CN114203509A - 等离子处理设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种等离子处理设备，在等离子体发生器的一外侧或周围设置负压装置，负压装置可以抽取将要逸散和超出等离子处理范围的等离子体，从而防止等离子体向待处理基板的待处理面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种等离子处理设备。
背景技术
有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)由于具有结构简单、自发光、响应速度快、超轻薄、低功耗等优点，有机发光显示面板正被各大显示器厂商大力开发。有机发光显示面板生产过程中需要对基板表面进行等离子(plasma)处理来降低接触角，如图1所示，图1为现有技术的等离子处理设备的示意图，图1示意了现有技术中对基板进行等离子处理的过程，等离子体发生器10通过第一进气口11导入气体，通过第一出气口12沿第一方向y向外输出等离子体40，等离子体40轰击在基板30的第一膜层31的表面，然而会有一部分等离子体40会通过路径41逸散至基板30的第二膜层32的表面，即等离子体发生器不能限定等离子处理的范围，当第一膜层31为阵列基板、第二膜层32为有机发光显示面板的发光器件层时，等离子体40会损坏发光器件层的特性，导致有机发光显示面板的器件效率和寿命下降。
因此，当前等离子处理设备存在等离子体会向待处理基板的待处理面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围，降低显示面板的性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种等离子处理设备，可以解决现有等离子处理设备存在等离子体会向待处理基板的待处理面的背面逸散，不能限定等离子处理的范围的问题，导致降低显示面板性能的问题。
本申请实施例提供了一种等离子处理设备，用于在基板的指定区域形成等离子体，包括：
等离子体发生器，用于产生等离子体，所述等离子体发生器包括至少一出气口，所述等离子体发生器的出气口用于向所述基板的指定区域输出等离子体；
负压装置，设置于所述等离子体发生器的外侧，所述负压装置包括至少一吸收腔、以及位于所述吸收腔端部的进气口，所述负压装置的进气口用于吸收溅出所述基板的指定区域的等离子体，所述负压装置的进气口与所述等离子体发生器的出气口具有相同朝向。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述负压装置围绕所述等离子体发生器设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述等离子体发生器沿第一方向向指定区域输出等离子体，所述负压装置的进气口沿所述第一方向相对于所述等离子发生器的出气口向外侧突出。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述负压装置包括远离所述等离子体发生器的第一侧壁和靠近所述等离子体发生器的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁围成所述负压装置的吸收腔；
其中，所述负压装置还包括延伸壁，所述延伸壁沿所述第一方向相对于所述负压装置的进气口向外侧延伸，所述延伸壁与所述第一侧壁接触。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述等离子体发生器包括等离子发生腔，所述延伸壁围成包围腔，所述包围腔位于所述等离子发生腔和所述吸收腔的外侧，所述包围腔通过所述等离子发生器的出气口与所述等离子发生腔连通，所述包围腔通过所述负压装置的进气口与所述吸收腔连通。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一侧壁和所述延伸壁为一体成型结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述负压装置还包括隔垫件，所述隔垫件设置于所述延伸壁上远离所述第一侧壁的一端。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔垫件包括弹性材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述负压装置还包括真空泵和至少一出气口，所述负压装置的出气口连接所述真空泵。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述等离子体发生器的进气口设置于所述等离子发生腔远离所述等离子体发生器的出气口的一端；所述负压装置的出气口设置于所述吸收腔远离所述负压装置的进气口的一端。
本申请实施例中，提供了一种等离子处理设备，在等离子体发生器的外侧或周围设置负压装置，负压装置可以抽取将要逸散和超出等离子处理范围的等离子体，从而防止等离子体向待处理基板的待处理面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的等离子处理设备；
图2是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的第一种截面结构示意图；
