JP2764575B2 - ラジカルの制御方法 - Google Patents
ラジカルの制御方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラジカルの密度および
組成を高精度に制御する方法に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられる方法を提供するにある。本発明を利用でき
る分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエッチング
装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・エッチン
グ装置等である。
組成を高精度に制御する方法に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられる方法を提供するにある。本発明を利用でき
る分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエッチング
装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・エッチン
グ装置等である。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを用いた薄膜形成および材料加
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のプラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスプラズマ中
のラジカルの密度および組成を高精度で制御する方法を
提供するものであり、本発明の特徴とする所は、パルス
変調のデューティ比を変えられる第１のパルス発生装置
を具備する第１のプラズマ放電用電源と、第１のガス導
入口とが接続されたプラズマ放電室と、このプラズマ放
電室に接続されかつ第２のガス導入口が設けられた真空
容器と、プラズマ放電室より放出されるプラズマに対向
するように前記真空容器内に配置される被処理基板を支
持する電極と、この電極に接続され、パルス変調により
デューティ比を変えられる第２のパルス発生装置を有す
る第２のプラズマ放電用電源とを具え、前記第１および
第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方によ
ってプラズマを形成し、このプラズマによる反応性ガス
の分解によりラジカルを生成するプラズマ処理装置にお
いてラジカルを制御するに当たり、前記プラズマによる
反応性ガスの分解により生成されるラジカルの密度およ
び組成を測定し、この測定データに基づいて前記第１お
よび第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方
の電力を、前記第１および第２のパルス発生装置の何れ
か一方または双方により一定の周期にてパルス変調し、
該パルス変調のデューティ比を変化させることによりラ
ジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラ
ジカルの制御方法にある。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスプラズマ中
のラジカルの密度および組成を高精度で制御する方法を
提供するものであり、本発明の特徴とする所は、パルス
変調のデューティ比を変えられる第１のパルス発生装置
を具備する第１のプラズマ放電用電源と、第１のガス導
入口とが接続されたプラズマ放電室と、このプラズマ放
電室に接続されかつ第２のガス導入口が設けられた真空
容器と、プラズマ放電室より放出されるプラズマに対向
するように前記真空容器内に配置される被処理基板を支
持する電極と、この電極に接続され、パルス変調により
デューティ比を変えられる第２のパルス発生装置を有す
る第２のプラズマ放電用電源とを具え、前記第１および
第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方によ
ってプラズマを形成し、このプラズマによる反応性ガス
の分解によりラジカルを生成するプラズマ処理装置にお
いてラジカルを制御するに当たり、前記プラズマによる
反応性ガスの分解により生成されるラジカルの密度およ
び組成を測定し、この測定データに基づいて前記第１お
よび第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方
の電力を、前記第１および第２のパルス発生装置の何れ
か一方または双方により一定の周期にてパルス変調し、
該パルス変調のデューティ比を変化させることによりラ
ジカルの密度および組成を制御することを特徴とするラ
ジカルの制御方法にある。
【０００５】上述した本発明の方法を実施するに当たっ
ては、前記反応性ガスを、フルオロカーボンガスあるい
は少なくともシリコン原子および水素原子を含有する水
素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子および水
素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロゲンとす
るのが好適である。また、本発明の好適な実施例におい
ては、プラズマ発生装置として、高周波あるいは直流あ
るいはマイクロ波あるいは電子ビームを用いてプラズマ
を発生させるものを用い、高周波あるいは直流あるいは
マイクロ波あるいは電子ビームをパルス変調してラジカ
ルの制御を行なうようにするものである。
ては、前記反応性ガスを、フルオロカーボンガスあるい
は少なくともシリコン原子および水素原子を含有する水
素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子および水
素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロゲンとす
るのが好適である。また、本発明の好適な実施例におい
ては、プラズマ発生装置として、高周波あるいは直流あ
るいはマイクロ波あるいは電子ビームを用いてプラズマ
を発生させるものを用い、高周波あるいは直流あるいは
