TWI494995B - Buffer plate and substrate processing device - Google Patents
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Description
本發明，係有關於在基板之電漿處理等中所被使用的緩衝板及基板處理裝置。
從先前技術起，例如在半導體裝置之製造工程中，係使用有在處理腔內而收容半導體晶圓或是液晶顯示裝置用之玻璃基板等的基板並施加特定之處理的基板處理裝置。作為此種基板處理裝置，例如，係週知有：在處理腔內設置用以載置基板之載置台，同時，以與此載置台相對向的方式而設置用以供給處理氣體之噴淋頭，而構成為朝向被載置於載置台上之基板來供給處理氣體者。又，亦週知有：以包圍載置台之周圍的方式來設置具備有複數之排氣孔(圓孔、長孔、角孔等)之緩衝板(亦稱為排氣平板)，並經由此緩衝板之排氣孔，來進行處理腔內之排氣者。
在上述構成之基板處理裝置中，係藉由經由被設置在載置台之周圍的緩衝板來從載置台之周圍而進行排氣，來將處理腔內之壓力以及處理氣體的氣體流均一化，而謀求基板面之處理的均一化。又，在使電漿於處理腔內產生並進行基板之處理的基板處理裝置中，經由設置上述之緩衝板，或是經由對此緩衝板來施加電壓，而對於處理空間之電漿的漏洩作防止一事，係為週知(例如，參考專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2004-6574號公報
如上述一般，在先前技術中，係藉由在載置台之周圍處設置具備有複數之排氣孔的緩衝板，而進行載置台之周圍的排氣之均一化、和電漿之密閉等。然而，當使用有如同上述一般之緩衝板的情況時，在基板上之處理空間處，由於係被形成有從基板之中央部起而朝向週邊緣部之處理氣體的氣體流，因此，會發生例如在基板之週邊緣部處的處理速度相較於基板之中央部等係為較遲等之會造成處理之均一性之降低的事態，並成為課題。
本發明，係為了對於上述先前技術之問題作對應所進行者，其目的，係在於提供一種相較於先前技術而能夠謀求均一性之提升的緩衝板以及基板處理裝置。
申請項1中所記載之緩衝板，係為在內部而對基板進行處理之處理腔內，被設置在用以載置前述基板之載置台的周圍，並具備有複數之排氣孔，而用以經由此些之排氣孔來從前述處理腔內作排氣之緩衝板，其特徵為：該緩衝板，係為將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於內部處，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通路。
申請項2中所記載之緩衝板，係在申請項1所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係被構成為從緩衝板上側面來朝向上方而供給前述壓力調整用氣體。
申請項3中所記載之緩衝板，係在申請項1所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係被構成為從緩衝板下側面來朝向下方而供給前述壓力調整用氣體。
申請項4中所記載之緩衝板，係在申請項1所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係被構成為對於前述排氣孔內而供給前述壓力調整用氣體。
申請項5中所記載之緩衝板，係在申請項1～4中之任一項所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係被設為能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
申請項6中所記載之緩衝板，係在申請項1～5中之任一項所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係構成為：作為前述壓力調整用氣體，而供給氬氣或是氮氣。
申請項7中所記載之緩衝板，係在申請項1～6中之任一項所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係更進而具備有：被設為可供給高頻電力、或是設定為特定之電位的電極。
申請項8中所記載之緩衝板，係在申請項1～7中之任一項所記載之緩衝板中，具備有以下特徵：係更進而具備有溫度調節機構。
申請項9中所記載之基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理腔，係於內部而對基板進行處理；和載置台，係被設置在前述處理腔內，並用以載置前述基板；和處理氣體供給機構，係對前述處理腔內供給處理氣體；和緩衝板，係設在前述載置台周圍，具備有複數之排氣孔，而用以經由此些之排氣孔來從前述處理腔內作排氣之緩衝板，且該緩衝板，係為將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於內部處，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通路。
申請項10中所記載之基板處理裝置，係在申請項9所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：係被構成為從緩衝板上側面來朝向上方而供給前述壓力調整用氣體。
申請項11中所記載之基板處理裝置，係在申請項9所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：係被構成為從緩衝板下側面來朝向下方而供給前述壓力調整用氣體。
申請項12中所記載之基板處理裝置，係在申請項9所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：係被構成為對於前述排氣孔內而供給前述壓力調整用氣體。
申請項13中所記載之基板處理裝置，係在申請項9～12中之任一項所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：係被設為能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
申請項14中所記載之基板處理裝置，係在申請項9～13中之任一項所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：係構成為：作為前述壓力調整用氣體，而供給氬氣或是氮氣。
申請項15中所記載之基板處理裝置，係在申請項9～14中之任一項所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：前述緩衝板，係更進而具備有：被設為可供給高頻電力、或是設定為特定之電位的電極。
申請項16中所記載之基板處理裝置，係在申請項9～15中之任一項所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：前述緩衝板，係更進而具備有溫度調節機構。
申請項17中所記載之基板處理裝置，係在申請項9～16中之任一項所記載之基板處理裝置中，具備有以下特徵：前述基板之處理，係為電漿蝕刻處理。
若藉由本發明，則能夠提供一種緩衝板以及基板處理裝置，其係相較於先前技術，而能夠謀求處理之均一性的提升，同時，能夠謀求裝置之小型化。
