JP5261436B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5261436B2 JP5261436B2 JP2010108624A JP2010108624A JP5261436B2 JP 5261436 B2 JP5261436 B2 JP 5261436B2 JP 2010108624 A JP2010108624 A JP 2010108624A JP 2010108624 A JP2010108624 A JP 2010108624A JP 5261436 B2 JP5261436 B2 JP 5261436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma processing
- gas
- processing chamber
- generating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
前記断続的なエネルギーは,前記制御装置により,前記プラズマ発生手段を,ON/OFFが10〜100KHz,Dutyが20%〜80%でON−OFF制御することで供給され,当該断続的なエネルギーにより電子温度が0.5〜1.0eV,電子密度が1〜20×10 11 /cm 3 のプラズマを発生させて,前記被処理体をプラズマ処理することを特徴としている。
本発明のプラズマ処理装置は,被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と;前記被処理体を,前記プラズマ処理室内に配置するための被処理体保持手段と;該プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段とを少なくとも含む。このプラズマ処理装置において,前記プラズマ発生手段は,断続的なエネルギー供給に基づくプラズマを発生させることが可能である。
本発明において「断続的なエネルギー供給」とは,所定の時間範囲(例えば,1ミリ秒)において,プラズマ発生のために供されるエネルギー供給がゼロになる瞬間が,少なくとも1回あることをいう。本発明においては,「断続的なエネルギー供給」がなされる限り,その「断続的」な態様は特に制限されない。すなわち,エネルギー供給の波形は,矩形波状,三角波状,曲線波(例えば,サインカーブ)状,等の公知の波形のいずれであってもよい。「断続的なエネルギー供給」は矩形波と高周波が組み合わされた形でなされることが好ましい。
本発明においては,必要に応じて,上記した「断続的なエネルギー供給」が時変調(time-modulation)形式で与えられてもよい。
図1は,本発明に係るプラズマ処理装置の他の例を示す模式断面図である。この態様においては,プラズマ処理装置をプラズマCVD(化学気相堆積,Chemical
Vapor Deposition)処理に適用した場合について説明する。この図1の態様の装置を,他のプラズマ処理(例えば,プラズマ酸化および/又はプラズマ窒化処理)に用いる場合には,例えば,後述する処理ガス供給用ノズル103から,処理ガスを供給しないようにすればよい。なお,図1の態様においては,アンテナ部材として,平面アンテナ部材105が用いられている。
以下,図1〜2に示す各部の構成および図1〜2の装置において使用可能な材料等について説明する。
本発明において使用可能な上記の電子デバイス用基材は特に制限されず,公知の電子デバイス用基材の1種または2種以上の組合せから適宜選択して使用することが可能である。このような電子デバイス用基材の例としては,例えば,半導体材料,液晶デバイス材料等が挙げられる。半導体材料の例としては,例えば,単結晶シリコンを主成分とする材料,シリコンゲルマニウムを主成分とする材料,液晶デバイス材料としてはガラス基板上に成膜されたポリシリコン,アモルファスシリコン等が挙げられる。
本発明において使用可能な処理ガスは,特に制限されない。すなわち,本発明において電子デバイス基材の酸化処理を行う場合には,該処理ガスとして,少なくとも酸素ガス,ないし酸素原子を含むガスを特に制限なく使用することができる。他方,本発明において電子デバイス基材の窒化処理を行う場合には,該処理ガスとして,少なくとも窒素ガス,ないし窒素原子を含むガスを特に制限なく使用することができる。さらには,本発明においてCVD処理を行う場合には,公知のデポジションガスを特に制限なく使用することができる。
本発明において好適に使用可能な処理ガス及びその流量比を以下に例示する。
(1)酸化処理
Ar/O2=1000/10〜1000/100 sccm
(2)窒化処理
Ar/N2=1000/10〜1000/200 sccm
(3)CVD
Ar/C4F8=1000/20〜1000/400 sccm
本発明においてプラズマを発生さるために使用可能な希ガスは特に制限されず,電子デバイス製造に使用可能な公知の希ガスの1種または2種以上の組合せから適宜選択して使用することが可能である。このような処理ガスの例としては,例えば,クリプトン(Kr),キセノン(Xe),ヘリウム(He),又はアルゴン(Ar)を挙げることができる。
本発明によって酸窒化膜を作成する場合においては,形成されるべき膜の特性の点からは,下記の条件が好適に使用できる。
(1)希ガス(例えば,Kr,Ar,HeまたはXe)の流量:200〜1000sccm,より好ましくは500〜1000sccm,
(2)処理ガスの流量:10〜100sccm,より好ましくは20〜50sccm,
(3)温度:室温(25℃)〜500℃,より好ましくは250〜400℃,
(4)処理室内の圧力:5〜300Pa,より好ましくは6〜150Pa,
(5)マイクロ波:0.5〜3W/cm2,より好ましくは0.7〜1.5W/cm2(マイクロ波のON/OFFは10〜100KHzで,Dutyeeは20%〜80%であることが好ましい。)
本発明において好適に使用可能なプラズマの特性は,以下の通りである。
(1)電子温度:0.5〜1.0eV
(2)密度:1〜20×1011/cm3
(3)プラズマ密度の均一性:±10%
上記した態様では,マイクロ波を用いるプラズマ発生について説明したが,エネルギー供給が断続的に行われる限り,プラズマ発生手段(プラズマソース)は特に制限されない。すなわちマイクロ波以外に,ICP(誘導結合プラズマ)を使用することもできる。
上記した態様では,半導体ウエハに成膜処理する場合を例にとって説明したが,これに限定されず,本発明は,プラズマエッチング処理,プラズマアッシング処理等の他のプラズマ処理にも適用することができる。また,被処理体としても半導体ウエハに限定されず,ガラス基板,LCD(液晶デバイス)基板等に対しても適用することができる。
101 プラズマ処理室
102 載置台
104 絶縁板
105 平面アンテナ部材
105a スロット
106 遅波材
107 同軸導波管
108 マイクロ波発生装置
120 制御装置
121 変調装置
Claims (5)
- 被処理体にプラズマ窒化処理および/又はプラズマ酸化処理を行うプラズマ処理装置であって,
プラズマ処理室と,
前記プラズマ処理室内で前記被処理体を載置する載置台と,
前記載置台内に設けられ,前記被処理体を加熱するヒータと,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を透過させて導入する絶縁板と,
前記プラズマ処理室内に希ガスと,酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを供給するガス供給手段と,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と,
前記絶縁板の上面に設けられた複数のスロットを有する平面アンテナ部材と,
前記プラズマ処理室の側壁に配置された石英ガラス製のライナーと,
前記プラズマ発生手段から断続的にエネルギーを供給するよう前記プラズマ発生手段をON/OFFが10〜100KHz,Dutyが20%〜80%でON−OFF制御し,断続的なエネルギーを前記プラズマ処理室に供給することにより,前記処理ガスのプラズマの電子温度が0.5〜1.0eV,電子密度が1〜20×10 11 /cm 3 を有するように制御する制御装置と,を有する。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記電子温度は、連続的にエネルギーを供給した場合より低く、
前記電子密度は、連続的にエネルギーを供給した場合より高い。 - 被処理体にプラズマ窒化処理および/又はプラズマ酸化処理を行うプラズマ処理方法であって,
プラズマ処理室と,
前記プラズマ処理室内で前記被処理体を載置する載置台と,
前記載置台内に設けられ,前記被処理体を加熱するヒータと,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を透過させて導入する絶縁板と,
前記プラズマ処理室内に希ガスと,酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを供給するガス供給手段と,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と,
前記絶縁板の上面に設けられた複数のスロットを有する平面アンテナ部材と,
前記平面アンテナの上面に配置される遅波材と,
前記遅波材を冷却する冷却プレートと,
前記プラズマ処理室の側壁に配置された石英ガラス製のライナーと,前記プラズマ発生手段から断続的にエネルギーを供給するよう前記プラズマ発生手段をON−OFF制御する制御装置と,を少なくとも含むプラズマ処理装置を用い,
前記プラズマ処理室内に前記ガス供給手段により前記希ガスと酸素ガス又は窒素ガスと含む処理ガスを供給する工程と,
