JPH09320799A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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- JPH09320799A JPH09320799A JP13165696A JP13165696A JPH09320799A JP H09320799 A JPH09320799 A JP H09320799A JP 13165696 A JP13165696 A JP 13165696A JP 13165696 A JP13165696 A JP 13165696A JP H09320799 A JPH09320799 A JP H09320799A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ処理を基板の全面で均一に行なう。
【解決手段】 基板載置ステージ１１の基板載置面１１
ａを凹面形状にし、基板載置ステージ１１に高周波電源
１２を接続し、基板載置ステージ１１の温度調節を行な
う温調器１３を設け、基板載置ステージ１１に伝熱ガス
供給孔１４を設け、伝熱ガス供給孔１４に一定圧力のＨ
ｅガスを供給する伝熱ガス供給装置１８を設け、基板載
置ステージ１１の外周部に絶縁体１９を設け、絶縁体１
９を処理室２０に取り付け、処理室２０にベローズ２２
を介して昇降板２１を取り付け、昇降板２１と処理室２
０との間にバネ２３を設け、昇降板２１を昇降するエア
シリンダ２４を設け、昇降板２１に基板クランプ２５を
取り付け、処理室２０に基板載置ステージ１１と対向す
る対向電極２６を取り付ける。
ａを凹面形状にし、基板載置ステージ１１に高周波電源
１２を接続し、基板載置ステージ１１の温度調節を行な
う温調器１３を設け、基板載置ステージ１１に伝熱ガス
供給孔１４を設け、伝熱ガス供給孔１４に一定圧力のＨ
ｅガスを供給する伝熱ガス供給装置１８を設け、基板載
置ステージ１１の外周部に絶縁体１９を設け、絶縁体１
９を処理室２０に取り付け、処理室２０にベローズ２２
を介して昇降板２１を取り付け、昇降板２１と処理室２
０との間にバネ２３を設け、昇降板２１を昇降するエア
シリンダ２４を設け、昇降板２１に基板クランプ２５を
取り付け、処理室２０に基板載置ステージ１１と対向す
る対向電極２６を取り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を有する液晶表示装置等を製造する場合にド
ライエッチング処理、プラズマＣＶＤ処理、スパッタ成
膜処理などを行なうプラズマ処理装置およびプラズマ処
理方法に関するものである。
（ＴＦＴ）を有する液晶表示装置等を製造する場合にド
ライエッチング処理、プラズマＣＶＤ処理、スパッタ成
膜処理などを行なうプラズマ処理装置およびプラズマ処
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のプラズマ処理装置を示す概
略断面図である。図に示すように、基板載置ステージ１
に高周波電源２が接続され、基板載置ステージ１の温度
調節を行なう温調器３が設けられ、基板載置ステージ１
に伝熱ガス供給孔４が設けられ、伝熱ガス供給孔４に所
定圧力のＨｅガスを供給する伝熱ガス供給装置（図示せ
ず）が設けられ、基板載置ステージ１の外周部に絶縁体
５が設けられ、絶縁体５が処理室６に取り付けられ、基
板載置ステージ１の上方に基板クランプ７が設けられ、
処理室６に基板載置ステージ１と対向する対向電極８が
取り付けられている。
略断面図である。図に示すように、基板載置ステージ１
に高周波電源２が接続され、基板載置ステージ１の温度
調節を行なう温調器３が設けられ、基板載置ステージ１
に伝熱ガス供給孔４が設けられ、伝熱ガス供給孔４に所
定圧力のＨｅガスを供給する伝熱ガス供給装置（図示せ
ず）が設けられ、基板載置ステージ１の外周部に絶縁体
５が設けられ、絶縁体５が処理室６に取り付けられ、基
板載置ステージ１の上方に基板クランプ７が設けられ、
処理室６に基板載置ステージ１と対向する対向電極８が
取り付けられている。
【０００３】このプラズマ処理装置によるドライエッチ
ング処理においては、液晶表示装置のガラス基板９を基
板クランプ７でクランプし、真空雰囲気とした処理室６
内に処理ガスを導入した状態で、対向電極８をアース電
