JP6578215B2 - プラズマ処理装置、シールドリング、及び、シールドリング用部材 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置、シールドリング、及び、シールドリング用部材に関する。

フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用基板等の被処理体にエッチング等の処理を施すために、プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、上部電極と、上部電極に対向する下部電極と、を備えている。プラズマ処理装置は、上部電極と下部電極との間に高周波を印加することにより、上部電極と下部電極との間の処理空間にプラズマを発生させて、被処理体への処理を行う。このようなプラズマ処理装置において、下部電極の周縁部に、高周波電界を被処理体の上方に集中させるためのフォーカスリングを取り付ける技術が開示されている。

特開２００２−２４６３７０号公報 特開２０１０−０２８０７３号公報

本実施形態の目的は、歩留り低下の抑制が可能なプラズマ処理装置、シールドリング、及び、シールドリング用部材を提供することにある。

本実施形態によれば、載置台と、前記載置台の全周に亘って形成されたフランジ部と、を有する載置体と、枠状に形成されるとともに前記フランジ部上に配置されたシールドリングであって、前記フランジ部と対向する側に全周に亘って形成された凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に全周に亘って形成された第２誘電体と、を有するシールドリングと、を備えるプラズマ処理装置が提供される。

本実施形態によれば、枠状に形成されたシールドリングであって、全周に亘って形成された凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に全周に亘って形成された第２誘電体と、を有するシールドリングが提供される。

本実施形態によれば、枠状のシールドリングを構成するシールドリング用部材であって、連続して形成された凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に形成された第２誘電体と、を有するシールドリング用部材が提供される。

図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の一部の構成を示す分解斜視図である。 図２は、図１に示したプラズマ処理装置の断面を示す図である。 図３は、図１に示したシールドリングの構成を示す図である。 図４は、シールドリング、電極等の位置関係を示す図である。 図５は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第１変形例を示す図である。 図６は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第２変形例を示す図である。 図７は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第３変形例を示す図である。 図８は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第４変形例を示す図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の一部の構成を示す分解斜視図である。なお、本実施形態においては、プラズマ処理装置１の一例として、ＦＰＤ用ガラス基板のエッチング処理を行うためのドライエッチング装置について説明する。ここで、ドライエッチング装置は、ＦＰＤとして、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイパネル等の製造工程に適用可能である。

プラズマ処理装置１は、シールドリングＳＲ、下部電極（載置体）ＥＬ、及び、ベース部材２を備えている。なお、プラズマ処理装置１は、下部電極ＥＬと対向する上部電極や、チャンバ内にガスを供給するガス供給系、チャンバ内を減圧するガス排気系などを備えているが、これらの図示を省略する。

シールドリングＳＲは、矩形枠状に形成されており、開口部ＯＰを有している。シールドリングＳＲは、下部電極ＥＬ及びベース部材２を囲んでいる。開口部ＯＰは、矩形状に形成されている。

下部電極ＥＬは、ベース部材２の上に配置されている。下部電極ＥＬは、ＦＰＤ用ガラス基板等の被処理体を載置するための載置台ＥＬｓを有している。下部電極ＥＬは、載置台ＥＬｓのベース部材２側に、載置台ＥＬｓの外周面より外側に突出した段状に形成されたフランジ部ＥＬｆを有している。フランジ部ＥＬｆは、載置台ＥＬｓの全周に亘って形成されている。シールドリングＳＲ、下部電極ＥＬ、及び、ベース部材２が一体化された際には、シールドリングＳＲは、フランジ部ＥＬｆの上に配置され、載置台ＥＬｓの外周面ＳＦ、フランジ部ＥＬｆの外周面ＦＦ、及びベース部材２の外周面２Ｆをそれぞれ全周に亘って覆う。載置台ＥＬｓは、シールドリングＳＲの開口部ＯＰ内に備えられている。

図２は、図１に示したプラズマ処理装置の断面を示す図である。下部電極ＥＬは、ねじ４によってベース部材２に固定されている。下部電極ＥＬのフランジ部ＥＬｆには、第１凹部ＤＰ１が形成されている。第１凹部ＤＰ１は、フランジ部ＥＬｆの全周に亘って形成されている。