マイクロ波あるいは電子ビームをパルス変調してラジカ
ルの制御を行なうようにするものである。
【０００６】 〔構成〕 図１に本発明によるラジカルの制御方法を適用したＥＣ
Ｒプラズマ処理装置の構成の一例を示す。同図中、１
は、反応室を形成する真空容器であり、真空容器１の上
部には、ＥＣＲ放電を発生する放電室２が連結されてい
る。放電室２には、例えば2.45ＧＨｚのマイクロ波を導
入するための導波管３が設けられ、これによりマイクロ
波電源４に接続されている。マイクロ波電源４は、パル
ス発生装置５に接続され、これによりその出力はパルス
状波形から連続波形まで任意に制御可能である。また、
例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）等の反応性ガス（Ａ）を導入するための第１の導
入口６が放電室２に取り付けられている。７は放電室２
の外壁を水冷するために設けられた冷却機構であり、冷
却機構７の外側には、磁気コイル８が放電室２を取囲ん
で取り付けられている。放電室２においてマイクロ波で
放電が生起し、その放電中で電子がサイクロトロン運動
するように磁気コイル８により、例えば875 ガウス程度
の磁界が与えられて高密度のプラズマが生成される。
Ｒプラズマ処理装置の構成の一例を示す。同図中、１
は、反応室を形成する真空容器であり、真空容器１の上
部には、ＥＣＲ放電を発生する放電室２が連結されてい
る。放電室２には、例えば2.45ＧＨｚのマイクロ波を導
入するための導波管３が設けられ、これによりマイクロ
波電源４に接続されている。マイクロ波電源４は、パル
ス発生装置５に接続され、これによりその出力はパルス
状波形から連続波形まで任意に制御可能である。また、
例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）等の反応性ガス（Ａ）を導入するための第１の導
入口６が放電室２に取り付けられている。７は放電室２
の外壁を水冷するために設けられた冷却機構であり、冷
却機構７の外側には、磁気コイル８が放電室２を取囲ん
で取り付けられている。放電室２においてマイクロ波で
放電が生起し、その放電中で電子がサイクロトロン運動
するように磁気コイル８により、例えば875 ガウス程度
の磁界が与えられて高密度のプラズマが生成される。
【０００７】一方、真空容器１の内部には、試料ホルダ
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されて装置真空容器１および放電室２内
は、所定のガス圧力に保たれる。
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されて装置真空容器１および放電室２内
は、所定のガス圧力に保たれる。
【０００８】放電室２に導入された三フッ化メタン（Ｃ
ＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，ＣＦ，ＣＦ2 ，Ｃ
Ｆ3 等のラジカルＲが発生する。このプラズマＰは、放
電室２から真空容器１内に延びている。プラズマＰから
発生したラジカルＲは、被処理基板10上で重合し、ポリ
マー薄膜が成長する。一方、被処理基板10に高周波電源
12より高周波出力を印加するとこの高周波により被処理
基板10表面には、セルフバイアス電圧が誘起され、この
バイアス電圧によりプラズマからイオンが引き出されて
被処理基板10が衝撃される。イオン衝撃により被処理基
板10のエッチングが生じる。また、高周波電源12の出力
を適宜調整することにより、被処理基板10表面に高周波
引加によるプラズマの発生も可能である。
ＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，ＣＦ，ＣＦ2 ，Ｃ
Ｆ3 等のラジカルＲが発生する。このプラズマＰは、放
電室２から真空容器１内に延びている。プラズマＰから
発生したラジカルＲは、被処理基板10上で重合し、ポリ
マー薄膜が成長する。一方、被処理基板10に高周波電源
12より高周波出力を印加するとこの高周波により被処理
基板10表面には、セルフバイアス電圧が誘起され、この
バイアス電圧によりプラズマからイオンが引き出されて
被処理基板10が衝撃される。イオン衝撃により被処理基
板10のエッチングが生じる。また、高周波電源12の出力
を適宜調整することにより、被処理基板10表面に高周波
引加によるプラズマの発生も可能である。
【０００９】マイクロ波電源４から発生するマイクロ波
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
引加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
引加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
【００１０】なお、第２反応性ガス導入口を設ける理由
は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、その
ガス導入口６より放電室２に直接導入される。放電室２
においては、マイクロ波で放電が生起し高密度のプラズ
マが生ずる。プラズマは磁場により電極９の方向に拡散
する。プラズマの密度および電子温度も、放電室２から
電極９に向って次第に減衰する。
は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、その
ガス導入口６より放電室２に直接導入される。放電室２
においては、マイクロ波で放電が生起し高密度のプラズ
マが生ずる。プラズマは磁場により電極９の方向に拡散
する。プラズマの密度および電子温度も、放電室２から
電極９に向って次第に減衰する。
【００１１】従って、第１反応性ガスＡは、まず、高密
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
【００１２】一方、第２のガス導入口15に供給される第
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15より放電
室２の下部から真空容器１に導入される。上述の如く第
２の反応性ガス導入口15は、高密度プラズマから拡散し
