CN114360999B - 等离子处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种等离子处理设备，等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；等离子体发生器、基板载台、框形载台沿第一方向依次设置，等离子体通过基板载台的等离子处理开口输出至基板的待处理表面；其中，容纳腔包括基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体通过等离子处理开口连通；其中，当基板设置于基板载台上时，框形载台接触基板载台的表面和基板远离基板载台的表面，以使得第一腔体和第二腔体隔离，从而防止等离子体向待处理基板的待处理表面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。

Description

等离子处理设备

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种等离子处理设备。

背景技术

有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)由于具有结构简单、自发光、响应速度快、超轻薄、低功耗等优点，有机发光显示面板正被各大显示器厂商大力开发。有机发光显示面板生产过程中需要对基板表面进行等离子(plasma)处理来降低接触角，如图1所示，图1为现有技术的等离子处理设备的示意图，图1示意了现有技术中对基板进行等离子处理的过程，等离子体发生器20通过第一进气口21导入气体，通过第一出气口22沿第一方向y向外输出等离子体40，等离子体40轰击在基板30的待处理表面(基板30朝向等离子体发生器20的表面)，然而会有一部分等离子体40会通过路径41逸散至基板30的非处理表面(基板30远离等离子体发生器20的表面)，即等离子体发生器不能限定等离子处理的范围，当基板30为阵列基板，基板30的非处理表面上设置有发光器件层时，等离子体40会损坏发光器件层的特性，导致有机发光显示面板的器件效率和寿命下降。

因此，当前等离子处理设备存在等离子体会向基板的待处理表面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围，降低显示面板的性能。

发明内容

本申请实施例提供了一种等离子处理设备，可以解决现有等离子处理设备存在等离子体会向基板的待处理表面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围的问题，导致降低显示面板性能的问题。

本申请实施例提供了一种等离子处理设备，所述等离子处理设备包括壳体和所述壳体内的容纳腔，所述等离子处理设备还包括设置于所述容纳腔内的：

等离子体发生器，设置于所述容纳腔内的一端，所述等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；

基板载台，沿第一方向设置于所述等离子体发生器的一侧，所述基板载台包括至少一个等离子处理开口，所述等离子体通过所述等离子处理开口输出至基板的待处理表面；

框形载台，沿所述第一方向设置于所述基板载台远离所述等离子体发生器的一侧；

其中，所述容纳腔包括所述基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体位于所述基板载台和所述等离子体发生器之间，所述第二腔体位于所述基板载台远离所述第一腔体的一侧，所述第一腔体和所述第二腔体通过所述等离子处理开口连通；

其中，当所述基板设置于所述基板载台上时，所述框形载台接触所述基板载台的表面和所述基板远离所述基板载台的表面，以使得所述第一腔体和所述第二腔体隔离。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述框形载台包括第一开口和设置于所述第一开口外侧的第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所第二密封圈朝向所述等离子体发生器的一侧设置；

当基板设置于所述基板载台上时，所述第一密封圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二密封圈接触所述基板载台的表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈设置于所述第一密封圈远离所述第一开口的外侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一密封圈包括朝向所述等离子体发生器设置的第一隔垫件圈；

所述第二密封圈包括朝向所述等离子体发生器设置的至少一个第二隔垫件圈；

当基板设置于所述基板载台上时，所述第一隔垫件圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二隔垫件圈接触所述基板载台的表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈包括多个所述第二隔垫件圈，多个所述第二隔垫件圈按照依次远离所述第一开口的方向排布。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一隔垫件圈和所述第二隔垫件圈均包括弹性材料。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二密封圈包括朝向所述基板载台一侧的至少一个凹槽，所述第二隔垫件圈设置于所述凹槽内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述壳体包括沿所述第一方向延伸的侧壁，以及连接所述侧壁的顶壁和底壁，所述顶壁位于所述框形载台远离所述基板载台的一侧，所述底壁位于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；

所述基板载台固定设置于所述容纳腔内，所述基板载台的外边缘接触所述侧壁；

所述等离子处理设备还包括多个第一螺杆，所述第一螺杆的一端固定连接所述框形载台，所述第一螺杆的另一端活动连接所述顶壁。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述等离子处理设备还包括支撑载台，所述支撑载台沿所述第一方向的设置于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；

所述支撑载台可沿第一方向移动的设置于所述容纳腔内，所述支撑载台包括至少一个支撑开口，所述等离子处理开口和所述支撑开口重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板载台包括多个通孔；

