JP5960384B2 - 静電チャック用基板及び静電チャック - Google Patents

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Description

本発明は、各種加工装置において被加工物を保持するのに適応された静電チャック用基板及び静電チャックに関する。
プラズマを利用したドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置等においては、プラズマ発生用の高周波以外に、発生したプラズマにエネルギーを与えて制御するためのバイアス周波数（プラズマ制御用の高周波）が用いられている。現状の技術では、複数のバイアス周波数を重畳して静電チャックに印加し、プラズマ状態にある複数のイオンや電子のフラックスエネルギーを個別に制御している。
かかる従来技術に関連する技術として、絶縁層に埋め込まれた少なくとも１対の平面電極の電極間にＤＣ電圧を印加する静電チャックに吸着されたエッチング被加工物を、高周波電圧の印加によるプラズマ中でエッチングするようにしたものが知られている。また、別の技術として、ウエハ上のプラズマ密度の半径方向のプロファイルを改善するようにした二重電極ウエハホルダが知られている。
特許第２６５１５９７号公報 特開２００３−１３３３９８号公報
プラズマを利用したドライエッチング装置等においては、同時に対接地電位の部分に給電する場合、印加する高周波に対応した表皮効果などの影響や静電チャックの構造などにより、高周波印加による面内のイオンエネルギー密度が自ずと決定される。ＩＤＣ（独立分布制御）のように面内（例えば、ウエハの中心部と周辺部）を個別に制御する場合、適切な周波数と出力を選ぶ必要があるが、その選択がなかなか難しく、そのため、面内分布の制御も難しい。
例えば、後述する図１（ａ）に例示するようにベースプレート１にプラズマ制御用の高周波（ＲＦ１、ＲＦ２）を同時に印加する形態では、その印加される周波数に対応した表皮効果やベースプレート１の形状などにより、面内の密度分布（エッチング等の処理を行うためのウエハ上でのイオンエネルギーの密度分布）が決まる。このため、効率の良い自由な密度分布の制御が難しいという課題があった。特にウエハの外周部でのイオンエネルギー密度のばらつきが大きく、他の部分と比べてエッチング等の加工処理状態にばらつきが生じていた。
また、ベースプレート１に給電される高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）電力は静電チャック基板３内を伝搬してプラズマを制御するため、その基板３の厚さの分だけパワーロスが生じる。このため、プラズマ制御に必要とされる以上のパワーの高周波電力をベースプレート１に給電しなければならない。
一方、パワーロスを少なくするために静電チャック基板３の厚さを薄くした場合には、別の問題が生じる。すなわち、静電チャック基板３をベースプレート１に固定保持している接着剤層５が相対的に静電チャックの上部の方に位置することになり、プラズマやガスに曝され易くなる。接着剤層５を構成する材料は、プラズマ等に対する耐性が静電チャック基板３と比較して低いためにダメージを受けやすく、そのため、接着剤層５が劣化し易い。つまり、接着剤層５が劣化することにより、静電チャック基板３とベースプレート１との絶縁性及び密着性が損なわれる。その結果、静電チャック全体としての寿命が短くなるといった課題があった。
かかる課題は、後述する図１（ｂ）に例示するように静電吸着用電極層４ａに吸着用のＤＣ電圧と共にプラズマ制御用の高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）を同時に印加する形態においても、同様に起こり得る。
以上から、複数の高周波による面内のイオンエネルギー密度分布の制御を容易に行えるようにすると共に、その制御を必要最小限の高周波電力で運用可能とし、長寿命化に寄与することができる静電チャック用基板及び静電チャックを提供することを目的とする。
一観点によれば、金属製のベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤を用いて接合される絶縁性を有した基板と、前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、前記３つの第２の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される２つの電極層とを含み、吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャック用基板が提供される。
また、別の観点によれば、金属製のベース部材と、前記ベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤層を介して接合された絶縁性を有した基板と、前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、３つの前記第２の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される２つの電極層とを含み、吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャックが提供される。
上記一観点に係る静電チャック用基板によれば、基板内の分離された３つの部位に、それぞれプラズマ制御用の異なる高周波が給電される独立したＲＦ電極層（第２の電極層）が設けられている。つまり、各ＲＦ電極層は、それぞれが対応する高周波専用に特化されているので、目的とする面内のイオンエネルギー密度分布の制御を行うことができる。
また、各ＲＦ電極層（第２の電極層）は基板内部に配置されているので、ウエハ等の被加工物が保持される吸着面とＲＦ電極層との距離を短くすることができ、高周波のパワーを効率的にウエハ等に伝えることができる。つまり、基板の厚さを厚くしても、ウエハ等に近い位置にＲＦ電極層を配置できることでパワーロスが少なくなるので、必要最小限の高周波電力で運用することができる。
また、基板内の吸着面に近い位置にＲＦ電極層を配置する一方で、基板自体の厚さを厚くすることができるので、ＲＦ電極層の下側の基板部分の厚さを大きく確保することができる。これにより、ベース部材と基板との間に介在する接着剤層の位置は相対的に下側に後退するため、プラズマやガスに曝され難くなり、静電チャック全体としての長寿命化に寄与することができる。
図１（ａ）は静電チャックのベースプレートにプラズマ制御用の高周波を印加する場合の構成例を示す図、図１（ｂ）は静電チャックの静電吸着用電極層にプラズマ制御用の高周波を印加する場合の構成例を示す図である。 図２（ａ）は第１の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図３は図２の静電チャックを利用した処理装置（ＲＩＥ装置）の構成例を示す図である。 図４（ａ）は第２の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図５（ａ）は第３の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図６（ａ）は第４の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図７（ａ）は第５の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図８（ａ）は第６の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。 図９（ａ）は第７の実施形態に係る静電チャックの構成を示す縦断面図、図９（ｂ）は図９（ａ）における複数のＲＦ電極層の配置関係を示す平面図である。
以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。
（予備的事項…図１参照）
ドライエッチング技術は、プラズマエッチング、反応性スパッタエッチング装置等を用いてシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物や、アルミニウム、タングステン、モリブデン、チタン等の金属、レジスト等のポリマーの被エッチング物をエッチングする技術として知られている。かかる技術には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、電子サイクロトロン共鳴エッチング（ＥＣＲ）、ダウンフローエッチングなど種々のものがある。このうちでも、量産性と微細パターン形成を可能にする異方性エッチング特性を兼ね備えたものとして、ＲＩＥやＲＦバイアスＥＣＲ等が、半導体装置や液晶パネル等の製造に広く用いられている。
例えば、半導体装置を製造する場合、先ず、ＲＩＥ装置においてチャンバ内に装着したＲＦ（高周波）電極上にウエハを配置し、チャンバ内をいったん排気する。そして、プラズマ発生用のガスをチャンバ内に導入し、ガス流量と排気速度を調整してチャンバ内を所定の圧力にする。次いで、ＲＦ電極に、ＲＦ整合器を通じて所定の高周波電力を給電し、チャンバ内にプラズマを発生させる。そして、このプラズマにウエハ表面を曝して反応させ、ウエハをエッチングする。
その際、ウエハ上の目的とする箇所のみを選択的にエッチングするため、ウエハ表面には所要のエッチングマスク（レジスト）が塗布されている。エッチングの際、ウエハはプラズマとの化学反応熱や、プラズマ状態にあるイオン等の衝突入射エネルギーにより加熱されるが、その加熱によりウエハ上のレジストが焦げてしまうので、ウエハを冷却する必要がある。また、エッチングプロセスは温度の影響を受け易いため、微細パターンを形成する上で、ウエハの温度を精密に制御することが重要となる。
そのためには、ウエハを載せるＲＦ電極を、冷却水等の媒体を用いて適宜温度調整すると共に、ウエハとＲＦ電極とを密着させて両者間の熱伝導を良くする必要がある。このため、ＲＦ電極上に静電チャック（基板）を設け、この静電チャックにウエハを密着させている。つまり、接触面積を増やして熱的コンタクトをとり、ウエハの温度制御を効果的に行えるようにしている。
また、プラズマを利用したドライエッチング装置、ＣＶＤ装置等においては、上記のプラズマ発生用の高周波以外に、プラズマ制御用の高周波電力（バイアス周波数）を給電している。これにより、発生したプラズマ状態にあるイオン等を被加工物（ウエハ等）に衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行えるようにしている。このバイアス周波数は、被加工物の属性やプラズマ発生用のガスの種類などに依存して適宜選定される。
現状の技術では、発生したプラズマを制御するために複数のバイアス周波数（代表的には２種類の高周波）を重畳して静電チャック（その電極として用いられる導電性部分）に印加している。図１はその印加態様を例示したものである。図１において、（ａ）は静電チャックのベースプレートにプラズマ制御用の高周波を印加する場合の構成例、（ｂ）は静電チャックの静電吸着用電極層にプラズマ制御用の高周波を印加する場合の構成例を示している。
図１（ａ）に示す構成例では、水等の冷媒を流すための冷却用流路２を内蔵したアルミニウム等からなるベースプレート１に、静電吸着用電極層４が埋め込まれたセラミック材等からなる静電チャック基板３が、接着剤層５を介して固定保持されている。図１（ａ）の例では、冷媒の接合部、給電部分等の構造は省略している。この構成において、使用時は、静電吸着用電極層４にウエハ吸着用の直流電圧（ＤＣ）が印加され、ベースプレート１（その表面はアルマイト処理等の絶縁処理が施されているので、その本体を構成する導電性部分）にプラズマ制御用の２種類の高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）が印加される。
一方、図１（ｂ）に示す構成例では、基本的な構成は図１（ａ）に示したものと同じであるが、使用時に静電吸着用電極層４ａに吸着用のＤＣ電圧と共にプラズマ制御用の高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）が同時に印加される点で相違する。
また、２種類の高周波（バイアス周波数）を同時に印加する代わりに、別々に印加する方法もある。例えば、低い方の高周波で「粗い」エッチング処理を行った後、高い方の高周波で「仕上げの」エッチング処理を行う。このように２段階に分けることで、単一の高周波でエッチング処理を行う場合と比べて、きめが細かく均一な処理を実現することができる。
このようにプラズマを利用したドライエッチング装置等においては、複数のバイアス周波数（プラズマ制御用の高周波）を印加する場合、静電チャックの電極として用いられる導電性部分（ベースプレート１や、静電吸着用電極層４ａ）に同時に印加し、あるいは別々に印加することで、プラズマ状態にあるイオン等のエネルギーを個別に制御するのが一般的であった。
次に、実施形態について説明する。
（第１の実施形態…図２、図３参照）
図２は第１の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