前記プラズマ処理室内に前記プラズマ発生手段により断続的なエネルギーを供給して,前記処理ガスのプラズマを生成する工程と,
を具備し,
前記断続的なエネルギーは,前記制御装置により,前記プラズマ発生手段を,ON/OFFが10〜100KHz,Dutyが20%〜80%でON−OFF制御することで供給され,当該断続的なエネルギーにより電子温度が0.5〜1.0eV,電子密度が1〜20×10 11 /cm 3 のプラズマを発生させて,前記被処理体をプラズマ処理する。 - 請求項3に記載のプラズマ処理方法において、
前記電子温度は、連続的にエネルギーを供給した場合より低く、
前記電子密度は、連続的にエネルギーを供給した場合より高い。 - プラズマ処理装置であって,
プラズマ処理室と,
前記プラズマ処理室内で前記被処理体を載置する載置台と,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を透過させて導入する絶縁板と,
前記プラズマ処理室内に希ガスと,処理ガスを供給するガス供給手段と,
前記プラズマ処理室内にマイクロ波を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と,
前記絶縁板の上面に設けられた複数のスロットを有する平面アンテナ部材と,
前記プラズマ発生手段から断続的にエネルギーを供給するよう前記プラズマ発生手段をON/OFFが10〜100KHz,Dutyが20%〜80%でON−OFF制御し,断続的なエネルギーを前記プラズマ処理室に供給することにより,前記処理ガスのプラズマの電子温度が0.5〜1.0eV,電子密度が1〜20×10 11 /cm 3 を有するように制御する制御装置と,を有する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010108624A JP5261436B2 (ja) | 2003-05-29 | 2010-05-10 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003152808 | 2003-05-29 | ||
JP2003152808 | 2003-05-29 | ||
JP2010108624A JP5261436B2 (ja) | 2003-05-29 | 2010-05-10 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506525A Division JP4615442B2 (ja) | 2003-05-29 | 2004-05-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192934A JP2010192934A (ja) | 2010-09-02 |
JP5261436B2 true JP5261436B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=33487270
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506525A Expired - Fee Related JP4615442B2 (ja) | 2003-05-29 | 2004-05-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2010108624A Expired - Fee Related JP5261436B2 (ja) | 2003-05-29 | 2010-05-10 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506525A Expired - Fee Related JP4615442B2 (ja) | 2003-05-29 | 2004-05-31 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060156984A1 (ja) |
EP (1) | EP1632994B1 (ja) |
JP (2) | JP4615442B2 (ja) |
KR (2) | KR100921871B1 (ja) |
CN (1) | CN1799127B (ja) |
AT (1) | ATE452421T1 (ja) |
DE (1) | DE602004024675D1 (ja) |
TW (1) | TW200511430A (ja) |
WO (1) | WO2004107430A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4718189B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
CN101053083B (zh) * | 2005-02-01 | 2011-01-12 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 |
JP4993938B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2012-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8318554B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming gate insulating film for thin film transistors using plasma oxidation |
JP5183910B2 (ja) * | 2005-11-23 | 2013-04-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体素子の作製方法 |
US7625783B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and method for manufacturing the same |
JP4578412B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 放電プラズマ発生方法 |
JP2007250569A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマに曝される部材 |
JP2007273189A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置,基板処理システムおよび電力切替方法 |
US7443175B2 (en) * | 2006-07-14 | 2008-10-28 | Covidien Ag | Surgical testing instrument and system |
US7914692B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding |
JP4864661B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置 |
JP5138261B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法、プラズマ処理装置および記憶媒体 |
JP2009088298A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101111494B1 (ko) * | 2008-02-18 | 2012-02-23 | 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 | 원자층 성장 장치 및 원자층 성장 방법 |
JP5357487B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体およびプラズマ酸化処理装置 |
WO2010151337A1 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | Tokyo Electron Limited | Improving the adhesiveness of fluorocarbon(cfx) film by doping of amorphous carbon |
JP5839804B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2016-01-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
TWI450308B (zh) * | 2011-07-27 | 2014-08-21 | Hitachi High Tech Corp | Plasma processing method |
US9301383B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature, edge-density enhanced, surface wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
US9942950B2 (en) * | 2012-08-06 | 2018-04-10 | Goji Limited | Method for detecting dark discharge and device utilizing the method |