位にし、高周波電源２から基板載置ステージ１に高周波
電力（ＲＦ）を印加すると、基板載置ステージ１と対向
電極８との間にプラズマ１０が形成され、処理ガスの電
離や解離過程によって化学的に反応性の高いイオンやラ
ジカル（中性活性種）が生成され、これらの活性粒子が
物理的あるいは化学的にガラス基板９上の被処理膜に作
用して、ガラス基板９上の被処理膜の所望部分がエッチ
ング除去される。
ング処理においては、液晶表示装置のガラス基板９を基
板クランプ７でクランプし、真空雰囲気とした処理室６
内に処理ガスを導入した状態で、対向電極８をアース電
位にし、高周波電源２から基板載置ステージ１に高周波
電力（ＲＦ）を印加すると、基板載置ステージ１と対向
電極８との間にプラズマ１０が形成され、処理ガスの電
離や解離過程によって化学的に反応性の高いイオンやラ
ジカル（中性活性種）が生成され、これらの活性粒子が
物理的あるいは化学的にガラス基板９上の被処理膜に作
用して、ガラス基板９上の被処理膜の所望部分がエッチ
ング除去される。
【０００４】ところで、プラズマエッチング処理におい
ては、イオンやラジカルの被処理膜との化学反応速度は
ガラス基板９の温度に依存して変化するから、処理速度
の安定化やマスクパターンに忠実ないわゆるサイドエッ
チング量が制御された処理を実現するためには、処理中
のガラス基板９の温度を常に適正な温度に制御する必要
がある。また、プラズマＣＶＤ処理、スパッタ成膜処理
などにおいては、ガラス基板９上に形成する膜の粒径、
反射率、抵抗値などをある一定の範囲で実現するため
に、処理中のガラス基板９の温度を常に適正な温度に制
御する必要がある。このため、温調器３により基板載置
ステージ１の温度を制御している。
ては、イオンやラジカルの被処理膜との化学反応速度は
ガラス基板９の温度に依存して変化するから、処理速度
の安定化やマスクパターンに忠実ないわゆるサイドエッ
チング量が制御された処理を実現するためには、処理中
のガラス基板９の温度を常に適正な温度に制御する必要
がある。また、プラズマＣＶＤ処理、スパッタ成膜処理
などにおいては、ガラス基板９上に形成する膜の粒径、
反射率、抵抗値などをある一定の範囲で実現するため
に、処理中のガラス基板９の温度を常に適正な温度に制
御する必要がある。このため、温調器３により基板載置
ステージ１の温度を制御している。
【０００５】しかし、プラズマ処理中にはガラス基板９
の表面での化学反応熱やプラズマ１０からのイオン衝撃
による入熱のほか、プラズマ１０で加熱された処理室６
の内壁からの熱ふく射による入熱があり、しかも真空雰
囲気中ではガラス基板９と基板載置ステージ１との熱通
過率が小さいから、ガラス基板９の温度の制御が困難と
なる。このため、基板クランプ７によりガラス基板９の
周辺部を基板載置ステージ１に密着させるとともに、伝
熱ガス供給孔４を介して基板載置ステージ１とガラス基
板９との間に伝熱ガスであるＨｅガスを供給し、所定の
温度に制御した基板載置ステージ１とガラス基板９との
熱的接触を高めている。
の表面での化学反応熱やプラズマ１０からのイオン衝撃
による入熱のほか、プラズマ１０で加熱された処理室６
の内壁からの熱ふく射による入熱があり、しかも真空雰
囲気中ではガラス基板９と基板載置ステージ１との熱通
過率が小さいから、ガラス基板９の温度の制御が困難と
なる。このため、基板クランプ７によりガラス基板９の
周辺部を基板載置ステージ１に密着させるとともに、伝
熱ガス供給孔４を介して基板載置ステージ１とガラス基
板９との間に伝熱ガスであるＨｅガスを供給し、所定の
温度に制御した基板載置ステージ１とガラス基板９との
熱的接触を高めている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなプ
ラズマ処理装置においては、基板載置ステージ１とガラ
ス基板９との間にＨｅガスを供給するためには、プラズ
マ１０側の処理圧力に比較してＨｅガスの圧力を一桁以
上高くする（１００〜５００Ｐａ）必要があるから、ガ
ラス基板９が基板載置ステージ１に対して凸に反り、ガ
ラス基板９の厚さが０．７ｍｍ、縦横の長さが５５０ｍ
ｍ、６５０ｍｍの場合には、ガラス基板９の反り量は２
０〜３０ｍｍに達する。このため、基板載置ステージ１
とガラス基板９との間隔がガラス基板９の中央部で大き
くなるから、ガラス基板９の中央部の温度が上昇するの