本実施形態に係る静電チャック３０は、基本的には、金属製の基盤（ベースプレート）２０と、このベースプレート２０上に接着剤層２５を介して接合（固定保持）された静電チャック用基板１０（以下、単に「基板」ともいう。）とを備えている。この基板１０上には、被加工物としてのウエハＷが吸着保持されるようになっている。
ベースプレート２０は、基本的には導電性を有した材料から構成されていれば十分であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や超硬合金等の金属材料、あるいはこの金属材料とセラミック材との複合材料などを使用することができる。本実施形態では、入手のし易さ、成形のし易さなどの点から、アルミニウム（Ａｌ）もしくはその合金を使用し、その表面にアルマイト処理（絶縁層形成）を施したものを使用している。
また、ベースプレート２０の内部には、図２（ａ）に示すように接着剤層２５と平行する面内で複数の冷却用流路２１が並列して形成されており、各冷却用流路２１はベースプレート２０内で連通している。図２（ａ）において矢印で示すように、左側の流路２１から右側の流路２１に水やヘリウム（Ｈｅ）ガス等の冷却媒体を流すことにより、ベースプレート２０上（接着剤層２５上）に接合された基板１０上に吸着保持されるウエハＷの温度が所定の温度となるように調整することができる。なお、このベースプレート２０は、プラズマを発生させるための電極として利用することも可能である。
接着剤層２５は、絶縁性のシリコーン樹脂等のゴム状接着剤を用いている。この接着剤層２５の厚さは、例えば、１００μｍ程度に選定されている。
静電チャック用基板１０は、基本的には絶縁性を有した材料から構成されていれば十分であり、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等のセラミック材や、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料などを使用することができる。本実施形態では、入手のし易さ、加工のし易さ、プラズマ等に対する耐性が比較的高いなどの点から、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックを使用している。特に、窒化アルミニウムを使用した場合、その熱伝導率は１５０〜２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と比較的大きいため、基板１０に吸着保持されるウエハＷ面内の温度差を小さくする上で好ましい。
この基板１０は、これに保持されるウエハＷのサイズ（例えば、直径が３００ｍｍ）よりもひと回り小さく形成されており、これにより、少なくとも吸着面１０Ｓの部分がプラズマに曝されないようにしている。また、基板１０は、例えば、２０ｍｍ程度の厚さに形成されている。
この基板１０の内部には所要の電極層１１，１２，１３が埋め込まれている。各電極層１１，１２，１３の材料としては、基板１０の素材がセラミックであることから、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等が好適に用いられる。例えば、所要の厚さに積み重ねたセラミックグリーンシートに厚膜法で各電極層１１，１２，１３をそれぞれ所要の形状にパターン形成しておき、セラミック材を介在させて一体焼成することにより、所望の基板１０を作製することができる。
この基板１０において、ウエハＷを保持する側の吸着面１０Ｓの近傍の基板部分（例えば、吸着面１０Ｓから０．５ｍｍの位置）に、静電吸着用の直流（ＤＣ）電圧が印加される吸着用電極層１１が円形状に形成されている。さらに、この吸着用電極層１１の吸着面１０Ｓと反対側の基板部分には、それぞれ異なるプラズマ制御用の高周波電力が給電される複数の独立したＲＦ電極層１２，１３が形成されている。
本実施形態では、基板１０内の中心部近傍において吸着用電極層１１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）１２が円形状に形成されている。さらに、ＲＦ電極層（ＲＦ１）１２の周囲に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）１３が円形のリング状に形成されている（図２（ｂ）参照）。すなわち、各ＲＦ電極層１２，１３は、図２（ａ）に示すように同一平面上にあり、それぞれ分割されて配置されている。
上記の配置例では、基板１０の吸着面１０Ｓと反対側（接着剤層２５に接合される側）の面と各ＲＦ電極層１２，１３との距離は、１９ｍｍ（＝２０ｍｍ−０．５ｍｍ−０．５ｍｍ）程度確保されている。つまり、ウエハＷが保持される吸着面１０ＳとＲＦ電極層１２，１３との距離が１ｍｍ程度と極めて短いのに比べて、ＲＦ電極層１２，１３の下側の基板部分の厚さは１９ｍｍ程度と大きく確保されている。これにより、接着剤層２５の位置を相対的に下側に後退させることができる。
図３は、第１の本実施形態の静電チャック３０（図２）を利用した処理装置（ＲＩＥ装置）の構成例を示したものである。
図３のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置６０において、チャンバ４０内には、静電チャック３０がウエハＷを下側に吸着保持する態様で装着されている。すなわち、ウエハＷは、その表面に塵等が付着することを防止するため、重力に逆らう形で保持されている。さらに、チャンバ４０内で静電チャック３０が取り付けられている側と反対側（ウエハＷの表面と対向する側）には、プラズマを発生させるための対向電極４１が配置されている。４２はプラズマ発生用のガスをチャンバ４０内に導入するためのガス導入口、４３はチャンバ４０内のガスを排気するための排気口を示す。
チャンバ４０内の対向電極４１には、チャンバ４０外に配設されたＲＦ整合器５１を通してＲＦ電源５２からのプラズマ発生用の高周波電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）が給電されている。また、静電チャック３０の基板１０内に埋め込まれた吸着用電極層１１には、チャンバ４０外に配設されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）５３を通してＤＣ電源５４からの静電吸着用のＤＣ電圧（例えば、ＤＣ５００Ｖ〜５０ｋＶ）が印加されている。同様に、基板１０内に埋め込まれた各ＲＦ電極層１２，１３には、それぞれチャンバ４０外に配設されたＲＦ整合器５５，５７を通してＲＦ電源５６（ＲＦ１）、ＲＦ電源５８（ＲＦ２）からのプラズマ制御用の高周波電力（例えば、ＲＦ１＝２７ＭＨｚ、ＲＦ２＝６０ＭＨｚ）が給電されている。
