JP5492578B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Images
Description
10 チャンバ
11 サセプタ
25 静電チャック
25a 中心部
25b 外周部
25c,25d 電極板
26,28 直流電源
30 フォーカスリング
30a,30c 誘電体部
30b,30d 導電体部
30e 他の誘電体部
36,46 ガス供給ライン
46a ウエハ部ライン
46b フォーカスリング部ライン
44,45 伝熱ガス導入溝
44a,45a 内側導入溝
44b,45b 外側導入溝
Claims (7)
- プラズマ処理が施される被処理体を吸着する第1の電極、及び前記被処理体の周辺においてフォーカスリングを吸着する第2の電極を有する静電チャックと、
前記静電チャック及び前記フォーカスリングの接触面に設けられ、熱媒体が充填される溝であって該溝における隅角部がR形状に成形されている熱伝達部と、
前記第1の電極に印加される第1のチャック電圧及び前記第2の電極に印加される第2のチャック電圧を制御する制御部とを備え、
前記静電チャック及び前記フォーカスリングは前記被処理体の載置装置を構成し、
前記第1の電極は前記印加された前記第1のチャック電圧に起因する静電吸着力によって前記被処理体を吸着し、前記第2の電極は前記印加された前記第2のチャック電圧に起因する静電吸着力によって前記フォーカスリングを吸着し、
前記熱伝達部は、前記フォーカスリングの熱交換を行い、
前記制御部は、エッチング工程を含む複数の工程からなる前記プラズマ処理の各工程に応じて前記第2のチャック電圧を変更し、前記エッチング工程では高電圧を前記第2の電極に印加することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記充填される熱媒体の圧力を制御する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記プラズマ処理の各工程に応じて前記充填される熱媒体の圧力を変更することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極は、前記フォーカスリングに対向するように前記静電チャックに内包されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記フォーカスリングが前記溝を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記静電チャックが前記溝を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記溝の深さは0.1mm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記溝は、前記フォーカスリングと同心の環状を呈する少なくとも1つの溝から成ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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