JP2003124198A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理基板に塵埃が吸着され、歩留まりの低
下が発生することを防止しつつ、低圧下においても、容
易にかつ確実にプラズマを着火することができ、高精度
なプラズマ処理を確実に行うことのできるプラズマ処理
方法及びプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 まず、高圧直流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３
から上部電極２１に対する高圧直流電圧の印加を開始す
る。次に、第１の高周波電源４０からの上部電極２１に
対する高周波電力の供給、第２の高周波電源５０からの
サセプタ（下部電極）５に対する高周波電力の供給を開
始すると、この時点で、プラズマが着火される。そし
て、プラズマが着火された後、高圧直流電源１３から静
電チャック１１への高圧直流電圧の印加が開始されてウ
エハＷの吸着が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理方法
及びプラズマ処理装置に係り、特に、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板等の被処理基板に、エッチン
グや成膜等のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法及び
プラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程等にお
いては、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等
の被処理基板に、エッチングや成膜等のプラズマ処理を
施すプラズマ処理が多用されている。

【０００３】このようなプラズマ処理に使用されるプラ
ズマ処理装置としては、従来から種々のタイプのものが
知られているが、その一つとして、真空チャンバ内に対
向するように上部電極と下部電極とが配置された所謂平
行平板型のプラズマ処理装置がある。

【０００４】かかる平行平板型のプラズマ処理装置で
は、一般に、下部電極上に被処理基板を載置し、上部電
極と下部電極との間に所定周波数の高周波電力を供給
し、上部電極と下部電極との間に供給された所定の処理
ガスを高周波電力によりプラズマ化し、このプラズマを
被処理基板に作用させて、エッチングや成膜等のプラズ
マ処理を施すようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
プラズマ処理においては、半導体装置等における回路パ
ターンの微細化に対応した高精度なプラズマ処理を行う
ために、真空チャンバ内の処理ガスの圧力を低くする低
圧化が行われるようになっており、このため、プラズマ
の着火が次第に困難になりつつあるという問題がある。

【０００６】なお、通常、電極に対する高周波電力の供
給は、インピーダンスマッチングをとるための整合器を
介して行われるが、この整合器は、通常、可変コンデン
サの容量を変化させることによって、整合（インピーダ
ンスマッチング）をとるようになっている。

【０００７】そして、プラズマが着火し難くなった場合
には、この整合器の最初の状態によって、プラズマが着
火したり、着火しなかったりする。つまり、整合器の最
初の状態における可変コンデンサの容量が、電極に良好
に電力が供給され得るような値になっていないと、プラ
ズマが着火しなくなる。

【０００８】このため、プラズマが着火し難い状態で
は、可変コンデンサの容量を微調整しながら、整合器の
状態を、プラズマが着火する状態となるように、調整す
る必要が生じるが、さらに、処理ガスの圧力を低圧化す
ると、整合器の状態にかかわらず、プラズマが着火しな
くなる。

【０００９】また、かかる低圧化に対応する技術とし
て、上部電極と、下部電極に異なった周波数の高周波電
力を供給し、上部電極にはプラズマ生起用の高周波電力
として、例えば、５０〜８０ＭＨｚ等の従来より高い周
波数の高周波電力を供給することも行われているが、か
かる構成のものにおいても、プラズマの着火については
十分とは言えない。

【００１０】このような問題は、一部の処理ガスにおい
て特に顕著であり、例えば、処理ガスとしてＨＢｒガス
を単ガスで使用した場合等においては、上述した上部電
極と、下部電極に異なった周波数の高周波電力を供給す
る構成のものについても、ガス圧を低圧化し、例えば、
０．６７Ｐａ（５ｍTorr）以下程度とすると、プラズマ
の着火ができなくなるという問題が発生する。

【００１１】また、本発明者等が詳査したところ、上記
のようなプラズマの着火の際に、予め、下部電極上に被
処理基板を静電吸着するための静電チャックに直流電圧
を印加して被処理基板を吸着した状態にしておくと、プ
ラズマが着火し易くなる傾向がある。

