JP6524536B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
以下、図1および図2を参照しながら、第1実施形態に係るプラズマ処理装置について、具体的に説明する。
図1は、プラズマ処理装置100の蓋120およびベース110、さらには基板300を、それぞれ模式的に示す斜視図である。図1(a)は蓋120を示し、図1(b)は基板300を示し、図1(c)はベース110を示している。図2は、密閉空間が形成されている状態のプラズマ処理装置100を概略的に示す断面図である。
第2実施形態は、図3に示すように、カバー123が、ガイド130の第1主面130Xに対向する面に突起(段差)を備えること以外、第1実施形態と同じである。本実施形態では、密閉空間が形成されているとき(図3(b))、カバー123の一部は基板300の側面に対向する。そのため、主にカバー123によって、基板300の厚み方向および載置面112Xに水平な方向における位置が規制される。一方、ガイド130が上昇位置にある場合(すなわち、蓋120が上昇位置にある場合)、図3(a)に示すように、ガイド面130Zの少なくとも一部は、載置面112Xよりも蓋120側にある。そのため、基板300を載置する際の位置決め精度は確保される。
第3実施形態は、図4に示すように、ガイド面130Zが第1ガイド部130Zaおよび第2ガイド部130Zbを有し、第1ガイド部130Zaと第2ガイド部130Zbとの間に、ステップ面130Zcが介在していること以外、第1実施形態と同じである。
第4実施形態は、基板300の主面の面積が、載置面112Xの面積よりも大きいこと以外、第3実施形態と同じである(図5参照)。本実施形態によれば、ガイド130が上昇位置にある場合、図5(a)に示すように、基板300はステップ面130Zcによって支持されて、その少なくとも外縁が蓋120側に浮き上がる。よって、基板300を、容易に載置面112Xから離間させることができる。さらに、第3実施形態と同様に、ガイド130が下降位置にある場合、図5(b)に示すように、第2ガイド部130Zbの少なくとも一部が基板300の側面に対向しているため、基板300がガイド面130Zと接触することによる損傷が抑制される。
第5実施形態は、第2ガイド部130Zbが、第1主面130Xから第1ガイド部130Zaに向かって傾斜していること以外、第1実施形態と同じである(図6参照)。
第6実施形態は、第2ガイド部130Zbが、第1主面130Xから第1ガイド部130Zaに向かって傾斜していること以外、第4実施形態と同じである(図7参照)。すなわち、本実施形態のガイド面130Zは、傾斜した第2ガイド部130Zbと、ステップ面130Zcと、を備えている。
本実施形態のプラズマ処理方法は、載置面から離間しており、かつ、載置面に対向する位置に、基板を搬入する搬入工程と、搬入された基板を、電極体の周囲に配置されるガイドに沿わせながら、載置面に載置する載置工程と、載置工程の後、蓋を下降させて、密閉空間を形成する密閉工程と、を備える。密閉工程では、密閉空間の形成とともに、蓋と一体に設けられたカバーにより、載置面に載置された基板の外縁の少なくとも一部が覆われて、かつ、当該カバーおよび/またはガイドにより、基板の位置が規制される。
まず、図8(a)に示すように、チャンバが開放された状態で、チャンバ内に基板300が搬入される(搬入工程)。基板300は、例えばベルヌーイ効果を利用したチャック機構により、アーム200のベース110に対向する面に吸着されている。基板300は、アーム200に吸着されながら、載置面112Xから離間しており、かつ、載置面112Xと対向する位置まで搬送される。このとき、ガイド130は、第2付勢手段131からの付勢力によって押し上げられており、上昇位置にある。
110:ベース
111:基体
112:電極体
112X:載置面
114:絶縁部材
116:シール部材
117:排気口
120:蓋
121:蓋本体
122:連動手段
123:カバー
124:第1付勢手段
130:ガイド
130X:第1主面
130Y:第2主面
130Z:ガイド面
130Za:第1ガイド部
130Zb:第2ガイド部
130Zc:ステップ面
131:第2付勢手段
200:アーム
300:基板
400:電源部
401:高周波電源
402:自動整合器
Claims (8)
- 基板を載置する載置面を備える電極体および前記電極体を支持する基体を有するベースと、
前記ベースに対して昇降可能な蓋と、
を備え、
前記蓋が下降して、前記基体と密着することにより形成される密閉空間に、プラズマを発生させて、前記載置面に載置された前記基板のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
さらに、
前記蓋と一体に設けられ、前記密閉空間が形成されているときに、前記載置面に載置された前記基板の外縁の少なくとも一部を覆うカバーと、
前記電極体の周囲に配置され、前記蓋に対向する第1主面と、前記基体に対向する第2主面と、前記電極体の側面に面するガイド面と、を備えるガイドと、
前記ガイドと前記基体との間に介在し、前記ガイドを前記電極体に対して昇降可能にする第2付勢手段と、
前記蓋と一体に設けられ、前記ガイドを、上昇位置から下降位置に押し下げる連動手段と、を備え、
前記密閉空間が形成されているときに、
前記カバーが、前記第1主面に当接するとともに、前記カバーおよび前記ガイド面の少なくとも一方が、前記基板の側面に対向し、かつ、
前記ガイドは、前記連動手段により前記下降位置に押し下げられており、
前記密閉空間が形成されていないときに、
前記カバーと前記第1主面とが離間しているとともに、前記ガイド面の少なくとも一部が前記載置面から前記蓋側に突出している、プラズマ処理装置。 - 前記カバーは、第1付勢手段を介して、前記蓋と連結されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガイドの前記ガイド面は、
前記ベース側に位置する第1ガイド部と、
前記蓋側に位置し、前記密閉空間が形成されているときに、前記電極体の前記側面との最大の距離が前記第1ガイド部より大きい第2ガイド部と、を有し、
前記密閉空間が形成されているときに、前記第2ガイド部は、前記基板の前記側面に対向している、請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1ガイド部と前記第2ガイド部との間に、ステップ面が介在している、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2ガイド部は、前記第1主面から前記第1ガイド部に向かって傾斜している、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記カバーは、前記基板の前記外縁に対応する枠状体である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記密閉空間が形成されているとき、前記カバーは、前記基板と接触しない、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 基板を載置する載置面を備える電極体および前記電極体を支持する基体を有するベースと、前記ベースに対して昇降可能な蓋と、を密着することにより形成される密閉空間に、プラズマを発生させて、前記載置面に載置された前記基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板を、前記載置面から離間しており、かつ、前記載置面に対向する位置に、搬入する搬入工程と、