で、ガラス基板９の表面の温度分布が不均一になり、ま
た基板載置ステージ１に高周波電力を印加したとき、高
周波電流はプラズマシース、ガラス基板９、Ｈｅガス領
域をコンデンサとみなして流れるから、コンデンサ容量
が小さくなるガラス基板９の中央部では高周波電流が流
れにくくなり、ガラス基板９の周辺部では高周波電流が
流れやすくなる。したがって、プラズマ処理がガラス基
板９の表面で不均一になる。とくに、ガラス基板９が大
型化すると、ガラス基板９の反り量が大きくなるから、
プラズマ処理はさらに不均一になる。
ラズマ処理装置においては、基板載置ステージ１とガラ
ス基板９との間にＨｅガスを供給するためには、プラズ
マ１０側の処理圧力に比較してＨｅガスの圧力を一桁以
上高くする（１００〜５００Ｐａ）必要があるから、ガ
ラス基板９が基板載置ステージ１に対して凸に反り、ガ
ラス基板９の厚さが０．７ｍｍ、縦横の長さが５５０ｍ
ｍ、６５０ｍｍの場合には、ガラス基板９の反り量は２
０〜３０ｍｍに達する。このため、基板載置ステージ１
とガラス基板９との間隔がガラス基板９の中央部で大き
くなるから、ガラス基板９の中央部の温度が上昇するの
で、ガラス基板９の表面の温度分布が不均一になり、ま
た基板載置ステージ１に高周波電力を印加したとき、高
周波電流はプラズマシース、ガラス基板９、Ｈｅガス領
域をコンデンサとみなして流れるから、コンデンサ容量
が小さくなるガラス基板９の中央部では高周波電流が流
れにくくなり、ガラス基板９の周辺部では高周波電流が
流れやすくなる。したがって、プラズマ処理がガラス基
板９の表面で不均一になる。とくに、ガラス基板９が大
型化すると、ガラス基板９の反り量が大きくなるから、
プラズマ処理はさらに不均一になる。
【０００７】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、プラズマ処理を基板の全面で均一に行なう
ことができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法を提
供することを目的とする。
れたもので、プラズマ処理を基板の全面で均一に行なう
ことができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、温度制御が可能な基板載置ステ
ージと、上記基板載置ステージと基板との間に伝熱ガス
を供給する伝熱ガス供給手段とを有するプラズマ処理装
置において、上記基板載置ステージの基板載置面を凹面
形状にし、上記基板の周辺部をクランプする基板クラン
プを設ける。
め、本発明においては、温度制御が可能な基板載置ステ
ージと、上記基板載置ステージと基板との間に伝熱ガス
を供給する伝熱ガス供給手段とを有するプラズマ処理装
置において、上記基板載置ステージの基板載置面を凹面
形状にし、上記基板の周辺部をクランプする基板クラン
プを設ける。
【０００９】また、温度制御が可能な基板載置ステージ
と基板との間に伝熱ガスを供給するプラズマ処理方法に
おいて、上記基板載置ステージの凹面形状の基板載置面
上に上記基板を載置し、上記基板の周辺部を基板クラン
プによりクランプする。
と基板との間に伝熱ガスを供給するプラズマ処理方法に
おいて、上記基板載置ステージの凹面形状の基板載置面
上に上記基板を載置し、上記基板の周辺部を基板クラン
プによりクランプする。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るプラズマ処理
装置を示す概略断面図である。図に示すように、基板載
置ステージ１１の基板載置面１１ａが凹面形状にされて
おり、基板載置ステージ１１に高周波電源１２が接続さ
れ、基板載置ステージ１１に熱媒体を供給して基板載置
ステージ１１の温度調節を行なう温調器１３が設けら
れ、基板載置ステージ１１に伝熱ガス供給孔１４が設け
られ、伝熱ガス供給孔１４にＨｅガスを供給する伝熱ガ
ス供給源（図示せず）が設けられ、伝熱ガス供給源と伝
熱ガス供給孔１４との間に流量制御器１５が設けられ、
流量制御器１５と伝熱ガス供給孔１４との間の圧力を検
出する圧力計１６が設けられ、圧力計１６と伝熱ガス供
給孔１４との間に絞り弁１７が接続され、伝熱ガス供給
源流、量制御器１５、圧力計１６、絞り弁１７等で伝熱
ガス供給装置１８が構成されている。また、基板載置ス