【００１２】すなわち、このように、静電チャックに直
流電圧を印加して被処理基板を吸着した状態としておく
と、かかる静電チャックの直流電圧による電界が、処理
ガスを活性化し、プラズマ着火が容易になるように作用
するためと推測される。

【００１３】しかしながら、上記のように、プラズマを
着火する前に、予め静電チャックに直流電圧を印加して
被処理基板を吸着した状態としておくと、静電気により
被処理基板に塵埃が吸着され易くなり、不良発生の一因
となって、歩留まりの低下を招くという問題が発生す
る。

【００１４】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、被処理基板に塵埃が吸着され、歩留まり
の低下が発生することを防止しつつ、低圧下において
も、容易にかつ確実にプラズマを着火することができ、
高精度なプラズマ処理を確実に行うことのできるプラズ
マ処理方法及びプラズマ処理装置を提供しようとするも
のである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャン
バーと、前記真空チャンバー内に、所定の処理ガスを供
給するための処理ガス供給手段と、前記真空チャンバー
内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極
と、前記下部電極に対向するように、前記真空チャンバ
ー内に設けられた上部電極と、前記上部電極に所定周波
数の第１の高周波電力を供給するための第１の高周波電
力供給手段と、前記下部電極に所定周波数の高周波電力
を供給するための第２の高周波電力供給手段と、前記上
部電極に所定電圧の直流電圧を印加する直流電圧印加手
段を具備したプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方
法であって、前記下部電極に前記被処理基板を載置する
載置工程と、前記載置工程の後、前記処理ガス供給手段
により前記真空チャンバー内に所定の処理ガスの供給を
開始する処理ガス供給開始工程と、前記処理ガス供給開
始工程の後、前記上部電極に前記直流電圧印加手段から
所定電圧の直流電圧の印加を開始する直流電圧印加開始
工程と、前記直流電圧印加工程の後、前記第１の高周波
電力供給手段から前記上部電極に前記第１の高周波電力
の供給を開始する第１の高周波電力供給開始工程、及
び、前記第２の高周波電力供給手段から前記下部電極に
前記第２の高周波電力の供給を開始する第２の高周波電
力供給開始工程とを具備したことを特徴とする。

【００１６】請求項２の発明は、請求項１記載のプラズ
マ処理方法において、前記第１の高周波電力供給開始工
程の後、前記第２の高周波電力供給開始工程を行うこと
を特徴とする。

【００１７】請求項３の発明は、請求項１又は２記載の
プラズマ処理方法において、前記第１の高周波電力供給
開始工程及び前記第２の高周波電力供給開始工程の後、
前記直流電圧印加手段から前記上部電極への所定電圧の
直流電圧の印加を停止することを特徴とする。

【００１８】請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか
一項記載のプラズマ処理方法において、前記下部電極
が、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャック
を具備し、前記第１の高周波電力供給開始工程及び前記
第２の高周波電力供給開始工程の後、前記静電チャック
に対する直流電圧の供給を行うことを特徴とする。

【００１９】請求項５の発明は、請求項１〜４いずれか
一項記載のプラズマ処理方法において、前記処理ガス
が、ＨＢｒを含む混合ガス、又はＮＦ₃ を含む混合ガ
ス、又はＨＢｒ単ガス、又はＮＦ₃ 単ガスのいずれかで
あることを特徴とする。

【００２０】請求項６の発明は、被処理基板を収容し、
プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、前記真空
チャンバー内に、所定の処理ガスを供給するための処理
ガス供給手段と、前記真空チャンバー内に設けられ、前
記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極に
対向するように、前記真空チャンバー内に設けられた上
部電極と、前記上部電極に所定周波数の第１の高周波電
力を供給するための第１の高周波電力供給手段と、前記
下部電極に所定周波数の高周波電力を供給するための第
２の高周波電力供給手段と、前記上部電極に所定電圧の
直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、前記上部電極
に前記直流電圧印加手段から所定電圧の直流電圧の印加
を開始し、この後、前記第１の高周波電力供給手段から
前記上部電極に対する前記第１の高周波電力の供給、及
び、前記第２の高周波電力供給手段から前記下部電極に
対する前記第２の高周波電力の供給を開始してプラズマ
を着火する制御手段とを具備したことを特徴とする。

