JP2006339678A

JP2006339678A - プラズマ処理装置及び電極部材

Info

Publication number: JP2006339678A
Application number: JP2006246084A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Fujisato; 敏章藤里
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-09-11
Filing date: 2006-09-11
Publication date: 2006-12-14

Abstract

【課題】良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電極部材を提供する。
【解決手段】第２の高周波電源３７に、給電棒３５を介して接続され、高周波電力を印加可能な上部電極２８の給電棒３５との接続部、および、給電棒３５の表面を、絶縁膜４１で覆う。絶縁膜４１は、ＰＴＦＥ等の絶縁性材料を、給電棒３５等の表面に溶射することにより形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置及び電極部材に関する。

ＬＳＩ、ＬＣＤ等の電子デバイスの製造に、プラズマを利用して成膜処理、エッチング処理等の処理を行うプラズマ処理装置が用いられている。図１に、平行平板型のプラズマ処理装置の一例を示す。

図１に示すように、プラズマ処理装置１１は、真空引き可能なチャンバ１２と、被処理体Ｗが載置され、下部電極として機能するサセプタ１９と、電極板３０を備え、チャンバ１２内に処理ガスを供給する上部電極２８と、を備える。

上記プラズマ処理装置１１において、上部電極２８とサセプタ１９（下部電極）との間に形成される処理空間に処理ガスを供給し、上下の電極２８、１９に高周波電力を印加することにより、プラズマが生成する。発生した処理ガスのプラズマにより、サセプタ１９上に載置されたウェハ等の被処理体Ｗに、所定の処理が施される。

上記プラズマ処理装置１１には、以下の（１）〜（４）に示すような問題があった。
（１）
上部電極２８には、高周波電力を印加するための給電棒３５が接続されている。給電棒３５は、周囲と絶縁するため、その外部表面が絶縁膜４１で覆われている。一般に、絶縁膜４１を構成する低誘電率材料として、ＰＴＦＥ（PolyTetraFluoro Ethyrene）が用いられている。ＰＴＦＥは、優れた絶縁材料であるが、成型した場合、その比誘電率は２．１程度が限界である。このため、給電棒３５とその周囲等の絶縁距離をこれまで以上に小さくすることはできない。このように、従来の絶縁材料は、誘電損失を低く抑えつつ、上部電極２８を十分に絶縁できるものではなく、プラズマの利用効率を十分に高められない、装置サイズの縮小が図れない等の問題があった。

（２）
また、発生したプラズマを処理空間に閉じこめ、高い処理効率を得るため、サセプタ１９の周囲にはバッフル板２４が設けられている。バッフル板２４は、環状の平板形状部材からなり、サセプタ１９を包囲するようチャンバ１２の壁に固定されている。バッフル板２４は多数の細口２４ａを備え、細口２４ａを介してガスは通過させるが、プラズマの通過を妨げる構成となっている。バッフル板２４の細口２４ａは、プラズマの閉じこめと、コンダクタンスの確保と、を両立させるため、できるだけ、微細に、多数形成されていることが望ましい。

バッフル板は、従来より、切削加工により形成されている。このため、バッフル板の厚さは、加工負荷の点からある程度の厚さが必要であり、細口のサイズ、数、形状等には製造上の限界がある。従って、従来の切削加工により形成されたバッフル板には、微細な細口を可能な限り多く形成することは難しい。このため、十分なコンダクタンスを確保して、十分に高い処理効率を得ることは難しかった。

（３）
また、サセプタ１９は、被処理体Ｗの搬送のため、図示しない駆動装置によって昇降可能とされている。駆動装置は、チャンバ１２の外部に設けられているため、駆動装置に接続されたサセプタ１９の下方は、伸縮可能なベローズ２３により覆われ、チャンバ１２内を気密に保つ構造となっている。