JP5841917B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-01-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN103035470B (zh) * | 2012-12-14 | 2016-02-17 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法 |
JP6861479B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置 |
KR102217171B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2021-02-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2792558B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1998-09-03 | 株式会社日立製作所 | 表面処理装置および表面処理方法 |
JPH06314660A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成法及びその装置 |
US5770098A (en) * | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
JPH0955376A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Sony Corp | プラズマcvd方法 |
DE69736790T2 (de) * | 1996-06-27 | 2007-08-16 | Nissin Electric Co., Ltd. | Mit einem Kohlenstofffilm beschichteter Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3658922B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2005-06-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
JP3405141B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2000058292A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Matsushita Electron Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100745495B1 (ko) * | 1999-03-10 | 2007-08-03 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치 |
JP4255563B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2009-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
JP4258789B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理方法 |
JP2000306845A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンプラズマ処理装置および処理方法 |
JP2000306894A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Nec Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
EP1214459B1 (en) * | 1999-08-17 | 2009-01-07 | Tokyo Electron Limited | Pulsed plasma processing method and apparatus |
KR100746120B1 (ko) * | 2001-01-22 | 2007-08-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 디바이스의 제조 방법, 플라즈마 처리 방법, 및게이트 절연막 형성 방법 |
KR100639147B1 (ko) * | 2001-01-25 | 2006-10-31 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 |
JP2003037105A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
US7250375B2 (en) * | 2001-08-02 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and material for electronic device |
JP3746968B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2006-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法および形成システム |
JP4090225B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、基板処理方法 |
JP4421150B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2010-02-24 | パナソニック株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
US6756318B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-06-29 | Tegal Corporation | Nanolayer thick film processing system and method |
JP4147017B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2008-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ基板処理装置 |
JP4162601B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
JP4001498B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成システム |
TWI225668B (en) * | 2002-05-13 | 2004-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
AU2003231516A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method of treating substrate |
US6660659B1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma method and apparatus for processing a substrate |
EP1512165A2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-03-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma apparatus and method for processing a substrate |
JP2004266075A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
JP4408653B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
KR100956467B1 (ko) * | 2004-03-03 | 2010-05-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 |
WO2006046634A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Tokyo Electron Limited | ゲート絶縁膜の形成方法,半導体装置及びコンピュータ記録媒体 |
JP2006310736A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Tokyo Electron Ltd | ゲート絶縁膜の製造方法および半導体装置の製造方法 |
US7820557B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Method for nitriding substrate and method for forming insulating film |
JP4509864B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
EP1898456A4 (en) * | 2005-06-08 | 2009-11-18 | Univ Tohoku | PLASMA NITRURATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS |
KR101172997B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2012-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
WO2007139142A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | プラズマcvd方法、窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびプラズマcvd装置 |
US7960293B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-06-14 | Tokyo Electron Limited | Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device |
JPWO2008081724A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JPWO2008117798A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の形成方法、不揮発性半導体メモリ装置の製造方法、不揮発性半導体メモリ装置およびプラズマ処理装置 |
US8968588B2 (en) * | 2012-03-30 | 2015-03-03 | Tokyo Electron Limited | Low electron temperature microwave surface-wave plasma (SWP) processing method and apparatus |
-
2004
- 2004-05-28 TW TW093115377A patent/TW200511430A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-31 AT AT04745450T patent/ATE452421T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-05-31 CN CN2004800149260A patent/CN1799127B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-31 KR KR1020087002170A patent/KR100921871B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-31 WO PCT/JP2004/007485 patent/WO2004107430A1/ja active Application Filing
- 2004-05-31 EP EP04745450A patent/EP1632994B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-31 JP JP2005506525A patent/JP4615442B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-31 KR KR1020057022678A patent/KR100843018B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-31 DE DE602004024675T patent/DE602004024675D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-11-29 US US11/288,336 patent/US20060156984A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-05-10 JP JP2010108624A patent/JP5261436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010192934A (ja) | 2010-09-02 |
WO2004107430A1 (ja) | 2004-12-09 |
ATE452421T1 (de) | 2010-01-15 |
KR20060036053A (ko) | 2006-04-27 |
KR20080015056A (ko) | 2008-02-15 |
JPWO2004107430A1 (ja) | 2006-07-20 |
CN1799127B (zh) | 2012-06-27 |
CN1799127A (zh) | 2006-07-05 |
KR100843018B1 (ko) | 2008-07-01 |
EP1632994A1 (en) | 2006-03-08 |
US20060156984A1 (en) | 2006-07-20 |
TW200511430A (en) | 2005-03-16 |
JP4615442B2 (ja) | 2011-01-19 |
KR100921871B1 (ko) | 2009-10-13 |
EP1632994B1 (en) | 2009-12-16 |
DE602004024675D1 (de) | 2010-01-28 |
TWI300248B (ja) | 2008-08-21 |
EP1632994A4 (en) | 2007-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5261436B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US8574448B2 (en) | Plasma generation method, cleaning method, and substrate processing method | |
JP4657473B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3122601B2 (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
KR100896552B1 (ko) | 플라즈마 에칭방법 | |
US20120145186A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP3706027B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US7351665B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, computer recording medium and recording medium having processing recipe recorded thereon | |
WO2011125705A1 (ja) | プラズマ窒化処理方法及びプラズマ窒化処理装置 | |
JPH09129607A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 | |
KR101464867B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
US6960533B2 (en) | Method of processing a sample surface having a masking material and an anti-reflective film using a plasma | |
JP4238050B2 (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
JP3042208B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP2005135801A (ja) | 処理装置 | |
JP2005159049A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP3898612B2 (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
JPH09263948A (ja) | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 | |
JPH10106796A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100327277B1 (ko) | 플라즈마공정용방법및시스템 | |
JPH11193466A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
WO2022196369A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2001326216A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2002289578A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10150020A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130426 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5261436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |