TW202130226A - 載置台及電漿處理裝置 - Google Patents

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佐佐木康晴
菅原亜人
山口伸
田村一
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Abstract

本發明提供一種用以抑制朝基板底面及靜電吸盤頂面之間供給之傳熱氣體的放電之技術。 本發明提供一種載置台，具備：靜電吸盤，用以支持基板及邊緣環；及基台，支持該靜電盤；該靜電吸盤，具有： 第1區域，具有第1頂面，支持該第1頂面之上所載置的基板；第2區域，具有第2頂面，以成一體方式設置於該第1區域的周圍，支持該第2頂面之上所載置的邊緣環；第1電極，設於該第1區域，施加直流電壓；第2電極，設於該第2區域，施加直流電壓；及第3電極，施加偏壓電力。

Description

載置台及電漿處理裝置
本發明係關於一種載置台及電漿處理裝置。
於電子元件的製造中，使用到電漿處理裝置。電漿處理裝置使供給至腔室內之氣體藉由施加於載置台之高頻電力而激發，藉此產生電漿，來對載置台之上的基板進行電漿處理。
近年來，特別是針對離子導入用（偏壓用）的高頻，係利用高功率的條件來進行電漿處理。相對於此，例如，專利文獻1提出一種技術，用以使照射在腔室本體內壁之離子的能量降低。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2019-36658號公報
[發明所欲解決之課題]
若針對離子導入用的高頻使用高功率的條件來進行電漿處理，則有時朝基板底面及靜電吸盤頂面之間供給之傳熱氣體會電離，發生放電。
本發明提供一種載置台及電漿處理裝置，可抑制朝基板底面及靜電吸盤頂面之間供給之傳熱氣體的放電。 [解決課題之技術手段]
根據本發明的一態様，提供一種載置台，具備：靜電吸盤，用以支持基板及邊緣環；及基台，支持該靜電吸盤；該靜電吸盤，具有：第1區域，具有第1頂面，支持該第1頂面之上所載置的基板；第2區域，具有第2頂面，以成一體方式設置於該第1區域的周圍，支持該第2頂面之上所載置的邊緣環；第1電極，設於該第1區域，施加直流電壓；第2電極，設於該第2區域，施加直流電壓；及第3電極，施加偏壓電力。 [發明之功效]
根據本發明的一面向，可抑制朝基板底面及靜電吸盤頂面之間供給之傳熱氣體的放電。
以下，參照附圖針對本發明之實施形態做說明。於各附圖當中，或許會對同一構成部分賦予同一符號，來省略重複之說明。
﹝電漿處理裝置﹞ 圖1，係一實施形態相關電漿處理裝置之概略顯示圖。圖1所示之電漿處理裝置1，係電容耦合型的裝置。電漿處理裝置1，具有腔室10。腔室10，其中提供著內部空間10s。
腔室10，含有腔室本體12。腔室本體12，具有約略圓筒形狀。內部空間10s，提供於腔室本體12的內側。腔室本體12，由例如鋁所形成。腔室本體12的內壁面上，設有具耐腐蝕性的膜。具耐腐蝕性的膜，可為由氧化鋁，氧化釔等陶瓷所形成之膜。
腔室本體12的側壁，有通路12p形成。基板W，在內部空間10s與腔室10的外部之間運送時，通過通路12p。通路12p，可藉由閘閥12g進行開閉。閘閥12g，沿著腔室本體12的側壁設置。
腔室本體12的底部上，設有支持部13。支持部13，由絕緣材料所形成。支持部13，具有約略圓筒形狀。支持部13，在內部空間10s之中，自腔室本體12的底部往上方延伸。支持部13上，設有構件15。構件15，由石英等絕緣體所形成亦可。構件15，可具有約略圓筒形狀。或者是，構件15，可為呈環狀之板狀體。