各ＲＦ電源５２，５６，５８から供給される高周波電力は、本発明の要旨（静電チャック基板内の分離された複数の部位に、それぞれプラズマ（イオンエネルギー）制御用の高周波を給電すること）からも明らかなように、それぞれの周波数自体は重要なことではない。上記の例以外にも適当な高周波を選択することができる。本実施形態では、工業用で一般的に使用されている周波数、具体的には、３８０ｋＨｚ、４００ｋＨｚ、１ＭＨｚ、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、４０ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ等のうちから適宜選択される。
図３に示すＲＩＥ装置６０において、先ず、静電チャック３０の基板１０内に埋め込まれた吸着用電極層１１に、ＬＰＦ５３を通してＤＣ電源５４から所要のＤＣ電圧を印加する。これにより、浮遊電位にあるウエハＷと電極層１１との間に働くクーロン力により、ウエハＷが静電チャック３０（基板１０）に吸着保持される。
次に、ウエハＷを静電チャック３０に吸着保持させた状態で、チャンバ４０内のガスを排気口４３から排気する。そして、ガス導入口４２からプラズマ発生用のガス（例えば、四塩化珪素と塩素の混合ガス：ＳｉＣｌ４ ＋Ｃｌ２ ）をチャンバ４０内に導入し、ガス流量と排気速度を調整してチャンバ４０内の圧力を所定値（例えば、０．０５Ｔｏｒｒ）に維持する。さらに、対向電極４１に、ＲＦ整合器５１を通してＲＦ電源５２から所要の高周波電力（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を給電し、チャンバ４０内にプラズマを発生させる。そして、この発生させたプラズマにウエハＷの表面を曝して反応させ、ウエハＷをエッチングする。
さらに、静電チャック３０の基板１０内に埋め込まれた各ＲＦ電極層１２，１３に、それぞれＲＦ整合器５５，５７を通してＲＦ電源５６（ＲＦ１）、ＲＦ電源５８（ＲＦ２）から所定の高周波電力（例えば、ＲＦ１＝２７ＭＨｚ、ＲＦ２＝６０ＭＨｚ）を給電し、発生させたプラズマ（イオンエネルギー）を制御する。
つまり、１３．５６ＭＨｚでプラズマを発生し、２７ＭＨｚと６０ＭＨｚでプラズマのイオンを加速することにより、ラジカルの発生とイオンエネルギーとを独立に制御し、より高精度で効率の良いエッチング処理を行えるようにしている。
以上説明したように、本実施形態に係る静電チャック３０（図２）の構成によれば、静電チャック基板１０内の分離された複数の部位に、それぞれプラズマ制御用の異なる高周波が印加される独立したＲＦ電極層（ＲＦ１）１２及びＲＦ電極層（ＲＦ２）１３が設けられている。つまり、各ＲＦ電極層１２，１３は、それぞれに対応する高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）専用に特化されているので、目的とする面内のイオンエネルギー密度分布の制御を容易に行うことができる。
また、各ＲＦ電極層１２，１３は、基板１０内部に配置されているので、ウエハＷが保持される吸着面１０ＳとＲＦ電極層１２，１３との距離を短くすることができ（基板１０の厚さ２０ｍｍに対し、１ｍｍ程度）、高周波のパワーを効率良くウエハＷに伝達することができる。つまり、基板１０の厚さを厚くしても、ウエハＷに近い位置にＲＦ電極層１２，１３を配置できることでパワーロスが少なくなるので、必要最小限の高周波電力で運用することができる。これにより、ＲＦ電源５６，５８及びＲＦ整合器５５，５７の負荷が少なくて済む。
また、基板１０内のウエハＷに近い位置にＲＦ電極層１２，１３を配置する一方で、基板１０自体の厚さを厚くすることができるので、ＲＦ電極層１２，１３の下側の基板部分の厚さを大きく確保することができる。これにより、接着剤層２５の位置は相対的に下側に後退するため、プラズマやガスによるダメージを大幅に減少させることができる。つまり、接着剤層２５の劣化が進行し難くなるため、静電チャック３０全体としての長寿命化に寄与することができる。
さらに、静電チャック３０における接合材料（接着剤層２５）やその接合状態に左右されないで、プラズマ制御用の高周波（ＲＦ１，ＲＦ２）のウエハＷとの結合を図ることができる。
（第２の実施形態…図４参照）
上述した第１の実施形態に係る静電チャック３０（図２）においては、各ＲＦ電極層１２，１３は同一平面上に分割されて配置されているので、各ＲＦ電極層１２，１３間には必然的に隙間部分（基板１０の絶縁層部分）が存在する。このため、吸着面１０Ｓに吸着保持されているウエハＷ上の、その隙間部分（基板１０の絶縁層部分）に対応する部分と各ＲＦ電極層１２，１３に対応する部分とで、エッチング等の加工処理状態にばらつきが生じることも考えられる。以下に記述する実施形態は、これを改善したものである。
図４は第２の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第２の実施形態に係る静電チャック３０ａ（図４）は、第１の実施形態に係る静電チャック３０（図２）の構成と比べて、静電チャック用基板１０ａの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層１４，１５の配置の態様において相違している。他の構成については、第１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。
この第２の実施形態では、同様に基板１０ａの吸着面１０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層１１が円形状に形成されており、さらに基板１０ａ内の外周部近傍において吸着用電極層１１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）１５が円形のリング状に形成されている（図４（ｂ）参照）。さらに基板１０ａ内の中心部近傍においてＲＦ電極層（ＲＦ２）１５から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）１４が円形状に形成されている。すなわち、各ＲＦ電極層１４，１５は、図４（ａ）に示すように同一平面上にはなく、それぞれ異なる層に分割されて配置されている。
