JP2018022756A5 - - Google Patents

Description

本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記電極に直流電圧を印加する直流電源とを備えるプラズマ処理装置において、前記試料のプラズマ処理後、前記高周波電力を第一の高周波電力から第二の高周波電力に変更させ、前記第二の高周波電力が供給されている間、前記直流電圧を前記プラズマ処理時の値から所定の値に変更させ、前記第二の高周波電力の供給が停止された後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更させ、前記直流電圧が概０Ｖに変更された後、プラズマ処理された前記試料を前記試料台から離脱させる制御を行う制御部をさらに備え、前記第二の高周波電力は、前記試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させるためのプラズマを生成するための高周波電力であり、前記所定の値は、前記直流電圧を前記所定の値に変更させた時、前記電極の電位が前記試料の電位と概ね同等となるようにして求められた値であることを特徴とする。

また、本発明は、試料がプラズマ処理された後、前記試料が載置される試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させる試料の離脱方法において、前記試料をプラズマ処理した後、プラズマを生成するための高周波電力を第一の高周波電力から第二の高周波電力に変更し、前記第二の高周波電力を供給している間、前記試料を前記試料台に静電吸着させるための直流電圧を前記プラズマ処理時の値から所定の値に変更し、前記第二の高周波電力の供給を停止した後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更し、前記直流電圧を概０Ｖに変更した後、プラズマ処理された前記試料を前記試料台から離脱させ、前記第二の高周波電力は、前記試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させるためのプラズマを生成するための高周波電力であり、前記所定の値は、前記直流電圧を前記所定の値に変更した時、前記電極の電位が前記試料の電位と概ね同等となるようにして求められた値であることを特徴とする。

Claims (10)

1. 試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料を静電吸着させるための電極を具備し前記試料が載置される試料台と、前記電極に直流電圧を印加する直流電源とを備えるプラズマ処理装置において、
   前記試料のプラズマ処理後、前記高周波電力を第一の高周波電力から第二の高周波電力に変更させ、
   前記第二の高周波電力が供給されている間、前記直流電圧を前記プラズマ処理時の値から所定の値に変更させ、
   前記第二の高周波電力の供給が停止された後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更させ、
   前記直流電圧が概０Ｖに変更された後、プラズマ処理された前記試料を前記試料台から離脱させる制御を行う制御部をさらに備え、
   前記第二の高周波電力は、前記試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させるためのプラズマを生成するための高周波電力であり、
   前記所定の値は、前記直流電圧を前記所定の値に変更させた時、前記電極の電位が前記試料の電位と概ね同等となるようにして求められた値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記電極が２個の場合、前記一方の電極に印加される第一の直流電圧と前記他方の電極に印加される第二の直流電圧の平均値が前記所定の値となるようにして求められた前記第一の直流電圧および前記第二の直流電圧が前記電極の各々に印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
   前記所定の値は、前記第二の高周波電力により生成されたプラズマの浮遊電位と概ね同等であることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記所定の値は、−２０〜−１０Ｖの範囲内の値であることを特徴とプラズマ処理装置。
5. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記第二の高周波電力の供給を停止してから所定時間が経過した後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更させ、
   前記所定時間は、０．１〜３秒の範囲内の時間であることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 試料がプラズマ処理された後、前記試料が載置される試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させる試料の離脱方法において、
   前記試料をプラズマ処理した後、プラズマを生成するための高周波電力を第一の高周波電力から第二の高周波電力に変更し、
   前記第二の高周波電力を供給している間、前記試料を前記試料台に静電吸着させるための直流電圧を前記プラズマ処理時の値から所定の値に変更し、
   前記第二の高周波電力の供給を停止した後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更し、
   前記直流電圧を概０Ｖに変更した後、プラズマ処理された前記試料を前記試料台から離脱させ、
   前記第二の高周波電力は、前記試料台に静電吸着した前記試料を前記試料台から離脱させるためのプラズマを生成するための高周波電力であり、
   前記所定の値は、前記直流電圧を前記所定の値に変更した時、前記電極の電位が前記試料の電位と概ね同等となるようにして求められた値であることを特徴とする試料の離脱方法。
7. 請求項６に記載の試料の離脱方法において、
   前記電極が２個の場合、前記一方の電極に印加される第一の直流電圧と前記他方の電極に印加される第二の直流電圧の平均値が前記所定の値となるようにして求められた前記第一の直流電圧および前記第二の直流電圧を前記電極の各々に印加することを特徴とする試料の離脱方法。
8. 請求項６または請求項７に記載の試料の離脱方法において、
   前記所定の値は、前記第二の高周波電力により生成されたプラズマの浮遊電位と概ね同等であることを特徴とする試料の離脱方法。
9. 請求項６に記載の試料の離脱方法において、
   前記所定の値は、−２０〜−１０Ｖの範囲内の値であることを特徴と試料の離脱方法。
10. 請求項６に記載の試料の離脱方法において、
    前記第二の高周波電力の供給を停止してから所定時間が経過した後、前記直流電圧を前記所定の値から概０Ｖに変更し、
    前記所定時間は、０．１〜３秒の範囲内の時間であることを特徴とする試料の離脱方法。