電漿處理裝置1，更具備基板載置台，即一個例示的實施形態相關載置台14。載置台14，由支持部13所支持。載置台14，設於內部空間10s之中。載置台14，在腔室10內，即內部空間10s之中，支持基板W。
載置台14，具有下部電極18及一個例示的實施形態相關靜電吸盤20。載置台14，更可具有電極板16。電極板16，由例如鋁等導體所形成，具有約略圓盤形狀。下部電極18，設於電極板16上。下部電極18，由例如鋁等導體所形成，具有約略圓盤形狀。下部電極18，係和電極板16電性連接。下部電極18的外周面及電極板16的外周面，由支持部13所包圍。電極板16及下部電極18，係支持靜電吸盤20之基台的一例。
靜電吸盤20，設於下部電極18上。靜電吸盤20的邊緣及邊緣環26由構件15所包圍。靜電吸盤20，支持基板W及一個例示的實施形態相關邊緣環26。
基板W，具有例如圓盤形狀，載置於靜電吸盤20上。邊緣環26，以包圍基板W的邊緣方式，搭載於靜電吸盤20上。邊緣環26的外緣部分，可在構件15之上延伸。邊緣環26，係呈環狀之構件。邊緣環26，並沒有限定，但可由矽，碳化矽，或是石英所形成。邊緣環26，亦稱為對焦環。
下部電極18的內部，設有流路18f。流路18f，受到腔室10的外部所設之冷卻單元22，經由配管22a供給熱交換媒體（例如冷媒）。供給至流路18f之熱交換媒體，經由配管22b回到冷卻單元22。電漿處理裝置1中，靜電吸盤20上所載置之基板W的溫度，係藉由熱交換媒體與下部電極18的熱交換，來調整。
電漿處理裝置1，設有氣體供給線路24。氣體供給線路24，將來自傳熱氣體供給機構的傳熱氣體（例如He氣體），往靜電吸盤20頂面與基板W底面之間供給。
電漿處理裝置1，更具備上部電極30。上部電極30，設於載置台14之上方。上部電極30，透過構件32，支持於腔室本體12之上部。構件32，由具有絕緣性之材料所形成。上部電極30與構件32，封閉了腔室本體12之上部開口。
上部電極30，可包含頂板34及支持體36。頂板34底面，係內部空間10s側的底面，區隔成內部空間10s。頂板34，可由焦耳熱較少之低電阻的導電體或是半導體所形成。頂板34，有複數的氣體噴吐孔34a形成。複數的氣體噴吐孔34a，貫穿於頂板34的板厚方向。
支持體36，對頂板34以任意裝卸方式予以支持。支持體36，由鋁等導電性材料所形成。支持體36的內部，設有氣體擴散室36a。支持體36，有複數的氣體孔36b形成。複數的氣體孔36b，自氣體擴散室36a往下方延伸。複數的氣體孔36b，分別和複數的氣體噴吐孔34a連通。支持體36，有氣體導入口36c形成。氣體導入口36c，係和氣體擴散室36a連接。氣體導入口36c，係和氣體供給管38連接。
氣體供給管38，係和氣體供給部GS連接。氣體供給部GS，包含氣體源群40、閥群41、流量控制器群42、及閥群43。氣體源群40，經由閥群41、流量控制器群42、及閥群43，來和氣體供給管38連接。氣體源群40，含有複數的氣體源。閥群41及閥群43，分別含有複數的開閉閥。流量控制器群42，含有複數的流量控制器。流量控制器群42的複數的流量控制器，分別為質量流量控制器或是壓力控制式的流量控制器。氣體源群40的複數的氣體源，分別經由閥群41相對應的開閉閥、流量控制器群42相對應的流量控制器、及閥群43相對應的開閉閥，來和氣體供給管38連接。
電漿處理裝置1中，沿著腔室本體12的內壁面，屏蔽46以任意裝卸方式設置。屏蔽46，也設於支持部13的外周。屏蔽46，可防止蝕刻副產物等的反應產生物附著於腔室本體12。屏蔽46，例如，在由鋁所形成之構件的表面形成具耐腐蝕性的膜，藉此所構成。具耐腐蝕性的膜，可為由氧化釔等陶瓷所形成的膜。