さらに、各ＲＦ電極層１４，１５は、図４（ｂ）に示すように平面視したときに部分的に重なり合うように配置されている。すなわち、円形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）１４の周辺部分上に円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）１５の内側周辺部分が重なり合うように配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ウエハＷが保持される吸着面１０Ｓと最下層のＲＦ電極層（ＲＦ１）１４との距離が１．３〜１．５ｍｍ（＝０．５ｍｍ＋０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ）程度と極めて短いのに対し、そのＲＦ電極層（ＲＦ１）１４の下側の基板部分の厚さは１８．５〜１８．７ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層２５の位置が相対的に下側に後退している。
この第２の実施形態に係る静電チャック３０ａの構成によれば、上述した第１の実施形態で得られた効果に加えて、さらに以下の利点が得られる。すなわち、ＲＦ電極層１４，１５は、平面視したときに第１の実施形態（図２（ｂ））のような「隙間部分」ができないように部分的に重なり合うように配置されているので、ウエハＷ上でのエッチング等の加工処理状態のばらつきを実質的に無くすことができる。
なお、第２の実施形態（図４）では、平面視したときに各ＲＦ電極層１４，１５が部分的に重なり合うように配置しているが、この実施形態が奏する効果を得るためには、必ずしも重なり合うように配置する必要はない。少なくとも、第１の実施形態（図２（ｂ））のような「隙間部分」ができないように配置されていれば十分である。例えば、平面視したときに各ＲＦ電極層１４，１５の周縁部が一致するように配置してもよい。
また、この第２の実施形態では、円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）１５の下側に円形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）１４を配置しているが、必ずしもこの順序に配置する必要はない。図４に示す例と逆の順序で各ＲＦ電極層１４，１５を配置してもよい。
（第３の実施形態…図５参照）
図５は第３の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第３の実施形態に係る静電チャック３０ｂ（図５）は、第１の実施形態に係る静電チャック３０（図２）の構成と比べて、静電チャック用基板１０ｂの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層１６，１７，１８の配置の態様において相違している。他の構成については、第１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。
この第３の実施形態では、同様に基板１０ｂの吸着面１０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層１１が円形状に形成されており、さらに基板１０ｂ内の外周部近傍において吸着用電極層１１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ３の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ３）１８が円形のリング状に形成されている（図５（ｂ）参照）。さらに、このＲＦ電極層（ＲＦ３）１８の内側部分においてＲＦ電極層（ＲＦ３）１８から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）１７が円形のリング状に形成されている。さらに基板１０ｂ内の中心部近傍においてＲＦ電極層（ＲＦ２）１７から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）１６が円形状に形成されている。つまり、各ＲＦ電極層１６，１７，１８は、図５（ａ）に示すように同一平面上にはなく、それぞれ異なる層に分割されて配置されている。
さらに、各ＲＦ電極層１６，１７，１８は、図５（ｂ）に示すように平面視したときに部分的に重なり合うように配置されている。すなわち、円形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）１６の周辺部分上に円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）１７の内側周辺部分が重なり合い、さらにこのＲＦ電極層（ＲＦ２）１７の外側周辺部分上に円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ３）１８の内側周辺部分が重なり合うように配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ウエハＷが保持される吸着面１０Ｓと最下層のＲＦ電極層（ＲＦ１）１６との距離が１．６〜２．０ｍｍ（＝０．５ｍｍ＋０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ）程度と極めて短いのに対し、そのＲＦ電極層（ＲＦ１）１６の下側の基板部分の厚さは１８．０〜１８．４ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層２５の位置が相対的に下側に後退している。
この第３の実施形態に係る静電チャック３０ｂの構成によれば、上述した第２の実施形態（図４）の場合と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、ＲＦ電極層１６，１７，１８は、平面視したときに第１の実施形態（図２（ｂ））のような「隙間部分」ができないように部分的に重なり合うように配置されているので、ウエハＷ上でのエッチング等の加工処理状態のばらつきを実質的に無くすことができる。
なお、第３の実施形態（図５）では、平面視したときに各ＲＦ電極層１６，１７，１８が部分的に重なり合うように配置しているが、上述した第２の実施形態（図４）の場合と同様に、この第３の実施形態が奏する効果を得るためには、必ずしも重なり合うように配置する必要はない。少なくとも、第１の実施形態（図２（ｂ））のような「隙間部分」ができないように配置されていれば十分である。例えば、平面視したときに各ＲＦ電極層１６，１７，１８の周縁部がそれぞれ一致するように配置してもよい。