所述等离子处理设备还包括对应多个所述通孔设置的多个第二螺杆，所述第二螺杆的一端固定连接所述支撑载台，所述第二螺杆另一端活动连接所述顶壁，所述第二螺杆穿过对应的所述通孔。

本申请实施例中，提供了一种等离子处理设备，等离子处理设备包括壳体和壳体内的容纳腔，等离子处理设备还包括设置于容纳腔内的等离子体发生器、基板载台、框形载台，等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；等离子体发生器、基板载台、框形载台沿第一方向依次设置，基板载台包括至少一个等离子处理开口，等离子体通过等离子处理开口输出至基板的待处理表面；其中，容纳腔包括基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，第一腔体位于基板载台和等离子体发生器之间，第二腔体位于基板载台远离第一腔体的一侧，第一腔体和第二腔体通过等离子处理开口连通；其中，当基板设置于基板载台上时，框形载台接触基板载台的表面和基板远离基板载台的表面，以使得第一腔体和第二腔体隔离。本实施例通过设置框形载台密封基板和基板载台，将第一腔体和第二腔体隔离，防止等离子体通过离子处理开口扩散至基板的非处理表面，从而防止等离子体向待处理基板的待处理表面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中等离子处理设备的等离子处理过程的示意图；

图2是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的截面结构示意图；

图3是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备放置基板后的截面结构示意图；

图4是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备防止等离子体扩散至基板的非处理表面的示意图；

图5是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备中框形载台的密封结构的示意图；

图6是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备中框形载台在底壁平面的投影示意图；

图7是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备中支撑载台和基板载台的立体示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种等离子处理设备。以下以多个实施例分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

请参阅图2、图3、图4、图5，图2为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的截面结构示意图；图3为本申请实施例提供的等离子处理设备100放置基板后的截面结构示意图；图4为本申请实施例提供的等离子处理设备100防止等离子体40扩散至基板的非处理表面的示意图；图5为本申请实施例提供的等离子处理设备100中框形载台13的密封结构的示意图。需要说明的是，在本申请各个示意图中，为了便于说明等离子处理设备100结构，详细示意了一些结构，省略或简化了一些结构，截面结构可以是一个方向的断面结构，截面结构可以是一个以上的方向组合而成的断面结构，但都不影响本申请实施例发明精神的说明。

本申请实施例提供了一种等离子处理设备100，等离子处理设备100包括壳体1000和壳体1000内的容纳腔1001，等离子处理设备100还包括设置于容纳腔1001内的等离子体发生器20、基板载台12、框形载台13，等离子体发生器20设置于容纳腔1001内的一端，等离子体发生器20用于朝第一方向y输出等离子体40；基板载台12沿第一方向y设置于等离子体发生器20的一侧，基板载台12包括至少一个等离子处理开口122，等离子体40通过等离子处理开口122输出至基板30的待处理表面31；框形载台13沿第一方向y设置于基板载台12远离等离子体发生器20的一侧；其中，容纳腔1001包括基板载台12分割而成的第一腔体301和第二腔体302，第一腔体301位于基板载台12和等离子体发生器20之间，第二腔体302位于基板载台12远离第一腔体301的一侧，第一腔体301和第二腔体302通过等离子处理开口122连通；其中，当基板30设置于基板载台12上时，框形载台13接触基板载台12的表面和基板30远离基板载台12的表面，以使得第一腔体301和第二腔体302隔离。

具体的，等离子体发生器20用于产生等离子体40，等离子体发生器20可以为现有技术中任一项等离子体发生器，在此不限定，不再赘述。

具体的，等离子体发生器20产生的等离子体40沿第一方向y输出至基板载台12的等离子处理开口122，当基板30设置在基板载台12上时，等离子体40通过或者穿过等离子处理开口122到达基板30的待处理表面31。

具体的，当基板30设置在基板载台12上时，基板30朝向等离子体发生器20的表面为待处理表面31，基板30另一表面或远离等离子体发生器20的表面为非处理表面32。

具体的，等离子体发生器20、基板载台12、框形载台13沿第一方向y依次排布，当基板30设置在基板载台12上时，框形载台13用于密封离子处理开口122的边缘，即框形载台13用于密封基板载台12接触基板30的部位，防止等离子体通过扩散路径201到达基板30的非处理表面32。

具体的，容纳腔1001包括基板载台12分割而成的第一腔体301和第二腔体302，第一腔体301位于基板载台12和等离子体发生器20之间，第二腔体302位于基板载台12远离第一腔体301的一侧，第一腔体301和第二腔体302通过等离子处理开口122连通。