支持部13與腔室本體12的側壁之間，設有擋板48。擋板48，例如，在由鋁所形成之構件的表面形成具耐腐蝕性的膜，藉此所構成。具耐腐蝕性的膜，可為由氧化釔等陶瓷所形成的膜。擋板48，有複數的貫通孔形成。擋板48的下方，且為腔室本體12的底部，設有排氣口12e。排氣口12e，經由排氣管52來和排氣裝置50連接。排氣裝置50，具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵。
電漿處理裝置1，具有施加電漿產生用的高頻HF電力之第1高頻電源61。第1高頻電源61，為了在腔室10內從氣體產生電漿，進而產生高頻HF電力。高頻HF的頻率，係例如27MHz～100MHz的範圍內的頻率。
第1高頻電源61，透過匹配器63來和下部電極18電性連接。匹配器63，具有匹配電路。匹配器63的匹配電路，讓第1高頻電源61的負載側（下部電極側）的阻抗，和第1高頻電源61的輸出阻抗匹配。其他實施形態中，第1高頻電源61，透過匹配器63來和上部電極30電性連接亦可。
電漿處理裝置1，可更具備施加離子導入用的高頻LF電力之第2高頻電源62。第2高頻電源62，讓高頻LF電力產生。高頻LF，主要具有適合將離子導入基板W之頻率，係例如400kHz～13.56MHz的範圍內的頻率。或者是，高頻LF，為具有矩形波形之脈衝狀的電壓亦可。
第2高頻電源62，透過匹配器64來和靜電吸盤20內的偏壓電極21電性連接。匹配器64，具有匹配電路。匹配器64的匹配電路，讓第2高頻電源62的負載側（下部電極側）的阻抗，和第2高頻電源62的輸出阻抗匹配。
電漿處理裝置1，更可具備控制部80。控制部80，可為具備處理器、記憶體等記錄部、輸入裝置、顯示裝置、訊號的輸出入介面等之電腦。控制部80，控制電漿處理裝置1的各部位。控制部80中，可使用輸入裝置，進行操作員用以管理電漿處理裝置1所進行之指令輸入操作等。另外，控制部80中，可藉由顯示裝置，使電漿處理裝置1的運轉狀況以可視化顯示。再者，控制部80的記錄部，儲存有控制程式及處理資料。控制程式，為了以電漿處理裝置1執行各種處理，便藉由控制部80的處理器來執行。控制部80的處理器，執行控制程式，依照處理資料來控制電漿處理裝置1的各部位，藉此讓各種處理程序，例如電漿處理方法由電漿處理裝置1所執行。
﹝載置台﹞ 以下，針對一實施形態相關載置台14做詳細說明。以下的說明中，一起參照圖1與圖2。圖2，係顯示一實施形態相關載置台14之剖面圖。
靜電吸盤20，具有本體。靜電吸盤20的本體，具有約略圓盤形狀。靜電吸盤20的本體，由介電體料所形成。靜電吸盤20的本體，含有第1區域20a及第2區域20b。
第1區域20a，係具有約略圓盤形狀之區域。第1區域20a，具有第1頂面201。第1區域20a，保持第1頂面201所載置之基板W。第1區域20a的直徑，比基板W的直徑更小。
第2區域20b，係呈環狀之區域。第2區域20b，和第1區域20a共有中心軸線（圖2中，軸線AX）。第2區域20b，具有第2頂面202。第2區域20b，以成一體方式設置於第1區域20a的周圍，支持第2頂面202之上所搭載之邊緣環26（參照圖1）。
靜電吸盤20的本體，即第1區域20a及第2區域20b，可由單一的介電體料所形成。亦即，構成第1區域20a之介電體料及構成第2區域20b之介電體料，可為同一者。例如，靜電吸盤20的本體，可由氧化鋁，氮化鋁等陶瓷所形成。此靜電吸盤20中，第2區域20b的第2頂面202，比第1區域20a的第1頂面201更低；第1區域20a的厚度，比第2區域20b的厚度更厚。