图3是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的第一种俯视结构示意图；
图4是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的第二种截面结构示意图；
图5是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的第三种截面结构示意图；
图6是本申请一实施例提供的一种等离子处理设备的第二种俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种等离子处理设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一、
请参阅图2、图3，图2为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的第一种截面结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的第一种俯视结构示意图。图3为图2中等离子处理设备的俯视图。
本申请实施例提供了一种等离子处理设备100，用于在基板30的指定区域形成等离子体40，等离子处理设备100包括等离子体发生器10和负压装置20，等离子体发生器10用于产生等离子体40，等离子体发生器10包括至少一出气口，等离子体发生器10的出气口用于向基板30的指定区域输出等离子体40；负压装置20设置于等离子体发生器10的外侧，负压装置20包括至少一吸收腔29、以及位于吸收腔29端部的进气口，负压装置20的进气口用于吸收溅出基板30的指定区域的等离子体40，负压装置20的进气口与等离子体发生器10的出气口具有相同朝向。
具体的，等离子体发生器10包括第一进气口11和第一出气口12，等离子体发生器10用于产生等离子体40，并通过第一出气口12沿第一方向y向外输出等离子体40；负压装置20在第二方向x上相邻设置于等离子体发生器10的至少一外侧，负压装置20包括第二进气口22和第二出气口21，第一出气口12和第二进气口22朝向同一方向，负压装置20用于抽取等离子体40，第一方向y垂直于第二方向x。
具体的，等离子体发生器10的出气口为第一出气口12，等离子体发生器10的进气口为第一进气口11。
具体的，负压装置20的进气口为第二进气口22，负压装置20的出气口为第二处气口21。
具体的，离子体发生器10用于产生等离子体40，并通过第一出气口12沿第一方向y向外输出等离子体40。
具体的，在实际生产中，对基板30进行等离子处理时，基板30设置于第一出气口12的外侧，沿第一方向y设置于第一出气口12的外侧，即等离子体发生器10和基板30沿第一方向排列或放置，第一出气口12输出等离子体40对基板30朝向等离子发生器10的表面进行等离子处理。
具体的，等离子体发生器10包括外壳15和外壳15围成的等离子发生腔19，等离子发生腔19内设置有第一电极13和第二电极14，通过电源17给第一电极13和第二电极14施加电压，第一进气口11输入的气体在第一电极13和第二电极14之间转变成等离子体40，等离子体40的生成过程在此不再赘述。
具体的，等离子体发生器10内还可以包括散热部件16，用以散发等离子体发生器10内的电极上产生的热量。
具体的，第一进气口11输入的气体可以为氮气(N2)等气体，但不限于此。
具体的，图2中通过电源17给第一电极13和第二电极14施加电压，仅仅是示意供电关系，并不代表等离子体发生器10的电信号输入路径。
具体的，第一出气口12向外输出等离子体40的方向为第一方向y，或者第一出气口12朝外的方向为第一方向y，或者等离子体发生器10指向基板30的方向为第一方向y。
具体的，第二方向x为与第一方向有y交叉的方向，优选的第二方向x为与第一方向y垂直的方向。
具体的，负压装置20在第二方向x上相邻设置于等离子体发生器10的至少一外侧。在一些实施情况中，在截面图中负压装置20和等离子体发生器10沿第二方向x依次排列。
具体的，负压装置20用于将要逸散出基板30处理范围外的等离子体40抽出，防止等离子体40逸散至基板30远离等离子体发生器10的表面。
具体的，如图2所示，等离子处理设备100对基板30的第一膜层31的外侧表面进行等离子处理，当有部分等离子体40逸散时，负压装置20将要逸散的等离子体40抽取，防止等离子体40逸散至基板30的第二膜层32的外侧表面，当基板30为有机发光显示面板的基板时，第一膜层31可以为基底或阵列基板、第二膜层32可以为发光器件层，通过负压装置20的工作处理，等离子体40不会逸散至发光器件层，就不会损坏发光器件层的特性，就不会导致有机发光显示面板的器件效率下降和寿命下降。
具体的，负压装置20包括第二进气口22和第二出气口21，第二进气口22为负压装置20抽取的等离子体40的进口，第二出气口21为负压装置20抽取的等离子体40的出口。
在一些实施例中，负压装置20围绕等离子体发生器10设置。
具体的，在一些实施情况中，负压装置20设置在等离子体发生器10的外侧的一侧、或两侧、或多侧。
具体的，在一些实施情况中，负压装置20设置在等离子体发生器10的周围，离子体发生器10被负压装置20围绕。
具体的，如图3所示，负压装置20包括远离等离子体发生器10的第一侧壁23和靠近等离子体发生器10的第二侧壁24，第一侧壁23和第二侧壁24围成负压装置20的吸收腔29，负压装置20围绕在等离子体发生器10的周围，可以从等离子体发生器10的四周来限定等离子处理的范围，全面预防等离子体40的逸散。
