JP2003124198A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に、所定の処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、前記真空チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極に対向するように、前記真空チャンバー内に設けられた上部電極と、前記上部電極に所定周波数の第１の高周波電力を供給するための第１の高周波電力供給手段と、前記下部電極に所定周波数の高周波電力を供給するための第２の高周波電力供給手段と、前記上部電極に所定電圧の直流電圧を印加する直流電圧印加手段を具備したプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
   前記下部電極に前記被処理基板を載置する載置工程と、
   前記載置工程の後、前記処理ガス供給手段により前記真空チャンバー内に所定の処理ガスの供給を開始する処理ガス供給開始工程と、
   前記処理ガス供給開始工程の後、前記上部電極に前記直流電圧印加手段から所定電圧の直流電圧の印加を開始する直流電圧印加開始工程と、
   前記直流電圧印加工程の後、前記第１の高周波電力供給手段から前記上部電極に前記第１の高周波電力の供給を開始する第１の高周波電力供給開始工程、及び、前記第２の高周波電力供給手段から前記下部電極に前記第２の高周波電力の供給を開始する第２の高周波電力供給開始工程と
   を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 請求項１記載のプラズマ処理方法において、
   前記第１の高周波電力供給開始工程の後、前記第２の高周波電力供給開始工程を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
3. 請求項１又は２記載のプラズマ処理方法において、
   前記第１の高周波電力供給開始工程及び前記第２の高周波電力供給開始工程の後、前記直流電圧印加手段から前記上部電極への所定電圧の直流電圧の印加を停止することを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 請求項１〜３いずれか一項記載のプラズマ処理方法において、
   前記下部電極が、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャックを具備し、前記第１の高周波電力供給開始工程及び前記第２の高周波電力供給開始工程の後、前記静電チャックに対する直流電圧の供給を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
5. 請求項１〜４いずれか一項記載のプラズマ処理方法において、
   前記処理ガスが、ＨＢｒを含む混合ガス、又はＮＦ3 を含む混合ガス、又はＨＢｒ単ガス、又はＮＦ3 単ガスのいずれかであることを特徴とするプラズマ処理方法。
6. 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、
   前記真空チャンバー内に、所定の処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、
   前記真空チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
   前記下部電極に対向するように、前記真空チャンバー内に設けられた上部電極と、
   前記上部電極に所定周波数の第１の高周波電力を供給するための第１の高周波電力供給手段と、
   前記下部電極に所定周波数の高周波電力を供給するための第２の高周波電力供給手段と、 前記上部電極に所定電圧の直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
   前記上部電極に前記直流電圧印加手段から所定電圧の直流電圧の印加を開始し、この後、前記第１の高周波電力供給手段から前記上部電極に対する前記第１の高周波電力の供給、及び、前記第２の高周波電力供給手段から前記下部電極に対する前記第２の高周波電力の供給を開始してプラズマを着火する制御手段と
   を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 請求項６記載のプラズマ処理装置において、
   前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供給を開始した後、前記第２の高周波電力の供給を開始するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
8. 請求項６又は７記載のプラズマ処理において、
   前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供給開始及び前記第２の高周波電力の供給開始後に、前記直流電圧印加手段からの前記上部電極への所定電圧の直流電圧の印加を停止するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
9. 請求項６〜８いずれか一項記載のプラズマ処理装置において、
   前記下部電極が、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャックを具備し、
   前記制御手段が、前記第１の高周波電力の供給開始、及び、前記第２の高周波電力の供給開始の後、前記静電チャックに対する直流電圧の供給を行うよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
10. 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、
    前記真空チャンバー内に設けられた電極と、
    前記電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電力供給手段と、
    前記電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
    前記電極に前記直流電圧印加手段から直流電圧の印加を開始し、この後、前記電極に前記第１の高周波電力供給手段からの第１の高周波電力の供給を開始するように制御する制御手段と
    を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
11. 請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
    前記電極は、前記真空チャンバー内の上部に設けられた上部電極であることを特徴とするプラズマ処理装置。
12. 請求項１１記載のプラズマ処理装置において、
    前記被処理基板が載置される下部電極と、
    前記下部電極に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電力供給手段と
    を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
13. 請求項１２記載のプラズマ処理装置において、
    前記下部電極は、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャックを具備し、
    前記制御手段は、前記第１の高周波電力の供給開始の後、前記静電チャックに対する直流電圧の供給を行うよう制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
14. 被処理基板を収容し、プラズマ処理を施すための真空チャンバーと、
    前記真空チャンバー内に設けられた電極と、
    前記電極に第１の高周波電力を供給する第１の高周波電力供給手段と、
    前記電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段とを具備したプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
    前記電極に前記直流電圧印加手段から直流電圧の印加を開始する直流電圧印加開始工程と、
    前記直流電圧印加開始工程の後、前記第１の高周波電力供給手段から前記電極に前記第１の高周波電力の供給を開始する第１の高周波電力供給開始工程と
    を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
15. 請求項１４記載のプラズマ処理方法において、
    前記電極は、前記真空チャンバー内の上部に設けられた上部電極であることを特徴とするプラズマ処理方法。
16. 請求項１５記載のプラズマ処理方法において、
    前記プラズマ処理装置は、前記被処理基板が載置される下部電極と、
    前記下部電極に第２の高周波電力を供給する第２の高周波電力供給手段と
    を具備することを特徴とするプラズマ処理方法。
17. 請求項１６記載のプラズマ処理方法において、
    前記下部電極は、前記被処理基板を静電吸着するための静電チャックを具備し、
    前記第１の高周波電力供給開始工程の後前記静電チャックに対する直流電圧の供給を行う工程を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。