たプラズマに接触する。この領域のプラズマは放電室２
におけるプラズマに比べ電子温度が低く（即ち低エネル
ギー）なっていることが特徴である。
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15より放電
室２の下部から真空容器１に導入される。上述の如く第
２の反応性ガス導入口15は、高密度プラズマから拡散し
たプラズマに接触する。この領域のプラズマは放電室２
におけるプラズマに比べ電子温度が低く（即ち低エネル
ギー）なっていることが特徴である。
【００１３】従って、第２の反応性ガス導入口15から第
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
【００１４】このようにエネルギーの異なるプラズマ
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせるのが可能となる。
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせるのが可能となる。
【００１５】本発明において、第２反応性ガスとしてど
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
【００１６】次に下記のプロセスでは第１のガス導入口
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
【００１７】まず、第１のガス導入口６からＣＨＦ3 を
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口３Ａ（図中矢印で示されるマイクロ波の直
下）がＣＨＦ3 の分解より生じたラジカル等により、堆
積膜が付着し汚損する。この汚損が大きくなると、マイ
クロ波導入の効率が低下し、放電が不安定となる。
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口３Ａ（図中矢印で示されるマイクロ波の直
下）がＣＨＦ3 の分解より生じたラジカル等により、堆
積膜が付着し汚損する。この汚損が大きくなると、マイ
クロ波導入の効率が低下し、放電が不安定となる。
【００１８】一方、第１の導入口６より不活性ガスある
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）が放電室２へ導入されないため、マイクロ波導入口
３Ａの汚染は生じない。
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）が放電室２へ導入されないため、マイクロ波導入口
３Ａの汚染は生じない。
【００１９】又、第１のガス導入口６より導入された不
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
【００２０】したがって、第２のガス導入口15より導入
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
【００２１】さらに、実施例３のように、メッシュ等に
より形成された第２の電極18を挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ*，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
より形成された第２の電極18を挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ*，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
【００２２】この場合も、プラズマのオン・オフデュー
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
【００２３】最後にＨ2 は容易に分解が生ぜず高いエネ
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
【００２４】以上により、ガス導入口６又はガス導入口
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
【００２５】
【実施例】〔実施例１〕 次に、第１の実施例として図１に示すＥＣＲプラズマ処
理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆積方法に係わ
るラジカル制御方法を説明する。まず、図１に示す装置
の放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、Ｃ
ＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、マイク
ロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃｃｍ、周期100 msec
とし、パルス発生装置５によりマイクロ波電源の出力の
デューテイ比を15〜100 ％（連続）まで変化させプラズ
マのオン・オフ変調を行った。この場合、被処理基板10
にＳｉ基板を使用し、高周波の引加は行わなかった。Ｏ
Ｎ期間とＯＦＦ期間の和は100 msecで一定とした。
理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆積方法に係わ
るラジカル制御方法を説明する。まず、図１に示す装置
の放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、Ｃ
ＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、マイク
ロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃｃｍ、周期100 msec
とし、パルス発生装置５によりマイクロ波電源の出力の
デューテイ比を15〜100 ％（連続）まで変化させプラズ
マのオン・オフ変調を行った。この場合、被処理基板10
にＳｉ基板を使用し、高周波の引加は行わなかった。Ｏ
Ｎ期間とＯＦＦ期間の和は100 msecで一定とした。
【００２６】真空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