【００２１】請求項７の発明は、請求項６記載のプラズ
マ処理装置において、前記制御手段が、前記第１の高周
波電力の供給を開始した後、前記第２の高周波電力の供
給を開始するよう構成されたことを特徴とする。

【００２２】請求項８の発明は、請求項６又は７記載の
プラズマ処理において、前記制御手段が、前記第１の高
周波電力の供給開始及び前記第２の高周波電力の供給開
始後に、前記直流電圧印加手段からの前記上部電極への
所定電圧の直流電圧の印加を停止するよう構成されたこ
とを特徴とする。

【００２３】請求項９の発明は、請求項６〜８いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記下部電極
が、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャック
を具備し、前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供
給開始、及び、前記第２の高周波電力の供給開始の後、
前記静電チャックに対する直流電圧の供給を行うよう構
成されたことを特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、図面を参
照して実施の形態について説明する。

【００２５】図１は、本発明の一実施形態に係るプラズ
マ処理装置であるエッチング装置の構成を模式的に示す
ものである。

【００２６】このエッチング処理装置１は、例えば表面
がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム
からなる円筒形状に成形された真空チャンバー２を有し
ており、この真空チャンバー２は接地されている。真空
チャンバー２内の底部にはセラミックスなどの絶縁板３
を介して、ウエハＷ（シリコン基板）を載置するための
略円柱状のサセプタ支持台４が設けられており、さらに
このサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサ
セプタ５が設けられている。このサセプタ５にはハイパ
スフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。

【００２７】サセプタ支持台４の内部には、温度調節媒
体室７が設けられており、導入管８を介して温度調節媒
体室７に温度調節媒体が導入、循環され、サセプタ５を
所望の温度に制御できるようになっている。

【００２８】サセプタ５は、その上側中央部が凸状の円
板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャ
ック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁
材の間に電極１２が介在された構成となっており、電極
１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの
直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって
ウエハＷを静電吸着する。

【００２９】そして、絶縁板３、サセプタ支持台４、サ
セプタ５、さらには静電チャック１１には、被処理体で
あるウエハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨｅガスなど
を供給するためのガス通路１４が形成されており、この
伝熱媒体を介してサセプタ５とウエハＷとの間の熱伝達
がなされ、ウエハＷが所定の温度に維持されるようにな
っている。

【００３０】サセプタ５の上端周縁部には、静電チャッ
ク１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフ
ォーカスリング１５が配置されている。このフォーカス
リング１５はセラミックス或いは石英などの絶縁性材料
或いは導電性材料からなり、エッチングの均一性を向上
させるようになっている。

【００３１】また、サセプタ５の上方には、このサセプ
タ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。
この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、真空チャン
バー２の上部に支持されており、サセプタ５との対向面
を構成し、多数の吐出孔２３を有する例えばシリコン、
石英からなる電極板２４と、この電極板２４を支持する
導電性材料例えば表面がアルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる電極支持体２５とによって構成されてい
る。なお、サセプタ５と上部電極２１との間隔は、調節
可能とされている。

【００３２】上部電極２１における電極支持体２５の中
央にはガス導入口２６が設けられ、さらにこのガス導入
口２６には、ガス供給管２７が接続されており、さらに
このガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフロ
ーコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接
続され、この処理ガス供給源３０から、プラズマエッチ
ングのためのエッチングガスが供給されるようになって
いる。

【００３３】一方、真空チャンバー２の底部には排気管
３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３
５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプ
などの真空ポンプを備えており、これにより真空チャン
バー２内を所定の減圧雰囲気、例えば０．６７Ｐａ（５
ｍTorr）以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構
成されている。

【００３４】また、真空チャンバー２の側壁にはゲート
バルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を
開にした状態で、隣接するロードロック室（図示せず）
からウエハＷを搬入、及びロードロック室へウエハＷを
搬出するようになっている。さらに、上部電極２１に
は、第１の高周波電源４０が接続されている。この第１
の高周波電源４０は、例えば、５０〜１５０ＭＨｚの範
囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加
することにより、真空チャンバー２内に好ましい解離状
態でかつ高密度のプラズマを形成することができ、従来
より低圧条件下でのプラズマ処理が行えるようになって
いる。この第１の高周波電源４０の周波数は、５０〜８
０ＭＨｚが好ましく、典型的には図示した６０ＭＨｚま
たはその近傍の条件が採用される。

【００３５】また、第１の高周波電源４０と上部電極２
１とを接続する給電線には、整合器４１が介挿され、ま
た、この給電線には、ローパスフィルター（ＬＰＦ）４
２が接続されている。

【００３６】整合器４１は、図２に示すように、整合回
路４１ａから構成されており、この整合回路４１ａとロ
ーパスフィルター（ＬＰＦ）４２は、真空チャンバ２の
上部に設けられたシールドボックス４５ａ，４５ｂ内に
夫々収容されている。そして、このローパスフィルター
（ＬＰＦ）４２の部分から、上部電極２１に高圧直流電
圧を印加可能とするように、抵抗４６を介して、高圧直
流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３が接続されている。この高圧
直流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３は、例えば，１．５ｋＶ程
度の高圧直流電圧を印加可能とされており、抵抗４６に
よって、過剰な電流が流れないように調整されている。

【００３７】一方、下部電極としてのサセプタ５には、
第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線に
は整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源
５０は数百〜十数ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、
このような範囲の周波数を印加することにより、被処理
体であるウエハＷに対してダメージを与えることなく適
切なイオン作用を与えることができるようになってい
る。第２の高周波電源５０の周波数は、典型的には図示
した１３．５６ＭＨｚまたはその近傍の条件が採用され
る。

【００３８】さらに、真空チャンバ２の側壁部分には、
真空チャンバ２の内部で生起されたプラズマからの光を
導出可能な如く窓６０が設けられており、この窓６０の
外側には、フォトダイオード等からなる光検出器６１が
設けられている。そして、この光検出器６１において検
出された光検出信号を、プラズマ検出器６２に入力し
て、真空チャンバ２内においてプラズマが着火されたか
否かを検出できるように構成されている。

【００３９】上記構成のエッチング処理装置１では、上
述した一連の構成における各部分の動作が、図示しない
制御装置によって、統括的に制御されるように構成され
ている。そして、ウエハＷのエッチング処理を行う際に
は、かかる制御装置によって、以下のように制御され
る。

【００４０】すなわち、まず、ゲートバルブ３２を開放
し、このゲートバルブ３２に隣接して設けられた図示し
ないロードロック室から、図示しない搬送アーム等によ
って、ウエハＷを、真空チャンバー２内へ搬入し、静電
チャック１１上に載置する。そして、搬送アームを真空
チャンバー２から退避させた後、ゲートバルブ３２を閉
じて、真空チャンバー２を気密に封止する。なお、この
時点では、高圧直流電源１３から静電チャック１１への
高圧直流電圧の印加は行わない。

【００４１】次に、排気機構３５によって、真空チャン
バー２内を所定の真空度まで真空引した後、バルブ２８
を開放し、処理ガス供給源３０から、例えば、ＨＢｒ、
ＮＦ ₃ 等の単ガス或いはこれらを含む混合ガス等の所定
のエッチングガスを、マスフローコントローラ２９によ
ってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管２７、ガス
導入口２６、上部電極２１の中空部、電極板２４の吐出
孔２３を通じて、図１の矢印に示すように、ウエハＷに
対して均一に吐出させ、真空チャンバー２内の圧力が、
所定の圧力に維持される。

【００４２】この状態で、次に、プラズマの着火が行わ
れるが、かかるプラズマ着火は、以下のような手順で行
われる。

【００４３】すなわち、図３に示されるように、まず、
高圧直流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３から上部電極２１に対
する高圧直流電圧の印加を開始する。

【００４４】次に、第１の高周波電源４０からの上部電
極２１に対する高周波電力の供給、第２の高周波電源５
０からのサセプタ（下部電極）５に対する高周波電力の
供給を順次開始すると、この時点で、プラズマが着火さ
れる。この時、プラズマが着火されたか否かは、前述し
た光検出器６１及びプラズマ検出器６２によって確認さ
れる。

