JP6938746B1 - エッチング装置及びエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本実施形態にかかるエッチング装置について説明する。図1は、エッチング装置1の構成の概略を示す縦断面図である。図2は、エッチング装置1の電源系の説明図である。エッチング装置1は、容量結合型のエッチング装置である。エッチング装置1では、基板としてのウェハWに対してエッチングを行う。
次に、以上のように構成されたエッチング装置1を用いて行われるエッチングについて説明する。
次に、上述したエッチングにおいて、チルト角度を制御する方法について説明する。チルト角度は、ウェハWのエッジ領域へのイオンの入射方向の鉛直方向に対する傾き(角度)である。
先ず、直流電源60からの直流電圧の調整について説明する。直流電源60では、エッジリング14に印加する直流電圧が、自己バイアス電圧Vdcの絶対値と設定値ΔVの和をその絶対値として有する負極性の電圧、すなわち、−(|Vdc|+ΔV)に設定される。自己バイアス電圧Vdcは、ウェハWの自己バイアス電圧であり、一方又は双方の高周波電力が供給されており、且つ、直流電源60からの直流電圧が下部電極12に印加されていないときの下部電極12の自己バイアス電圧である。設定値ΔVは、制御部100によって与えられる。
次に、第2のRFフィルタ63のインピーダンスの調整について説明する。
以上のように本実施形態では、チルト角度の制御は、直流電源60からの直流電圧と、第2のRFフィルタ63のインピーダンスとを調整して、チルト角度を制御する。以下、この具体的なチルト角度の制御方法について説明する。
以上の実施形態では、直流電源60は、切替ユニット61、第1のRFフィルタ62、及び第2のRFフィルタ63を介して、エッジリング14に接続されていたが、エッジリング14に直流電圧を印加する電源系はこれに限定されない。例えば、直流電源60は、切替ユニット61、第2のRFフィルタ63、第1のRFフィルタ62、及び下部電極12を介して、エッジリング14に電気的に接続されていてもよい。かかる場合、下部電極12とエッジリング14は直接電気的に結合し、エッジリング14の自己バイアス電圧は下部電極12の自己バイアス電圧と同じになる。
以上の実施形態では、エッジリング14の消耗量に応じて、直流電源60からの直流電圧の調整を行ったが、直流電圧の調整タイミングはこれに限定されない。例えばウェハWの処理時間に応じて、直流電圧の調整を行ってもよい。或いは、例えばウェハWの処理時間と、例えば高周波電力等の予め定められたパラメータとを組み合わせて、直流電圧の調整タイミングを判断してもよい、
以上の実施形態では、直流電源60からの直流電圧の調整を行った後、第2のRFフィルタ63のインピーダンスの調整を行ったが、この順序は反対でもよい。すなわち、インピーダンスの調整を行った後、直流電圧の調整を行ってもよい。更に、直流電圧の調整とインピーダンスの調整を同時に行ってもよい。或いは、直流電圧の調整のみを行ってチルト角度を制御してもよいし、インピーダンスの調整のみを行ってチルト角度を制御してもよい。
次に、エッジリング14が静電チャック13に静電吸着される際のシーケンスについて説明する。このシーケンスでは、図13に示すようにエッチング装置1に設けられた、給気部300と排気部301が用いられる。給気部300は、配管310を介してエッジリング14面にガス、例えばヘリウムガスを供給する。排気部301は、配管310を介してエッジリング14の下面を真空引きする。配管310には、当該配管310の内部の圧力を測定する圧力センサ(図示せず)が設けられている。なお、図示の例では、接続部200は導体部材202を備えているが、接続部200は上述した他の接触構造を有していてもよい。
図14は、エッジリング14の仮吸着シーケンスのフローの一例を示す説明図である。なお、エッジリング14の仮吸着は、チャンバ10の内部が大気解放された状態で行われる。
図15は、エッジリング14の本吸着シーケンスのフローの一例を示す説明図である。なお、エッジリング14の本吸着は、仮吸着後、チャンバ10の内部が所望の真空度まで減圧された状態で行われる。
以上の実施形態では、第2のRFフィルタ63のインピーダンスを可変にしたが、第1のRFフィルタ62のインピーダンスを可変にしてもよいし、RFフィルタ62、63の両方のインピーダンスを可変にしてもよい。また、以上の実施形態では、直流電源60に対して2つのRFフィルタ62、63を設けたが、RFフィルタの数はこれに限定されず、例えば1つであってもよい。
以上の実施形態のエッチング装置1は容量結合型のエッチング装置であったが、本開示が適用されるエッチング装置はこれに限定されない。例えばエッチング装置は、誘導結合型のエッチング装置であってもよい。
10 チャンバ
11 ステージ
12 下部電極
13 静電チャック
14 エッジリング
50 第1の高周波電源
51 第2の高周波電源
62 第1のRFフィルタ
63 第2のRFフィルタ
W ウェハ
Claims (19)
- 基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、前記電極上に設けられた静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記チャンバの内部のガスからプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記基板支持体に接続される基板バイアス用高周波電源と、
インピーダンスを変更可能なRFフィルタと、
制御部と、
を備え、
前記エッジリングと前記RFフィルタは、接続部を介して電気的に直接接続されており、
前記制御部は、前記インピーダンスを変更することにより、前記エッジリングに発生する電圧を変更可能に構成されており、