ベローズ２３として、バネ性に優れた鉄系（主にＳＵＳ系）材料、あるいは、樹脂材料または樹脂コートが使用される。しかし、鉄系材料を用いた場合には、プラズマ、腐食性ガス等との接触によりパーティクルが発生し、いわゆるメタルコンタミが発生しやすい。また、樹脂材料を用いた場合には、使用温度域に限界がある。このように、従来、メタルコンタミを回避可能な、使用温度範囲の広いベローズ２３は開発されておらず、信頼性の高い処理が行われないおそれがあった。

（４）
また、チャンバ１２は、通常、導電性の良好なアルミニウムから構成され、その表面には、平滑面が形成された後、絶縁、耐プラズマ性確保等のためアルマイト処理が施される。アルマイトに起因するパーティクルを抑制するため、チャンバ１２の内壁を構成する平滑面は仕上げ粗度が厳しく、機械加工後に主に手作業で磨き工程を行っている。しかし、手作業による磨きは、磨きによる傷の深さ、方向がばらつきやすく、面粗度は確保されていてもアルマイト処理を施すと色ムラが発生しやすい。色調が薄いアルマイトは色ムラが顕著であり、外観不良となり、歩留まりが低下する。このように、従来のチャンバ１２を構成する平滑面を有する金属部材は、高い歩留まりで製造することができず、製造コストを増加させるという問題があった。

上記事情を鑑みて、本発明は、誘電損失を抑えつつ、良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電極部材を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるプラズマ処理装置は、
チャンバを備え、前記チャンバ内で被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記被処理体が載置される載置台と、
前記載置台に平行に対向して設けられた上部電極と、
前記上部電極に接続され、該上部電極に高周波電力を供給する給電部材と、
絶縁性材料の溶射により形成され、前記給電部材、および、少なくとも前記上部電極の前記給電部材と接続された部分の表面を覆う絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする。

上記構成によれば、絶縁性材料を溶射して形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜である。従って、給電部材、例えば、給電棒の表面を上記絶縁膜で覆うことにより、絶縁膜による誘電損失を低減しつつ、高い絶縁性をもって絶縁することができる。

上記構成において、例えば、前記絶縁性材料はＰＴＦＥから構成されている。

上記構成において、前記絶縁膜に覆われる前記給電部材および前記上部電極の表面は、ショットブラストにより所定の粗度とされていることが望ましい。すなわち、表面を粗面化してから溶射することにより、溶射膜と該表面との密着性が高められ、溶射膜の剥離等は抑えられる。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点にかかる電極部材は、
高周波電源に接続される導電部材と、
前記導電部材に接続され、高周波電力を印加可能な電極と、
絶縁性材料の溶射によって形成され、前記導電部材、および、前記導電部材と前記電極の接続部分の少なくとも一部を覆う絶縁膜と、
を備える、ことを特徴とする。

上記構成によれば、絶縁性材料を溶射して形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜である。従って、導電部材の表面を上記絶縁膜で覆うことにより、絶縁膜による誘電損失を低減しつつ、高い絶縁性をもって絶縁することができる。

本発明によれば、誘電損失を抑えつつ、良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電極部材が提供される。

本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置について、以下図面を参照して説明する。本実施の形態においては、プラズマ処理装置として、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を例にとって説明する。

図１に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１１の構成図を示す。
本実施の形態のプラズマ処理装置１１は、上下に平行に対向する電極を有する平行平板型プラズマ処理装置であり、プラズマＣＶＤにより、被処理体、例えば、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）の表面にＳｉＯＦ膜を成膜する。

プラズマ処理装置１１は、略円筒形状のチャンバ１２を備える。チャンバ１２は、例えば、アルミニウムからなる金属部材を成型して形成される。金属部材の一面、すなわち、チャンバ１２の内壁は、一般的な方法で平滑面とされ、その平滑面の上にアルマイト処理（陽極酸化処理）がされている。また、チャンバ１２は接地されている。

チャンバ１２の底部には排気口１３が設けられている。排気口１３には排気装置１４が接続されている。排気装置１４はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、チャンバ１２内を所定の減圧雰囲気、例えば、０．０１Ｐａ以下の圧力まで真空引きする。

チャンバ１２の側壁にはゲートバルブ１５を備えた搬入出口１６が設けられている。ゲートバルブ１５が開放された状態で、搬入出口１６を介して、ウエハＷがロードロック室（図示せず）との間で搬送される。

チャンバ１２内の底部中央には、略円柱状のサセプタ支持台１７が設けられている。サセプタ支持台１７の上には、セラミックなどの絶縁体１８を介して、サセプタ１９が設けられている。サセプタ支持台１７は、チャンバ１２の下方に設けられた昇降機構（図示せず）にシャフト２０を介して接続され、サセプタ１９とともに昇降可能に構成されている。

サセプタ支持台１７の内部には、下部冷媒室２１が設けられている。下部冷媒室２１には、下部冷媒管２２が接続されており、下部冷媒管２２を介して下部冷媒室２１に冷媒が導入される。冷媒は、所定の温度に制御されており、冷媒が下部冷媒室２１を循環し、その冷熱がサセプタ１９を介してウエハＷに対して伝熱されることによりウエハＷは所望の温度に制御される。

サセプタ支持台１７の下方は、ステンレス鋼からなるベローズ２３で覆われている。ベローズ２３は、その上端がサセプタ支持台１７の下面に、その下端がチャンバ１２の底面にねじ等により留められている。ベローズ２３は、サセプタ支持台１７の下方の常圧部分と、チャンバ１２内の真空部分と、を分離している。ベローズ２３は、サセプタ支持台１７の昇降動作に応じて伸縮し、常に気密性を維持する。

チャンバ１２の側壁にはバッフル板２４が設けられている。バッフル板２４は、耐プラズマ性の導体材料、例えば、アルマイト処理されたアルミニウムから構成されている。バッフル板２４は、環状の板状部材であり、サセプタ１９を包囲するように設けられている。バッフル板２４は、例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の厚さを有する。なお、バッフル板２４は、サセプタ支持台１７を包囲するように設けられてもよい。

バッフル板２４は、スリット状、丸穴状等の形状を有する孔２４ａが、切削加工により多数形成されている。孔２４ａは、処理ガスが通過可能である一方で、プラズマの通過を妨げる。これにより、バッフル板２４は、サセプタ１９と上部電極との間に生起するプラズマを、チャンバ１２の上部（ウェハＷの近傍）に閉じこめる。これにより、発生したプラズマの効率的な利用が可能となる。

サセプタ１９は、その上部中央が凸状の円板状に形成され、その上にウエハＷと略同形の図示しない静電チャックが設けられている。サセプタ１９は、ウェハＷの載置台であり、サセプタ１９上に載置されたウェハＷは、クーロン力によって静電吸着される。

サセプタ１９は、また、下部電極として機能する。サセプタ１９には、第１の高周波電源２５が接続されており、その給電線には第１の整合器２６が介在されている。第１の高周波電源２５は、０．１〜１３ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。また、サセプタ１９は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）３９を介して接地されている。

サセプタ１９の上端周縁部には、静電チャック上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング２７が配置されている。フォーカスリング２７は、シリコンなどから構成されている。フォーカスリング２７は、その内側に配置されたウェハＷに、プラズマを効果的に集め、効率的な、均一性の高いプラズマ処理を可能にする。

また、サセプタ支持台１７、サセプタ１９等は、ウエハＷ受け渡し用の図示しないリフトピンが貫通可能に形成されている。リフトピンはシリンダにより昇降可能となっている。リフトピンは、サセプタ１９を突き抜けて上昇可能であり、リフトピンの昇降動作によりウェハＷのサセプタ１９上への載置がなされる。

サセプタ１９の上方には、サセプタ１９と平行に対向して上部電極２８が設けられている。上部電極２８は、絶縁材２９を介して、チャンバ１２の上部に支持されている。上部電極２８は、電極板３０と、電極支持体３１と、から構成される。

電極板３０は、サセプタ１９またはウェハＷとの対向面を形成する。電極板３０は、多数のガス孔３０ａをそのほぼ全面に備える。また、電極板３０は、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウム、シリコン、ＳｉＣまたはアモルファスカーボンから構成されている。なお、サセプタ１９と電極板３０とは、例えば、１０〜６０ｍｍ程度離間している。

