JP3598227B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3598227B2 JP3598227B2 JP34838898A JP34838898A JP3598227B2 JP 3598227 B2 JP3598227 B2 JP 3598227B2 JP 34838898 A JP34838898 A JP 34838898A JP 34838898 A JP34838898 A JP 34838898A JP 3598227 B2 JP3598227 B2 JP 3598227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- vacuum chamber
- lower electrode
- rectangular substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子(LCD)やプラズマディスプレイの製造に用いられるドライエッチング装置、スパッタ装置、CVD装置等のプラズマ処理装置に関し、特に例えば大型四角形(角型)ガラス基板の冷却又は加熱のための伝熱手段としてガスを用いたプラズマ処理装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶素子およびプラズマディスプレイ等の製造装置におけるプラズマ処理装置において、しばしば基板の冷却又は加熱のための伝熱手段として基板裏面と電極の間にヘリウム等の不活性ガスを充満させる方法が用いられる。特に液晶素子製造装置については基板が角型ガラス基板であり、また液晶パネルの大型化傾向に伴い、大型角型ガラス基板対応の高効率のガス伝熱プラズマ処理製造装置を供給することが求められている。
【0003】
以下、従来の大型角型ガラス基板対応ドライエッチング装置の構成を図6を参照しながら説明する。図6において、19は真空室、20は真空排気ポンプである。21は誘導結合型プラズマを発生させる上部電極で、真空室19の側面に反応ガス供給口22を有している。23は上部電極21用の第一の高周波電源、24は被処理基板である大型角型ガラス基板、25は370×470mm弱の大きさで3mm弱の突出量の凸面Aを有する凸型下部電極である(図8参照)。凸型下部電極25のXX−XX’線上の断面構造図を図7に示す。凸面Aは大きさが370×470mmで、厚みが0.7mmのガラス基板24の周辺B(幅4mm)を平面上で拘束し、基板24の裏面に4Torrの圧力の低圧ヘリウムを封じ込めたときの凸面Aのたわみ形状をCAE(Computer Aided Engineering)で解析し、階段状に形成されている。凸型下部電極25は、水冷板32上に載置されており、絶縁板26を介して真空室19に支持されて、第二の高周波電源27に接続されている。
【0004】
凸型下部電極25の中心位置には中心穴28があり、この中心穴28は、伝熱ガス供給手段29にて外部の低圧ヘリウム供給装置(図示せず)に接続されている。凸型下部電極25の周囲には矩形枠形のシール枠30が配設され、凸型下部電極25の上面には中心穴28に連通したX状の浅いくぼみ31が分布している。凸型下部電極25の下部には冷却水路32aの通った冷却板32があり、冷却水路32a内に冷却水が循環されている。凸型下部電極25の周囲上方には角型すなわち矩形枠形のクランプ枠33が配設され、複数本の支持棒34で支持されている。各支持棒34はその下端部がベローズ35により真空シールされて外部の昇降装置(図示せず)により上下動する。
【0005】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作について説明する。ガラス基板24を凸型下部電極25上に載せ、クランプ枠33を下降させて凸型下部電極25の水平な基板拘束面Bとクランプ枠33で押さえつけ、凸型基板冷却面Aに沿わせる。次いで、真空ポンプ20で真空室19中の空気を排気し、反応ガス供給口22から微量のエッチングガスを導入しつつ、圧力コントローラー36により一定の真空度に保ちながら、第一の高周波電源23と第二の高周波電源27により電力を印加して、凸型下部電極25と上部電極21の間にプラズマを発生させ、ガラス基板24をエッチングする。
【0006】
この間、プラズマに曝されるガラス基板24は加熱されるので、伝熱ガス供給手段29より4Torr前後の圧力のヘリウムガスを流す。すると、ヘリウムガスは中心穴28から吹出し、凸型下部電極25の上面のくぼみ31を経てガラス基板24の裏面に充満する。ヘリウムガスは熱伝導性が良いので、ガラス基板24から効率よく熱を奪い、冷却板32中の冷却水により冷却された凸型下部電極25に熱を伝えて、ガラス基板24がプラズマの熱により加熱され、レジストが変質し、エッチング不良になる事を防止している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の角型基板対応の凸型下部電極25を用いたプラズマ処理装置では、被処理基板24を上記凸型下部電極25に載せ、クランプ枠33を下降させて上記凸型下部電極25の水平な基板拘束面Bとクランプ枠33で押さえつけ、凸型基板冷却面Aに沿わせたとき、被処理基板24のたわみにより、図9に示すような四隅に集中的な曲げ応力がかかり、被処理基板24上のデバイスに局所的なストレスがかかる。その結果、被処理基板24上の膜剥がれが生じたり、被処理基板24のサイズが大きくなれば、かなりの確率で破損する問題点がある。
【0008】
本発明は、このような従来の問題点に鑑み、被処理基板のたわみによる局所的なストレスを軽減し、被処理基板の大型化に対応できるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【0010】
本発明の第1態様によれば、真空室と、上記真空室内にガスを供給し排気する装置と、角型基板を載置する角型の電極と、上記電極に角型基板を押し付けるクランプ装置と、上記電極に高周波電力を印加する高周波電力供給装置とを備えた角型基板用プラズマ処理装置であって、上記電極のうち角型基板を載置する表面は曲面形状を有し、上記クランプ装置は電極の角型基板を載置する表面の外周部上にあり、かつ、上記曲面形状に沿った4つの上向き凸の曲面構造の枠を有することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【0011】
