KR101342991B1 - 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 식각 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지, 스테이지를 감싸며 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극, 스테이지에 대향하여 전기적 절연성을 갖는 상부 절연체, 유체 통로를 형성하기 위하여 상부 절연체와 이격된 상태에서 상부 절연체의 상부에 배치된 제2 전극 및 공정 챔버 내부에 배치되며, 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛을 포함한다. 따라서, 냉각 공정 및 기판 주변부에 잔류하는 이물질을 제거 공정을 동일 공정 챔버 내에서 수행할 있다.

Description

플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템{PLASMA ETCHING APPARATUS AND SYSTEM FOR PROCESSING A SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 스테이지를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 플라즈마 식각 장치 110 : 공정 챔버
120 : 스테이지 130 : 제1 절연체
140 : 제1 전극 150 : 제2 전극
155 : 유체 통로 161 : 냉각제 저장 탱크
163 : 냉각제 공급 라인 175 : 홀
180 : 냉각 유닛 183 :냉각 기체 공급 라인
본 발명은 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 반도체 기판의 가장자리 상부, 측면 및 가장자리 하부에 흡착된 이물질을 식각하기 위한 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조에서 반도체 기판 상에 박막을 적층할 때 반도체 기판의 가장자리 부분(가장자리 상부, 측면 및 가장자리 하부를 포함)에 불필요하게 상기 박막이 적층되는 상황이 빈번하게 발생한다. 여기서, 상기 반도체 기판의 가장자리 부분에 적층된 박막은 이물질로써 상기 반도체 기판 상에 박막을 적층한 후, 상기 박막을 패터닝하기 위한 식각 공정에서 오염원으로 작용한다.
그러므로, 상기 반도체 소자의 제조에서는 상기 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성 장치 및 상기 반도체 기판의 가장자리 부분('베벨부'라고 한다)에 잔류하는 이물질을 식각하는 베벨부 식각 장치를 포함하는 기판 처리 시스템이 일반적으로 사용된다.
하지만, 상기 박막 형성 장치에서 형성된 박막을 포함하는 기판은 상대적으로 고온의 상태를 유지한다. 따라서, 고온 상태의 기판을 베벨부 식각 장치에서 처리할 경우 상기 베벨부 식각 장치의 챔버 내부에 많은 양의 이물질이 발생하게 된다. 또한, 상기 박막 형성 장치 및 베벨부 식각 장치 사이에 기판을 이송 모듈에서 대기할 경우, 그 대기 시간이 일정하지 않으므로 후속하는 상기 베벨부 식각 장치에서 진행되는 식각 공정이 균일하게 진행되지 않은 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템은 고온 상태의 기판을 일정한 온도로 냉각시키기 위한 냉각 챔버를 더 포함한다.
하지만, 냉각 챔버를 더 포함하는 기판 처리 시스템은 그 구성이 복잡해질 뿐 만 아니라, 상대적으로 넓은 공간을 차지함으로써 기판 처리 시스템이 비효율적인 구성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 목적은 기판의 냉각 공정 및 기판 주변부의 식각 공정을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 냉각 공정 및 기판 주변부의 식각 공정을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치를 포함하는 기판 처리 시스템을 제공하는 데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지, 상기 스테이지를 감싸며, 상기 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극, 상기 스테이지에 대향하여 전기적 절연성을 갖는 상부 절연체, 유체 통로를 형성하기 위하여 상기 제2 절연체와 이격된 상태에서 상기 제2 절연체의 상부에 배치된 제2 전극 및 상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 냉각 유닛은, 상기 스테이지의 내부에 형성되며, 냉각제를 유동시키는 냉각제 유동관 및 상기 냉각제를 상기 관으로 공급하는 냉각제 공급부를 포함한다. 이와 다르게, 상 기 냉각 유닛은 상기 제2 절연체의 내부에 형성된 홀을 통하여 냉각 가스를 상기 기판에 공급할 수 있다. 나아가, 상기 냉각 유닛은 상기 유체 통로를 이용하여 상기 기판에 냉각 가스를 상기 기판에 공급할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판 처리 시스템은, 기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성 장치, 상기 박막 형성 장치에 인접하여 배치되며, 상기 박막이 형성된 기판을 냉각시키고 상기 기판의 주변부에 형성된 이물질을 제거하는 플라즈마 식각 장치 및 상기 박막 형성 장치 및 플라즈마 식각 장치 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 포함한다. 여기서, 상기 플라즈마 식각 장치는, 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지, 상기 스테이지를 감싸며, 상기 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극, 상기 제1 절연체에 대향하여 전기적 절연성을 갖는 상부 절연체, 공정 가스를 공급하기 위한 유체 통로를 형성하기 위하여 상기 상부 절연체와 이격된 상태에서 상기 상부 절연체의 측면 및 상면을 감싸는 제2 전극 및 상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛을 포함한다. 또한, 상기 냉각 유닛은, 상기 스테이지의 내부에 형성되며, 냉각제를 유동시키는 관 및 상기 냉각제를 공급하는 냉각제 공급부를 포함할 수 있다. 이와 다르게, 상기 냉각 유닛은 상기 상부 절연체의 내부에 형성된 홀을 통하여 냉각 가스를 상기 기판에 공급할 수 있다. 또한, 상기 냉각 유닛은 상기 유체 통로를 이용하여 상기 기판에 냉각 가스를 상기 기판에 공급할 수 있다. 또한, 상기 기판 이송 장치는, 상기 기판을 수용하는 용기를 지지하는 로드 포트, 상기 기판을 로드 포트로부 터 이송하기 위한 기판 이송 모듈, 상기 기판 주위의 압력을 조절하기 위한 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버, 상기 박막 형성 장치 및 상기 플라즈마 식각 장치 사이에 상기 기판을 이송하기 위한 이송암을 포함할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 의하면 동일 챔버 내에서 박막이 형성된 반도체 기판을 냉각시킨 후 반도체 기판의 주변부에 흡착된 이물질을 용이하게 식각한다. 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함하는 플라즈마 식각 장치는 주변부 식각 공정에서 발생할 수 있는 이물질을 용이하게 억제할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템이 기판을 냉각시키고 기판의 주변부를 식각하는 플라즈마 식각 장치를 포함함으로써, 별도의 냉각 챔버를 생략할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템은 효율적인 구성을 가짐으로써, 기판 처리 효율을 향상시키는 동시에 베벨부 식각 공정에서 발생할 수 있는 이물질의 발생을 용이하게 억제할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 챔버, 스테이지, 제1 전극, 제2 전극 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상 기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 대상으로 한정하고 있지만, 유리 기판 등에도 본 발명의 실시예를 확장시킬 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치(100)는 공정 챔버(110), 스테이지(120), 하부 절연체(130), 제1 전극(140), 상부 절연체(170), 제2 전극(150) 및 냉각 유닛(1800을 포함한다.
공정 챔버(110)는 반도체 기판(W)을 수용할 수 있는 공간을 제공하며, 공정 챔버(110) 내부에는 반도체 기판을 처리하기 위한 공정이 수행된다. 본 발명의 실 시예들에 있어서, 상기 반도체 기판은 그 상부에 형성된 박막 패턴을 포함할 수 있다. 박막 패턴이 형성된 반도체 기판의 면을 제1 면으로 정의된다. 또한, 제1 면에 대향하는 면은 제2 면으로 정의된다.
스테이지(120)는 공정 챔버(110) 내에 위치한다. 예를 들면, 스테이지(120)는 공정 챔버(110)의 하부에 배치될 수 있다. 스테이지(120)는 상기 반도체 기판을 지지한다.
스테이지(120)는 반도체 기판에 대응하는 형상을 갖는다. 예를 들면, 스테이지(120)는 디스크 형상을 가질 수 있다. 또한, 스테이지(120)는 반도체 기판의 직경보다 작은 직경을 가진다. 따라서, 스테이지(120)가 반도체 기판을 지지할 경우, 반도체 기판의 주변부, 즉 반도체 기판의 제1 면의 가장자리, 측면 및 제2 면의 가장자리는 노출된다. 반도체 기판의 주변부가 노출됨에 따라, 후술하는 플라즈마 상태로 여기된 공정 가스가 반도체 기판의 주변부와 접촉하게 되고 반도체 기판의 주변부가 상기 공정 가스에 의하여 식각된다.
한편, 반도체 기판의 주변부를 식각하기 위한 플라즈마 식각 공정에서 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기할 때 스테이지(120)에는 고주파 에너지가 인가된다.
하부 절연체(130)는 스테이지(120)의 외측면을 둘러싸도록 배치된다. 따라서, 제1 절연체(130)는 스테이지(120)와 후술하는 제1 전극(140) 사이를 전기적으로 절연시킨다. 따라서, 제1 절연체(130)에 의하여 스테이지(120)에는 제1 전극(140)으로부터 독립적인 고주파 에너지가 인가될 수 있다.
제1 전극(140)은 하부 절연체(130)를 둘러싸며, 기판의 주변부에 대응되도록 배치된다. 즉, 제1 전극(140)은 하부 절연체(130)를 이용하여 스테이지(120)와 전기적으로 절연된다. 따라서, 스테이지(120)에 고주파수 에너지가 인가될 경우, 제1 전극(140)은 전기적으로 접지될 수 있다. 제1 전극(140)은, 예를 들면, 링 형상을 가질 수 있다. 한편, 제1 전극(140)은 스테이지(120)의 상면보다 낮은 상면을 가진다. 따라서, 스테이지(120)가 기판(W)을 지지할 경우, 제1 전극(140)은 기판(W)으로부터 이격되어 배치된다.
제1 전극(140)은 챔버(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 챔버(110)가 전기적으로 접지될 경우, 제1 전극(140)도 접지될 수 있다. 따라서, 스테이지(120)에 고주파 에너지가 인가되고 챔버(110) 및 제1 전극(140)이 접지될 경우 제1 전극(140)의 상부에 플라즈마로 여기된 공정 가스가 존재할 수 있다. 그 결과, 제1 전극(140)의 상부에 존재하는 플라즈마로 여기된 공정 가스를 이용하여 제1 전극(140)의 상부에 배치된 기판의 주변부가 식각될 수 있다.
상부 절연체(170)는 스테이지(120)에 대향하도록 배치된다. 상부 절연체(170)는, 예를 들면, 챔버(110)의 상부에 배치된다. 상부 절연체(170)에는 그 내부에 냉각 가스가 흐를 수 있도록 홀(175)이 형성된다. 상부 절연체(170)에 형성된 홀(175)을 통하여 후술하는 냉각 유닛(180)은 냉각 가스를 기판(W)의 상부를 향하여 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상부 절연체(170)에 형성된 유체 통로(175)를 통하여 기판(W)을 냉각시키기 위한 냉각 가스를 기판(W)의 상부로 제공할 수 있다.
제2 전극(150)은 유체 통로(155)를 형성하기 위하여 상부 절연체(170)와 이격되어 배치된다. 한편, 제2 전극(150)은 상부 절연체(170)의 상부에 배치된다.
제2 전극(150)은 상부 절연체(170)를 감싸도록 배치되어 제1 전극(140)에 대향하여 배치된다. 예를 들면, 제2 전극(150)은 챔버(110)의 상부에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극(150)의 양 단부에 상기 제1 전극(140)에 대향하는 돌출부(151)가 형성될 수 있다. 따라서, 제1 전극(140) 및 돌출부(151)가 상호 대향함으로써, 기판(W)의 주변부에 플라즈마가 집중적으로 형성될 수 있다.
한편, 제2 전극(150)은 챔버(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 챔버(110)가 전기적으로 접지될 경우, 제2 전극(150)도 전기적으로 접지될 수 있다. 제2 전극(150)이 접지되고, 스테이지(120)에 고주파 에너지가 인가될 경우, 제2 전극(150) 및 스테이지(120) 사이에 존재하는 공정 가스가 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
냉각 유닛(180)은 공정 챔버(110)의 내부에 배치된다. 냉각 유닛(180)은 기판(W)을 냉각시키기 위하여 냉각 가스 또는 냉각제를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 냉각 유닛(180)은 냉각 가스를 수용하는 가스 탱크(미도시), 상기 가스 탱크로부터 냉각 가스를 제공하기 위한 가스 라인(181) 및 상기 냉각 가스의 유량을 제어하기 위한 밸브(183)를 포함할 수 있다. 냉각 가스는, 예를 들면, 수소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 등을 포함하는 불활 성 가스를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 냉각 유닛(180)은 스테이지(120)의 내부에 형성되며 냉각제가 유동하는 냉각제 유동관(165) 및 상기 냉각제를 냉각제 유동관(165)으로 공급하는 냉각제 공급부(160)를 포함한다. 상기 냉각제의 예로는 탈이온수를 들 수 있다.
냉각제 공급부(160)는 냉각제를 수용하는 냉각제 저장 탱크(161), 상기 저장 탱크(161)로부터 냉각제를 제공하기 위한 냉각제 공급 라인(163)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판 처리 장치는 챔버의 내부에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛(190)을 더 포함할 수 있다. 공정 가스 공급 유닛(190)은 공정 가스를 수용하는 공정 가스 탱크(미도시), 상기 공정 가스 탱크로부터 공정 가스를 제공하기 위한 공정 가스 공급 라인(191) 및 상기 공정 가스의 유량을 제어하기 위한 공정 가스 제어 밸브(193)를 포함할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 상기 플라즈마 식각 장치(100)는 챔버(110), 스테이지(120), 제1 전극(140), 하부 절연체(170), 제2 전극(150) 및 냉각 유닛(180)을 포함하고, 이들을 적절하게 운용함으로써 동일 챔버 내에서 반도체 기판(W)을 냉각시킨 후 상기 반도체 기판(W)의 가장자리 상부, 측면 및 가장자리 하부에 흡착된 이물질을 제거할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명 하기 위한 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(200)은 박막 형성 장치(410), 플라즈마 식각 장치(420) 및 기판 이송 장치(300)를 포함한다.
박막 형성 장치(410)는 기판의 일면에 박막을 형성한다. 예를 들면, 박막 형성 장치는 화학적 기상 증착 공정 및 물리적 기상 증착 공정과 같은 증착 공정을 수행할 수 있다. 이와 다르게 박막 형성 공정(410)은 기판 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정 등을 수행할 수 있다. 박막 형성 장치(410)는 상기 공정을 수행하기 위한 공정 공간을 제공하는 제1 공정 챔버(415)를 포함한다.
플라즈마 식각 장치(420)는 박막 형성 장치(410)에 인접하여 배치된다. 플라즈마 식각 장치(420)는 박막이 형성된 기판을 냉각시키고 상기 기판의 주변부에 형성된 이물질을 제거하는 공정을 수행한다. 플라즈마 식각 장치(420)는 상기 공정을 수행하기 위하여 공정 공간을 제공하는 제2 공정 챔버(425)를 포함한다.
플라즈마 식각 장치(420)는 도1 및 도2를 참조로 전술하였으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
기판 이송 장치(300)는 다수의 기판들이 수용되어 있는 용기를 지지하기 위한 로드 포트(310), 상기 로드 포트(310) 및 로드락 챔버(320) 사이에 배치되며, 내부에 상기 기판(10)을 이송하기 위한 이송 로봇(미도시)을 갖는 기판 이송 모듈(320), 소정의 압력 상태에서 상기 기판이 대기할 수 있는 로드락 챔버(320) 및 로드락 챔버(320), 박막 형성 장치(410) 및 플라즈마 식각 장치(420) 사이에 상기 기판을 이송하기 위한 이송암(350)을 포함한다.
로드 포트(310)는 상기 기판 이송 챔버(320)와 연결되며, 상기 용기를 지지한다. 상기 용기로는 FOUP(305)가 사용될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았지만, 로드 포트(310)는 FOUP(305)를 지지하고, FOUP(305)를 기판 이송 챔버(325)의 도어(미도시)에 밀착시키기 위해 이동시킨다.
기판 이송 모듈(320)은 로드 포트(210)와 로드락 챔버(330) 사이에 배치된다. 기판 이송 챔버(325)의 일측 측벽에는 상기와 같이 로트 포트(210)가 구비되며, 기판 이송 챔버(325)의 타측 측벽에는 박막 형성 장치(410), 플라즈마 식각 장치(420) 및 상기 기판 가공 챔버(300)를 연결하기 위한 로드락 챔버(400)가 연결된다.
로드록 챔버(330)는 기판 이송 챔버(325), 박막 형성 장치(410) 및 플라즈마 식각 장치(420) 사이에 위치한다. 기판 이송 챔버(325) 내부에 위치한 이송 로봇(미도시)은 FOUP(305)으로부터 이송한 기판을 로드록 챔버(330)로 이송한다. 상기 로드록 챔버(330)는 상기 기판을 지지한다.
이송암(330)은 로드락 챔버(330), 박막 형성 장치(410)의 제1 공정 챔버(415) 및 플라즈마 식각 장치(420)의 제2 공정 챔버(425) 사이에서 상기 기판들(10)을 이송한다.