【００２７】図２および図３に本発明を適用して得られ
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50msec以上で飽和する。これより、デューティ比を変
化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度お
よび組成を制御することが可能であることが分かった。
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50msec以上で飽和する。これより、デューティ比を変
化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度お
よび組成を制御することが可能であることが分かった。
【００２８】図３は、ＳｉおよびＳｉＯ2 上に堆積した
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
【００２９】〔実施例２〕 次に、第２の実施例として上述のＥＣＲプラズマ処理装
置を用いたエッチング方法に係わるラジカル制御方法を
説明する。まず、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、
周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイクロ波
電源出力を時間分割し、マイクロ波パワー400 Ｗと100
Ｗにて、デューティ比を１〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、マイクロ波パワーの変調を行った。この場合、被処
理基板10として、ＳｉＯ2 上に適当なエッチングパター
ンを形成したものを用いた。被処理基板10に13.56 ＭＨ
ｚの高調波を引加し、バイアス100 Ｖの電圧を被処理基
板10の表面に引加した。この場合、実施例１と同様、真
空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図
示省略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣ
Ｆ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルは、実施例１において、図２に示
したものと良く似た挙動をすることが分かった。
置を用いたエッチング方法に係わるラジカル制御方法を
説明する。まず、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、
周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイクロ波
電源出力を時間分割し、マイクロ波パワー400 Ｗと100
Ｗにて、デューティ比を１〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、マイクロ波パワーの変調を行った。この場合、被処
理基板10として、ＳｉＯ2 上に適当なエッチングパター
ンを形成したものを用いた。被処理基板10に13.56 ＭＨ
ｚの高調波を引加し、バイアス100 Ｖの電圧を被処理基
板10の表面に引加した。この場合、実施例１と同様、真
空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図
示省略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣ
Ｆ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルは、実施例１において、図２に示
したものと良く似た挙動をすることが分かった。
【００３０】図４に本発明を適用して得られたエッチン
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
【００３１】〔実施例３〕 次に、実施例３としてラジカルビーム装置を用いたエッ
チング方法に係わるラジカル制御方法を説明する。図５
は実施例３に用いたラジカルビーム装置である。図５に
おいて、図１に示したものと同一部分は同一符号を付し
その説明を省略する。図５に示したＥＣＲプラズマ処理
装置において、真空容器１と真空容器２の間にメッシュ
により形成された第２の電極18を挿入した。第２の電極
18は、適当な正および負のバイアスを引加することによ
り、放電室２においてプラズマから発生したイオンや電
子等の荷電粒子を除去し、真空容器１へ、ラジカルのみ
を導くことが可能である。
チング方法に係わるラジカル制御方法を説明する。図５
は実施例３に用いたラジカルビーム装置である。図５に
おいて、図１に示したものと同一部分は同一符号を付し
その説明を省略する。図５に示したＥＣＲプラズマ処理
装置において、真空容器１と真空容器２の間にメッシュ
により形成された第２の電極18を挿入した。第２の電極
18は、適当な正および負のバイアスを引加することによ
り、放電室２においてプラズマから発生したイオンや電
子等の荷電粒子を除去し、真空容器１へ、ラジカルのみ
を導くことが可能である。
【００３２】まず、本例においては、実施例２と同様
に、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、
圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周期100 msecと
し、マイクロ波パワーを時間分割し400 Ｗと100 Ｗを交
互に導入した。パルス発生装置５によりマイクロ波電源
出力をデューティ比を15〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、プラズマのパワー変調を行った。この場合、被処理
基板10として、ＳｉＯ2 を用いた。被処理基板10に13.5
6 ＭＨｚの高周波を引加し、高周波電力500 Ｗにて高調
波放電を形成し、プラズマを生成した。これにより、バ
イアス200 Ｖの電圧が被処理基板10の表面に引加され
る。また、高周波の引加は、パルス発生装置13によるパ
ルスの変調を行わないで連続とした。