電極支持体３１には、電極板３０がねじどめされている。電極支持体３１は、導電性材料、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムから構成されている。電極支持体３１は、その内部に上部冷媒室３２を備え、水冷構造となっている。上部冷媒室３２は、上部冷媒管３３に接続され、その内部に冷却水が流通可能となっている。上部冷媒室３２への冷却水の流通により、上部電極２８の過熱は防がれる。

電極支持体３１は、ガス導入管３４を備える。ガス導入管３４には、バルブ、流量制御装置等を介して、処理用のガスが供給される。処理に用いるガスとしては、ＳｉＯＦ膜の成膜に従来用いられている種々のものを採用することができ、例えば、四フッ化シラン（ＳｉＦ_４）、モノシラン（ＳｉＨ_４）および酸素（Ｏ_２）を用いることができる。また、アルゴン、ヘリウム等の希ガスや窒素を添加しても良い。

電極支持体３１は、その内部に、電極板３０の複数のガス孔３０ａに接続した、中空の拡散部３１ａを備える。ガス源からガス導入管３４を介して供給されたガスは、拡散部３１ａで拡散されてガス孔３０ａに供給される。これにより、ガスは、複数のガス孔３０ａからウェハＷの全面に均等に供給される。

上部電極２８には、アルミニウム等の導電性材料からなる給電棒３５が接続されている。給電棒３５は、第２の整合器３６を介して、第２の高周波電源３７に接続されている。第２の高周波電源３７は、１３〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、高周波電力の印加により、下部電極であるサセプタ１９との間に高密度のプラズマが生成する。また、上部電極２８は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）３８を介して接地されている。

ここで、チャンバ１２の上方の、上部電極２８およびその接続部分の表面には、低誘電率の絶縁性材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から構成された絶縁膜４１が形成されている。絶縁膜４１は、例えば、５〜２０ｍｍ程度の厚さで設けられている。絶縁膜４１は、上部電極２８の近傍、特に、給電棒３５の絶縁のために形成されている。誘電率の低いＰＴＦＥからなる絶縁膜４１により、誘電損失は抑えられ、高いプラズマの利用効率が得られる。また、絶縁膜４１を含むチャンバの上方は、チャンバ１２と同じ材料からなる上部保護部材４０が形成されて保護されていると共に、いわゆる同軸構造を構成して、高周波電力の良好な伝播が得られる構造となっている。

絶縁膜４１は、ＰＴＦＥのガス溶射、プラズマ溶射等によって形成された溶射膜として形成される。
絶縁膜４１をガス溶射により形成したときの様子を図２に示す。図２に示すガス溶射装置４２は、原料供給管４３と、燃焼ガス供給管４４と、原料供給管４３と燃焼ガス供給管４４とに接続された接触部４５と、圧縮空気供給管４６と、を備える。このガス溶射装置４２において、原料供給管４３から供給されたＰＴＦＥ粒は、接触部４５において燃焼ガス供給管４４から供給されたアセチレン−酸素からなる燃焼ガスにより、瞬間的に溶融する。溶融したＰＴＦＥは、圧縮空気供給管から供給される圧縮空気のジェット効果により、高速で被処理面に吐出される。吐出されたＰＴＦＥは、被処理面上で固まり、所定厚さで形成されて絶縁膜４１が形成される。

上記のようにして、給電棒３５等の表面に、ＰＴＦＥからなる絶縁膜４１が形成される。ここで、絶縁膜４１は、溶射膜であり、図２に概略的に示すように、膜中に空孔４１ａが形成されている。このように、多孔性が付与されることにより、溶射膜は、ＰＴＦＥの本来の比誘電率よりも低い比誘電率を有する。このため、絶縁膜４１は、溶射によらずに形成したＰＴＦＥからなる膜よりも高い絶縁性を有する。これにより、給電棒３５と接地された他の部材との絶縁距離を小さくでき、装置サイズの低減が図れる。従って、ＰＴＦＥ溶射膜から形成される絶縁膜４１を設けることにより、コストの低減が図れる。

ここで、ＰＴＦＥが溶射される給電棒３５等の母材の表面は、ショットブラスト等によって適度に粗面化されている。これにより、形成された絶縁膜４１の密着性が高められ、耐久性等の高い、信頼性の高い絶縁膜４１が形成される。

また、溶射の途中に、応力除去のためのアニール処理を行うことにより、溶射により形成される絶縁膜４１の厚さを増大させることができる。すなわち、所定厚さの溶射膜を形成する毎にアニール処理（加熱）処理を行い、膜に生じる応力を除去しつつ、所定厚さの溶射膜を形成することにより、厚膜の溶射膜を安定に形成することができ、これにより、一層高い絶縁性が得られる。

また、上記例では、ＰＴＦＥ溶射膜である絶縁膜４１は、給電棒３５等の上部電極２８周辺に形成し、絶縁するものとした。しかし、勿論、これに限らず、絶縁が必要な他の部分にも用いることができる。例えば、下部電極の給電部分等をＰＴＦＥ溶射膜で被覆することにより、同様の効果が得られる。
さらに、絶縁膜４１を構成する材料は、ＰＴＦＥに限らず、他のいかなる絶縁性材料であってもよい。

本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様（１）〜（３）について、説明する。

（１）
上記実施の形態では、ベローズ２３は、ステンレススチールからなるものを用いた。しかし、ベローズ２３は、高純度のニッケルまたはアルミニウムから構成されても良い。この場合、例えば、純度９９．２％程度のニッケルあるいはアルミニウムの時効硬化材を用いることができる。

ステンレススチール等の鉄系の材料からなるベローズ２３を用いた場合には、プラズマとの接触、クリーニング時のフッ素系ガス等の腐食性ガスとの接触等により、ベローズ２３が劣化して、いわゆるメタルコンタミが発生しやすい。しかし、ニッケルあるいはアルミニウムからなるベローズ２３を用いた場合には、高い耐プラズマ性、耐腐食性等が得られ、メタルコンタミの低減が図れ、信頼性の向上が図れる。

また、サセプタ支持台１７（サセプタ１９）の他に、リフトピン等の昇降機構を有する他のチャンバ１２部材や、ウェハ搬送系のロボット等の備える昇降機構にも、高純度ニッケルあるいはアルミニウムから構成されたベローズ２３を用いることにより、同様の効果が得られることは勿論である。

（２）
また、上記実施の形態では、図３に示すような、多数の孔２４ａを備えたバッフル板２４を用いる。上述したように、バッフル板２４は、切削加工により形成される。しかし、バッフル板２４を、例えば、１〜２ｍｍ程度の薄さの金属薄板のエッチング、例えば、フォトエッチングにより形成しても良い。エッチングされた薄板に、溶射膜、アルマイト等の絶縁膜４１を形成することにより、図３に示すようなバッフル板２４が得られる。

エッチングにより形成することにより、図４に示すように、孔２４ａをより微細な形状に、かつ、自由な配置で、薄いバッフル板２４にパターニングすることができる。また、切削加工のように、パターニング時に負荷がかかることがないので、開口率（＝孔２４ａの総面積／バッフル板２４の面積）を限界まで高めることができる。これにより、コンダクタンスの向上が図れる。さらに、切削加工した場合よりも、実質的に工程数が短縮され、コストの低減が図れる。なお、バッフル板２４に限らず、微細なパターニングや薄さが必要な板状部材であれば、どのような部材の製造にも本発明の手法を用いることができることは勿論である。
また、バッフル板２４の形状も平板状に限られず、上記エッチングにより所定形状にエッチングされた板状部材を、さらに所定形状に変形させることにより、中心方向に所定の斜度を有する形状や、サセプタ１９を包囲する、例えば、断面がＬ字型の円筒状など、所望の形状に形成してもよい。

（３）
上記実施の形態では、チャンバ１２の内部表面は、一般的な処理を施されているものとした。ここで、一般的な処理とは、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、機械加工により金属アルミニウムに平滑面４７を形成し（図５（ａ））、機械加工後の平滑面４７を手作業で磨き（図５（ｂ））、その後連続して、アルカリおよび／または酸に浸積してエッチングし、最後に表面にアルマイト層４８を形成するものである（図５（ｃ））。すなわち、手作業での磨きにより、機械加工時に表面に発生した平滑面４７のクラック４９を除去しつつ表面粗度を上げる。その後、アルカリ／酸エッチングにより表面を最小限エッチングし、アルマイト処理を施す。

しかし、上記のような方法では、手作業での磨きの際に、磨きのばらつき部分５０が形成されてしまう。このため、アルマイト処理の際に、この磨きムラ部分５０の所に色ムラ５１が形成されてしまう。

上記のような不具合を避けるため、上記したような一般的な表面処理ではなく、図６（ａ）〜（ｃ）に示すような方法で表面処理を行っても良い。すなわち、機械加工後の平滑面４７（図６（ａ））を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液等で、上記エッチングよりも過剰にエッチング（オーバーエッチング）してクラック４９を除去し（図６（ｂ））、その後、アルマイト処理を施す（図６（ｃ））ようにしてもよい。例えば、純アルミニウムの板を、１０％ＮａＯＨ水溶液に１分程度浸積し、その一面を２０μｍ程度エッチングし、その後、アルマイト処理を施す。

上記のようにオーバーエッチングして得られた平滑面４７を有するアルミニウム部材（チャンバ１２部材）は、機械加工時に発生したクラック４９が除去され、均一な表面が形成されている。さらに、手作業での磨きにより発生するような磨きばらつき部（不均一表面）は存在せず、アルマイト後にも色ムラが発生しにくい。従って、外観不良による歩留まりの低下は低減され、高い歩留まりが得られる。さらに、手作業等を省くことにより、実質的な工程数の短縮ならびにスループットの向上が図れ、コストを大幅に削減できる。

上記例では、プラズマ処理装置１１のチャンバ１２を構成するアルミニウムからなる部材を例として説明した。しかし、材質はアルミニウムに限らず、ステンレススチール等の他のいかなる材料であってもよい。また、プラズマ処理装置１１のチャンバ部材に限らず、粗度の低い平滑面が必要な部材であれば、他の処理装置のチャンバ部材等、他のいかなる部材にも適用可能である。

本発明の実施の形態にかかる処理装置の構成を示す図である。絶縁膜の形成のようすを示す図である。バッフル板の斜視図である。本発明の他の実施の形態にかかる斜視図である。一般的な表面の処理方法を示す図である。オーバーエッチングしたときの表面の処理方法を示す図である。

符号の説明

１１プラズマ処理装置
１２チャンバ
１５ゲートバルブ
１７サセプタ支持台
１８絶縁膜
１９サセプタ
２０シャフト
２１下部冷媒室
２２下部冷媒管
２３ベローズ
２４バッフル板
２８上部電極
３０電極板
３１電極支持体
３２上部冷媒室
３３上部冷媒管
３４ガス導入管
３５給電棒
４０上部保護部材
４１絶縁膜

Claims

チャンバを備え、前記チャンバ内で被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記被処理体が載置される載置台と、
前記載置台に平行に対向して設けられた上部電極と、
前記上部電極に接続され、該上部電極に高周波電力を供給する給電部材と、
絶縁性材料の溶射により形成され、前記給電部材、および、少なくとも前記上部電極の前記給電部材と接続された部分の表面を覆う絶縁膜と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
前記絶縁性材料はＰＴＦＥから構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記絶縁膜に覆われる前記給電部材および前記上部電極の表面は、ショットブラストにより所定の粗度とされている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
高周波電源に接続される導電部材と、
前記導電部材に接続され、高周波電力を印加可能な電極と、
絶縁性材料の溶射によって形成され、前記導電部材、および、前記導電部材と前記電極の接続部分の少なくとも一部を覆う絶縁膜と、
を備える、ことを特徴とする電極部材。