JP2004259721A - 試料処理装置 - Google Patents

試料処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004259721A
JP2004259721A JP2003045411A JP2003045411A JP2004259721A JP 2004259721 A JP2004259721 A JP 2004259721A JP 2003045411 A JP2003045411 A JP 2003045411A JP 2003045411 A JP2003045411 A JP 2003045411A JP 2004259721 A JP2004259721 A JP 2004259721A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electrode
processing apparatus
electrostatic
outer periphery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003045411A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Aramaki
徹 荒巻
Masanori Sumiya
匡規 角谷
Koichi Yamamoto
浩一 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2003045411A priority Critical patent/JP2004259721A/ja
Publication of JP2004259721A publication Critical patent/JP2004259721A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】静電吸着用の電源数を従来の試料処理装置より減らした構成で、除電ステップ無しでの試料の試料台への吸着、および、試料の試料台からの離脱を可能にする。
【解決手段】静電吸着用試料台100の内部に載置される試料の外周付近とそれより内側の領域との間で静電吸着力を発生する内電極1、外電極7の2つの電極を設け、外電極7は高周波カット用ローパスフィルタ3を介して電源4に接続し、他方の内電極1は高周波カット用ローパスフィルタ3を介して接地する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料処理装置に関し、特に減圧雰囲気下でプラズマ等により処理される試料を保持するのに好適な静電吸着装置を有する試料処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
特許文献1によれば、極性の異なる一対の電極を有し、電極間に直流電圧を印加して、電極上面に設けられた誘電体膜上に試料を静電的に吸着保持する静電チャックにおいて、電極に印加した直流電圧の供給停止直前の、誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷量を実質的に同一にすることで、直流電圧の供給停止後の誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷を、異なる極性の電荷のバランスによって消滅させる。
【0003】
一方、特許文献2にも、正負の電極を静電吸着すべき基板面内に有するダイポール電極タイプの電極が開示されている。1つの静電吸着用電源によって一対の電極に正負の電圧を印加することによって両電極の上面に基板を静電吸着することが可能となる。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−150100号公報
【特許文献2】
特開平09−148420号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献1に記載の従来技術は、減圧雰囲気下でプラズマ等により処理される試料の保持のために、その構造が検討されているが、1つの試料台につき2つの静電吸着用の電源が必要という問題がある。
【0006】
他方、上記特許文献2に記載の従来技術は、1つの静電吸着用電源で足りるが、試料を試料台から離脱させるために誘電体膜の吸着部に蓄えられた電荷を、速やかに消滅させることについての配慮が開示されていない。
【0007】
本発明の目的は、静電吸着用の電源数を従来の試料処理装置より減らした構成で、試料の試料台への吸着、および、試料の試料台からの速やかな離脱を可能にすることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、試料台内部に導電性材料からなる2つの電極を設け、電極の一方を高周波カット用ローパスフィルタを介して電源に接続し、他方も同様に高周波カット用ローパスフィルタを介して接地することで達成できる。
【0009】