【００４５】そして、プラズマが着火された後、高圧直
流電源１３から静電チャック１１（電極１２）への高圧
直流電圧の印加が開始されてウエハＷの吸着が行われ
る。しかる後、高圧直流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３から上
部電極２１に対する高圧直流電圧の印加が停止される。
なお、高圧直流電源（ＨＶ−ＰＳ）４３から上部電極２
１に対する高圧直流電圧の印加を停止するのは、その後
に行われるプラズマによるウエハＷに対するエッチング
処理のプロセスに、高圧直流電圧の印加が悪影響を及ぼ
さないようにするためであり、高圧直流電圧の印加が悪
影響を及ぼさないプロセスの場合は、高圧直流電圧の印
加を停止する必要はない。

【００４６】上記のようにして、高圧直流電源（ＨＶ−
ＰＳ）４３から上部電極２１に対して高圧直流電圧を印
加した状態でプラズマを着火させると、従来困難であっ
た低圧の条件下であっても、整合器４１等の調整を行う
ことなく、確実にプラズマを着火させることができた。
例えば、エッチングガスとしてＨＢｒガスを単ガスで使
用した場合では、従来は、ガス圧を０．６７Ｐａ（５ｍ
Torr）以下とするとプラズマの着火が困難であったが、
本実施の形態においては、ガス圧が０．６７Ｐａ（５ｍ
Torr）、０．４０Ｐａ（３ｍTorr）、０．２７Ｐａ（２
ｍTorr）であっても、確実にプラズマを着火させること
ができた。

【００４７】なお、エッチングガスが、ＨＢｒガスの単
ガス以外の場合、例えば、ＨＢｒガスを含む混合ガスの
場合、ＮＦ₃ ガスの単ガスの場合、ＮＦ₃ ガスを含む混
合ガスの場合においても、確実にプラズマを着火させる
ことができた。なお、ガス種については、上記のガス以
外の他、プラズマが着火し難いあらゆるガスに適用でき
ることは、勿論である。

【００４８】また、プラズマを着火させる前に、静電チ
ャック１１によるウエハＷの吸着を行っていないので、
プラズマ着火前に、真空チャンバ２内の塵埃がウエハＷ
に吸着されることも防止できる。なお、プラズマ着火後
においては、真空チャンバ２内の塵埃がプラズマに引き
つけられ、処理ガスの流れによって排気されるので、静
電チャック１１によるウエハＷの吸着を行っても、塵埃
がウエハＷに吸着される可能性は、非常に低くなる。

【００４９】なお、上記の例では、本発明をプラズマエ
ッチングに適用した場合について説明したが、本発明は
かかる場合に限定されるものではなく、成膜等の他のプ
ラズマ処理に適用することができることは勿論である。
また、被処理基板もウエハＷに限らず、ＬＣＤ用のガラ
ス基板等、他の基板に対して適用することができること
も勿論である。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理方法及びプラズマ処理装置によれば、被処理基板に
塵埃が吸着され、歩留まりの低下が発生することを防止
しつつ、低圧下においても、容易にかつ確実にプラズマ
を着火することができ、高精度なプラズマ処理を確実に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置
の構成を模式的に示す図。