靜電吸盤20，更具有吸附電極23。吸附電極23，設於第1區域20a內。吸附電極23，係透過開關20s來和直流電源20p連接。若對吸附電極23施加來自直流電源20p的直流電壓，則第1區域20a與基板W之間會產生靜電引力。藉由所產生之靜電引力，讓基板W，被吸引在第1區域20a，由第1區域20a所保持。吸附電極23，係設於第1區域20a，施加直流電壓之第1電極的一例。
靜電吸盤20，更具有吸附電極27a及吸附電極27b（以下總稱表示為吸附電極27）。吸附電極27a及吸附電極27b，設於第2區域20b內。吸附電極27a及吸附電極27b，相對於靜電吸盤20之中心軸線往周向延伸。吸附電極27b，設於吸附電極27a的外側。吸附電極27a，透過開關20n來和直流電源20m電性連接，吸附電極27b，透過開關20t來和直流電源20r電性連接。分別對吸附電極27a及吸附電極27b，從直流電源20m及直流電源20r施加直流電壓，進而使吸附電極27a與吸附電極27b之間產生電位差。例如，對吸附電極27a從直流電源20m施加之直流電壓的極性，和對吸附電極27b從直流電源20r施加之直流電壓的極性，亦可為相反的極性。不過，吸附電極27，並不限於雙極，亦可為單極的電極。若對吸附電極27a及吸附電極27b分別從直流電源20m、20r施加直流電壓，則第2區域20b與邊緣環26之間會產生靜電引力。藉由所產生之靜電引力，讓邊緣環26，被吸引在第2區域20b，由第2區域20b所保持。吸附電極27a及吸附電極27b，係設於第2區域20b，施加直流電壓之第2電極的一例。
偏壓電極21，設於第1區域20a內的吸附電極23的下方。偏壓電極25，設於第2區域20b內的吸附電極27a及吸附電極27b的下方。第3高頻電源65，透過匹配器66來和第2區域20b內的偏壓電極25電性連接。匹配器66，具有匹配電路。匹配器66的匹配電路，讓第3高頻電源65的負載側（下部電極側）的阻抗，和第3高頻電源65的輸出阻抗匹配。
偏壓電極21及偏壓電極25，施加離子導入用的偏壓電力。偏壓電力由直流電壓或是高頻電壓所施加。圖1及圖2的例中，偏壓電極25，係藉由來自第3高頻電源65的高頻電壓施加偏壓電力，但並不限於此，藉由來自直流電源的直流電壓施加偏壓電力亦可。若對偏壓電極21施加偏壓電力，則電漿中的離子會朝第1區域20a吸入。藉此，可控制基板W的面內全體的，例如蝕刻率或成膜率等的處理特性。若對偏壓電極25施加偏壓電力，則電漿中的離子會朝第2區域20b吸入。藉此，可控制基板W的邊緣區域的處理特性。
偏壓電極21及偏壓電極25，係施加偏壓電力之第3電極的一例；偏壓電極21係設於第1區域20a之第3-1電極的一例；偏壓電極25係設於第2區域20b之第3-2電極的一例。對偏壓電極21與偏壓電極25施加之偏壓電力，分別由第2高頻電源62與第3高頻電源65獨立控制。第3電極，至少具有偏壓電極21，沒有偏壓電極25亦可。
第1區域20a內的吸附電極23，係設於第1頂面201與偏壓電極21之間。吸附電極23與偏壓電極21，具有直徑略同的圓形狀。第2區域20b內的吸附電極27a及吸附電極27b，係設於第2頂面202與偏壓電極25之間。吸附電極27a、吸附電極27b及偏壓電極21，係呈環狀。吸附電極27a與吸附電極27b的徑向寬度具有略同的長度；偏壓電極21的徑向寬度，比吸附電極27a及吸附電極27b的徑向合計寬度更大。
偏壓電極21、吸附電極27a及吸附電極27b，配置於靜電吸盤20的同一面內。第1頂面201到偏壓電極21頂面的厚度D1，等同於第2頂面202到偏壓電極25頂面的厚度D2。