本発明の特徴は、試料台が絶縁性板をベースとして表面に設けられた絶縁性膜と該絶縁性膜の内側に埋設された導電性材料からなる電極を具備し、前記絶縁性膜を挟んで該電極と試料の間に電界を発生させ、静電気力によって該試料を前記試料台に固定させる静電吸着装置を有する処理装置において、前記電極が、載置される試料の外周付近とそれより内側の部分に対応する領域との間で静電吸着力を発生する第1、第2の2組の電極からなり、いずれか一方の電極は高周波カット用ローパスフィルタを介して1つの静電吸着用電源に接続され、他方の電極は高周波カット用ローパスフィルタを介して接地されていることにある。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例になる試料処理装置として、マイクロ波を用い減圧雰囲気下でプラズマ等により試料を処理するプラズマエッチング装置を説明する。図1は、本発明の一実施例であるプラズマエッチング装置の概略構成を示す縦断面図である。図2は、図1の試料台を示す概略図であり、(A)は試料台中の導電性板の断面図、(B)および(C)は一組の電極の断面を示すもので、(B)は(A)のA−A断面図、(C)は(A)のB−B断面図である。
【0011】
図1において、11はプラズマエッチング装置の処理室であり、内部に被処理物である試料2が載置される試料台100を備えている。処理室11内には、処理ガス導入口15から処理用ガスが供給され、また、処理室11内は、排気口14に連結された真空ポンプ(図示省略)により排気される。12は高周波発生源であり、ここからマイクロ波は発生し、導波管18を通して処理室11内に導入される。その後、処理室11内にコイル16を用いて形成された磁場との相乗効果で電子サイクロトロン共鳴を起こし、処理ガス導入口15より導入された処理ガスをプラズマ化し、プラズマ13を発生させる。
【0012】
なお、本発明におけるプラズマ発生方式としては、本実施例のマイクロ波を用いた方式に限定されるものではない。例えば、容量結合方式、誘導結合方式、又はUHF波を用いたECR方式等でも実施できる。
【0013】
試料台100は、絶縁性板8をベースとして内部に内電極1、外電極7、導電性板9が設けられ、上表面に絶縁性膜10が設けられている。1組の内電極1及び外電極7は、静電吸着用の一対の電極であり、電極7はスイッチを含む静電吸着用電源4に接続され高電圧が印加される。また、内電極1は接地されている。導電性板9は、RFバイアス印加用のものであり、RF電源6に接続され、高周波バイアスが印加される。
【0014】
外電極7に高周波カット用ローパスフィルタ3を介して静電吸着用電源4を接続し、内電極1も同様に高周波カット用ローパスフィルタ3を介して接地する。これにより、外電極7に、例えばプラスの電圧を印加した場合に、試料中の外電極7に近い部分にはマイナスの電子が誘起され、試料2外周付近と外電極7の間で静電吸着力を発生する。また、マイナスの電子が外周付近に誘起されたことにより、試料中の内電極1に近い部分はプラスの性質を持ち、接地された内電極1と試料2内周付近との間に電位差が生じ、静電吸着力が発生する。この構成によって、試料2が試料台100に固定される。
【0015】
他方、試料台100からの試料2の離脱のメカニズムは次のようになる。静電吸着用電源4を切ることで、外電極7、内電極1ともに電圧値が0となり、試料2中の電荷の偏りもなくなり、静電吸着力が消失し、試料2は試料台100から離脱する。
【0016】
このように、本実施例によれば、除電ステップ無しで、試料の試料台への吸着、および、試料の試料台からの離脱が可能になる。
【0017】
以上、本実施例によれば、プラズマの有無に関わらず、試料のステージへの吸着、離脱を、1つの静電吸着用電源により制御することができる。
【0018】
内電極1及び電極7の静電吸着用電源4に対する接続関係は、上述の実施例と逆の関係にしても良い。
【0019】
上述の実施例では、プラズマエッチング装置を例に説明したが、減圧雰囲気内で試料等の被処理物が加熱されながら処理される処理装置に広く適用することができる。例えば、プラズマを利用した処理装置としては、プラズマCVD装置、スパッタリング装置等が挙げられ、これらに本実施例が適用できる。また、プラズマを利用しない処理装置としては、イオン注入装置、MBE装置、蒸着装置、減圧CVD装置等が挙げられ、これらに本実施例が適用できる。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、試料と試料台の静電吸着用の電源数を従来の試料処理装置より減らした構成で、試料の試料台への吸着、および試料の試料台からの離脱を容易に行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるプラズマエッチング装置を示す構成図である。
【図2】本発明の一実施例である試料台を示す概略図で、試料台中の導電性板の断面図、および、電極の断面図を示している。
【符号の説明】
1・・・内電極、2・・・試料、3・・・高周波カット用ローパスフィルタ、4・・・静電吸着用電源、5・・・接地、6・・・RF電源、7・・・外電極、8・・・絶縁性板、9・・・導電性板、10・・・絶縁性膜、11・・・処理室、12・・・プラズマ源、13・・・プラズマ、14・・・排気口、15・・・処理ガス導入口、16・・・コイル、17・・・処理容器、18・・・導波管、19・・・高周波透過窓、100・・・試料台