前記エッジリングには前記基板バイアス用高周波電源が接続されていない、エッチング装置。 - 基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、前記電極上に設けられた静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記チャンバの内部のガスからプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
インピーダンスを変更可能なRFフィルタと、
制御部と、
を備え、
前記エッジリングと前記RFフィルタは、接続部を介して電気的に直接接続されており、
前記制御部は、前記インピーダンスを変更することにより、前記エッジリングに発生する電圧を変更可能に構成されており、
前記エッジリングに接続されている前記RFフィルタは接地されている、エッチング装置。 - 基板にエッチングを行う装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、前記電極上に設けられた静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記チャンバの内部のガスからプラズマを生成するための高周波電力を供給するプラズマ生成用高周波電源と、
インピーダンスを変更可能なRFフィルタと、
制御部と、
を備え、
前記エッジリングと前記RFフィルタは、接続部を介して電気的に直接接続されており、
前記制御部は、前記インピーダンスを変更することにより、前記エッジリングに発生する電圧を変更可能に構成されており、
前記エッジリングには高周波電源が接続されていない、エッチング装置。 - 前記基板バイアス用高周波電源から供給される高周波バイアス電力の周波数は5MHz以下である、請求項1に記載のエッチング装置。
- 前記基板支持体に接続される基板バイアス用高周波電源を更に備え、
前記基板バイアス用高周波電源から供給される高周波バイアス電力の周波数は5MHz以下である、請求項2又は3に記載のエッチング装置。 - 前記接続部は、前記エッジリングと前記RFフィルタを接続する導体構造を備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記接続部は、前記エッジリングと前記導体構造の間に設けられた導体部材を更に備える、請求項6に記載のエッチング装置。
- 前記導体部材は弾性体であって、
前記導体部材の弾性力によって、前記エッジリングと前記導体構造との間に作用する接触圧力が調整される、請求項7に記載のエッチング装置。 - 前記接続部は、前記導体部材を複数備え、
複数の前記導体部材は、前記エッジリングと同心円上に等間隔に設けられている、請求項7又は8に記載のエッチング装置。 - 前記導体部材は、前記エッジリングと同心円上に環状に設けられている、請求項7又は8に記載のエッチング装置。
- 前記接続部は、前記エッジリングを前記導体構造側に挟み込んで、当該エッジリングと導体構造を接続するクランプ部材を更に備える、請求項6に記載のエッチング装置。
- 前記接続部は、前記導体構造において前記エッジリングと同心円上に環状に設けられた中継部材を更に備える、請求項6〜11のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記エッジリングはエッジリング支持体上に静電力によって吸着保持され、
前記静電力によって、前記エッジリングと前記導体構造との間に作用する接触圧力が調整される、請求項6〜12のいずれか一項に記載のエッチング装置。 - 前記エッジリングの下面にガスを供給する給気部と、
前記エッジリングの下面を真空引きする排気部と、
前記給気部と前記排気部を制御する制御部と、
を更に備え、
前記制御部は、前記エッジリングが前記静電チャック上に保持される際、前記エッジリングの下面に所望の圧力が作用するように前記給気部と前記排気部を制御する、請求項13に記載のエッチング装置。 - 前記インピーダンスが可変のRFフィルタは、第1のRFフィルタと第2のRFフィルタを含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記導電性のエッジリングは、Si又はSiCから構成される、請求項1〜15のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記RFフィルタは、前記インピーダンスを変更可能な1以上の可変素子を有する、請求項1〜16のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- 前記RFフィルタは、複数の素子と、前記複数の素子の組合せを変えることにより前記インピーダンスを変更可能な切替回路を有する、請求項1〜17のいずれか一項に記載のエッチング装置。
- エッチング装置を用いて基板にエッチングを行う方法であって、
前記エッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバの内部に設けられた基板支持体であり、電極と、前記電極上に設けられた静電チャックと、前記静電チャック上に載置された基板を囲むように配置される導電性のエッジリングとを有する前記基板支持体と、
前記チャンバの内部のガスからプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、
前記基板支持体に接続される基板バイアス用高周波電源と、
インピーダンスを変更可能なRFフィルタと、
を備え、
前記エッジリングと前記RFフィルタは、接続部を介して電気的に直接接続され、
前記エッジリングには前記基板バイアス用高周波電源が接続されておらず、
前記方法は、前記インピーダンスを変更することにより、前記エッジリングに発生する電圧を変更し、前記静電チャック上に載置される基板のエッジ領域におけるチルト角度を所望の値に補正する工程を含む、エッチング方法。
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