以下，參考圖面，針對本發明之實施型態作說明。圖1，係為對於本實施形態之緩衝板以及作為基板處理裝置之電漿蝕刻裝置1的構成作展示者。
電漿蝕刻裝置1，係將內部設為可氣密的作閉塞，並在內部具備有用以對於基板(在本實施形態中，係為半導體晶圓W)作處理之處理腔2。此處理腔2，例如係由表面被作了陽極氧化處理之鋁等所成，並被形成為略圓筒形狀，而此處理腔2，係被作電性接地。又，在處理腔2之側壁部處，係被設置有用以將半導體晶圓W在處理腔2內作搬入搬出之開口、和用以將此開口氣密地作閉塞的閘閥(均未圖示)。
在上述處理腔2內，係被設置有：將半導體晶圓W作載置，且作為下部電極而起作用之晶座(載置台)3。又，在此晶座3處，係被設置有：用以將半導體晶圓W作吸著之靜電吸盤、和用以將半導體晶圓W控制在特定溫度之調溫機構等。
在上述處理腔2之頂面部處，係以與上述晶座3相對向之方式而被設置有噴淋頭4。此噴淋頭4，係成為將從未圖示之處理氣體供給源所供給而來之處理氣體，以噴淋狀來朝向被載置於晶座3上之半導體晶圓W作供給，經由此噴淋頭4以及處理氣體供給源等，而構成處理氣體供給機構。
又，噴淋頭4，係作為與晶座3作對向配置之對向電極(上部電極)而起作用，並與晶座3(下部電極)而一同構成一對之對向電極。在晶座3處，係經由被配置於其之中央部下側處的供電部3a，而被連接有至少1個的未圖示之高頻電源。另一方面，噴淋頭4，係被連接於接地電位。
處理腔2內之較晶座3更為上側的空間，係成為產生電漿並經由此電漿來進行半導體晶圓W之處理的處理空間2a。又，在處理腔2之較晶座3更為下側之部分處，係被形成有從晶座3之週邊部而朝向下方延伸之環狀的排氣空間2b。又，在晶座3之周圍處，係以將上述之處理空間2a與排氣空間2b作區隔的方式，而被設置有緩衝板5。此緩衝板5之外週部，係被固定在處理腔2之內壁的部分處，而內週部，係被固定在晶座3之下側的部分處。
圖2，係為緩衝板5之上面圖，如同此圖2中所示一般，緩衝板5，其外形係被形成為略環狀。又，如同在圖1中之下部處而作擴大展示一般，於此緩衝板5處，係被形成有將該緩衝板5於上下方向作貫通之複數的排氣孔5a。如同圖2中所示一般，在本實施形態中，排氣孔5a係被設為圓孔(直徑係例如為1mm～數mm左右)，但是，排氣孔5a之形狀，係並不被限定為圓孔，而亦可為長孔、角孔等一般之形狀，且其大小亦並不被限定於上述之大小。而，經由此些之排氣孔5a，而成為藉由被連接於處理腔2之排氣空間2b處的未圖示之渦輪分子幫浦等之真空幫浦，來將處理腔2(處理空間2a)內作真空排氣。
又，在上述緩衝板5處，係作為壓力調整用氣體供給機構，而被形成有壓力調整用氣體供給通路50。如同在圖1中之下部左側處而作擴大展示一般，此壓力調整用氣體供給通路50，係經由在緩衝板5之內週部的特定位置處而被設置有1個的氣體導入部50a、和被與氣體導入部50a相連接並沿著緩衝板5之內週部而被形成為環狀的內週側氣體供給通路50b、和從內週側氣體供給通路50b而以輻射狀來延伸存在於外週方向上之複數的徑方向氣體供給通路50c、和從此徑方向氣體供給通路50c而朝向上方來延伸存在，並在緩衝板5之上側面處開口之複數的厚度方向氣體供給通路50d所構成。厚度方向氣體供給通路50d，係如圖2中所示一般，被設置在排氣孔5a之間，且在緩衝板5之全面上均一地被分散並配置有多數。圖3，係為對上述之內周側氣體供給通路50b、徑方向氣體供給通路50c以及厚度方向氣體供給通路50d之位置關係的概略作模式性展示者。
在如同上述一般所構成的壓力調整用氣體供給通路50中，從未圖示之壓力調整用氣體供給源而供給至氣體導入部50a處之壓力調整用氣體(例如，氬氣或是氮氣)，係成為通過內週側氣體供給通路50b、徑方向氣體供給通路50c、厚度方向氣體供給通路50d，來從被形成在緩衝板5之上側面處的多數之開口(厚度方向氣體供給通路50d之開口)而朝向上方來放出。上述之壓力調整用氣體供給通路50，係經由將被形成有氣體供給通路用之溝以及孔的複數之板狀構件作層積而被構成，緩衝板5，係具備有層積構造。另外，在本實施形態中，構成壓力調整用氣體供給通路50之板狀構件，係由於後述之理由，而為由絕緣材所構成。
又，在本實施形態中，如同在圖1中之下部處作擴大展示一般，於緩衝板5處，作為溫度調節機構之加熱器51、和電極52，係在上述之壓力調整用氣體供給通路50的下層側處，而以挾持絕緣層53地作層槓的方式而被設置。又，緩衝板5之表面，亦係被絕緣層53所覆蓋。故而，緩衝板5，至少其之上面側，係成為層積由絕緣材所成之複數的板狀構件並於其間而包挾金屬製之加熱器51以及電極52的層積構造。圖4，係為對由金屬製之電阻發熱加熱器所成的加熱器51之圖案例的概略作模式性展示者，圖5，係為對電極52之圖案例的概略作模式性展示者。
如圖4中所示一般，加熱器51，係以避開上述之排氣孔5a之配置位置的方式而被作配置，在圖4所示之例中，係成為彎曲成矩形狀之圖案。另外，在圖4(以及圖1)中，51a，係為用以對加熱器51作供電之加熱器供電部。又，如圖5中所示一般，電極52，係避開上述之排氣孔5a的配置位置，而以佔據排氣孔5a以外之部分的方式而被作配置。電極52，係被連接於高頻電源並被使用在高頻電力供給中，或者是被設定為接地電位等之特定電位。另外，在圖5中，52a，係為電極52被連接於高頻電源等處的RF連接部。
圖7中，係展示將電極52連接於高頻電源或者是設為了接地電位等之特定電位的情況時之等價電路之構成。如圖7中所示一般，等價電路之電漿100，係具備有電漿阻抗Zp。電漿鞘部110，係作為將代表鞘部份之電容的電容器、和代表在邊界處而電流之流動被作了限制一事之二極體、以及接收離子之電阻，作了並聯連接的電路而作展示。在緩衝板5處，係被連接有整合器150以及高頻電源151，又，係成為能夠經由切換器152、153來與高頻電源151相切斷並設定為接地電位等之特定電位。又，可在緩衝板5之表面處設置露出電極155，而構成自我偏壓電壓測定電路。於此情況，緩衝板5，係作為將代表藉由絕緣構件而被作了覆蓋之電極52的電容器、和代表露出電極155之電阻，作了並聯連接之電路而展示。而後，對整合器150之部分的電壓作測定，並顯示在顯示器154處。
當經由上述構成之電漿蝕刻裝置1而進行半導體晶圓W之電漿蝕刻的情況時，首先，半導體晶圓W係從未圖示之搬入搬出口而被搬入至處理腔2內，並被載置在晶座3上。而後，半導體晶圓W係經由靜電吸盤而被作靜電吸著。接著，搬入搬出口係被關閉，經由真空幫浦，處理腔2內係被真空抽氣至特定之真空度。
而後，特定流量之特定的處理氣體(蝕刻氣體)，係從噴淋頭4而以噴淋狀來供給至晶座3上之半導體晶圓W處。另一方面，氬氣或是氮氣等之壓力調整用氣體，係從緩衝板5之壓力調整用氣體供給通路50而被供給至處理腔2內。此壓力調整用氣體，係為用以對處理腔2內(特別是半導體晶圓W所被配置之處理空間2a內)之壓力進行調整者，若是使此壓力調整用氣體之流量增加，則處理空間2a內之壓力係增加，而若是使壓力調整用氣體之流量減少，則處理空間2a內之壓力係減少。相較於在先前技術中所進行之由排氣系之閥所致的壓力調整，此種壓力調整用氣體之氣體流量之調整所致的壓力調整，係能夠迅速地而以良好精確度來進行，且亦能夠容易地進行微調整。另外，藉由如同上述一般地經由壓力調整用氣體之流量來對壓力作調整，亦成為能夠將在先前技術中所使用之APC(自動壓力控制機)省略。
又，此時，壓力調整用氣體，由於係被供給至半導體晶圓W所被配置之處理空間2a內的半導體晶圓W周圍之空間處，而並不被供給至半導體晶圓W之正上方的空間處，因此，能夠對於在半導體晶圓W之正上方的空間內之會對於半導體晶圓W之處理有所影響的處理氣體被稀釋一事作抑制。
而後，在使處理腔2內之壓力被維持在特定之壓力後，在晶座3處施加特定頻率(例如13.56MHz)之高頻電力。藉由此，在作為上部電極之噴淋頭4和作為下部電極之晶座3之間，係產生高頻電場，而蝕刻氣體係解離並電漿化。經由此電漿，在半導體晶圓W處係被進行有特定之蝕刻處理。
在此蝕刻處理中，經由從緩衝板5之壓力調整用氣體供給通路50而供給至半導體晶圓W之周圍空間處的壓力調整用氣體，半導體晶圓W之周圍空間的壓力，相較於半導體晶圓W之正上方空間的壓力，係為上升，並能夠對於處理空間2a內所形成之電漿而對此電漿賦予朝向半導體晶圓W之正上方空間方向的壓力。藉由此，能夠對於朝向半導體晶圓W之周圍空間的電漿之擴散作抑制，而能夠對於在半導體晶圓W之週邊緣部處的處理速度之降低等的處理之面內均一性的降低作抑制。
又，除此之外，若是對緩衝板5之電極52施加高頻電力，則能夠將緩衝板5之上部的空間(亦即是半導體晶圓W之周圍空間)的電漿密度提升，藉由此，能夠對於在半導體晶圓W之週邊緣部處的處理速度之降低等的處理之面內均一性的降低作更進一步的抑制。
又，係能夠對於加熱器51通電，並將緩衝板5之上部的空間(亦即是半導體晶圓W之周圍空間)的溫度提高，藉由此，能夠對於在半導體晶圓W之週邊緣部處的處理速度之降低等的處理之面內均一性的降低作更進一步的抑制。
而後，若是特定之電將蝕刻處理結束，則停止高頻電力之施加、處理氣體之供給以及壓力調整用氣體之供給，並藉由與上述之處理程序相反的程序，來將半導體晶圓W從處理腔2內搬出。
如上述一般，若藉由本實施形態之緩衝板5以及使用有此緩衝板5之電漿蝕刻裝置1，則能夠對於處理腔2內之半導體晶圓W的周圍以及半導體晶圓W之週邊緣部的上方之電漿的狀態作調整，並主要能夠對於半導體晶圓W之週邊緣部的處理狀態作控制。藉由此，能夠對於在半導體晶圓W之週邊緣部處的處理速度之降低等的處理之面內均一性的降低作抑制。又，相較於在先前技術中所進行之由排氣系之閥所致的壓力調整，此種壓力調整用氣體之氣體流量之調整所致的壓力調整，係能夠迅速地而以良好精確度來進行，且亦能夠容易地進行微調整。
另外，在上述實施形態中，雖係針對設為了從緩衝板5而朝向上方來供給壓力調整用氣體之構成來作了說明，但是，亦可構成為從緩衝板5來朝向下方而供給壓力調整用氣體，又，亦可構成為從排氣孔5a之側壁部來對於緩衝板5之排氣孔5a內來供給壓力調整用氣體的構成。
又，在上述實施形態中，雖係設為對於緩衝板5全體而從1系統之壓力調整用氣體供給通路50來供給壓力調整用氣體，但是，亦可設為如圖6中所示一般，將緩衝板5分割為沿著載置台3之週邊方向的複數之區域(在圖6所示之例中，例如係分割為A～D之4個的區域)，並在此些之4個的區域A～D處分別設置另外系統之壓力調整用氣體供給通路，而能夠藉由各別相異之流量來供給壓力調整用氣體。若藉由此種構成，則當例如排氣用之渦輪分子幫浦係相對於處理腔2之中心軸而被偏芯配置，而處理腔2內之排氣係成為不均一的情況時，例如當接近於渦輪分子幫浦之區域的壓力係變低，而從渦輪分子幫浦遠離之區域的壓力係變高的情況等時，藉由將對於各別之區域所供給的壓力調整用氣體之供給量作變更(將壓力為低之區域的壓力調整用氣體之供給量設為較壓力為高之區域的壓力調整用氣體之供給量更多)，能夠將處理腔2內之壓力均一化。藉由此，能夠對於由於半導體晶圓W之週方向的位置差異所致之處理之面內均一性的降低作抑制。
另外，本發明係並不被限定於上述之實施形態，而可作各種之變形。例如，在上述實施形態中，雖係針對將本發明適用在電漿蝕刻裝置中的情況而作了說明，但是，係並不被限定為電漿蝕刻裝置，而亦可適用在CVD裝置等之成膜裝置或是其他之基板處理裝置中。又，在上述實施形態中，雖係針對將噴淋頭設為接地電位的情況而作了說明，但是，針對對於噴淋頭而施加高頻電力之形態的基板處理裝置，係亦可作適用。
1．．．電漿蝕刻裝置
2．．．處理腔
3．．．晶座(載置台)
4．．．噴淋頭
5．．．緩衝板
50．．．壓力調整用氣體供給通路
51．．．加熱器
52．．．電極
[圖1]展示本發明之其中一種實施形態的電漿蝕刻裝置之構成的圖。
[圖2]對圖1之電漿蝕刻裝置的緩衝板之上面構成作展示的圖。
[圖3]對圖1之電漿蝕刻裝置的緩衝板之重要部分構成作展示的圖。
[圖4]對圖1之電漿蝕刻裝置的緩衝板之重要部分構成作展示的圖。
[圖5]對圖1之電漿蝕刻裝置的緩衝板之重要部分構成作展示的圖。
[圖6]對本發明之第2實施形態的緩衝板之構成作展示的圖。
[圖7]對於將電極連接於高頻電源或者是設為了接地電位等之特定電位的情況時之等價電路作展示的圖。
1．．．電漿蝕刻裝置
2．．．處理腔
2a．．．處理空間
2b．．．排氣空間
3．．．晶座(載置台)
3a．．．供電部
4．．．噴淋頭
5．．．緩衝板
5a．．．排氣孔
50．．．壓力調整用氣體供給通路
50a．．．氣體導入部
50b．．．內週側氣體供給通路
50c．．．徑方向氣體供給通路
50d．．．厚度方向氣體供給通路
51．．．加熱器
51a．．．加熱器供電部
52．．．電極
53．．．絕緣層
W．．．半導體晶圓
Claims (16)
- 一種緩衝板，係為在內部而對基板進行處理之處理腔內，被設置在用以載置前述基板之載置台的周圍，並具備有複數之排氣孔，而用以經由此些之排氣孔來從前述處理腔內作排氣之緩衝板，其特徵為：該緩衝板，係為將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於前述板狀構件之內部，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通路。
- 一種緩衝板，係為在內部而對基板進行處理之處理腔內，被設置在用以載置前述基板之載置台的周圍，並具備有複數之排氣孔，而用以經由此些之排氣孔來從前述處理腔內作排氣之緩衝板，其特徵為：該緩衝板，係為將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於內部，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通路，且被設為能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之緩衝板，其中，係被構成為從緩衝板上側面來朝向上方而供給前述壓力調整用氣體。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之緩衝板，其中，係被構成為從緩衝板下側面來朝向下方而供給前述壓 力調整用氣體。
- 如申請專利範圍第1或2項所記載之緩衝板，其中，係被構成為對前述排氣孔內來供給前述壓力調整用氣體。
- 如申請專利範圍第1項所記載之緩衝板，其中，係被設為能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