テージ１１の外周部に熱不良導体からなる絶縁体１９が
設けられ、絶縁体１９が処理室２０に取り付けられ、処
理室２０にベローズ２２を介して昇降板２１が取り付け
られ、昇降板２１と処理室２０との間にバネ２３が設け
られ、昇降板２１を昇降するエアシリンダ２４が設けら
れ、昇降板２１に基板クランプ２５が取り付けられ、基
板クランプ２５が基板載置ステージ１１の上方に位置
し、処理室２０に基板載置ステージ１１と対向する対向
電極２６が取り付けられている。
装置を示す概略断面図である。図に示すように、基板載
置ステージ１１の基板載置面１１ａが凹面形状にされて
おり、基板載置ステージ１１に高周波電源１２が接続さ
れ、基板載置ステージ１１に熱媒体を供給して基板載置
ステージ１１の温度調節を行なう温調器１３が設けら
れ、基板載置ステージ１１に伝熱ガス供給孔１４が設け
られ、伝熱ガス供給孔１４にＨｅガスを供給する伝熱ガ
ス供給源（図示せず）が設けられ、伝熱ガス供給源と伝
熱ガス供給孔１４との間に流量制御器１５が設けられ、
流量制御器１５と伝熱ガス供給孔１４との間の圧力を検
出する圧力計１６が設けられ、圧力計１６と伝熱ガス供
給孔１４との間に絞り弁１７が接続され、伝熱ガス供給
源流、量制御器１５、圧力計１６、絞り弁１７等で伝熱
ガス供給装置１８が構成されている。また、基板載置ス
テージ１１の外周部に熱不良導体からなる絶縁体１９が
設けられ、絶縁体１９が処理室２０に取り付けられ、処
理室２０にベローズ２２を介して昇降板２１が取り付け
られ、昇降板２１と処理室２０との間にバネ２３が設け
られ、昇降板２１を昇降するエアシリンダ２４が設けら
れ、昇降板２１に基板クランプ２５が取り付けられ、基
板クランプ２５が基板載置ステージ１１の上方に位置
し、処理室２０に基板載置ステージ１１と対向する対向
電極２６が取り付けられている。
【００１１】つぎに、図１に示したプラズマ処理装置を
用いたプラズマ処理方法、すなわち本発明に係るプラズ
マ処理方法について説明する。まず、エアシリンダ２４
を伸長して、基板クランプ２５を上昇した状態で、ガラ
ス基板９を図１紙面左右方向から基板載置ステージ１１
と基板クランプ２５との間に挿入し、ガラス基板９を基
板載置面１１ａ上に載置する。この場合、ガラス基板９
は自重により基板載置面１１ａの凹面形状に沿って変形
する。つぎに、エアシリンダ２４を縮小して、基板クラ
ンプ２５を下降し、基板クランプ２５でガラス基板９の
周辺部をクランプする。すなわち、ガラス基板９の周辺
部を上下方向および水平方向につまり図１紙面上下方
向、図１紙面左右方向および図１紙面と直角な方向に拘
束する。この状態で、真空雰囲気とした処理室２０内に
処理ガスを導入する。また、流量制御器１５によるＨｅ
ガスの流量制御と絞り弁１７の開度制御により所定圧力
のＨｅガスを基板載置ステージ１１とガラス基板９との
間に供給する。この場合、絞り弁１７を通ったＨｅガス
を排気装置（図示せず）により装置外に排気する。つぎ
に、対向電極２６をアース電位にし、高周波電源１２か
ら基板載置ステージ１１に高周波電力（ＲＦ）を印加す
ると、基板載置ステージ１１と対向電極２６との間にプ
ラズマが形成され、ガラス基板９上の被処理膜の処理を
行なうことができる。
用いたプラズマ処理方法、すなわち本発明に係るプラズ
マ処理方法について説明する。まず、エアシリンダ２４
を伸長して、基板クランプ２５を上昇した状態で、ガラ
ス基板９を図１紙面左右方向から基板載置ステージ１１
と基板クランプ２５との間に挿入し、ガラス基板９を基
板載置面１１ａ上に載置する。この場合、ガラス基板９
は自重により基板載置面１１ａの凹面形状に沿って変形
する。つぎに、エアシリンダ２４を縮小して、基板クラ
ンプ２５を下降し、基板クランプ２５でガラス基板９の
周辺部をクランプする。すなわち、ガラス基板９の周辺
部を上下方向および水平方向につまり図１紙面上下方
向、図１紙面左右方向および図１紙面と直角な方向に拘
束する。この状態で、真空雰囲気とした処理室２０内に
処理ガスを導入する。また、流量制御器１５によるＨｅ
ガスの流量制御と絞り弁１７の開度制御により所定圧力
のＨｅガスを基板載置ステージ１１とガラス基板９との
間に供給する。この場合、絞り弁１７を通ったＨｅガス
を排気装置（図示せず）により装置外に排気する。つぎ
に、対向電極２６をアース電位にし、高周波電源１２か
ら基板載置ステージ１１に高周波電力（ＲＦ）を印加す