따라서, 이송암(330)은 제1 공정 챔버(415) 내에서 박막이 형성된 기판을 제2 공정 챔버(425)로 이송한다. 따라서, 제2 공정 챔버(425)내에 배치된 기판에 플라즈마 식각 장치(410)는 냉각 공정을 수행한 후 베벨부 식각 공정을 수행한다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 박막이 형서된 기판을 냉각시키고 베벨부를 식각하는 플라즈마 식각 장치를 포함함으로써, 별도의 냉각 챔버를 생략할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템은 효율적인 구성을 가짐으로써, 기판 처리 효율을 향상시키는 동시에 베벨부 식각 공정에서 발생할 수 있는 이물질의 발생을 용이하게 억제할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 의하면 동일 챔버 내에서 박막이 형성된 반도체 기판을 냉각시킨 후 반도체 기판의 주변부에 흡착된 이물질을 용이하게 식각한다. 기판을 냉각시키는 냉각 유닛을 포함하는 플라즈마 식각 장치는 주변부 식각 공정에서 발생할 수 있는 이물질을 용이하게 억제할 수 있다.
또한, 기판 처리 시스템이 기판을 냉각시키고 기판의 주변부를 식각하는 플라즈마 식각 장치를 포함함으로써, 별도의 냉각 챔버를 생략할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템은 효율적인 구성을 가짐으로써, 기판 처리 효율을 향상시키는 동시에 베벨부 식각 공정에서 발생할 수 있는 이물질의 발생을 용이하게 억제할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지;
    상기 스테이지를 감싸며, 상기 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극;
    상기 스테이지에 대향하여 전기적 절연성을 가지며, 내부에 홀이 형성된 상부 절연체;
    유체 통로를 형성하기 위하여 상기 상부 절연체와 이격된 상태에서 상기 상부 절연체의 상부에 배치된 제2전극; 및
    상기 공정 챔버 내부에 배치되며, 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛을 포함하고,
    상기 냉각 유닛은 상기 상부 절연체의 내부에 형성된 상기 홀을 통하여 냉각 가스를 상기 기판에 공급하며, 상기 기판의 냉각과 상기 기판의 주변부의 식각을 상기 공정 챔버 내에서 연속적으로 실시하는 플라즈마 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 냉각 유닛은,
    상기 스테이지의 내부에 형성되며, 냉각제를 유동시키는 냉각제 유동관; 및
    상기 냉각제를 상기 관으로 공급하는 냉각제 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 냉각 유닛은 상기 유체 통로를 이용하여 상기 기판에 냉각 가스를 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스테이지 및 제1 전극 사이에 개재된 하부 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  6. 기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성 장치;
    상기 박막 형성 장치에 인접하여 배치되며, 상기 박막이 형성된 기판을 냉각시키고 상기 기판의 주변부에 형성된 이물질을 제거하는 플라즈마 식각 장치; 및
    상기 박막 형성 장치 및 플라즈마 식각 장치 사이에서 상기 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 포함하고,
    상기 플라즈마 식각 장치는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내부의 상측에 마련된 상부 절연체와, 상기 기판을 냉각시키기 위하여 상기 상부 절연체의 내부에 형성된 홀을 통하여 냉각 가스를 상기 기판에 공급하는 냉각 유닛을 포함하며, 상기 기판의 냉각과 상기 기판의 주변부의 식각을 상기 공정 챔버 내에서 연속적으로 실시하는 기판 처리 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 장치는,
    상기 상부 절연체에 대향하여 상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지;
    상기 스테이지를 감싸며, 상기 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극;
    유체 통로를 형성하기 위하여 상기 상부 절연체와 이격된 상태에서 상기 상부 절연체의 상부에 배치된 제2전극;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 냉각 유닛은,
    상기 스테이지의 내부에 형성되며, 냉각제를 유동시키는 관; 및
    상기 냉각제를 공급하는 냉각제 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 삭제
  10. 제7항에 있어서, 상기 냉각 유닛은 상기 유체 통로를 이용하여 상기 기판에 냉각 가스를 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기판 이송 장치는,
    상기 기판을 수용하는 용기를 지지하는 로드 포트;
    상기 기판을 로드 포트로부터 이송하기 위한 기판 이송 모듈;
    상기 기판 주위의 압력을 조절하기 위한 로드락 챔버;
    상기 로드락 챔버, 상기 박막 형성 장치 및 상기 플라즈마 식각 장치 사이에 상기 기판을 이송하기 위한 이송암을 포함하는 것을 특징으로 기판 처리 시스템.
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