シールドリングＳＲは、高周波電界を被処理体１０の上方に集中させ、被処理体１０以外の部分の電界を遮蔽する機能を有している。シールドリングＳＲは、第１誘電体ＤＥ１、第２誘電体ＤＥ２、及び、第３誘電体ＤＥ３を備えている。

第１誘電体ＤＥ１は、下部電極ＥＬのフランジ部ＥＬｆの上に全周に亘って配置され、載置台ＥＬｓの外周面ＳＦに接している。第１誘電体ＤＥ１は、下部電極ＥＬのフランジ部ＥＬｆと対向する側に、シールドリングＳＲの全周に亘って形成された第２凹部ＤＰ２を有している。また、第１誘電体ＤＥ１は、下部電極ＥＬのフランジ部ＥＬｆと対向する側に、シールドリングＳＲの全周に亘って形成された第３凹部ＤＰ３を有している。第３凹部ＤＰ３は、第２凹部ＤＰ２よりも外側（載置台ＥＬｓから離間する側）に位置している。なお、第３凹部ＤＰ３は、第２凹部ＤＰ２と一体的に形成されていても良い。第１誘電体ＤＥ１は、第１誘電率を有しており、例えば、アルミナセラミックスを用いて形成されている。アルミナセラミックスは誘電率が約９である。アルミナセラミックスは、耐プラズマ性に優れており、プラズマ処理装置１においてプラズマに晒される部材として好適である。

第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電体ＤＥ１の第２凹部ＤＰ２の内部に全周に亘って配置されている。第２誘電体ＤＥ２は、その下面が下部電極ＥＬのフランジ部ＥＬｆに接している。第２誘電体ＤＥ２は、その側面と上面とが第２凹部ＤＰ２に接している。第２誘電体ＤＥ２は、第２凹部ＤＰ２に接着されていても良いし、後述するように絶縁体によって形成されたねじなどの固定部材によって固定されていても良い。第２誘電体ＤＥ２あるいは第２凹部ＤＰ２の位置は、フランジ部ＥＬｆと対向する位置であれば特に制限はないが、その内側端部ＩＥが第１誘電体ＤＥ１から露出して載置台ＥＬｓの外周面ＳＦに接することは望ましくない。このため、第２誘電体ＤＥ２の内側端部ＩＥは、載置台ＥＬｓの上に配置される被処理体１０の端部と対向する位置、あるいは、外周面ＳＦよりも外側に位置していることが望ましい。また、第２誘電体ＤＥ２の外側端部ＯＥは、フランジ部ＥＬｆの外周面ＦＦより内側に位置していることが望ましい。第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電率より低い第２誘電率を有している。第２誘電体ＤＥ２は、例えば、石英、ポリカーボネート、ポリテトラフルオロエチレン、多孔質セラミックス等の低誘電率材料を用いて形成されている。なお、石英は、誘電率が約４である。ポリカーボネートは誘電率が約３である。ポリテトラフルオロエチレンは誘電率が約２である。

第３誘電体ＤＥ３は、フランジ部ＥＬｆの外周面ＦＦ及びベース部材２の外周面２Ｆを全周に亘って覆っている。第３誘電体ＤＥ３は、第１誘電体ＤＥ１と繋がっている。なお、第３誘電体ＤＥ３は、第１誘電体ＤＥ１と一体的に形成されていても良い。第３誘電体ＤＥ３は、第３誘電率を有している。第３誘電体ＤＥ３は、第１誘電体ＤＥ１と等しい材料を用いて形成されていても良く、第３誘電率は、第１誘電率と等しくても良い。また、第３誘電体は、第１誘電率及び第２誘電率とは異なる第３誘電率を有する材料によって形成されても良い。

