働かせて前記フレームを前記ステージに密着させる、請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 更に、前記ステージ内に設置された磁力発生源を具備し、
前記フレームが、磁性材料を具備し、
前記磁力発生源が前記フレームに磁力を働かせて前記フレームを前記ステージに密着させる、請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記ステージの前記搬送キャリアと当接する表面が、
前記搬送キャリアに保持された前記基板と対向する平坦な第1領域と、前記第1領域を囲むように設けられた前記第1領域より標高の低い第2領域と、を有し、
前記矯正部材が前記フレームを前記ステージに対して押圧しているときに、前記搬送キャリアの前記フレームが、前記第2領域と対向する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - フレームと保持シートとを備える搬送キャリアに保持された基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
(i)前記基板を保持した前記搬送キャリアを、プラズマ処理装置が具備するチャンバ内に搬入して、前記チャンバ内に設けられた冷却機構を具備するステージに載置する工程と、
(ii)前記基板をプラズマに露出させる窓部を備えるカバーにより、前記ステージに載置された前記搬送キャリアの前記保持シートの一部と前記フレームの少なくとも一部とを覆う工程と、
(iv)前記チャンバ内にプラズマを発生させて、前記窓部を介して前記基板にプラズマ処理を施す工程と、を具備し、
前記カバーは、
前記ステージに載置された前記フレームと対向するルーフ部と、
前記ルーフ部の前記ステージ側の表面の一部に設けられる接合面から前記ステージに載置された前記フレームに対して突出するとともに、前記フレームを前記ステージに対して押圧して前記フレームの撓みを矯正する矯正部材と、を具備し、
前記矯正部材と前記フレームとの接触面積は、前記矯正部材と前記ルーフ部との前記接合面の面積よりも小さく、
前記ルーフ部の前記ステージ側の前記表面の面積よりも前記接合面の面積が小さく、
前記工程(ii)において、前記矯正部材により前記フレームの歪を矯正する、プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018019758A JP6524566B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018019758A JP6524566B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014178086A Division JP6296299B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018117128A JP2018117128A (ja) | 2018-07-26 |
JP6524566B2 true JP6524566B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=62984481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018019758A Active JP6524566B2 (ja) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6524566B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020141067A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたヒータ及びウエハ載置装置、並びにウエハ載置構造体の製造方法 |
JP7339753B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-09-06 | 京セラ株式会社 | ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置及び基体構造体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053030A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2002141337A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010021464A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置のチャックテーブル |
JP5272648B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2013-08-28 | 大日本印刷株式会社 | 半導体素子の製造方法、及び半導体基板の加工方法 |
JP2011228567A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
JP5849232B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-01-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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2018
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018117128A (ja) | 2018-07-26 |
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