【図２】図１のプラズマ処理装置の要部構成を模式的に
示す図。

【図３】図１のプラズマ処理装置の動作の状態を説明す
るための図。

【符号の説明】

１……エッチング処理装置、２……真空チャンバー、５
……サセプタ（下部電極）、１１……静電チャック、１
３……直流電源（静電チャック用）、１３２１……上部
電極、４０……第１の高周波電源、４３……高圧直流電
源（ＨＶ−ＰＳ）、５０……第２の高周波電源、Ｗ……
ウエハ。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA06 CA12 FA03 GA02 JA06 JA18 KA41 5F004 AA16 BA09 BB11 BB18 BB22 BB23 BB25 BB28 CA06 DA00 DA17 DB04 5F045 AA08 DP03 DQ10 EF05 EH05 EH14 EH19 EM05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施
   すための真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に、
   所定の処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、
   前記真空チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載
   置される下部電極と、前記下部電極に対向するように、
   前記真空チャンバー内に設けられた上部電極と、前記上
   部電極に所定周波数の第１の高周波電力を供給するため
   の第１の高周波電力供給手段と、前記下部電極に所定周
   波数の高周波電力を供給するための第２の高周波電力供
   給手段と、前記上部電極に所定電圧の直流電圧を印加す
   る直流電圧印加手段を具備したプラズマ処理装置におけ
   るプラズマ処理方法であって、 前記下部電極に前記被処理基板を載置する載置工程と、 前記載置工程の後、前記処理ガス供給手段により前記真
   空チャンバー内に所定の処理ガスの供給を開始する処理
   ガス供給開始工程と、 前記処理ガス供給開始工程の後、前記上部電極に前記直
   流電圧印加手段から所定電圧の直流電圧の印加を開始す
   る直流電圧印加開始工程と、 前記直流電圧印加工程の後、前記第１の高周波電力供給
   手段から前記上部電極に前記第１の高周波電力の供給を
   開始する第１の高周波電力供給開始工程、及び、前記第
   ２の高周波電力供給手段から前記下部電極に前記第２の
   高周波電力の供給を開始する第２の高周波電力供給開始
   工程とを具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理方法におい
   て、 前記第１の高周波電力供給開始工程の後、前記第２の高
   周波電力供給開始工程を行うことを特徴とするプラズマ
   処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のプラズマ処理方法
   において、 前記第１の高周波電力供給開始工程及び前記第２の高周
   波電力供給開始工程の後、前記直流電圧印加手段から前
   記上部電極への所定電圧の直流電圧の印加を停止するこ
   とを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか一項記載のプラズ
   マ処理方法において、 前記下部電極が、前記被処理基板を静電吸着するための
   静電チャックを具備し、前記第１の高周波電力供給開始
   工程及び前記第２の高周波電力供給開始工程の後、前記
   静電チャックに対する直流電圧の供給を行うことを特徴
   とするプラズマ処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４いずれか一項記載のプラズ
   マ処理方法において、 前記処理ガスが、ＨＢｒを含む混合ガス、又はＮＦ₃ を
   含む混合ガス、又はＨＢｒ単ガス、又はＮＦ₃ 単ガスの
   いずれかであることを特徴とするプラズマ処理方法。
6. 【請求項６】 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施
   すための真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に、所定の処理ガスを供給するた
   めの処理ガス供給手段と、 前記真空チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載
   置される下部電極と、 前記下部電極に対向するように、前記真空チャンバー内
   に設けられた上部電極と、 前記上部電極に所定周波数の第１の高周波電力を供給す
   るための第１の高周波電力供給手段と、 前記下部電極に所定周波数の高周波電力を供給するため
   の第２の高周波電力供給手段と、 前記上部電極に所定電圧の直流電圧を印加する直流電圧
   印加手段と、 前記上部電極に前記直流電圧印加手段から所定電圧の直
   流電圧の印加を開始し、この後、前記第１の高周波電力
   供給手段から前記上部電極に対する前記第１の高周波電
   力の供給、及び、前記第２の高周波電力供給手段から前
   記下部電極に対する前記第２の高周波電力の供給を開始
   してプラズマを着火する制御手段とを具備したことを特
   徴とするプラズマ処理装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載のプラズマ処理装置におい
   て、 前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供給を開始し
   た後、前記第２の高周波電力の供給を開始するよう構成
   されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
8. 【請求項８】 請求項６又は７記載のプラズマ処理にお
   いて、 前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供給開始及び
   前記第２の高周波電力の供給開始後に、前記直流電圧印
   加手段からの前記上部電極への所定電圧の直流電圧の印
   加を停止するよう構成されたことを特徴とするプラズマ
   処理装置。
9. 【請求項９】 請求項６〜８いずれか一項記載のプラズ
   マ処理装置において、 前記下部電極が、前記被処理基板を静電吸着するための
   静電チャックを具備し、 前記制御手段が、前記第１の
   高周波電力の供給開始、及び、前記第２の高周波電力の
   供給開始の後、前記静電チャックに対する直流電圧の供
   給を行うよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理
   装置。