- 如申請專利範圍第1、2、6項中之任一項所記載之緩衝板，其中，係更進而具備有：被設為可供給高頻電力、或是設定為特定之電位的電極。
- 如申請專利範圍第1、2、6項中之任一項所記載之緩衝板，其中，係更進而具備有溫度調節機構。
- 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理腔，係於內部而對基板進行處理；和載置台，係被設置在前述處理腔內，並用以載置前述基板；和處理氣體供給機構，係對前述處理腔內供給處理氣體；和緩衝板，係具備有複數之排氣孔，設在前述載置台周圍，經由前述排氣孔來排氣前述處理腔內之緩衝板；前述緩衝板，係將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於前述板狀構件之內部，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通 路。
- 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理腔，係於內部而對基板進行處理；和載置台，係被設置在前述處理腔內，並用以載置前述基板；和處理氣體供給機構，係對前述處理腔內供給處理氣體；和緩衝板，係具備有複數之排氣孔，設在前述載置台周圍，經由前述排氣孔來排氣前述處理腔內之緩衝板；前述緩衝板，係將複數之板狀構件作了層積之層積體所成，並於前述板狀構件之內部，形成有用以供給對於前述處理腔內之壓力作調整的壓力調整用氣體之壓力調整用氣體供給通路；而且，能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
- 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中，係被構成為從緩衝板上側面來朝向上方而供給前述壓力調整用氣體。
- 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中，係被構成為從緩衝板下側面來朝向下方而供給前述壓力調整用氣體。
- 如申請專利範圍第9或10項所記載之基板處理裝置，其中，係被構成為對前述排氣孔內來供給前述壓力調 整用氣體。
- 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理裝置，其中，係被設為能夠對於沿著前述載置台之周方向的複數之區域的每一者來獨立地控制前述壓力調整用氣體之供給量。
- 如申請專利範圍第9、10、14項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述緩衝板，係更進而具備有：被設為可供給高頻電力、或是設定為特定之電位的電極。
- 如申請專利範圍第9、10、14項中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述緩衝板係更進而具備有溫度調節機構。
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Families Citing this family (30)
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|---|---|---|---|---|
| JP5347294B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
| US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
| JP5350043B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5597463B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9184028B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
| US8869742B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
| US9095038B2 (en) * | 2011-10-19 | 2015-07-28 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | ICP source design for plasma uniformity and efficiency enhancement |
| KR20130086806A (ko) * | 2012-01-26 | 2013-08-05 | 삼성전자주식회사 | 박막 증착 장치 |
| US9546422B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-01-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing method including a cleaning method |
| CN103377979B (zh) * | 2012-04-30 | 2016-06-08 | 细美事有限公司 | 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置 |
| KR101505536B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2015-03-25 | 피에스케이 주식회사 | 배플 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
| US20140051253A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Lam Research Corporation | Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use |
| US9546420B1 (en) * | 2012-10-08 | 2017-01-17 | Sandia Corporation | Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature |
| US9328420B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-05-03 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| US9117670B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| WO2015023435A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors |
| US20150047785A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Lam Research Corporation | Plasma Processing Devices Having Multi-Port Valve Assemblies |
| JP6423706B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| TWI708131B (zh) * | 2015-10-09 | 2020-10-21 | 美商蘭姆研究公司 | 具有多埠閥組件之電漿處理裝置 |
| WO2018034715A1 (en) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Mattson Technology, Inc. | Separation grid for plasma chamber |
| CN106591941A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-04-26 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种硅外延反应腔室 |
| US20190119815A1 (en) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Applied Materials, Inc. | Systems and processes for plasma filtering |
| JP6575641B1 (ja) * | 2018-06-28 | 2019-09-18 | 株式会社明電舎 | シャワーヘッドおよび処理装置 |
| US11415147B2 (en) * | 2019-05-28 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Pumping liner for improved flow uniformity |
| KR102290909B1 (ko) * | 2019-08-30 | 2021-08-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법 |
| WO2021257773A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition lid |
| US20220084845A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
| KR20220148996A (ko) * | 2021-04-29 | 2022-11-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 한정 링, 이를 포함하는 반도체 제조 장비 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163467A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
| CN1647256A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-07-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其隔板 |
| CN1767146A (zh) * | 2004-10-21 | 2006-05-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的压力控制方法 |
Family Cites Families (74)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590042A (en) * | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5433780A (en) * | 1992-11-20 | 1995-07-18 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination |
| US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US6391147B2 (en) * | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US5605637A (en) * | 1994-12-15 | 1997-02-25 | Applied Materials Inc. | Adjustable dc bias control in a plasma reactor |
| JP3208044B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2001-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TW323387B (zh) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3477953B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2003-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| TW303480B (en) * | 1996-01-24 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer |
| JP3341619B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2002-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US6120605A (en) * | 1998-02-05 | 2000-09-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing system |
| JP4217299B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5997589A (en) * | 1998-07-09 | 1999-12-07 | Winbond Electronics Corp. | Adjustment pumping plate design for the chamber of semiconductor equipment |
| US6228173B1 (en) * | 1998-10-12 | 2001-05-08 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system |
| US6178919B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