本発明の第2態様によれば、真空室内にガスを供給しつつ排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御することで、上記真空室内に配置された角型の電極に高周波電力を印加することで、上記真空室内にプラズマを発生させ、上記電極に載置された角型基板を処理する角型基板用プラズマ処理方法であって、上記電極のうち角型基板を載置する表面が曲面形状を有し、かつ、上記電極の角型基板を載置する表面の外周を覆い、かつ、上記曲面形状に沿った4つの上向き凸の曲面構造の枠を有するクランプ装置によって、角型基板を上記電極に押さえることを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0013】
以下、本発明のプラズマ処理装置の一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図1,2において、1は真空室、2は真空室1内を排気する真空排気装置の一例としての真空排気ポンプである。例えば、ドライエッチング装置の場合には、真空排気ポンプ2により到達真空圧力が1×10−4Torr台となるまで引くのが一般的である。また、スパッタ装置の場合には、真空排気ポンプ2により到達真空圧力が1×10−8Torr台となるまで引くのが一般的である。3は真空室1の上面外部に配置されて真空室1内に誘導結合型プラズマを発生させる一例として角型の上部電極で、真空室1は真空室側面に反応ガス供給装置120から反応ガスを真空室1内に供給する反応ガス供給口4を有する。5は上部電極3用の高周波電力供給装置の一例としての第一の高周波電源、6は一例として縦寸法X1が600mmで横寸法Y1が720mmで厚みが0.7mmの角型の被処理基板の一例である大型角型ガラス基板、7は一例として角型の基板支持側電極であって、一例として大きさが600mm×720mm弱で10mm弱の突出量を持つ凸面基板冷却面7Aとその周囲の基板拘束面7Bの2種類の凸面形状の被処理基板載置面を有する一例としての角型の凸型下部電極である。この実施形態では、上記電極は、角型として記載したが、このような角型に限定されるものではない。例えば、ICPプラズマ源を使用する場合には、角型以外の形状とする。また、反応ガスの例としては、塩素系若しくはフッ素系のガス、又は、Ar,N2,O2の不活性ガスを使用しており、高周波電力の数値の例は5kW位である。
【0014】
凸型下部電極7の図2のX−X’線上の断面構造図を図3(I)に示す。凸型下部電極7の基板拘束面7Bは、以下のようにして決定された形状としている。すなわち、図3の(III)に示すように被処理基板6よりも充分大きな模擬基板19、例えば、縦寸法X2が(大型角型ガラス基板6の縦寸法X1+α)であり、その厚みtが0.7mmであり、周辺部Cの幅が4mmである模擬基板19を想定し、その模擬基板19を平面107の上側平面上に、角型クランプ枠115により、拘束する。このとき、αの値は基板周辺部Cの幅寸法より十分に大きい事が必要である。そして、模擬基板19の裏面と平面107との間に4Torrの圧力でヘリウムガスを封じ込めたときの模擬基板19の凸面基板冷却面19Aと、基板拘束面19Bと、基板周辺部19Cのうちの被処理基板拘束面7Bに相当する部分の基板拘束面19Bのたわみ形状をCAE(Computer Aided Engineering)で解析し、解析した結果の形状を凸型下部電極7の基板拘束面7Bとする。また、上記凸型下部電極7の凸面基板冷却面7Aは、以下のようにして決定された形状としている。すなわち、図3の(II)に示すように、縦寸法X1が600mm、横寸法が720mm、厚みが0.7mの模擬基板106の凸面基板冷却面106Aの周辺部106B(4mm)を平面107上に角型クランプ枠15で拘束し、模擬基板106の裏面と平面107との間に4Torrの圧力でヘリウムガスを封じ込めたときの模擬基板106の凸面基板冷却面106Aのたわみ形状をCAEで解析し、解析した結果の形状を凸型下部電極7の凸面基板冷却面7Aとする。よって、凸型下部電極7では、凸面基板冷却面7Aと上記基板拘束面7Bとが階段状に形成されることになる。言いかえれば、上記角型模擬基板19を上記基板支持側電極の被処理基板載置面上にて所定の等分布圧力で押さえつけうるような、上記基板支持側電極の上記被処理基板載置面のたわみ曲面形状とするようにしている。
【0015】
なお、上記したように、一例としての模擬基板106は720mm×600mmであり、その材質はガラスであり、模擬基板19の材質も同様にガラスである。また、両基板10,19の厚みは同じとしている。
【0016】
また、図4に示すように、基板クランプ装置の一例としての角型クランプ枠15の被処理基板6を拘束する部分の面形状は、凸型下部電極7の基板拘束面7Bと同様の立体的な面形状とする。上記立体的角型クランプ枠15にて被処理基板6を押さえつける凸型下部電極7の基板拘束部7Bのたわみ形状を、少なくとも上記被処理基板6より大きな多角形基板19を平面上にて押さえつけ、所定の等分布圧力時のたわみ量をその形状とする。
【0017】
凸型下部電極7は、水冷板14上に載置されており、絶縁板8を介して真空室1に支持されて、第二の高周波電源9に接続されている。
凸型下部電極7の上面の中心位置には中心穴10があり、この中心穴10は、伝熱ガス供給路11にて外部の伝熱ガス供給装置の一例としての低圧ヘリウム供給装置110に接続されている。凸型下部電極7の上面の周囲には、基板6の外形より少し小さい矩形枠形のシール枠12が配設され、凸型下部電極7の上面のには中心穴10に連通しかつ中心穴10から放射状に延びたX状の浅いくぼみ13が形成されている。凸型下部電極7の下部には冷却水路14aの通った冷却板14があり、冷却水路14a内に冷却水が循環されている。凸型下部電極7の周囲上方には角型すなわち矩形枠形のクランプ枠15が配設され、複数本の支持棒16で支持されている。各支持棒16はその下端部がベローズ17により真空シールされて外部の昇降装置(図示せず)により上下動する。
【0018】
以上のように構成されたドライエッチング装置について、以下その動作について説明する。
ガラス基板6を凸型下部電極7の上面上に載せ、クランプ枠15を下降させて凸型下部電極7の基板拘束面7Bと上記基板拘束面7Bと同形状面を有するクランプ枠15で押さえつけ、上記被処理基板6を凸型下部電極7の基板冷却面7Aのたわみ形状に沿わせる。