図示した例では、プラズマ処理装置１は、さらに、高周波遮蔽部材３を備えている。高周波遮蔽部材３は、第２誘電体ＤＥ２及び第３誘電体ＤＥ３の間に配置されている。高周波遮蔽部材３は、第１誘電体ＤＥ１の第３凹部ＤＰ３に全周に亘って配置されている。高周波遮蔽部材３は、下部電極ＥＬの第１凹部ＤＰ１に全周に亘って配置されている。高周波遮蔽部材３は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンを用いて形成されている。

本実施形態によれば、シールドリングＳＲは、第１誘電体ＤＥ１及び第２誘電体ＤＥ２を備えており、第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電体ＤＥ１に形成された第２凹部ＤＰ２に配置されている。第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電体ＤＥ１より低い誘電率を有している。このため、第１誘電体ＤＥ１の第１誘電率に対して、シールドリングＳＲ全体の誘電率を下げることができる。シールドリングＳＲ全体の誘電率が下げられることにより、シールドリングＳＲの電界遮蔽効果を高めることができ、シールドリングＳＲのプラズマによる削れを抑制することが可能となる。

例えば、シールドリングＳＲは、アルミナセラミックスのみを用いて形成されていた場合、本実施形態のシールドリングＳＲと比べて高い誘電率を有しており、電界遮蔽効果が低い。このため、シールドリングＳＲがプラズマのアタックによって削れてしまう虞がある。このとき、削られたシールドリングＳＲが、エッチングガスのフッ素と反応し、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ）が気相成長し、パーティクルを生成してしまう。このようなパーティクルが被処理体１０上に落下すると、エッチング処理が阻害される。また、シールドリングＳＲが削れやすいため、シールドリングＳＲの交換周期が短くなり、製造コストの増大を招く。

本実施形態の構成をとることで、シールドリングＳＲ、特に第１誘電体ＤＥ１の削れを抑制することができるとともに、これに伴うＡｌＦの発生を抑制することができる。このため、パーティクルの発生に伴う歩留りの低下を抑制することが可能となる。また、第１誘電体ＤＥ１がプラズマによるアタックを受けにくくなるため、第１誘電体ＤＥ１の交換周期を長期化することが可能となる。さらに、低誘電率材である第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電体ＤＥ１の第２凹部ＤＰ２に配置されており、プラズマあるいはエッチングガスに晒されにくい。つまり、第１誘電体ＤＥ１は、プラズマあるいはエッチングガスから第２誘電体ＤＥ２を保護している。このため、第２誘電体ＤＥ２は、外部からのプラズマによるアタックを受けにくく、しかも、エッチングガスによる劣化を受けにくい。したがって、第２誘電体ＤＥ２の交換周期を長期化することができる。したがって、製造コストの増加を抑制することが可能である。特に、第２誘電体ＤＥ２として石英を適用した場合、石英は高価であるため、交換周期を長期化できれば、製造コストの抑制につながる。

なお、第２誘電体ＤＥ２の大きさは、シールドリングＳＲ全体として要求される誘電率などに応じて決定されるが、第２誘電体ＤＥ２の内側端部ＩＥが、被処理体１０の端部と対向する位置、あるいは、外周面ＳＦよりも外側に位置し、また、第２誘電体ＤＥ２の外側端部ＯＥが外周面ＦＦより内側に位置していれば、誘電率低減の効果は十分に得られる。

また、本実施形態によれば、シールドリングＳＲは、下部電極ＥＬの外周面を覆う第３誘電体ＤＥ３を備えている。このため、下部電極ＥＬへの高周波の漏れを抑制することができ、被処理体１０の上方において均一な分布のプラズマを形成することが可能となる。また、第２誘電体ＤＥ２と第３誘電体ＤＥ３との間に高周波遮蔽部材３を配置したことにより、さらなる高周波の漏れを抑制することができる。

図３は、図１に示したシールドリングＳＲの構成を示す図である。
図３に示した例では、シールドリングＳＲは、第１部材ＳＲａ、第２部材ＳＲｂ、第３部材ＳＲｃ、第４部材ＳＲｄの４つの部材から構成されている。