﹝偏壓電極設於靜電吸盤內之理由﹞ 針對偏壓電極21及偏壓電極25設於靜電吸盤20內之理由做說明。近年來，特別是針對離子導入用的高頻LF使用高功率的條件來進行電漿處理。若將高功率的高頻LF施加於電極板16，則因應電極板16與基板W之間的靜電容量，及電極板16與邊緣環26之間的靜電容量，在電極板16與基板W之間及電極板16與邊緣環26之間產生電位差。因此，讓朝基板W的背面及邊緣環26的背面供給之傳熱氣體產生電離。結果，基板W的背面及/或是邊緣環26的背面或許會產生異常放電。
於是，本實施形態相關載置台14中，為了抑制傳熱氣體的放電，便將偏壓電極21設於靜電吸盤20內的第1區域20a，將偏壓電極25設於第2區域20b。藉此，可使偏壓電極21與基板W之間的靜電容量，及偏壓電極25與邊緣環26之間的靜電容量增大。
將高頻LF施加於靜電吸盤20的偏壓電極21及偏壓電極25時所流動之高頻電流的阻抗Z，由以下的公式表示。 Z=－（1／Cω）× j 所以，令靜電容量C增大，便可使流經靜電吸盤20之高頻電流的阻抗Z縮小。藉此，讓基板W與偏壓電極21之間的電位差縮小。
另外，RC電路當中，時間常數τ，由以下的公式表示。 τ=RC 所以，當RC較小，則電位容易變化。因此，令靜電容量C增大，便可使RC增大，來抑制基板W及邊緣環26當中電位的變動。
例如偏壓電極21的狀態瞬間達到-5000V時，基板W也瞬間達到-5000V。此時，電漿中的離子朝基板W吸入，基板W的電位往正方向變動。令基板W與偏壓電極21之間的靜電容量，及邊緣環26與偏壓電極25之間的靜電容量增大，便可使朝基板W電位的正方向之變動難以發生。
由上，本實施形態相關載置台14中，將偏壓電極21及偏壓電極25設於靜電吸盤20內，將高頻LF電力施加於偏壓電極21及偏壓電極25。據此，和高頻LF電力施加於電極板16相比，可使偏壓電極21與基板W之間的靜電容量，及偏壓電極25與邊緣環26之間的靜電容量增大。藉此，可使基板W與邊緣環26之間的電位差縮小，並且抑制基板W及邊緣環26的電位的變動。藉此，可抑制朝基板W背面供給之傳熱氣體的放電。結果，可在基板W的背面及邊緣環26的背面當中，抑制異常放電的發生。
另外，宜令第1頂面201到偏壓電極21的厚度D1，與第2頂面202到偏壓電極25的厚度D2相等而配置。藉此，可使偏壓電極21與基板W之間的靜電容量，及偏壓電極25與邊緣環26之間的雙方靜電容量略同。藉此，可使基板W與邊緣環26之間的電位差更縮小或是消失，可在基板W及邊緣環26之間當中，更有效抑制異常放電的發生。
此外，下部電極18與靜電吸盤20之間，設有黏接下部電極18與靜電吸盤20之黏接層。如往常將高頻LF施加於電極板16的情況下，介電率較低之黏接層，會妨礙偏壓電極21與基板W之間的靜電容量，及偏壓電極25與邊緣環26之間的靜電容量增大。
對此，本實施形態相關載置台14中，在下部電極18與靜電吸盤20之間的黏接層之上埋入偏壓電極21及偏壓電極25。所以，在偏壓電極21與基板W之間，及偏壓電極25與邊緣環26之間不存在黏接層。據此，沒有黏接層，便可使偏壓電極21與基板W之間的靜電容量，及偏壓電極25與邊緣環26之間的靜電容量更增大，並且有關黏接層的傳熱或應力緩和便可自由設計。
此外，雖將電漿產生用的高頻HF電力施加於電極板16，但施加於上部電極30亦可。
﹝各電極﹞ 接著，針對埋入了靜電吸盤20之各電極，參照圖3加以說明。圖3（a），係圖2所示之靜電吸盤20的A-A剖面之圖式。圖3（b），係靜電吸盤20的B-B剖面之圖式。圖3（c），係靜電吸盤20的CC剖面之圖式。
參照圖3（a）的A-A剖面，在圓形狀的第1區域20a內，設有圓形狀的吸附電極23。吸附電極23，係膜狀或是薄片狀的電極。
參照圖3（b）的B-B剖面，在第2區域20b內設有環狀的吸附電極27a、27b。吸附電極27a及吸附電極27b，分別為膜狀或是薄片狀的電極。吸附電極27b，設於吸附電極27a的外側。
另外，在吸附電極27a的內側即第1區域20a內，設有圓形狀的偏壓電極21。偏壓電極21，係薄片狀或是網格狀。偏壓電極21，係以含有使用於靜電吸盤20之陶瓷與金屬的導電性陶瓷所形成。
偏壓電極21，具有既定值（例如，0.1Ω‧cm）以下的電阻值。這是因為，若形成偏壓電極21之薄片狀或是網格狀的構件的電阻值比既定值更大，則電荷往徑向的移動耗費時間，無法穩定施加高頻LF。
例如，高頻LF的頻率為例如400kHz時，宜將相對於該頻率具有非常快速程度的電荷的移動速度，電阻值非常低之構件用於偏壓電極21。
偏壓電極21所使用之素材，並不限於此，但亦可為鎢、鉭、鉬等的高熔點金屬系的材質，與構成靜電吸盤之陶瓷加以組合的導電性陶瓷。
再者，考慮到偏壓電極21，與埋入了偏壓電極21之靜電吸盤20的陶瓷之間的構件間的線膨脹係數差，則偏壓電極21，比起薄片狀亦可為網格狀的金屬。藉此，電漿的熱量輸入，使得偏壓電極21與靜電吸盤20的線膨脹係數差所產生，偏壓電極21與靜電吸盤20的收縮差得以緩和，可使偏壓電極21與靜電吸盤20之間的摩擦減少。
參照圖3（c）的C-C剖面，在第2區域20b設有環狀的偏壓電極25。偏壓電極25，係膜狀或是薄片狀的電極。偏壓電極25，將供電端子25a均等配置於周向。藉此，可使高頻LF的阻抗在周向當中均一化，可使高頻LF在周向當中的不均減少。
偏壓電極25，係薄片狀或是網格狀。偏壓電極25，係以含有靜電吸盤20所使用之陶瓷與金屬的導電性陶瓷所形成。
偏壓電極25，具有既定值（例如，0.1Ω‧cm）以下的電阻值。偏壓電極25所使用之素材，並不限於此，但亦可為鎢、鉭、鉬等的高熔點金屬系的材質，與構成靜電吸盤之陶瓷加以組合的導電性陶瓷。
再者，偏壓電極25，比起薄片狀亦可為網格狀的金屬。藉此，電漿的熱量輸入，使得偏壓電極25與靜電吸盤20的線膨脹係數差所產生，偏壓電極25與靜電吸盤20的收縮差得以緩和，可使偏壓電極25與靜電吸盤20之間的摩擦減少。
如以上所說明，根據本實施形態的載置台14及電漿處理裝置1，將偏壓電極21、25設於靜電吸盤20內，進而可抑制朝基板W底面及靜電吸盤20頂面之間供給之傳熱氣體的放電。
本次所揭示之一實施形態相關載置台及電漿處理裝置，應視為在所有方面當中僅為例示，並非有所限制。上述的實施形態，未脫離所附的申請專利範圍及其主旨，即可以各式形態進行變形及改良。上述複數的實施形態所記載之事項，在不相矛盾之範圍內也可採取其他構成，另外，可在不相矛盾之範圍內進行組合。
本發明的電漿處理裝置，Atomic Layer Deposition（ALD，原子層沉積）裝置、Capacitively Coupled Plasma（CCP，電容耦合電漿）、Inductively Coupled Plasma（ICP，電感耦合電漿）、Radial Line Slot Antenna（RLSA，輻射線槽孔天線）、Electron Cyclotron Resonance Plasma（ECR，電子迴旋加速器共振）、Helicon Wave Plasma（HWP，螺旋波電漿）的任一類型的裝置均可適用。
另外，電漿處理裝置，只要是對基板施以既定的處理（例如，蝕刻處理、成膜處理等）之裝置即可。