また、この第３の実施形態では、円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ３）１８の下側に円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）１７を配置し、さらにこの円形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）１７の下側に円形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）１６を配置しているが、必ずしもこの順序に配置する必要はない。図５に示す例と逆の順序で各ＲＦ電極層１６，１７，１８を配置してもよい。
（第４の実施形態…図６参照）
図６は第４の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第４の実施形態に係る静電チャック９０（図６）は、第１の実施形態に係る静電チャック３０（図２）の構成と比べて、静電チャック用基板７０の内部（絶縁層部分）に埋め込まれる吸着用電極層７１及びＲＦ電極層７２，７３のそれぞれの形状（平面視した場合）において相違している。他の構成（ベースプレート８０、冷却用流路８１、接着剤層８５等）については、第１の実施形態の場合と同様であるのでその説明は省略する。
この第４の実施形態では、静電チャック用基板７０上に、被加工物として液晶パネル用のガラス基板Ｇが吸着保持されるようになっている。このガラス基板Ｇは、平面視したときに四角形（方形もしくは矩形）の形状である。従って、基板７０は、これに保持されるガラス基板Ｇのサイズ（例えば、２０００ｍｍ×２０００ｍｍ）よりもひと回り小さく形成されており、これにより、少なくとも吸着面７０Ｓの部分がプラズマに曝されないようにしている。
この第４の実施形態では、基板７０の吸着面７０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層７１が矩形状に形成されている。さらに、基板７０内の中心部近傍において吸着用電極層７１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）７２が矩形状に形成されている（図６（ｂ）参照）。さらに、このＲＦ電極層（ＲＦ１）７２の周囲に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）７３が矩形のリング状に形成されている。つまり、各ＲＦ電極層７２，７３は、図６（ａ）に示すように同一平面上にあり、それぞれ分割されて配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ガラス基板Ｇが保持される吸着面７０ＳとＲＦ電極層７２，７３との距離が１ｍｍ程度と極めて短いのに対し、ＲＦ電極層７２，７３の下側の基板部分の厚さは１９ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層８５の位置が相対的に下側に後退している。
この第４の実施形態に係る静電チャック９０の構成によれば、加工処理対象が半導体ウエハＷ（図２等）であるか液晶パネル用のガラス基板Ｇ（図６）であるかの違いはあるにせよ、基本的な構造は第１の実施形態（図２）の場合と同じであるので、同様の作用効果を奏することができる。
特に、液晶パネル用のガラス基板は、そのサイズが２０００ｍｍ×２０００ｍｍを超えるものが有り、半導体ウエハに比べてはるかに大きい。このため、高周波電力のばらつきも大きくなりやすいが、本実施形態の静電チャック９０の構成によれば、かかる不都合を解消することができる。つまり、半導体ウエハＷを加工処理対象とする第１の実施形態の場合と比べて、その効果が顕著に表れる。
（第５の実施形態…図７参照）
図７は第５の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第５の実施形態に係る静電チャック９０ａ（図７）は、第４の実施形態に係る静電チャック９０（図６）の構成と比べて、静電チャック用基板７０ａの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層７４，７５の配置の態様において相違している。他の構成については、第４の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。
この第５の実施形態では、同様に基板７０ａの吸着面７０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層７１が矩形状に形成されており、さらに基板７０ａ内の外周部近傍において吸着用電極層７１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）７５が矩形のリング状に形成されている（図７（ｂ）参照）。さらに基板７０ａ内の中心部近傍においてＲＦ電極層（ＲＦ２）７５から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）７４が矩形状に形成されている。すなわち、各ＲＦ電極層７４，７５は、図７（ａ）に示すように同一平面上にはなく、それぞれ異なる層に分割されて配置されている。
さらに、各ＲＦ電極層７４，７５は、図７（ｂ）に示すように平面視したときに部分的に重なり合うように配置されている。すなわち、矩形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）７４の周辺部分上に矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）７５の内側周辺部分が重なり合うように配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ガラス基板Ｇが保持される吸着面７０Ｓと最下層のＲＦ電極層（ＲＦ１）７４との距離が１．３〜１．５ｍｍ（＝０．５ｍｍ＋０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ）程度と極めて短いのに対し、そのＲＦ電極層（ＲＦ１）７４の下側の基板部分の厚さは１８．５〜１８．７ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層８５の位置が相対的に下側に後退している。
この第５の実施形態に係る静電チャック９０ａの構成によれば、上述した第４の実施形態（図６）で得られた効果に加えて、さらに以下の利点が得られる。すなわち、ＲＦ電極層７４，７５は、平面視したときに第４の実施形態（図６（ｂ））のような「隙間部分」ができないように部分的に重なり合うように配置されているので、ガラス基板Ｇ上でのエッチング等の加工処理状態のばらつきを実質的に無くすことができる。
同様に、この第５の実施形態（図７）では、平面視したときに各ＲＦ電極層７４，７５が部分的に重なり合うように配置しているが、必ずしも重なり合うように配置する必要はない。例えば、平面視したときに各ＲＦ電極層７４，７５の周縁部が一致するように配置してもよい。また、矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）７５の下側に矩形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）７４を配置しているが、必ずしもこの順序に配置する必要はない。図７に示す例と逆の順序で各ＲＦ電極層７４，７５を配置してもよい。
（第６の実施形態…図８参照）
図８は第６の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第６の実施形態に係る静電チャック９０ｂ（図８）は、第４の実施形態に係る静電チャック９０（図６）の構成と比べて、静電チャック用基板７０ｂの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層７６，７７，７８の配置の態様において相違している。他の構成については、第４の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。
この第６の実施形態では、同様に基板７０ｂの吸着面７０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層７１が矩形状に形成されており、さらに基板７０ｂ内の外周部近傍において吸着用電極層７１から０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ３の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ３）７８が矩形のリング状に形成されている（図８（ｂ）参照）。さらに、このＲＦ電極層（ＲＦ３）７８の内側部分においてＲＦ電極層（ＲＦ３）７８から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ２）７７が矩形のリング状に形成されている。さらに基板７０ｂ内の中心部近傍においてＲＦ電極層（ＲＦ２）７７から０．３〜０．５ｍｍの位置に、周波数ＲＦ１の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）７６が矩形状に形成されている。つまり、各ＲＦ電極層７６，７７，７８は、図８（ａ）に示すように同一平面上にはなく、それぞれ異なる層に分割されて配置されている。
さらに、各ＲＦ電極層７６，７７，７８は、図８（ｂ）に示すように平面視したときに部分的に重なり合うように配置されている。すなわち、矩形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）７６の周辺部分上に矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）７７の内側周辺部分が重なり合い、さらにこのＲＦ電極層（ＲＦ２）７７の外側周辺部分上に矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ３）７８の内側周辺部分が重なり合うように配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ガラス基板Ｇが保持される吸着面７０Ｓと最下層のＲＦ電極層（ＲＦ１）７６との距離が１．６〜２．０ｍｍ（＝０．５ｍｍ＋０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ＋０．３〜０．５ｍｍ）程度と極めて短いのに対し、そのＲＦ電極層（ＲＦ１）７６の下側の基板部分の厚さは１８．０〜１８．４ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層８５の位置が相対的に下側に後退している。
この第６の実施形態に係る静電チャック９０ｂの構成によれば、上述した第５の実施形態（図７）の場合と同様の作用効果を奏することができる。すなわち、ＲＦ電極層７６，７７，７８は、平面視したときに第４の実施形態（図６（ｂ））のような「隙間部分」ができないように部分的に重なり合うように配置されているので、ガラス基板Ｇ上でのエッチング等の加工処理状態のばらつきを実質的に無くすことができる。
同様に、第６の実施形態（図８）では、平面視したときに各ＲＦ電極層７６，７７，７８が部分的に重なり合うように配置しているが、必ずしも重なり合うように配置する必要はない。例えば、平面視したときに各ＲＦ電極層７６，７７，７８の周縁部がそれぞれ一致するように配置してもよい。また、矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ３）７８の下側に矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）７７を配置し、さらにこの矩形のリング状のＲＦ電極層（ＲＦ２）７７の下側に矩形状のＲＦ電極層（ＲＦ１）７６を配置しているが、必ずしもこの順序に配置する必要はない。図８に示す例と逆の順序で各ＲＦ電極層７６，７７，７８を配置してもよい。
（第７の実施形態…図９参照）
図９は第７の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、（ａ）はその縦断面構造、（ｂ）は（ａ）において複数のＲＦ電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
この第７の実施形態に係る静電チャック９０ｃ（図９）は、第４の実施形態に係る静電チャック９０（図６）の構成と比べて、静電チャック用基板７０ｃの内部（絶縁層部分）に埋め込まれるＲＦ電極層７２ａ，７３ａのそれぞれの形状（平面視した場合）において相違している。他の構成については、第４の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。
この第７の実施形態では、同様に基板７０ｃの吸着面７０Ｓから０．５ｍｍの位置に吸着用電極層７１が矩形状に形成されている。さらに、この矩形状の吸着用電極層７１から０．５ｍｍの位置に、それぞれ周波数ＲＦ１及びＲＦ２の高周波電力が給電されるＲＦ電極層（ＲＦ１）７２ａ及びＲＦ電極層（ＲＦ２）７３ａが矩形状に形成されている。つまり、各ＲＦ電極層７２ａ，７３ａは、図９（ａ）に示すように同一平面上にあり、それぞれ分割されて配置されている。
同様に本実施形態の配置例においても、ガラス基板Ｇが保持される吸着面７０ＳとＲＦ電極層７２ａ，７３ａとの距離が１ｍｍ程度と極めて短いのに対し、ＲＦ電極層７２ａ，７３ａの下側の基板部分の厚さは１９ｍｍ程度と大きく確保されている。つまり、接着剤層８５の位置が相対的に下側に後退している。
この第７の実施形態に係る静電チャック９０ｃの構成によれば、基板７０ｃの内部に埋め込まれるＲＦ電極層７２ａ，７３ａの形状（平面視した場合）の違いはあるにせよ、基本的な構造は第４の実施形態（図６）の場合と同じであるので、同様の作用効果を奏することができる。
この第７の実施形態（図９）では、基板７０ｃ内で同一平面上にＲＦ電極層を２つ（７２ａ，７３ａ）に分割して配置した場合を例示しているが、分割する数が２つに限定されないことはもちろんである。例えば、図８に例示したように３種類の周波数（ＲＦ１，ＲＦ２，ＲＦ３）に対応させた３つのＲＦ電極層を、基板７０ｃ内で同一平面上に並べて配置してもよい。
また、この第７の実施形態では、各ＲＦ電極層７２ａ，７３ａを基板７０ｃ内で同一平面上に配置した場合を例示しているが、各ＲＦ電極層７２ａ，７３ａは、必ずしも同一平面上に配置する必要はない。例えば、各ＲＦ電極層７２ａ，７３ａを異なる層に分割して配置し、平面視したときに各ＲＦ電極層７２ａ，７３ａが部分的に重なり合うように配置してもよい。
１０，１０ａ，１０ｂ，７０，７０ａ，７０ｂ，７０ｃ…静電チャック用基板、
１０Ｓ，７０Ｓ…吸着面、
１１，７１…静電吸着用の電極層、
１２〜１８，７２〜７８，７２ａ，７３ａ…プラズマ制御用のＲＦ電極層、
２０，８０…ベースプレート（金属製の基盤／ベース部材）、
２５，８５…接着剤層、
３０，３０ａ，３０ｂ，９０，９０ａ，９０ｂ，９０ｃ…静電チャック、
４０…チャンバ、
４１…対向電極、
５２，５６，５８…ＲＦ電源（プラズマ発生用、プラズマ制御用）、
５４…ＤＣ電源、
６０…ＲＩＥ装置、
Ｗ，Ｇ…被加工物（ウエハ、液晶パネル用のガラス基板）。

Claims (8)

  1. 金属製のベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤を用いて接合される絶縁性を有した基板と、
    前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、
    前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、
    前記３つの第２の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される２つの電極層とを含み、
    吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャック用基板。
  2. 前記３つの第２の電極層を構成する各電極層は、平面視したときに部分的に重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック用基板。
  3. 前記３つの第２の電極層を構成する各電極層は、平面視したときにそれぞれ四角形の形状であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック用基板。
  4. 金属製のベース部材と、
    前記ベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤層を介して接合された絶縁性を有した基板と、
    前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、
    前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、
    ３つの前記第２の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される２つの電極層とを含み、
    吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャック。
  5. 前記３つの第２の電極層を構成する各電極層は、平面視したときに部分的に重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項４に記載の静電チャック。
  6. 前記３つの第２の電極層を構成する各電極層は、平面視したときにそれぞれ四角形の形状であることを特徴とする請求項４に記載の静電チャック。
  7. 金属製のベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤を用いて接合される絶縁性を有した基板と、
    前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、
    前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割されて、それぞれ異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、
    吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電され、
    前記基板は前記吸着面に搭載される被加工物の大きさより小さく、かつ、前記第１の電極層及び前記第２の電極層は、それぞれ全体が前記吸着面に搭載された前記被加工物の内側に存在するように、配置されていることを特徴とする静電チャック用基板。
  8. 金属製のベース部材と、
    前記ベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤層を介して接合された絶縁性を有した基板と、
    前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第１の電極層と、
    前記第１の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、３つに分割され、それぞれ異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第２の電極層とを有し、
    吸着用の直流電圧が前記第１の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が３つの前記第２の電極層にそれぞれ給電され、
    前記基板は前記吸着面に搭載される被加工物の大きさより小さく、かつ、前記第１の電極層及び前記第２の電極層は、それぞれ全体が前記吸着面に搭載された前記被加工物の内側に存在するように、配置されていることを特徴とする静電チャック。
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