JP2017069542A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマを生成するための第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、第一の期間と第二の期間を有する第一のパルス波形により前記第一の高周波電力をパルス変調し、オン期間とオフ期間を有する第二のパルス波形により前記第二の高周波電力をパルス変調する場合、前記第二の期間の高周波電力を前記第一の期間に生成されたプラズマのアフターグローを維持するような電力値とするとともに前記パルス変調された第二の高周波電力を前記第二の期間に前記試料台へ供給する制御器をさらに備え、前記パルス変調された第二の高周波電力が供給される期間は、前記第二の期間より短いことを特徴とする。
本発明は、オン期間とオフ期間を有する第二のパルス波形によりパルス変調された第二の高周波電力が供給される試料台に載置された試料を第一の期間と第二の期間を有する第一のパルス波形によりパルス変調された第一の高周波電力によって生成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、前記第二の期間の高周波電力を前記第一の期間に生成されたプラズマのアフターグローを維持するような電力値とする工程と、前記パルス変調された第二の高周波電力を前記第二の期間に前記試料台へ供給する工程とを有し、前記パルス変調された第二の高周波電力が供給される期間は、前記第二の期間より短いことを特徴とする。
Claims (7)
- 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマを生成するための第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
第一の期間と第二の期間を有する第一のパルス波形により前記第一の高周波電力をパルス変調し、オン期間とオフ期間を有する第二のパルス波形により前記第二の高周波電力をパルス変調する場合、前記第二の期間の高周波電力を前記第一の期間に生成されたプラズマのアフターグローを維持するような電力値とするとともに前記パルス変調された第二の高周波電力を前記第二の期間に前記試料台へ供給する制御器をさらに備え、
前記パルス変調された第二の高周波電力が供給される期間は、前記第二の期間より短いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御器は、前記第二の期間の開始に対して前記オン期間の開始を遅延させる遅延回路を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御器は、前記オン期間の高周波電圧のピーク間電圧が所定値に達した場合、前記第二の高周波電源の出力をオフにすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記制御器は、前記オン期間の間、前記オン期間の高周波電圧のピーク間電圧が一定となるように第二の高周波電力を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - オン期間とオフ期間を有する第二のパルス波形によりパルス変調された第二の高周波電力が供給される試料台に載置された試料を第一の期間と第二の期間を有する第一のパルス波形によりパルス変調された第一の高周波電力によって生成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、
前記第二の期間の高周波電力を前記第一の期間に生成されたプラズマのアフターグローを維持するような電力値とする工程と、
前記パルス変調された第二の高周波電力を前記第二の期間に前記試料台へ供給する工程とを有し、
前記パルス変調された第二の高周波電力が供給される期間は、前記第二の期間より短いことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の期間の開始に対して前記オン期間の開始を遅延させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の期間の時間を０．１ｍｓから０．４ｍｓの範囲内の時間とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160098408A KR101875496B1 (ko) | 2015-09-29 | 2016-08-02 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
| TW105126591A TWI604498B (zh) | 2015-09-29 | 2016-08-19 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US15/260,512 US11417501B2 (en) | 2015-09-29 | 2016-09-09 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US17/464,816 US20210398777A1 (en) | 2015-09-29 | 2021-09-02 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015190623 | 2015-09-29 | ||
| JP2015190623 | 2015-09-29 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017069542A JP2017069542A (ja) | 2017-04-06 |
| JP2017069542A5 true JP2017069542A5 (ja) | 2018-11-22 |
| JP6670692B2 JP6670692B2 (ja) | 2020-03-25 |
Family
ID=58495272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016128288A Active JP6670692B2 (ja) | 2015-09-29 | 2016-06-29 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210398777A1 (ja) |
| JP (1) | JP6670692B2 (ja) |
| KR (1) | KR101875496B1 (ja) |
| TW (1) | TWI604498B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6858095B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2021-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波出力装置及びプラズマ処理装置 |
| US10002746B1 (en) * | 2017-09-13 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | Multi regime plasma wafer processing to increase directionality of ions |
| JP6846387B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US20200058469A1 (en) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods of control for plasma processing |
| JP7369896B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理のための制御のシステム及び方法 |
| JP7061981B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
| CN111916327B (zh) * | 2019-05-10 | 2023-04-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 多频率多阶段的等离子体射频输出的方法及其装置 |
| US11532481B2 (en) | 2020-06-30 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin field-effect transistor device and method of forming |
| JP7504686B2 (ja) | 2020-07-15 | 2024-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US12009180B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-06-11 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| KR20230085168A (ko) * | 2020-10-19 | 2023-06-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN117769757A (zh) * | 2022-07-25 | 2024-03-26 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法 |
| WO2024106257A1 (ja) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO2024106256A1 (ja) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845903A (ja) | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| US6794301B2 (en) * | 1995-10-13 | 2004-09-21 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed plasma processing of semiconductor substrates |
| JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1998-06-11 | 名古屋大学長 | ラジカルの制御方法 |
| US6093332A (en) | 1998-02-04 | 2000-07-25 | Lam Research Corporation | Methods for reducing mask erosion during plasma etching |
| JPH11224796A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Matsushita Electron Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH11329787A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ発生用高周波ソースシステムおよび当該システムを含むプラズマ発生装置 |
| JP2001358129A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2003173757A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
| JP4135541B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | プラズマ表面処理方法 |
| JP2008103428A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Seiko Epson Corp | プラズマエッチング加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
| US20090004836A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
| US9123509B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
| JP2010021442A (ja) | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP5395491B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR101322539B1 (ko) * | 2009-08-07 | 2013-10-28 | 가부시끼가이샤교산세이사꾸쇼 | 펄스 변조 고주파 전력 제어 방법 및 펄스 변조 고주파 전원 장치 |
| US20110139748A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
| JP6002556B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP6035606B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
-
2016
- 2016-06-29 JP JP2016128288A patent/JP6670692B2/ja active Active
- 2016-08-02 KR KR1020160098408A patent/KR101875496B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-19 TW TW105126591A patent/TWI604498B/zh active
-
2021
- 2021-09-02 US US17/464,816 patent/US20210398777A1/en active Pending
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