第１部材ＳＲａは、第１誘電体ＤＥ１の第１部材ＤＥ１ａと、第２誘電体ＤＥ２の第１部材ＤＥ２ａから構成されている。図示した例では、第１部材ＤＥ１ａ及び第１部材ＤＥ２ａは、互いに３つのねじＳＣａによって固定されている。第１部材ＳＲａは、２つのねじＳＣＡによって図示しない下部電極に固定されている。

同様に、第２部材ＳＲｂは、第１誘電体ＤＥ１の第２部材ＤＥ１ｂと、第２誘電体ＤＥ２の第２部材ＤＥ２ｂから構成されている。第２部材ＤＥ１ｂ及び第２部材ＤＥ２ｂは、互いにねじＳＣｂによって固定されている。第２部材ＳＲｂは、ねじＳＣＢによって下部電極に固定されている。第３部材ＳＲｃは、第１誘電体ＤＥ１の第３部材ＤＥ１ｃと、第２誘電体ＤＥ２の第３部材ＤＥ２ｃから構成されている。第３部材ＤＥ１ｃ及び第３部材ＤＥ２ｃは、互いにねじＳＣｃによって固定されている。第３部材ＳＲｃは、ねじＳＣＣによって下部電極に固定されている。第４部材ＳＲｄは、第１誘電体ＤＥ１の第４部材ＤＥ１ｄと、第２誘電体ＤＥ２の第４部材ＤＥ２ｄから構成されている。第４部材ＤＥ１ｄ及び第４部材ＤＥ２ｄは、ねじＳＣｄによって互いに固定されている。第４部材ＳＲｄは、ねじＳＣＤによって下部電極に固定されている。ねじＳＣａ乃至ＳＣｄ、及び、ねじＳＣＡ乃至ＳＣＤは、樹脂等の絶縁体によって形成されている。このように、絶縁体のねじを適用することにより、被処理体１０の上方に形成されるプラズマの分布に悪影響を及ぼす恐れがない。なお、第１誘電体ＤＥ１と第２誘電体ＤＥ２は、ねじ止めに代えて、シリコーン系などの接着剤によって接着されても良い。第１誘電体ＤＥ１と第２誘電体ＤＥ２と接着した場合には、部品点数を削減することができる。また、後述するが、第１誘電体ＤＥ１と第２誘電体ＤＥ２との間の着脱を容易にするために、第２誘電体ＤＥ２の第１誘電体ＤＥ１と接する面にスリットを形成しても良い。

プレートＰＬ１は、第１部材ＳＲａに側面からねじで固定されている。また、プレートＰＬ１は、第２部材ＳＲｂに側面からねじで固定されている。つまり、第１部材ＳＲａ及び第２部材ＳＲｂは、プレートＰＬ１を用いて連結されている。プレートＰＬ２は、第２部材ＳＲｂに側面からねじで固定されている。また、プレートＰＬ２は、第３部材ＳＲｃに側面からねじで固定されている。つまり、第２部材ＳＲｂ及び第３部材ＳＲｃは、プレートＰＬ２を用いて連結されている。

プレートＰＬ３は、第３部材ＳＲｃに側面からねじで固定されている。また、プレートＰＬ３は、第４部材ＳＲｄに側面からねじで固定されている。つまり、第３部材ＳＲｃ及び第４部材ＳＲｄは、プレートＰＬ３を用いて連結されている。プレートＰＬ４は、第１部材ＳＲａに側面からねじで固定されている。また、プレートＰＬ４は、第４部材ＳＲｄに側面からねじで固定されている。つまり、第４部材ＳＲｄ及び第１部材ＳＲ１は、プレートＰＬ４を用いて連結されている。

このように、シールドリングＳＲを構成する各部材がプレートを用いて連結されているため、シールドリングＳＲの重量によらず、各部材のずれを抑制することが可能となる。また、プラズマ処理装置１の稼働中にシールドリングＳＲが高温に晒された場合にも、各部材の熱膨張によるずれを抑制することが可能となる。