Claims (3)

  1. 試料台が絶縁性板をベースとして表面に設けられた絶縁性膜と該絶縁性膜の内側に埋設された導電性材料からなる電極を具備し、前記絶縁性膜を挟んで該電極と試料の間に電界を発生させ、静電気力によって該試料を前記試料台に固定させる静電吸着装置を有する処理装置において、
    前記電極が、載置される試料の外周付近とそれより内側の部分に対応する領域との間で静電吸着力を発生する第1、第2の2組の電極からなり、いずれか一方の電極は高周波カット用ローパスフィルタを介して1つの静電吸着用電源に接続され、他方の電極は高周波カット用ローパスフィルタを介して接地されていることを特徴とする試料処理装置。
  2. 請求項1に記載の試料処理装置において、前記第1の電極は前記試料の外周付近に対応する円盤状であり、前記第2の電極は前記試料の外周付近よりも内側の部分に対応する同心リング状であることを特徴とする試料処理装置。
  3. 請求項1または2において、前記試料処理装置が、減圧雰囲気下でプラズマ等により試料を処理するものであることを特徴とする試料処理装置。
JP2003045411A 2003-02-24 2003-02-24 試料処理装置 Pending JP2004259721A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003045411A JP2004259721A (ja) 2003-02-24 2003-02-24 試料処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003045411A JP2004259721A (ja) 2003-02-24 2003-02-24 試料処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004259721A true JP2004259721A (ja) 2004-09-16

Family

ID=33112218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003045411A Pending JP2004259721A (ja) 2003-02-24 2003-02-24 試料処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004259721A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008088471A1 (en) * 2006-12-19 2008-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
JP2011119654A (ja) * 2009-10-26 2011-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック用基板及び静電チャック
JP2014027852A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Mitsubishi Electric Corp 充放電装置
CN111480221A (zh) * 2018-02-28 2020-07-31 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘加热器及其制造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008088471A1 (en) * 2006-12-19 2008-07-24 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
JP2011119654A (ja) * 2009-10-26 2011-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック用基板及び静電チャック
KR101731017B1 (ko) * 2009-10-26 2017-04-27 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 정전 척용 기판 및 정전 척
JP2014027852A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Mitsubishi Electric Corp 充放電装置
CN111480221A (zh) * 2018-02-28 2020-07-31 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘加热器及其制造方法
JP2021515384A (ja) * 2018-02-28 2021-06-17 ミコ セラミックス リミテッド 静電チャックヒータおよびその製造方法
JP7337064B2 (ja) 2018-02-28 2023-09-01 ミコ セラミックス リミテッド 静電チャックヒータおよびその製造方法
CN111480221B (zh) * 2018-02-28 2024-04-05 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘加热器及其制造方法
US12040209B2 (en) 2018-02-28 2024-07-16 Mico Ceramics Ltd. Electrostatic chuck heater and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431683B (zh) Plasma processing device and plasma processing method
KR950006346B1 (ko) 정전 흡착 방법
US9767996B2 (en) Application of powered electrostatic faraday shield to recondition dielectric window in ICP plasmas
TWI260710B (en) Plasma processing method and plasma processing device
TW417230B (en) Method for improved sputter etch processing
TWI689033B (zh) 於載置台吸附被吸附物之方法及處理裝置
JPH07183097A (ja) 半導体作製のための、プラズマと、プラズマ点火装置及び誘導結合装置を有するプロセス反応装置を用いたワ−クピ−スの処理方法
JP2004047511A (ja) 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置
JP3847363B2 (ja) 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
JP4013674B2 (ja) プラズマドーピング方法及び装置
KR101883246B1 (ko) 플라스마 처리 장치 및 시료의 이탈 방법
JP3725967B2 (ja) 静電吸着した試料を離脱する方法
JP2004259721A (ja) 試料処理装置
JPH1027780A (ja) プラズマ処理方法
KR20180016922A (ko) 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
JP2016127173A (ja) プラズマ処理方法
JPS63253628A (ja) プラズマ処理装置
JP4355046B2 (ja) クリーニング方法及び基板処理装置
JP2003124198A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH11111830A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法
JP4026702B2 (ja) プラズマエッチング装置およびプラズマアッシング装置
JP2004259745A (ja) プラズマ処理装置および静電チャックの製造方法
JP2001223259A (ja) 静電吸着電極
JP3006502B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW201941296A (zh) 反應性離子蝕刻裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050329

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050719