に、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、
圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周期100 msecと
し、マイクロ波パワーを時間分割し400 Ｗと100 Ｗを交
互に導入した。パルス発生装置５によりマイクロ波電源
出力をデューティ比を15〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、プラズマのパワー変調を行った。この場合、被処理
基板10として、ＳｉＯ2 を用いた。被処理基板10に13.5
6 ＭＨｚの高周波を引加し、高周波電力500 Ｗにて高調
波放電を形成し、プラズマを生成した。これにより、バ
イアス200 Ｖの電圧が被処理基板10の表面に引加され
る。また、高周波の引加は、パルス発生装置13によるパ
ルスの変調を行わないで連続とした。
【００３３】本例においては、実施例１と同様、真空容
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に
示す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカ
ル組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能
であることが分かる。
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に
示す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカ
ル組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能
であることが分かる。
【００３４】すなわち、図６に本発明を適用して得られ
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、図６
（Ｂ）に示すようにデューティ比とともに垂直形状とな
ることが分かる。これより、デューティ比を変化させる
ことにより、プラズマ中のラジカルとエッチング形状の
制御が可能となることが判った。
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、図６
（Ｂ）に示すようにデューティ比とともに垂直形状とな
ることが分かる。これより、デューティ比を変化させる
ことにより、プラズマ中のラジカルとエッチング形状の
制御が可能となることが判った。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマから生じるラ
ジカルの密度および組成を測定し、その測定結果に基づ
いてプラズマ発生装置の電力のデューティ比を制御する
ようにしたので、ラジカルの密度および組成を高精度に
制御することができる。したがって、プラズマＣＶＤ、
プラズマエッチングプロセスにおいて、ラジカルを高精
度で制御した高品質薄膜材料の形成や高精度の微細加工
が可能となる。例えば、プラズマＣＶＤによる非晶質シ
リコンおよび微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、
シリコン化合物の形成プロセスや、フルオロカーボンガ
スやハロゲンガスを反応性ガスとして用い、容量結合あ
るいは誘導結合型で高周波を印加して得られるプラズマ
エッチング装置あるいはマイクロ波によりプラズマを生
成したプラズマエッチング装置を用いるドライエッチン
グプロセスへの適用が可能である。
ジカルの密度および組成を測定し、その測定結果に基づ
いてプラズマ発生装置の電力のデューティ比を制御する
ようにしたので、ラジカルの密度および組成を高精度に
制御することができる。したがって、プラズマＣＶＤ、
プラズマエッチングプロセスにおいて、ラジカルを高精
度で制御した高品質薄膜材料の形成や高精度の微細加工
が可能となる。例えば、プラズマＣＶＤによる非晶質シ
リコンおよび微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、
シリコン化合物の形成プロセスや、フルオロカーボンガ
スやハロゲンガスを反応性ガスとして用い、容量結合あ
るいは誘導結合型で高周波を印加して得られるプラズマ
エッチング装置あるいはマイクロ波によりプラズマを生
成したプラズマエッチング装置を用いるドライエッチン
グプロセスへの適用が可能である。
【００３６】上述したように本発明によれば、プラズマ
ＣＶＤ装置およびプラズマエッチング装置においてラジ
カルを高精度で制御することができるともに、ラジカル
ビーム装置においてラジカル組成を任意に可変でき、工
業上大なる効果がある。
ＣＶＤ装置およびプラズマエッチング装置においてラジ
カルを高精度で制御することができるともに、ラジカル
ビーム装置においてラジカル組成を任意に可変でき、工
業上大なる効果がある。
【図１】図１は本発明によるラジカル制御方法を実施す
る装置の一例を示す略図である。
る装置の一例を示す略図である。
【図２】図２は本発明のラジカル制御方法の実施例１で
測定したラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す
特性図である。
測定したラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す
特性図である。
【図３】図３は同じく実施例１で測定したポリマー厚さ
とオン−オフ周期との関係を示す特性図である。
とオン−オフ周期との関係を示す特性図である。
【図４】図４（Ａ）は本発明によるラジカル制御方法の
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図であり、図４（Ｂ）は同じく
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図である。
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図であり、図４（Ｂ）は同じく
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図である。
【図５】図５は本発明によるラジカル制御方法他を実施
するる装置の他の例の構成を示す略図である。
するる装置の他の例の構成を示す略図である。
【図６】図６（Ａ）は本発明によるラジカル制御方法の
実施例３で測定したエッチング率と周期との関係を示す
特性図であり、図６（Ｂ）は本発明によるラジカル制御
方法の実施例３で測定したエッチング率と周期との関係
を断面を以って示した説明図である。
実施例３で測定したエッチング率と周期との関係を示す
特性図であり、図６（Ｂ）は本発明によるラジカル制御
方法の実施例３で測定したエッチング率と周期との関係
を断面を以って示した説明図である。
１ 真空容器 ２ 放電室 ３ 導波管 ３Ａ マイクロ波導入口 ４ マイクロ波電源 ５ パルス発生装置 ６ 第１反応性ガス導入口 ７ 水冷却機構 ８ 磁気コイル ９ 第１電極 １０ 被処理基板 １１ 高周波マッチング回路 １２ 高周波電源 １３ パルス発生装置 １４ 冷却水冷管 １５ 第２反応性ガス導入口 １６ 排気管 １７ 真空排気装置 １８ メッシュ状第２電極 １９ 窓 Ｐ プラズマ Ｒ ラジカル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/365 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ａ Ｈ０５Ｈ 1/00 1/46 Ａ 1/46 Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ａ (56)参考文献 特開 平６−267900（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149965（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−51753（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−259184（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−259512（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−359515（ＪＰ，Ａ) プラズマ研究会資料、「赤外レーザー 吸収法によるパルスＳｉＨ４／Ｈ２放電 中のＳｉＨ３（Ｘ２Ａ１）ラジカル密度 の計測」、社団法人電気学会、1988年８ 月、Ｐ．75−84
Claims (6)
- 【請求項１】 パルス変調のデューティ比を変えられる
第１のパルス発生装置を具備する第１のプラズマ放電用
電源と、第１のガス導入口とが接続されたプラズマ放電
室と、このプラズマ放電室に接続されかつ第２のガス導
入口が設けられた真空容器と、プラズマ放電室より放出
されるプラズマに対向するように前記真空容器内に配置
される被処理基板を支持する電極と、この電極に接続さ
れ、パルス変調によりデューティ比を変えられる第２の
パルス発生装置を有する第２のプラズマ放電用電源とを
具え、前記第１および第２のプラズマ放電用電源の何れ
か一方または双方によってプラズマを形成し、このプラ
ズマによる反応性ガスの分解によりラジカルを生成する
プラズマ処理装置においてラジカルを制御するに当た
り、前記プラズマによる反応性ガスの分解により生成さ
れるラジカルの密度および組成を測定し、この測定デー
タに基づいて前記第１および第２のプラズマ放電用電源
の何れか一方または双方の電力を、前記第１および第２
のパルス発生装置の何れか一方または双方により一定の
周期にてパルス変調し、該パルス変調のデューティ比を
変化させることによりラジカルの密度および組成を制御
することを特徴とするラジカルの制御方法。 - 【請求項２】 前記反応性ガスを、フルオロカーボンガ
スあるいは少なくともシリコン原子および水素原子を含
有する水素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子
および水素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロ
ゲンとすることを特徴とする請求項１記載のラジカルの
制御方法。 - 【請求項３】 前記プラズマ発生装置として、高周波あ
るいは直流あるいはマイクロ波あるいは電子ビームを用
いてプラズマを発生させるものを用い、高周波あるいは
直流あるいはマイクロ波あるいは電子ビームをパルス変
調してラジカルを制御することを特徴とする請求項１記
載のラジカルの制御方法。 - 【請求項４】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカ
ルを制御するに当たり、前記プラズマ発生装置の電力を
一定周期でパルス変調し、このパルス変調のデューティ
比を変化させながら、複数の組成の異なるラジカルの密
度をそれぞれ測定して、各ラジカル毎の密度とデューテ
ィ比との関係を表すデータを求め、このデータに基づい
て前記デューティ比を制御することによりラジカルの組
成および密度を制御することを特徴とする請求項１記載
のラジカルの制御方法。 - 【請求項５】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによるガスの分解により生成されるラジカルを制御
するに当たり、第１のガスをプラズマにより分解して準
安定原子あるいは水素原子を生成し、該準安定原子ある
いは水素原子と第２のガスとの反応によりラジカルを生
成し、生成したラジカルの密度および組成を測定し、前
記プラズマ発生装置の電力を一定周期にてパルス変調
し、該パルス変調のデューティ比を変化させることによ
り準安定原子あるいは水素原子の密度および組成を制御
することにより前記ラジカルの密度および組成を制御す
ることを特徴とする請求項１記載のラジカルの制御方
法。 - 【請求項６】 前記第１のガスを、不活性ガスおよび少
なくとも水素原子を含有するガスとし、前記第２のガス
を、フルオロカーボンあるいはハロゲンガスとすること