線Ａ−Ａは、第１部材ＳＲａ及び第２部材ＳＲｂのつなぎ目に相当し、第１部材ＤＥ１ａ及び第２部材ＤＥ１ｂのつなぎ目と、第１部材ＤＥ２ａ及び第２部材ＤＥ２ｂのつなぎ目は、同一面上に位置している。線Ｂ−Ｂは、第２部材ＳＲｂ及び第３部材ＳＲｃのつなぎ目に相当し、第２部材ＤＥ１ｂ及び第３部材ＤＥ１ｃのつなぎ目と、第２部材ＤＥ２ｂ及び第３部材ＤＥ２ｃのつなぎ目は、同一面上に位置している。線Ｃ−Ｃは、第３部材ＳＲｃ及び第４部材ＳＲｄのつなぎ目に相当し、第３部材ＤＥ１ｃ及び第４部材ＤＥ１ｄのつなぎ目と、第３部材ＤＥ２ｃ及び第４部材ＤＥ２ｄのつなぎ目は、同一面上に位置している。線Ｄ−Ｄは、第４部材ＳＲｄ及び第１部材ＳＲａのつなぎ目に相当し、第４部材ＤＥ１ｄ及び第１部材ＤＥ１ａのつなぎ目と、第４部材ＤＥ２ｄ及び第１部材ＤＥ２ａのつなぎ目は、同一面上に位置している。また、図２に示した第２凹部ＤＥ２は、第１部材ＳＲａ、第２部材ＳＲｂ、第３部材ＳＲｃ、第４部材ＳＲｄのそれぞれにおいて、長辺方向の一端部から他端部に向けて一体的に形成されている。すなわち、各部材において、第２凹部ＤＥ２は、各つなぎ目の間で一体的に形成されている。

図４は、シールドリングＳＲ、下部電極ＥＬ等の位置関係を示す図であり、図３の線Ａ−Ａで切った断面から見た分解斜視図を示している。図４は、一例として、シールドリングＳＲの第１部材ＳＲａとその下部電極ＥＬの一部を示しているが、第２部材ＳＲｂ、第３部材ＳＲｃ、第４部材ＳＲｄも下部電極ＥＬとの間で同様の構成をとっているため、その図示及び説明を省略する。図中において、第１部材ＳＲａが延出する方向を第１方向Ｘとし、第２誘電体ＤＥ２及び高周波遮蔽部材３が並ぶ方向を第２方向Ｙとし、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと直交する方向を第３方向とする。本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向きを上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向きを下又は下方と定義する。

高周波遮蔽部材３の下部は、下部電極ＥＬの第１凹部ＤＰ１に配置されている。また、高周波遮蔽部材３の上部は、シールドリングＳＲの第１部材ＳＲａの第３凹部ＤＰ３に配置されている。第１凹部ＤＰ１の深さｄ１と第３凹部ＤＰ３の深さｄ２の和は、高周波遮蔽部材３の高さｈ１と略同等である。

第２誘電体ＤＥ２の第１部材ＤＥ２ａは、第２凹部ＤＰ２に配置されている。図示した例では、第２凹部ＤＰ２及び第３凹部ＤＰ３は、それぞれ独立した凹部として形成され、第２凹部ＤＰ２に位置する第２誘電体ＤＥ２と第３凹部ＤＰ３に位置する高周波遮蔽部材３との間に第１誘電体ＤＥ１が介在している。第２凹部ＤＰ２及び第３凹部ＤＰ３は、一体の凹部として形成されていても良い。図示した例では、第２凹部ＤＰ２の深さｄ３と、第２誘電体ＤＥ２の高さｈ２は略同等である。

このような第１部材ＳＲａにおいて、第１部材ＤＥ１ａの端面Ｅ１ａと、第１部材ＤＥ２ａの端面Ｅ２ａとは同一面上に位置している。すなわち、端面Ｅ１ａ及び端面Ｅ２ａは、Ｙ−Ｚ平面と平行な同一面に位置している。このように、シールドリングＳＲを構成する各部材においては、第１誘電体ＤＥ１及び第２誘電体ＤＥ２のつなぎ目が同一面に位置しているため、メンテナンスの際に、各部材を容易に着脱することが可能となる。

図５は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第１変形例を示す図である。図５は、第１誘電体ＤＥ１及び第２誘電体ＤＥ２の構成を示しており、図２に示した構成と比較して、第２誘電体ＤＥ２が保護膜１００によってコーティングされている点で相違している。

上記の構成により、第２誘電体ＤＥ２が欠損するのを抑制することが可能となり、第２誘電体ＤＥ２の強度を向上することが可能となる。保護膜１００は、例えば、樹脂材料によって形成された樹脂膜、もしくは、溶射によって形成された溶射膜である。

図６は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第２変形例を示す図である。図６は、図２に示した構成と比較して、第２誘電体ＤＥ２が、第１構成部材Ｄ１及び第２構成部材Ｄ２を備えている点で相違している。

第１構成部材Ｄ１は、第２構成部材Ｄ２の上に配置されている。例えば、第１構成部材Ｄ１は石英を用いて形成されており、第２構成部材Ｄ２は樹脂材料を用いて形成されている。または、第１構成部材Ｄ１が樹脂材料を用いて形成され、第２構成部材Ｄ２が石英を用いて形成されていても良い。

なお、図示した例では、第２誘電体ＤＥ２は２つの部材から形成されているが、第２誘電体ＤＥ２は３つ以上の部材から形成されていても良い。

図７は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第３変形例を示す図である。図７は、図２に示した構成と比較して、第１誘電体ＤＥ１が第３構成部材２００を備えている点で相違している。

第３構成部材２００は、第１誘電体ＤＥ１のフランジ部ＥＬｆと対向する側とは反対側の面に配置されている。第３構成部材２００は、載置台ＥＬｓの外周面ＳＦから第２誘電体ＤＥ２の上面３００と略平行に配置されている。第３構成部材２００は、第３方向Ｚにおいて、第２誘電体ＤＥ２と重なる位置に配置されている。第３構成部材２００は、第１誘電体ＤＥ１の耐プラズマ性よりも大きい耐プラズマ性を有する材料を用いて形成され、例えば、酸化イットリウムを用いて形成されている。第３構成部材２００は、例えば、第１誘電体ＤＥ１のフランジ部ＥＬｆと対向する側とは反対側の面が削られた後、第１誘電体ＤＥ１の削られた部分に配置される。

図７（ａ）に示した例では、第３構成部材２００は、第３方向Ｚにおいて、第２誘電体ＤＥ２の上面３００と全面で対向している。図７（ｂ）に示した例では、第３構成部材２００は、第３方向Ｚにおいて、第２誘電体ＤＥ２の上面３００と部分的に対向している。

上記の構成により、第１誘電体ＤＥ１において、第２誘電体ＤＥ２が配置されない部分が削れるのを抑制することが可能である。

なお、第３構成部材２００は、第３凹部ＤＰ３と重なる位置には配置されない方が好ましい。

図８は、本実施形態のプラズマ処理装置に係る第４変形例を示す図である。
図８（ａ）は、図２に示した構成と比較して、第２誘電体ＤＥ２がスリットＳＬ１を有している点で相違している。第２誘電体ＤＥ２は、第１誘電体ＤＥ１と接触する上面３００にスリットＳＬ１を有している。このため、第１誘電体ＤＥ１と第２誘電体ＤＥ１との間が疑似真空状態となった場合は、スリットＳＬ１があるため、第２誘電体ＤＥ２が第１誘電体ＤＥ１から外れ易くなり（スリットＳＬ１があることで疑似真空にならないため）メンテナンス性が向上する。

図８（ｂ）は、図２に示した構成と比較して、第１誘電体ＤＥ１がスリットＳＬ２を有している点で相違している。第１誘電体ＤＥ１は、第２誘電体ＤＥ２の上面３００と接する面にスリットＳＬ２を有している。第１誘電体ＤＥ１がスリットＳＬ２を有していることにより、図８（ａ）に示したのと同様の効果を得ることができる。

なお、図示した例に限らず、スリットＳＬ１は、第２誘電体ＤＥ２の側面に形成されていても良い。また、スリットＳＬ２は、第１誘電体ＤＥ１の第２誘電体ＤＥ２と接する他の面に形成されていても良い。

第１誘電体ＤＥ１及び第２誘電体ＤＥ２は、上記の第１乃至第４変形例を組み合わせて、構成されることが可能である。

以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まり低下の抑制が可能なプラズマ処理装置、シールドリング、及び、シールドリング用部材を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＥＬ…下部電極（載置体）、ＥＬｓ…載置台、ＥＬｆ…フランジ部、
ＳＲ…シールドリング、ＤＰ２…第２凹部、ＤＥ１…第１誘電体、
ＤＥ２…第２誘電体、ＤＥ３…第３誘電体、１…プラズマ処理装置、
ＤＥ１ａ、ＤＥ２ａ…第１部材、ＤＥ１ｂ、ＤＥ２ｂ…第２部材、
ＤＥ１ｃ、ＤＥ２ｃ…第３部材、ＤＥ１ｄ、ＤＥ２ｄ…第４部材、
Ｅ１ａ、Ｅ２ａ…端面、ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＰＬ４…プレート、
３…高周波遮蔽部材、１０…被処理体、ＩＥ…内側端部、ＯＥ…外側端部、
ＳＣａ、ＳＣｂ、ＳＣｃ、ＳＣｄ…ねじ、１００…保護膜、
Ｄ１…第１構成部材、Ｄ２…第２構成部材、２００…第３構成部材、
ＳＬ１、ＳＬ２…スリット。

Claims (14)

1. 載置台と、前記載置台の全周に亘って形成されたフランジ部と、を有する載置体と、
   枠状に形成されるとともに前記フランジ部上に配置されたシールドリングであって、前記フランジ部と対向する側に全周に亘って形成された凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に全周に亘って形成された第２誘電体と、を有するシールドリングと、を備えるプラズマ処理装置。
2. 前記シールドリングは、複数の部材によって構成され、前記部材の各々において、前記第１誘電体の端面と前記第２誘電体の端面とが略同一面上に位置する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記シールドリングを構成する前記部材同士は互いにプレートを用いて連結される請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記シールドリングは、さらに、前記載置体の外周面を覆う第３誘電体を備える請求項１乃至３の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
5. さらに、前記第２誘電体及び前記第３誘電体の間に位置する高周波遮蔽部材を備える請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第２誘電体は、前記載置台の上に載置される被処理体の端部と対向する内側端部と、前記フランジ部の外周面より内側に位置する外側端部とを有する請求項１乃至５の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第１誘電体及び前記第２誘電体は、絶縁体によって形成されたねじによって固定されている請求項１乃至６の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第２誘電体は、樹脂膜、もしくは、溶射膜によってコーティングされている請求項１乃至７の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記第２誘電体は、第１構成部材と、前記第１構成部材の上に配置された第２構成部材とを備える請求項１乃至８の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記第１誘電体は、前記フランジ部と対向する側とは反対側の面の、前記第２誘電体と重なる位置に、前記第１誘電体の耐プラズマ性よりも大きい耐プラズマ性を有する第３構成部材を備える請求項１乃至９の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記第２誘電体は前記第１誘電体と接触する面にスリットを有している、又は、前記第１誘電体は前記第２誘電体と接触する面にスリットを有している請求項１乃至１０の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
12. プラズマ処理装置に用いられ、枠状に形成されたシールドリングであって、
    全周に亘って形成された凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、
    第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に全周に亘って形成された第２誘電体と、を有するシールドリング。
13. プラズマ処理装置に用いられ、棒状の４つのシールドリング用部材を繋ぎ合わせることで枠状のシールドリングを構成するシールドリング用部材であって、
    凹部を有し第１誘電率を有する第１誘電体と、
    第１誘電率よりも低い第２誘電率を有し前記凹部の内部に形成された第２誘電体と、を有するシールドリング用部材。
14. 前記凹部は、棒状の前記シールドリング用部材の延出方向の一端部から他端部にかけて連続的に形成されている請求項１３に記載のシールドリング用部材。

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