1:電漿處理裝置 10:腔室 10s:內部空間 12:腔室本體 12e:排氣口 12g:閘閥 12p:通路 13:支持部 14:載置台 15:構件 16:電極板 18:下部電極 18f:流路 20:靜電吸盤 20a:第1區域 20b:第2區域 20n,20s,20t:開關 20m,20p,20r:直流電源 21,25:偏壓電極 22:冷卻單元 22a,22b:配管 23,27,27a,27b:吸附電極 24:氣體供給線路 25:偏壓電極 25a供電端子 26:邊緣環 30:上部電極 32:構件 34:頂板 34a:氣體噴吐孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體孔 36c:氣體導入口 38:氣體供給管 40:氣體源群 41,43:閥群 42:流量控制器群 46:屏蔽 48:擋板 50:排氣裝置 52:排氣管 61:第1高頻電源 62:第2高頻電源 63,64,66:匹配器 65:第3高頻電源 80:控制部 201:第1頂面 202:第2頂面 GS:氣體供給部 AX:軸線 W:基板
圖1係一實施形態相關電漿處理裝置的一例之剖面示意圖。 圖2係一實施形態相關載置台的一例之圖式。 圖3（a）～（c）係一實施形態相關載置台的A-A剖面、B-B剖面、C-C剖面之圖式。
18:下部電極
20:靜電吸盤
20a:第1區域
20b:第2區域
20n,20s,20t:開關
20m,20p,20r:直流電源
21,25:偏壓電極
23,27,7a,27b:吸附電極
62:第2高頻電源
64,66:匹配器
65:第3高頻電源
201:第1頂面
202:第2頂面
D1,D2:厚度
AX:軸線
W:基板

Claims (8)

  1. 一種載置台，具備： 靜電吸盤，用以支持基板及邊緣環；及 基台，支持該靜電吸盤； 該靜電吸盤，包含： 第1區域，具有第1頂面，用以支持該第1頂面之上所載置的基板； 第2區域，具有第2頂面，以成一體方式設置於該第1區域的周圍，用以支持該第2頂面之上所載置的邊緣環； 第1電極，設於該第1區域，用以施加直流電壓； 第2電極，設於該第2區域，用以施加直流電壓；及 第3電極，用以施加偏壓電力。
  2. 如請求項1的載置台，其中， 該第3電極包含設於該第1區域之第3-1電極，及設於該第2區域之第3-2電極； 對該第3-1電極施加之偏壓電力，與對該第3-2電極施加之偏壓電力，係獨立地加以控制。
  3. 如請求項2的載置台，其中， 該第3-1電極，與該第2電極，係配置於該靜電吸盤的同一面內。
  4. 如請求項2或3的載置台，其中， 該第1頂面到該第3-1電極的厚度，與該第2頂面到該第3-2電極的厚度相等。
  5. 如請求項1至4中任1項的載置台，其中， 該靜電吸盤，係由介電體所形成； 該基台，係由金屬所形成。
  6. 如請求項1至5中任1項的載置台，其中， 該第3電極，係具有既定值以下的薄片電阻之薄片狀或是網格狀。
  7. 如請求項1至6中任1項的載置台，其中， 該第3電極，係以含有使用於該靜電吸盤之陶瓷與金屬的導電性陶瓷所形成。
  8. 一種電漿處理裝置，包含： 第1高頻電源，施加電漿產生用的高頻電力； 第2高頻電源及第3高頻電源，施加離子導入用的偏壓電力； 靜電吸盤，用以支持基板及邊緣環；及 基台，支持該靜電吸盤； 該靜電吸盤，包含： 第1區域，具有第1頂面，用以支持該第1頂面之上所載置的基板； 第2區域，具有第2頂面，以成一體方式設置於該第1區域的周圍，用以支持該第2頂面之上所載置的邊緣環； 第1電極，設於該第1區域，用以施加直流電壓； 第2電極，設於該第2區域，用以施加直流電壓；及 第3電極，用以施加偏壓電力。
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