| US7515264B2 (en) * | 1999-06-15 | 2009-04-07 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| US6586343B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for directing constituents through a processing chamber |
| JP4592856B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及びガス処理装置 |
| JP3996771B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2007-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP4896337B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置およびそのメンテナンス方法，処理装置部品の組立機構およびその組立方法，ロック機構およびそのロック方法 |
| US6531069B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections |
| US20020038791A1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-04 | Tomohiro Okumura | Plasma processing method and apparatus |
| US20040020599A1 (en) * | 2000-12-27 | 2004-02-05 | Sumi Tanaka | Treating device |
| US6527911B1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Configurable plasma volume etch chamber |
| KR100431660B1 (ko) * | 2001-07-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치 |
| JP4137419B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| DE10153463A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-15 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten |
| JP4129855B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2008-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4047616B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6921556B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-07-26 | Asm Japan K.K. | Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD |
| TW535991U (en) * | 2002-05-24 | 2003-06-01 | Winbond Electronics Corp | Barrier device |
| US7686918B2 (en) * | 2002-06-21 | 2010-03-30 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| US6963043B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-11-08 | Tokyo Electron Limited | Asymmetrical focus ring |
| US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| JP3905466B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2007-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP4317701B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2009-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理結果の予測方法及び予測装置 |
| JP4173389B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2004095530A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | Adjoining adjacent coatings on an element |
| US20040261712A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-12-30 | Daisuke Hayashi | Plasma processing apparatus |
| JP4493932B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極及びプラズマ処理装置 |
| US7461614B2 (en) * | 2003-11-12 | 2008-12-09 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| JP4448335B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2010-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US8236105B2 (en) * | 2004-04-08 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber |
| US7951262B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
| US7845309B2 (en) * | 2004-07-13 | 2010-12-07 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| US7592569B2 (en) * | 2004-10-21 | 2009-09-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, pressure control method for substrate processing apparatus and recording medium having program recorded therein |
| US8058186B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Components for substrate processing apparatus and manufacturing method thereof |
| US7767055B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus |
| US7552521B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| US20060169209A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-03 | Tokyo Electon Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program for implementing the method |
| US7416635B2 (en) * | 2005-03-02 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Gas supply member and plasma processing apparatus |
| US8366829B2 (en) * | 2005-08-05 | 2013-02-05 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Multi-station decoupled reactive ion etch chamber |
| US7883579B2 (en) * | 2005-12-14 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus |
| US20070215284A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode assembly for plasma processing apparatus |
| US8006640B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US7416677B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Exhaust assembly for plasma processing system and method |
| KR100864868B1 (ko) | 2006-10-25 | 2008-10-23 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착장치 |
| JP5032269B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 |
| US8075728B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber |
| JP5264231B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5222598B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び給電棒 |
| JP2009239012A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 |
| JP5348919B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極構造及び基板処理装置 |
| JP2009245988A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法 |
| US7987814B2 (en) * | 2008-04-07 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance |
| JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
| JP5274918B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のチャンバー内部材の温度制御方法、チャンバー内部材及び基板載置台、並びにそれを備えたプラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-06-23 JP JP2008163175A patent/JP5102706B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-12 US US12/483,545 patent/US8152925B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-22 TW TW098120857A patent/TWI494995B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-23 CN CN2009101504758A patent/CN101615575B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-23 KR KR1020090055946A patent/KR101071513B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163467A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | エッチング装置 |
| CN1647256A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-07-27 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其隔板 |
| CN1767146A (zh) * | 2004-10-21 | 2006-05-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的压力控制方法 |
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