具体的，当进行等离子处理工艺时，基板30设置在基板载台12上，第一腔体301内具有等离子体40，框形载台13将基板30和基板载台12接触的部位进行密封，从而使得第一腔体301和第二腔体302隔离，防止等离子体40通过扩散路径201从第一腔体301逸散至第二腔体302。

在本实施例中，当基板30设置于基板载台12上时，框形载台13接触基板载台12的表面和基板30远离基板载台12的表面，以使得第一腔体301和第二腔体302隔离，本实施例通过设置框形载台13密封基板30和基板载台12，将第一腔体301和第二腔体302隔离，防止等离子体40通过离子处理开口122扩散至基板30的非处理表面32，从而防止等离子体40向待处理基板30的待处理表面31的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。

实施例二、

本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步详细描述了等离子处理设备100的结构。

请参阅图6，图6为本申请实施例提供的等离子处理设备100中框形载台13在底壁平面的投影示意图。

在一些实施例中，框形载台13包括第一开口133和设置于第一开口133外侧的第一密封圈131和第二密封圈132，第一密封圈131和所第二密封圈132朝向等离子体发生器20的一侧设置；当基板30设置于基板载台12上时，第一密封圈131接触基板30远离基板载台12的表面，第二密封圈132接触基板载台12的表面。

具体的，当基板30设置于基板载台12上时，第一密封圈131接触基板30远离基板载台12的表面，第二密封圈132接触基板载台12的表面，如图4所示，等离子体40通过扩散路径201就被第一密封圈131和第二密封圈132所阻挡，此时等离子体40就不能达到基板30的非处理表面32。

在一些实施例中，第二密封圈132设置于第一密封圈131远离第一开口133的外侧。

具体的，请结合图6，基板30放置在基板载台12上，接触基板30的非处理表面32一侧的第一密封圈131更靠近第一开口133，接触基板载台12表面的第二密封圈132更远离第一开口133。

在一些实施例中，第一密封圈131包括朝向等离子体发生器20设置的第一隔垫件圈1311；第二密封圈132包括朝向等离子体发生器20设置的至少一个第二隔垫件圈1321；当基板30设置于基板载台12上时，第一隔垫件圈1311接触基板30远离基板载台12的表面，第二隔垫件圈1321接触基板载台12的表面。

具体的，请结合图6，当基板30设置于基板载台12上时，第一密封圈131通过第一隔垫件圈1311接触基板30远离基板载台12的表面，第二密封圈132通过第二隔垫件圈1321接触基板载台12的表面。

在一些实施例中，第二密封圈132包括多个第二隔垫件圈1321，多个第二隔垫件圈1321按照依次远离第一开口133的方向排布。

具体的，第二密封圈132包括多个第二隔垫件圈1321，多个第二隔垫件圈1321按照依次远离第一开口133的方向并列排布，多个第二隔垫件圈1321可以增强第二密封圈132与基板载台12之间的密封性和封堵效果。

在一些实施例中，第一隔垫件圈1311和第二隔垫件圈1321均包括弹性材料。

具体的，第一隔垫件圈1311和第二隔垫件圈1321均包括弹性材料，弹性材料受到外力作用时，可以发生一定的弹性形变，弹性材料的第一隔垫件圈1311和第二隔垫件圈1321具有密封性好，不损坏基板30和基板载台12，可以反复使用的多种效果。

在一些实施例中，第二密封圈132包括朝向基板载台12一侧的至少一个凹槽1322，第二隔垫件圈1321设置于凹槽1322内。

具体的，第二密封圈132包括朝向基板载台12一侧的至少一个凹槽1322，凹槽1322用于固定第二隔垫件圈1321。

具体的，第一密封圈131也包括朝向基板载台12一侧的凹槽1322，凹槽1322用于固定第一隔垫件圈1311。

在本实施例中，当基板30设置于基板载台12上时，框形载台13接触基板载台12的表面和基板30远离基板载台12的表面，以使得第一腔体301和第二腔体302隔离，本实施例通过设置框形载台13密封基板30和基板载台12，将第一腔体301和第二腔体302隔离，即第一密封圈131接触基板30远离基板载台12的表面，第二密封圈132接触基板载台12的表面，防止等离子体40通过离子处理开口122扩散至基板30的非处理表面32，从而防止等离子体40向待处理基板30的待处理表面31的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。

实施例三、

本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步详细描述了等离子处理设备100的结构。

请参阅图7，图7为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100中支撑载台和基板载台的立体示意图。需要说明的是，在本申请各个示意图中，为了便于说明等离子处理设备100结构，详细示意了一些结构，省略或简化了一些结构，截面结构可以是一个方向的断面结构，截面结构可以是一个以上的方向组合而成的断面结构，但都不影响本申请实施例发明精神的说明。