ると、基板載置ステージ１１と対向電極２６との間にプ
ラズマが形成され、ガラス基板９上の被処理膜の処理を
行なうことができる。
【００１２】このようなプラズマ処理装置、プラズマ処
理方法においては、ガラス基板９が基板載置面１１ａの
凹面形状に沿って変形し、しかもガラス基板９の周辺部
がクランプされるから、基板載置ステージ１１とガラス
基板９との間にＨｅガスを供給したとしても、ガラス基
板９が基板載置ステージ１１に対して凸に反ることがな
く、ガラス基板９が基板載置ステージ１１の基板載置面
１１ａに密着した状態となる。このため、基板載置ステ
ージ１１とガラス基板９との間隔がガラス基板９の全面
で均一になるから、ガラス基板９の表面の温度分布が均
一になり、また基板載置ステージ１１に高周波電力を印
加したとき、ガラス基板９の全面に高周波電流が均一に
流れるので、ガラス基板９の近傍のプラズマ密度（イオ
ンやラジカルの密度）やガラス基板９へ入射するイオン
エネルギがガラス基板９の全面で均一になる。したがっ
て、ガラス基板９が大型化したとしても、プラズマ処理
をガラス基板９の全面で均一に行なうことができる。ゆ
えに、たとえばドライエッチング処理の場合には、エッ
チング速度の分布、パターン精度、下地膜やマスクとの
選択比を向上することができる。また、ガラス基板９の
中央部の温度が高くなることがないから、ガラス基板９
上に形成されたエッチングレジストが軟化することがな
いので、高電力の高周波電力を印加することができるた
め、スループットが向上する。また、ガラス基板９の中
央部と周辺部とのプラズマ処理の差が小さいから、プラ
ズマ処理条件が多少変化しても適切に処理することがで
きるので、プロセスの安定性が向上する。
理方法においては、ガラス基板９が基板載置面１１ａの
凹面形状に沿って変形し、しかもガラス基板９の周辺部
がクランプされるから、基板載置ステージ１１とガラス
基板９との間にＨｅガスを供給したとしても、ガラス基
板９が基板載置ステージ１１に対して凸に反ることがな
く、ガラス基板９が基板載置ステージ１１の基板載置面
１１ａに密着した状態となる。このため、基板載置ステ
ージ１１とガラス基板９との間隔がガラス基板９の全面
で均一になるから、ガラス基板９の表面の温度分布が均
一になり、また基板載置ステージ１１に高周波電力を印
加したとき、ガラス基板９の全面に高周波電流が均一に
流れるので、ガラス基板９の近傍のプラズマ密度（イオ
ンやラジカルの密度）やガラス基板９へ入射するイオン
エネルギがガラス基板９の全面で均一になる。したがっ
て、ガラス基板９が大型化したとしても、プラズマ処理
をガラス基板９の全面で均一に行なうことができる。ゆ
えに、たとえばドライエッチング処理の場合には、エッ
チング速度の分布、パターン精度、下地膜やマスクとの
選択比を向上することができる。また、ガラス基板９の
中央部の温度が高くなることがないから、ガラス基板９
上に形成されたエッチングレジストが軟化することがな
いので、高電力の高周波電力を印加することができるた
め、スループットが向上する。また、ガラス基板９の中
央部と周辺部とのプラズマ処理の差が小さいから、プラ
ズマ処理条件が多少変化しても適切に処理することがで
きるので、プロセスの安定性が向上する。
【００１３】なお、上述実施の形態においては、基板が
ガラス基板９の場合について説明したが、基板は薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）基板のみならずカラーフィルタ基
板の場合にも本発明を適用することができる。また、上
述実施の形態においては、基板載置ステージ１１に高周
波電力を印加したが、対向電極に高周波電力を印加して
もよい。また、上述実施の形態においては、伝熱ガスと
してＨｅガスを用いたが、伝熱ガスとして他のガスを用
いてもよい。また、本発明はドライエッチング処理のみ
ならずプラズマＣＶＤ処理やスパッタ成膜処理などに適
用することができる。また、マイクロ波によってプラズ
マを生成するプラズマ処理装置において、基板入射エネ
ルギーを制御するために基板載置ステージに高周波電力
を印加する場合にも、本発明を適用することができる。
ガラス基板９の場合について説明したが、基板は薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）基板のみならずカラーフィルタ基