を特徴とする請求項５記載のラジカルの制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205690A JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205690A JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5241487A Division JP2764524B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ラジカルの制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185999A JPH09185999A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2764575B2 true JP2764575B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16511101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8205690A Expired - Lifetime JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764575B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107696152A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-02-16 | 佛山市科莱机器人有限公司 | 一种复合材料壳体加工方法 |
| CN108161566A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-15 | 大连运明自动化技术有限公司 | 一种基于激光测距传感的毛坯余量自动检测装置及方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3854019B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2006-12-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2000017920A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement au plasma |
| US6589437B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
| JP4718189B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP4515306B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-07-28 | 三井造船株式会社 | プラズマ活性粒子の密度計測方法及び密度計測装置 |
| JP2007044628A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Osaka Prefecture Univ | 半導体プロセス用排ガス処理方法及び処理装置 |
| TWI450308B (zh) | 2011-07-27 | 2014-08-21 | Hitachi High Tech Corp | Plasma processing method |
| JP6035606B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP6670692B2 (ja) | 2015-09-29 | 2020-03-25 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US11417501B2 (en) | 2015-09-29 | 2022-08-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP6298867B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-03-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP2019091526A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | パルスモニタ装置及びプラズマ処理装置 |
| JP7330391B2 (ja) | 2021-06-28 | 2023-08-21 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO2024023877A1 (ja) | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
-
1996
- 1996-08-05 JP JP8205690A patent/JP2764575B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| プラズマ研究会資料、「赤外レーザー吸収法によるパルスＳｉＨ４／Ｈ２放電中のＳｉＨ３（Ｘ２Ａ１）ラジカル密度の計測」、社団法人電気学会、１９８８年８月、Ｐ．７５−８４ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107696152A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-02-16 | 佛山市科莱机器人有限公司 | 一种复合材料壳体加工方法 |
| CN108161566A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-15 | 大连运明自动化技术有限公司 | 一种基于激光测距传感的毛坯余量自动检测装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09185999A (ja) | 1997-07-15 |
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