在一些实施例中，壳体1000包括沿第一方向y延伸的侧壁10001，以及连接侧壁10001的顶壁10002和底壁10003，顶壁10002位于框形载台13远离基板载台12的一侧，底壁10003位于基板载台12远离框形载台13的一侧；基板载台12固定设置于容纳腔1001内，基板载台12的外边缘接触侧壁10001；等离子处理设备100还包括多个第一螺杆134，第一螺杆134的一端固定连接框形载台13，第一螺杆134的另一端活动连接顶壁10002。

具体的，侧壁10001是位于基板载台12、框形载台13侧端的壳体1000的一部分，底壁10003是靠近等离子体发生器20的壳体1000的一部分，顶壁10002与底壁10003相对的壳体1000的一部分。

具体的，基板载台12固定设置于容纳腔1001内，基板载台12的外边缘接触侧壁10001，基板载台12的外边缘接触侧壁10001，使得容纳腔1001被基板载台12分割而成的第一腔体301和第二腔体302，当未设置基板30时，第一腔体301和第二腔体302仅通过等离子处理开口122连通。

具体的，第一螺杆134的另一端活动连接顶壁10002，第一螺杆134在顶壁10002部位可以调整处于容纳腔1001内的第一螺杆134的长度，即可以使得框形载台在容纳腔1001内可以沿第一方向y移动，以便可以设置基板30或移出基板30。

在一些实施例中，等离子处理设备100还包括支撑载台11，支撑载台11沿第一方向y的设置于基板载台12远离框形载台13的一侧；支撑载台11可沿第一方向y移动的设置于容纳腔1001内，支撑载台11包括至少一个支撑开口112，等离子处理开口122和支撑开口112重叠。

具体的，支撑载台11用于支撑基板30，避免基板30弯曲。

具体的，支撑载台11可沿第一方向y移动，从而可以调整支撑载台11对基板30的支撑力度。

具体的，等离子体发生器20、支撑载台11、基板载台12、框形载台13沿第一方向依次设置。

在一些实施例中，基板载台12包括多个通孔123；等离子处理设备100还包括对应多个通孔123设置的多个第二螺杆113，第二螺杆113的一端固定连接支撑载台11，第二螺杆113另一端活动连接顶壁10002，第二螺杆113穿过对应的通孔123。

具体的，基板载台12包括多个通孔123，便于对应的第二螺杆113穿过，便于第二螺杆113另一端活动连接顶壁10002。

具体的，第二螺杆113另一端活动连接顶壁10002，第二螺杆113在顶壁10002部位可以调整处于容纳腔1001内的第二螺杆113的长度，即可以使得支撑载台11在容纳腔1001内可以沿第一方向y移动，以便调整对基板30的支撑。

具体的，在一些实施例中，支撑载台11还包括设置在支撑开口112内的多个第一支撑杆114，第一支撑杆114上可以设置有多个支撑钉115，第一支撑杆114承载支撑钉115，支撑钉115支撑基板30。

具体的，每一第一支撑杆114连接在支撑开口112的两端，第一支撑杆114的数量在此不做限定，每一第一支撑杆114上可以设置有多个支撑钉115，支撑钉115从第一支撑杆114上沿第一方向y朝向等离子处理开口133突出。

具体的，为了减小第一支撑杆114对等离子体40的遮挡，可以减小第一支撑杆114的宽度。

具体的，在一些实施例中，基板载台12还包括设置在等离子处理开口133内的多个第二支撑杆124，第二支撑杆124用于支撑基板30。

具体的，第二支撑杆124与第一支撑杆114对应设置，即重叠设置，使得支撑钉115顶住第二支撑杆124，第二支撑杆124再接触和支撑基板30。

具体的，等离子处理设备的壳体1000上还包括对应于第二腔体302的至少一个抽真空口1003，例如侧壁10001上对应于第二腔体302的位置设置有抽真空口1003，抽真空口1003用于给第二腔体302内抽真空。

具体的，上述实施例中任一项的等离子处理设备100的等离子处理过程包括步骤S1、步骤S2、步骤S3、步骤S4、步骤S5。

步骤S1：等离子处理设备100未工作时，容纳腔1001处于大气压下的氮气(N2氛围)，基板30准备传入腔体前，连接支撑载台11的第二螺杆113沿第一方向y向基板载台12移动，带动支撑钉115上升，基板30传入放置在支撑钉115上。

