JP2006332087A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理基板を保持する電極において、ガスが回り込むシールリング溝の外周まで絶縁物で覆うことで、高周波電力が印加されている電極の金属部が露出しないため、処理基板と電極間での放電を抑制することで解決できる。
【選択図】図2
Description
7 下部電極
12 中心穴
14 シールリング
17 クランプリング
20 絶縁物
Claims (6)
- 真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される基板が載置される電極と、前記電極に高周波電力を印加する高周波電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気装置とからなるプラズマ処理装置であって、前記電極のうち基板を載置する面の周縁部にシールリングが配置され、かつ、前記電極の外周部に設置された絶縁物が、前記シールリングの外側の一部または全部を覆っていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 絶縁物はセラミックまたは石英であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 絶縁物は少なくとも4つのコーナー部のシールリングを覆っていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 真空容器内にガスを導入し排気しながら、前記真空容器内の電極に高周波電力を印加することで前記電極上に載置された基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記電極のうち基板を載置する面の周縁部にシールリングが配置され、かつ、前記電極の外周部に設置された絶縁物が、前記シールリングの外側の一部または全部を覆っていることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 絶縁物はセラミックまたは石英であることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理方法。
- 絶縁物は少なくとも4つのコーナー部のシールリングを覆っていることを特徴とする請求項4または5に記載のプラズマ処理方法。
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- 2005-05-23 JP JP2005149044A patent/JP2006332087A/ja active Pending
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