搬入された前記基板を、前記電極体の周囲に配置されるガイドに沿わせながら、前記載置面に載置する載置工程と、
前記載置工程の後、前記蓋を下降させて、前記密閉空間を形成する密閉工程と、を備え、
前記密閉工程では、
前記密閉空間が形成されるとともに、
前記蓋と一体に設けられたカバーにより、前記載置面に載置された前記基板の外縁の少なくとも一部が覆われて、かつ、前記ガイドおよび前記カバーの少なくとも一方により、前記基板の位置が規制される、プラズマ処理方法。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6473974B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP6564556B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-08-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN114360999B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-06-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 等离子处理设备 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5267607A (en) * | 1991-05-28 | 1993-12-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US5423918A (en) * | 1993-09-21 | 1995-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices |
US5573596A (en) * | 1994-01-28 | 1996-11-12 | Applied Materials, Inc. | Arc suppression in a plasma processing system |
US5748434A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Shield for an electrostatic chuck |
JPH1012599A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Sony Corp | 半導体ウェハ処理装置 |
US5740009A (en) * | 1996-11-29 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improving wafer and chuck edge protection |
US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
JP3911911B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2007-05-09 | 松下電器産業株式会社 | 真空処理装置 |
JP3769157B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2006-04-19 | 松下電器産業株式会社 | ウェハのドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
US6238513B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Wafer lift assembly |
JP2001358122A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のプラズマ処理装置 |
JP2003338494A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4239990B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2009-03-18 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9520276B2 (en) * | 2005-06-22 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Electrode assembly and plasma processing apparatus |
WO2008024681A2 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for handling workpieces in a processing system |
US8043430B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber |
JP2009071210A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Covalent Materials Tokuyama Corp | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 |
JP4858395B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8726838B2 (en) * | 2010-03-31 | 2014-05-20 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial plasma enhanced deposition and etch techniques |
EP2649218B1 (en) * | 2010-12-08 | 2017-08-23 | Evatec AG | Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate |
JP5884035B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5917946B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 |
JP2013239594A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Sharp Corp | 基板設置補助装置 |
JP6032649B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2016-11-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2016148139A1 (ja) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | シャープ株式会社 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置 |
GB201518756D0 (en) * | 2015-10-22 | 2015-12-09 | Spts Technologies Ltd | Apparatus for plasma dicing |
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