步骤S2：第二螺杆113沿第一方向y朝向等离子体发生器移动，基板30被放置在基板载台12上。

步骤S3：第一螺杆134沿第一方向y朝向基板载台13移动，第一螺杆134带动框形载台13朝向基板载台12移动，框形载台13接触基板载台12的表面和基板30远离基板载台12的表面，以使得第一腔体301和第二腔体302隔离。

步骤S4：通过抽真空口1003对第二腔体302抽真空，第二腔体302内的压强下降20～40Kpa后，在第一腔体301和第二腔体302的气压差的作用下，密封载台13与基板30表面和基板载台12表面紧密结合，进一步增强第一腔体301和第二腔体302隔离性能。

步骤S5：等离子体发生器20工作，产生等离子体40达到基板30的待处理表面31，而等离子体40不能逸散或扩散至基板30的非处理表面32。

具体的，上述实施例中任一项的等离子处理设备100中，由于第一腔体301和第二腔体302隔离，等离子处理的气体不限于氮气、氩气等，提高了等离子处理制程工艺的气体的可选择性和选择范围。

需要说明的是，上述实施例中任一项的等离子处理设备100中，还包括基板30放入容纳腔1001的结构和机构，再次不再赘述。

以上对本申请实施例所提供的一种等离子处理设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种等离子处理设备，所述等离子处理设备包括壳体和所述壳体内的容纳腔，其特征在于，所述等离子处理设备还包括设置于所述容纳腔内的：

等离子体发生器，设置于所述容纳腔内的一端，所述等离子体发生器用于朝第一方向输出等离子体；

基板载台，沿第一方向设置于所述等离子体发生器的一侧，所述基板载台包括至少一个等离子处理开口，所述等离子体通过所述等离子处理开口输出至基板的待处理表面；

框形载台，沿所述第一方向设置于所述基板载台远离所述等离子体发生器的一侧；

其中，所述容纳腔包括所述基板载台分割而成的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体位于所述基板载台和所述等离子体发生器之间，所述第二腔体位于所述基板载台远离所述第一腔体的一侧，所述第一腔体和所述第二腔体通过所述等离子处理开口连通；

其中，当所述基板设置于所述基板载台上时，所述框形载台接触所述基板载台的表面和所述基板远离所述基板载台的表面，以使得所述第一腔体和所述第二腔体隔离；

其中，所述框形载台包括第一开口和设置于所述第一开口外侧的第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所第二密封圈朝向所述等离子体发生器的一侧设置；

其中，当基板设置于所述基板载台上时，所述第一密封圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二密封圈接触所述基板载台的表面。

2.如权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述第二密封圈设置于所述第一密封圈远离所述第一开口的外侧。

3.如权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述第一密封圈包括朝向所述等离子体发生器设置的第一隔垫件圈；

所述第二密封圈包括朝向所述等离子体发生器设置的至少一个第二隔垫件圈；

当基板设置于所述基板载台上时，所述第一隔垫件圈接触所述基板远离所述基板载台的表面，所述第二隔垫件圈接触所述基板载台的表面。

4.如权利要求3所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述第二密封圈包括多个所述第二隔垫件圈，多个所述第二隔垫件圈按照依次远离所述第一开口的方向排布。

5.如权利要求3或4所述的等离子处理设备，其特征在于，所述第一隔垫件圈和所述第二隔垫件圈均包括弹性材料。

6.如权利要求5所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述第二密封圈包括朝向所述基板载台一侧的至少一个凹槽，所述第二隔垫件圈设置于所述凹槽内。

7.如权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述壳体包括沿所述第一方向延伸的侧壁，以及连接所述侧壁的顶壁和底壁，所述顶壁位于所述框形载台远离所述基板载台的一侧，所述底壁位于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；

所述基板载台固定设置于所述容纳腔内，所述基板载台的外边缘接触所述侧壁；

所述等离子处理设备还包括多个第一螺杆，所述第一螺杆的一端固定连接所述框形载台，所述第一螺杆的另一端活动连接所述顶壁。

8.如权利要求7所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述等离子处理设备还包括支撑载台，所述支撑载台沿所述第一方向的设置于所述基板载台远离所述框形载台的一侧；

所述支撑载台可沿第一方向移动的设置于所述容纳腔内，所述支撑载台包括至少一个支撑开口，所述等离子处理开口和所述支撑开口重叠。

9.如权利要求8所述的等离子处理设备，其特征在于，

所述基板载台包括多个通孔；

所述等离子处理设备还包括对应多个所述通孔设置的多个第二螺杆，所述第二螺杆的一端固定连接所述支撑载台，所述第二螺杆另一端活动连接所述顶壁，所述第二螺杆穿过对应的所述通孔。

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