在一些实施例中，等离子体发生器10沿第一方向y向指定区域输出等离子体40，负压装置20的进气口沿第一方向y相对于等离子发生器10的出气口向外侧突出。
具体的，第二进气口22相对于第一出气口12沿第一方向y向外侧突出。
具体的，在对基板30进行等离子处理时，基板30放置在载台42上，第二进气口22相对于第一出气口12沿第一方向y向外侧突出，即第二进气口22相对于第一出气口12更靠近基板30或载台42，通过缩小第二进气口22与基板30或载台42的距离，使得负压装置20更靠近逸散的等离子体40，可以提升负压装置20抽取逸散的等离子体40的效率。
具体的，在一些实施情况中，载台42可以作为等离子处理设备100的一部分结构或部件。
具体的，在一些实施情况中，载台42也可以为等离子处理设备100之外的设备或装置，只需要满足将基板30进行等离子处理的条件即可。
在一些实施例中，进一步的，负压装置20还包括真空泵和至少一出气口，负压装置20的出气口连接真空泵。
具体的，负压装置20还包括真空泵25，第二出气口21连接真空泵25。
具体的，真空泵25通过第二出气口21对负压装置20的吸收腔29抽真空，可以达到在第二进气口22抽取逸散的等离子体40的效果。
在一些实施例中，等离子体发生器10的进气口设置于等离子发生腔19远离等离子体发生器10的出气口的一端；负压装置20的出气口设置于吸收腔29远离负压装置20的进气口的一端。
具体的，第一进气口11设置于等离子体发生器10远离第一出气口12的一端；第二出气口21设置于负压装置20远离第二进气口22的一端。
具体的，在大气环境下有限制范围的进行等离子处理，第二出气口21连接真空泵25形成负压，对基板30进行等离子处理时，因为第二进气口22周围的负压环境，等离子体40会被抽走而不会逸散到等离子处理区域之外，从而达到限制等离子处理区域的目的，避免了对非处理区域的损伤。
在本实施例的等离子处理设备100中，在等离子体发生器10的一侧或周围设置负压装置20，负压装置20可以抽取将要逸散和超出等离子处理范围的等离子体40，从而防止等离子体40向待处理基板的待处理面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
实施例二、
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处在于，负压装置20还包括延伸壁231。
请参阅图4、图5、图6，图4为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的第二种截面结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的第三种截面结构示意图；图6为本申请实施例提供的一种等离子处理设备100的第二种俯视结构示意图。图6为图4或图5中等离子处理设备100的俯视图。
在一些实施例中，负压装置20包括远离等离子体发生器10的第一侧壁23和靠近等离子体发生器10的第二侧壁24，第一侧壁23和第二侧壁24围成负压装置20的吸收腔29；其中，负压装置20还包括延伸壁231，延伸壁231沿第一方向y相对于第二进气口22向外侧突出，延伸壁231与第一侧壁23接触。
具体的，负压装置20还包括延伸壁231，延伸壁231沿第一方向y相对于负压装置20的进气口向外侧延伸，延伸壁231与第一侧壁23接触。
具体的，延伸壁231由第一侧壁23沿第一方向y向外延伸，延伸壁231用于阻挡等离子体40的逸散路径。
具体的，当对基板30进行等离子处理时，延伸壁231由第一侧壁23向基板延伸或突出，用于阻挡等离子体40的逸散路径，可以更好的限定等离子处理的范围，可以更好的防止等离子体40逸散至基板30远离等离子体发生器10的表面。
在一些实施例中，等离子体发生器10包括等离子发生腔19，延伸壁围231成包围腔239，包围腔239位于等离子发生腔19和吸收腔29的外侧，包围腔239通过等离子发生器10的出气口与等离子发生腔19连通，包围腔239通过负压装置20的进气口与吸收腔29连通。
具体的，等离子体发生器10包括等离子发生腔19，延伸壁231围成包围腔239，包围腔239位于等离子发生腔19和吸收腔29的一侧，包围腔239通过第一出气口12与等离子发生腔19连通，包围腔239通过第二进气口22与吸收腔29连通。
具体的，在一些实施情况中，请结合图4和图6，延伸壁231围成包围腔239，包围腔239围绕或包围腔239限定范围内为基板30进行等离子处理的范围。
具体的，包围腔239通过第一出气口12与等离子发生腔19连通，包围腔239通过第二进气口22与吸收腔29连通，即等离子发生腔19产生的等离子体40通过第一出气口12输出在包围腔239内对基板30进行等离子处理，负压装置20通过第二进气口22将包围腔239内要逸散或多余的等离子体40抽取至吸收腔29，并从第二出气口21排出。
在一些实施例中，进一步的，第一侧壁23和延伸壁231为一体成型结构。
具体的，进一步的，第一侧壁23和延伸壁231为一体成型结构，即第一侧壁23和延伸壁231为一整体结构，在同一工艺制作中完成，可以减小制作工序，提升第一侧壁23和延伸壁231的接触密切性，防止等离子体从第一侧壁23和延伸壁231的接触部位漏出。
具体的，在对基板30进行等离子处理时，基板30可以放置或者接触延伸壁231远离第一侧壁的一端，提升负压装置20抽取等离子体40的效果。
在一些实施例中，进一步的，负压装置20还包括隔垫件232，隔垫件232设置于延伸壁231上远离第一侧壁23的一端。
具体的，进一步的，在一些实施情况中，如图5所示，负压装置20还包括隔垫件232，隔垫件232设置于延伸壁231上远离第一侧壁23的一端。
具体的，在对基板30进行等离子处理时，基板30可以放置或者接触隔垫件232远离第一侧壁23的一端，提升负压装置20抽取等离子体40的效果。
在一些实施例中，进一步的，隔垫件232包括弹性材料。
具体的，隔垫件232的材料可以包括橡胶、塑料、泡沫等弹性材料，当基板30放置于隔垫件232上时，防止刮伤基板30。
具体的，隔垫件232包括弹性材料，当基板30放置于隔垫件232上时，隔垫件232被弹性压缩，可以阻断等离子体40的逸散路径。
具体的，隔垫件232的截面形状可以为圆形、椭圆形、半圆形、半椭圆形等，圆形或椭圆形的表面接触基板30，隔垫件232可以弹性压缩，可以阻断等离子体40的逸散路径，提升等离子处理中的包围腔239的密闭性。
需要说明的是，在一些高世代显示面板生产线中，玻璃基底等的基板30的尺寸非常大，可以将基板30放置在延伸壁231或隔垫件232上，延伸壁231或隔垫件232不但可以用以支撑基板30，此时可以选择性的不需要设置载台42，同时，形成密闭的包围腔239，可以阻断等离子体40的逸散路径。
在本实施例的等离子处理设备100中，在等离子体发生器10的一侧或周围设置负压装置20，负压装置20可以抽取将要逸散和超出等离子处理范围的等离子体40，从而防止等离子体40向待处理基板的待处理面的背面逸散，可以限定等离子处理的范围，从而提升显示面板的性能。
在本实施例的等离子处理设备100中，负压装置20包括延伸壁，或者负压装置20包括延伸壁231和隔垫件232，延伸壁231或隔垫件232不但可以用以支撑基板30，还可以阻断等离子体40的逸散路径。
具体的，在抽真空低压环境下有限制范围的进行等离子处理，第二出气口21连接真空泵25形成负压，在第二进气口22的外侧增加延伸壁231、或延伸壁231和隔垫件232，通过机械力作用或者基板30的自重将基板30等离子处理设备30的延伸壁231或隔垫件232密切接触，使得等离子处理区域和非等离子处理区域完全分开或隔离，在包围腔239内，会形成负压环境，使得等离子体40被抽走而不逸散到等离子处理设备100的外面，且不受真空泵25抽取力量的影响，从物理上隔绝了等离子体逸散到外界的可能性，避免了对非处理区域的影响。
以上对本申请实施例所提供的一种等离子处理设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种等离子处理设备，用于在基板的指定区域形成等离子体，其特征在于，包括：
等离子体发生器，用于产生等离子体，所述等离子体发生器包括至少一出气口，所述等离子体发生器的出气口用于向所述基板的指定区域输出等离子体；
负压装置，设置于所述等离子体发生器的外侧，所述负压装置包括至少一吸收腔、以及位于所述吸收腔端部的进气口，所述负压装置的进气口用于吸收溅出所述基板的指定区域的等离子体，所述负压装置的进气口与所述等离子体发生器的出气口具有相同朝向。
2.如权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，所述负压装置围绕所述等离子体发生器设置。
3.如权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，所述等离子体发生器沿第一方向向指定区域输出等离子体，所述负压装置的进气口沿所述第一方向相对于所述等离子发生器的出气口向外侧突出。
4.如权利要求3所述的等离子处理设备，其特征在于，所述负压装置包括远离所述等离子体发生器的第一侧壁和靠近所述等离子体发生器的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁围成所述负压装置的吸收腔；
其中，所述负压装置还包括延伸壁，所述延伸壁沿所述第一方向相对于所述负压装置的进气口向外侧延伸，所述延伸壁与所述第一侧壁接触。
5.如权利要求4所述的等离子处理设备，其特征在于，所述等离子体发生器包括等离子发生腔，所述延伸壁围成包围腔，所述包围腔位于所述等离子发生腔和所述吸收腔的外侧，所述包围腔通过所述等离子发生器的出气口与所述等离子发生腔连通，所述包围腔通过所述负压装置的进气口与所述吸收腔连通。
6.如权利要求4所述的等离子处理设备，其特征在于，所述第一侧壁和所述延伸壁为一体成型结构。
7.如权利要求4或6所述的等离子处理设备，其特征在于，所述负压装置还包括隔垫件，所述隔垫件设置于所述延伸壁上远离所述第一侧壁的一端。
8.如权利要求7所述的等离子处理设备，其特征在于，所述隔垫件包括弹性材料。
9.如权利要求1或4所述的等离子处理设备，其特征在于，所述负压装置还包括真空泵和至少一出气口，所述负压装置的出气口连接所述真空泵。
10.如权利要求1或4所述的等离子处理设备，其特征在于，所述等离子体发生器的进气口设置于所述等离子发生腔远离所述等离子体发生器的出气口的一端；所述负压装置的出气口设置于所述吸收腔远离所述负压装置的进气口的一端。
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