板の場合にも本発明を適用することができる。また、上
述実施の形態においては、基板載置ステージ１１に高周
波電力を印加したが、対向電極に高周波電力を印加して
もよい。また、上述実施の形態においては、伝熱ガスと
してＨｅガスを用いたが、伝熱ガスとして他のガスを用
いてもよい。また、本発明はドライエッチング処理のみ
ならずプラズマＣＶＤ処理やスパッタ成膜処理などに適
用することができる。また、マイクロ波によってプラズ
マを生成するプラズマ処理装置において、基板入射エネ
ルギーを制御するために基板載置ステージに高周波電力
を印加する場合にも、本発明を適用することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマ処理装置、プラズマ処理方法においては、基板が基
板載置ステージの基板載置面に密着した状態となるか
ら、基板の表面の温度分布が均一になり、また基板の全
面に高周波電流が均一に流れるので、プラズマ処理を基
板の全面で均一に行なうことができる。
ズマ処理装置、プラズマ処理方法においては、基板が基
板載置ステージの基板載置面に密着した状態となるか
ら、基板の表面の温度分布が均一になり、また基板の全
面に高周波電流が均一に流れるので、プラズマ処理を基
板の全面で均一に行なうことができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す概略断面
図である。
図である。
【図２】従来のプラズマ処理装置を示す概略断面図であ
る。
る。
９…ガラス基板 １１…基板載置ステージ １１ａ…基板載置面 １３…温調器 １８…伝熱ガス供給装置 ２５…基板クランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/205 21/205 21/3065 21/31 Ｃ 21/31 21/68 Ｎ 21/68 21/302 Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】温度制御が可能な基板載置ステージと、上
記基板載置ステージと基板との間に伝熱ガスを供給する
伝熱ガス供給装置とを有するプラズマ処理装置におい
て、上記基板載置ステージの基板載置面を凹面形状に
し、上記基板の周辺部をクランプする基板クランプを設
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】温度制御が可能な基板載置ステージと基板
との間に伝熱ガスを供給するプラズマ処理方法におい
て、上記基板載置ステージの凹面形状の基板載置面上に
上記基板を載置し、上記基板の周辺部を基板クランプに
よりクランプすることを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13165696A JPH09320799A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP13165696A JPH09320799A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (1)
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| JPH09320799A true JPH09320799A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15063160
Family Applications (1)
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| JP13165696A Pending JPH09320799A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH09320799A (ja) |
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1996
- 1996-05-27 JP JP13165696A patent/JPH09320799A/ja active Pending
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