【0019】
次いで、真空ポンプ2で真空室1中の空気を排気し、反応ガス供給口4から微量のエッチングガスを真空室1内に導入しつつ、圧力コントローラー18により真空室1内を一定の真空度を保ちながら、第一の高周波電源5と第二の高周波電源9により電力を印加して、真空室1内の凸型下部電極7と上部電極3の間にプラズマを発生させ、この発生したプラズマによりガラス基板6をエッチングする。
【0020】
この間、プラズマに曝されるガラス基板6は加熱されるので、伝熱ガス供給路11より4Torr前後の圧力のヘリウムガスを流す。すると、ヘリウムガスは中心穴10から吹出し、凸型下部電極7の上面のくぼみ13に沿ってガラス基板6の裏面に充満する。ヘリウムガスは熱伝導性が良いので、ガラス基板6の裏面から効率よく熱を奪い、凸型下部電極7に熱を伝えることができる。この凸型下部電極7は、上記したように冷却板14中の冷却水により冷却されている。従って、ガラス基板6がプラズマの熱により加熱されて、レジストが変質してしまい、エッチング不良になる事を防止することができる。
【0021】
上記実施形態によれば、大型ガラス基板に対応するプラズマ処理装置において、凸型下部電極7の基板拘束面7Bに対して、上記基板拘束面7Bと同形状面を有するクランプ枠15で上記被処理基板6を押さえつけ、上記被処理基板6を凸型下部電極7の基板冷却面7Aのたわみ形状に沿わせることができるようにしている。この結果、図5に示すように、被処理基板6の表面上の局所的な引っ張り応力分布は、存在せず、被処理基板6のたわみによる局所的なストレスを軽減し、被処理基板6上に形成されるデバイスに対してのダメージを軽減し、被処理基板6より大型な基板にも対応できるプラズマ処理方法及び装置を提供することができる。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、大型ガラス基板対応のプラズマ処理装置及び方法において、被処理基板表面上局所的な引っ張り応力分布は存在せず、被処理基板のたわみによる局所的なストレスを軽減し、被処理基板上に形成されるデバイスに対してのダメージを軽減し、被処理基板のより大型化にも対応できるプラズマ処理装置及び方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図2】上記実施形態にかかるプラズマ処理装置の凸型下部電極及びシール枠の斜視図である。
【図3】(I),(II),(III)は、それぞれ、上記実施形態にかかるプラズマ処理装置の図2のX−X’線における凸型下部電極の断面図、角型クランプ枠で拘束された被処理基板の断面図、角型クランプ枠で拘束されかつ被処理基板よりも充分大きな基板の断面図である。
【図4】上記実施形態にかかるプラズマ処理装置の角型クランプ枠の斜視図である。
【図5】上記実施形態にかかるプラズマ処理装置でのCAEにて解析されたガラス基板にかかる引っ張り応力分布図である。
【図6】従来のプラズマ処理装置概略構成図である。
【図7】従来のプラズマ処理装置の凸型下部電極及びシール枠の斜視図である。
【図8】(I),(II)は、それぞれ、図7のXX−XX’線における従来の凸型下部電極の断面図、角型クランプ枠で拘束された被処理基板の断面図である。
【図9】従来例でのCAEにて解析されたガラス基板にかかる引っ張り応力分布図である。
【符号の説明】
1…真空室、2…真空排気ポンプ、3…上部電極(誘導結合型プラズマ発生装置)、4…エッチングガス導入口、5…第一の高周波電源、6…被処理基板、7…凸型下部電極、7A…凸面基板冷却面、7B…基板拘束面、8…絶縁体板、9…第二の高周波電源、10…凸型下部電極上の中心穴、11…Heガス導入装置、12…シール枠、13…凸型下部電極上の浅い溝、14…水冷板、14a…冷却水路、15,115…角型クランプ枠、16…支持棒、17…ベローズ、18…圧力コントローラー、19…被処理基板よりも充分大きな模擬基板、19A…凸面基板冷却面、19B…基板拘束面、19C…基板周辺部、106…模擬基板、106A…凸面基板冷却面、106B…周辺部、107…平面、110…低圧ヘリウム供給装置、120…反応ガス供給装置。
Claims (2)
- 真空室と、上記真空室内にガスを供給し排気する装置と、角型基板を載置する角型の電極と、上記電極に角型基板を押し付けるクランプ装置と、上記電極に高周波電力を印加する高周波電力供給装置とを備えた角型基板用プラズマ処理装置であって、上記電極のうち角型基板を載置する表面は曲面形状を有し、上記クランプ装置は電極の角型基板を載置する表面の外周部上にあり、かつ、上記曲面形状に沿った4つの上向き凸の曲面構造の枠を有すること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空室内にガスを供給しつつ排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御することで、上記真空室内に配置された角型の電極に高周波電力を印加することで、上記真空室内にプラズマを発生させ、上記電極に載置された角型基板を処理する角型基板用プラズマ処理方法であって、上記電極のうち角型基板を載置する表面が曲面形状を有し、かつ、上記電極の角型基板を載置する表面の外周を覆い、かつ、上記曲面形状に沿った4つの上向き凸の曲面構造の枠を有するクランプ装置によって、角型基板を上記電極に押さえること
を特徴とする角型基板用プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34838898A JP3598227B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | プラズマ処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34838898A JP3598227B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | プラズマ処理装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000174000A JP2000174000A (ja) | 2000-06-23 |
