JP6014408B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
これらの材料は、従来用いられてきたSiを含む材料等と比べてエッチング時に生成される反応生成物の蒸気圧が低いためエッチングが難しいと共に、真空容器内壁に対するエッチング後の反応生成物の付着量が多くなる。そのため、半導体ウエハ等の基板状の試料を従来より少ない枚数処理するだけで真空容器内壁が反応生成物の堆積物によって覆われ、更にこの反応生成物が堆積したものが内壁表面から剥がれ落ちウエハ上に異物となって付着するという問題が生じる。特に、FeRAM、MRAMについては、デバイスの高集積化に伴う素子の微細化に伴って、歩留まり低下を引き起こす異物の低減、及びエッチング特性の安定化が最重要課題となっている。
試料保持部カバー25は、表面に凹凸が加工されて形成されており、その表面に付着した処理室内の反応生成物が剥離して真空容器2内に遊離するのを防いでいる。
なお、ウエハ4を静電吸着する領域とそれ以外の部分とで静電吸着に使用する誘電体を異ならせても良い。
図4に、図1に示す試料台のウエハ4外周部の構成の概略を拡大して示す縦断面図である。
ここでRは絶縁膜28の抵抗、ρは誘電体膜材の体積抵抗率、dは誘電体膜28の厚さ、Aは電極17と金属膜26が重複する領域の面積である。
2…真空容器
3…ベルジャ
4…ウエハ
5…試料台
6…プラズマ
7…試料保持部
8…カバー
9…ファラデーシールド
10…整合器
11…高周波電源
12…ガス供給管
13…排気装置
14…基板バイアス電源
15…接地ベース
16…絶縁ベース
17…電極
18…静電吸着膜
19…絶縁軸
20…軸
21…冷却ガス供給管
22…接地カバー
23…絶縁カバー
24…誘電体製リング
25…試料保持部カバー
26…金属膜
27…コンタクト部
28…誘電体膜。
Claims (4)
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上部の中央部に配置された凸部の上面を構成する載置面上に載置されたウエハを、前記試料台内の電極に高周波電力を印加しつつ前記処理室内で生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台が前記凸部の外周側に配置されたものであって低くされた段差部と、この段差部上に載せられたものであってその上面が前記プラズマに面する誘電体製リングとを備え、
この誘電体製リングは、前記凹み部表面に面する裏側の表面上に、当該誘電体製リングが前記段差部上に載せられた状態で前記凸部を囲んでリング状に配置された金属膜及び前記裏面において前記金属膜の全体を覆って配置された第一の誘電体膜を有したものであって、
前記金属膜は、前記誘電体製リングの前記裏面において内周端が前記試料台上面に載せられた前記ウエハの外周縁より前記試料台の中心側に位置するとともに、前記電極からの前記高周波電力が印加されるプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記金属膜の内周端は前記誘電体製リングの内周端より外周側に位置し、前記第一の誘電体膜が前記金属膜の前記内周端よりも前記試料台の中心側の位置まで前記誘電体製リングの裏面の表面を被覆したプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記第一の誘電体膜は、溶射により前記誘電体製リングの前記裏側の表面上に形成された膜であって、前記高周波電力が前記金属膜に伝達可能であってこの誘電体製リングが載せられた前記載置面の外周側の前記試料台の上面との間への前記プラズマの進入を防止できる所定の厚さまたは表面の粗さを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記試料台が前記載置面の外周側であって前記誘電体製リングがその上に載せられる上面を覆う第二の誘電体膜を有し、
前記第一の誘電体膜は、溶射により前記誘電体製リングの前記裏側の表面上に形成された膜であって、前記高周波電力が前記金属膜に伝達可能であってこの誘電体製リングが載せられた前記第二の誘電体膜上面との間への前記プラズマの進入を防止できる所定の厚さまたは表面の粗さを備えたプラズマ処理装置。
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