JP3598227B2 true JP3598227B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=18396697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34838898A Expired - Fee Related JP3598227B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3598227B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127041A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4684403B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101353684B1 (ko) * | 2006-11-14 | 2014-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 발생장치 및 방법 |
JP6012995B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN107403750B (zh) * | 2016-05-20 | 2020-04-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座组件及反应腔室 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227438A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体基板用載置台 |
JP3220619B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
JP2951903B2 (ja) * | 1997-01-09 | 1999-09-20 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34838898A patent/JP3598227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000174000A (ja) | 2000-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3220619B2 (ja) | ガス伝熱プラズマ処理装置 | |
KR101050641B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 샤워 헤드 | |
KR101677239B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
US8709162B2 (en) | Active cooling substrate support | |
JPH08130207A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20180204757A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20090165722A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JPH09326385A (ja) | 基板冷却方法 | |
TW201633363A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP2016051876A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2012243771A (ja) | プラズマアプリケーション用の大面積icpソース | |
JP2004288704A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH02145782A (ja) | エツチング装置 | |
JP3598227B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JPH09320799A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH11330219A (ja) | 静電吸着装置 | |
JPH08260158A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH10289881A (ja) | プラズマcvd装置 | |
KR20080060763A (ko) | 기판 지지 장치 및 기판 식각 장치 | |
JP4416601B2 (ja) | プラズマプロセス装置、及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
JP2006332087A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2003309167A (ja) | 基板保持装置 | |
KR101353041B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치 및 방법 | |
JPH0670984B2 (ja) | 試料の温度制御方法及び装置 | |
JPH02110925A (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080917 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090917 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100917 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110917 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120917 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |