JP2000306894A - 基板のプラズマ処理方法 - Google Patents
基板のプラズマ処理方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 61
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 19
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 75
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 67
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and further Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応性ガスの過度な解離を抑制して下地膜との
選択性を劣化させない。 【解決手段】プラズマガスを生成させる高周波電界をパ
ルス変調すること、パルス変調には２０μ秒以上のＯＦ
Ｆ時間を与えること、プラズマガスにより基板を処理す
ることとからなり、更に、パルス変調には１００μ秒以
下のＯＦＦ時間を与えることとからなり、基板表面に対
する選択性が向上する。プラズマガスとして、臭素を含
むガスが用いられ、臭素を含むガスとして、臭素ガス、
臭化水素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガスが用いられ
る。ＯＦＦ時間中に、基板に堆積膜を形成する。基板に
５ＭＨｚ以下の低周波バイアスを印加することが望まし
い。
選択性を劣化させない。 【解決手段】プラズマガスを生成させる高周波電界をパ
ルス変調すること、パルス変調には２０μ秒以上のＯＦ
Ｆ時間を与えること、プラズマガスにより基板を処理す
ることとからなり、更に、パルス変調には１００μ秒以
下のＯＦＦ時間を与えることとからなり、基板表面に対
する選択性が向上する。プラズマガスとして、臭素を含
むガスが用いられ、臭素を含むガスとして、臭素ガス、
臭化水素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガスが用いられ
る。ＯＦＦ時間中に、基板に堆積膜を形成する。基板に
５ＭＨｚ以下の低周波バイアスを印加することが望まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面処理に
関し、特に、高周波電界を利用して生成したプラズマを
用いて基板の処理を行うプラズマ処理方法に関する。
関し、特に、高周波電界を利用して生成したプラズマを
用いて基板の処理を行うプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高速でより微細な加工を行うことが更に
強く求められている。そのような加工の技術として、低
圧力下で高密度のプラズマを発生させる技術が知られて
いる。その技術が用いるプラズマ発生装置として、ヘリ
コン波プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
源、誘導結合型プラズマ源等を搭載した高密度プラズマ
発生装置が多く使用されるようになってきた。これらの
装置に、塩素や臭化水素等のガスが導入される。このよ
うなガスの導入により、アルミ電極やゲート電極材料な
どの配線材料のエッチングが行われている。最近で
は、”半導体ドライエッチング技術”（徳山巍編著、産
業図書）に示されているように、マスクに対する変換差
が重要で塩素に比べると垂直形状が得られる臭化水素
が、ゲート電極の加工のために特によく用いられてい
る。
強く求められている。そのような加工の技術として、低
圧力下で高密度のプラズマを発生させる技術が知られて
いる。その技術が用いるプラズマ発生装置として、ヘリ
コン波プラズマ源、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
源、誘導結合型プラズマ源等を搭載した高密度プラズマ
発生装置が多く使用されるようになってきた。これらの
装置に、塩素や臭化水素等のガスが導入される。このよ
うなガスの導入により、アルミ電極やゲート電極材料な
どの配線材料のエッチングが行われている。最近で
は、”半導体ドライエッチング技術”（徳山巍編著、産
業図書）に示されているように、マスクに対する変換差
が重要で塩素に比べると垂直形状が得られる臭化水素
が、ゲート電極の加工のために特によく用いられてい
る。
【０００３】このような高密度プラズマを用いる加工方
法には、その電子温度が高く、電荷蓄積によるダメージ
が生じるという問題点がある。このような高密度プラズ
マを用いる加工方法の問題点を解決するために、生成用
の高周波電界をμ秒オーダーでパルス変調することによ
り、プラズマ中の電子温度を低下させる方法が検討され
ている。そのような技術が、特開平６−２６７９００号
に示されている。この公知のパルス変調技術は、塩素プ
ラズマ又はフロロカーボンプラズマを１０ｋＨｚ以上で
パルス変調することにより、正イオンや中性粒子の密度
を維持しながらパワーＯＦＦ時間中に電子温度を低下さ
せ、基板表面の電位を低下させて電荷蓄積を制御しよう
とする技術である。このような変調によれば、塩素を用
いたアルミ電極のエッチング又はフロロカーボンを用い
たコンタクトホールのエッチングを行う際に、その基板
表面に蓄積される電荷が減少し、ゲート酸化膜の劣化に
よるデバイス動作不良を抑制することが可能である。
法には、その電子温度が高く、電荷蓄積によるダメージ
が生じるという問題点がある。このような高密度プラズ
マを用いる加工方法の問題点を解決するために、生成用
の高周波電界をμ秒オーダーでパルス変調することによ
り、プラズマ中の電子温度を低下させる方法が検討され
ている。そのような技術が、特開平６−２６７９００号
に示されている。この公知のパルス変調技術は、塩素プ
ラズマ又はフロロカーボンプラズマを１０ｋＨｚ以上で
パルス変調することにより、正イオンや中性粒子の密度
を維持しながらパワーＯＦＦ時間中に電子温度を低下さ
せ、基板表面の電位を低下させて電荷蓄積を制御しよう
とする技術である。このような変調によれば、塩素を用
いたアルミ電極のエッチング又はフロロカーボンを用い
たコンタクトホールのエッチングを行う際に、その基板
表面に蓄積される電荷が減少し、ゲート酸化膜の劣化に
よるデバイス動作不良を抑制することが可能である。
【０００４】更に、特開平８−１８１１２５号に開示さ
れているように、塩素プラズマを１０〜１００μ秒でパ
ルス変調することにより、ＯＦＦ時間中に多量の負イオ
ンを生成し、６００ｋＨｚ以下の基板バイアスを印可す
ることにより、その基板に負イオンを導入してエッチン
グする技術が知られている。この技術によれば、磁場が
ある高密度プラズマ中でプラズマ密度分布を均一化で
き、更に、電荷蓄積によるダメージがより少ないエッチ
ングを実現できる。
れているように、塩素プラズマを１０〜１００μ秒でパ
ルス変調することにより、ＯＦＦ時間中に多量の負イオ
ンを生成し、６００ｋＨｚ以下の基板バイアスを印可す
ることにより、その基板に負イオンを導入してエッチン
グする技術が知られている。この技術によれば、磁場が
ある高密度プラズマ中でプラズマ密度分布を均一化で
き、更に、電荷蓄積によるダメージがより少ないエッチ
ングを実現できる。
【０００５】このような公知のプラズマ生成装置では、
塩素ガス及び臭化水素ガスを用いた場合、高密度塩素プ
ラズマをパルス変調したものを用いてゲート電極エッチ
ングする場合、下地ゲート酸化膜が４５Ａ゜（オングス
トローム）以下になる０．１５μｍルール以下のデバイ
スでは十分なエッチング特性が得られないことがわかっ
てきた。ＯＮ時間中にエネルギーが高い電子が生じ過ぎ
てしまい反応性ガスの過度な解離が進んでしまったり、
基板表面へ入射するイオンのエネルギーが大きくなるた
め下地膜との選択性が劣化して十分な特性を得ることが
できなかった。塩素ガスを用いて１０１１ｃｍのマイナ
ス３乗以上の高密度プラズマを生成した場合には、ＯＮ
時間中に解離度が８０％以上になりＣｌ原子がＣＬ２分
子より圧倒的に多い状態になる。この時、図１に示すよ
うにゲートポリシリコンエッチングの際に、ボロンや砒
素などのドーパントによるエッチング速度依存性が大き
くなりＰ、Ｎゲートを同時にエッチングすることが困難
であるという問題点がある。更に、この時、プラズマＯ
Ｎ中の電子温度は４〜５ｅＶ以上に達して基板表面に生
成する負電位は２０〜３０Ｖに達することになり、入射
するイオンエネルギーが大きくなるため特に下地酸化膜
との選択比が重要となるゲートのエッチングでは十分な
選択比が得られないという問題点がある。この時、特に
２０Ａ゜以下の下地ゲート酸化膜では、高エネルギーイ
オンによる突き抜け現象（図２、トレンチングと呼ぶ）
が起こり、大きな問題になっている。これは、パターン
の側壁で高エネルギーイオンが反射し基板に４５度の角
度を持って入射してくるイオンがＳｉＯ２酸化膜を局所
的にスパッタリングするためであり、そのエッチング速
度は垂直に入ってくるイオンのエッチング速度の１．５
倍まで速くなっている。このような極薄酸化膜に対して
は、均一性及び段差部でのエッチング残りを考慮して１
００％のオーバーエッチングを考えた場合、少なくとも
５００程度の選択比が必要となる。しかし、パルス変調
プラズマであっても高密度プラズマを生成するためには
高エネルギー電子が必要であり、基板上に生成される負
電位が大きくなるため、結果としてイオンエネルギーは
高くなり塩素を用いた方式ではここにトレードオフがあ
る。
塩素ガス及び臭化水素ガスを用いた場合、高密度塩素プ
ラズマをパルス変調したものを用いてゲート電極エッチ
ングする場合、下地ゲート酸化膜が４５Ａ゜（オングス
トローム）以下になる０．１５μｍルール以下のデバイ
スでは十分なエッチング特性が得られないことがわかっ
てきた。ＯＮ時間中にエネルギーが高い電子が生じ過ぎ
てしまい反応性ガスの過度な解離が進んでしまったり、
基板表面へ入射するイオンのエネルギーが大きくなるた
め下地膜との選択性が劣化して十分な特性を得ることが
できなかった。塩素ガスを用いて１０１１ｃｍのマイナ
ス３乗以上の高密度プラズマを生成した場合には、ＯＮ
時間中に解離度が８０％以上になりＣｌ原子がＣＬ２分
子より圧倒的に多い状態になる。この時、図１に示すよ
うにゲートポリシリコンエッチングの際に、ボロンや砒
素などのドーパントによるエッチング速度依存性が大き
くなりＰ、Ｎゲートを同時にエッチングすることが困難
であるという問題点がある。更に、この時、プラズマＯ
Ｎ中の電子温度は４〜５ｅＶ以上に達して基板表面に生
成する負電位は２０〜３０Ｖに達することになり、入射
するイオンエネルギーが大きくなるため特に下地酸化膜
との選択比が重要となるゲートのエッチングでは十分な
選択比が得られないという問題点がある。この時、特に
２０Ａ゜以下の下地ゲート酸化膜では、高エネルギーイ
オンによる突き抜け現象（図２、トレンチングと呼ぶ）
が起こり、大きな問題になっている。これは、パターン
の側壁で高エネルギーイオンが反射し基板に４５度の角
度を持って入射してくるイオンがＳｉＯ２酸化膜を局所
的にスパッタリングするためであり、そのエッチング速
度は垂直に入ってくるイオンのエッチング速度の１．５
倍まで速くなっている。このような極薄酸化膜に対して
は、均一性及び段差部でのエッチング残りを考慮して１
００％のオーバーエッチングを考えた場合、少なくとも
５００程度の選択比が必要となる。しかし、パルス変調
プラズマであっても高密度プラズマを生成するためには
高エネルギー電子が必要であり、基板上に生成される負
電位が大きくなるため、結果としてイオンエネルギーは
高くなり塩素を用いた方式ではここにトレードオフがあ
る。
【０００６】反応性ガスの過度な解離を抑制して下地膜
との選択性を劣化させないことが望まれる。
との選択性を劣化させないことが望まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、反応
性ガスの過度な解離を抑制して下地膜との選択性を劣化
させない基板のプラズマ処理方法を提供することにあ
る。
性ガスの過度な解離を抑制して下地膜との選択性を劣化
させない基板のプラズマ処理方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による基板のプラ
ズマ処理方法は、プラズマガスを生成させる高周波電界
をパルス変調すること、パルス変調には２０μ秒以上の
ＯＦＦ時間を与えること、プラズマガスにより基板を処
理することとからなり、更に、パルス変調には１００μ
秒以下のＯＦＦ時間を与えることとからなる。このよう
なＯＦＦ時間の制御は、処理される基板の下地酸化膜の
ような表面層に対する選択性を向上させる。
ズマ処理方法は、プラズマガスを生成させる高周波電界
をパルス変調すること、パルス変調には２０μ秒以上の
ＯＦＦ時間を与えること、プラズマガスにより基板を処
理することとからなり、更に、パルス変調には１００μ
秒以下のＯＦＦ時間を与えることとからなる。このよう
なＯＦＦ時間の制御は、処理される基板の下地酸化膜の
ような表面層に対する選択性を向上させる。
【０００９】プラズマガスとして、臭素を含むガスが用
いられる。Ｂｒのイオン化電位は、１２ｅＶと１５ｅＶ
である塩素に比べて低く、イオン化しやすい。そのため
塩素などに比べ高密度プラズマを得るために必要なＯＮ
時間が短くてすむこととなる。更に、電子エネルギーも
低くなり基板へのイオンエネルギーを塩素プラズマに比
べて低くできる。その結果として、塩素プラズマに比べ
るとオーバーエッチング時における下地酸化膜エッチン
グ速度を低下させることが可能である。また、少なくと
も２０μ秒程度のＯＦＦ時間中には電子エネルギーが十
分低下して電子がガス分子に吸着する現象が促進され負
イオンを生成するが、ＨＢｒはＣｌ２よりも電気親和力
が高く、負イオン生成断面積も大きいので、より多くの
負イオンが生成される。そのため、ＯＦＦ時間中に基板
表面に生成される負電位も大幅に減少するため、基板に
入射するイオンのエネルギーも大幅に低下する。更に、
この時、中性粒子や負イオンが基板表面に吸着しやすく
なり、特に負イオンは酸化膜表面でSixBryOz等の化合物
生成を促進させるため、保護膜が生成される。そこで、
さらにオーバーエッチング時では下地酸化膜のエッチン
グを抑制できる。この時、２０μ秒程度のＯＦＦ時間中
でも正イオンや中性粒子は十分存在しており密度は殆ど
低下しない。
いられる。Ｂｒのイオン化電位は、１２ｅＶと１５ｅＶ
である塩素に比べて低く、イオン化しやすい。そのため
塩素などに比べ高密度プラズマを得るために必要なＯＮ
時間が短くてすむこととなる。更に、電子エネルギーも
低くなり基板へのイオンエネルギーを塩素プラズマに比
べて低くできる。その結果として、塩素プラズマに比べ
るとオーバーエッチング時における下地酸化膜エッチン
グ速度を低下させることが可能である。また、少なくと
も２０μ秒程度のＯＦＦ時間中には電子エネルギーが十
分低下して電子がガス分子に吸着する現象が促進され負
イオンを生成するが、ＨＢｒはＣｌ２よりも電気親和力
が高く、負イオン生成断面積も大きいので、より多くの
負イオンが生成される。そのため、ＯＦＦ時間中に基板
表面に生成される負電位も大幅に減少するため、基板に
入射するイオンのエネルギーも大幅に低下する。更に、
この時、中性粒子や負イオンが基板表面に吸着しやすく
なり、特に負イオンは酸化膜表面でSixBryOz等の化合物
生成を促進させるため、保護膜が生成される。そこで、
さらにオーバーエッチング時では下地酸化膜のエッチン
グを抑制できる。この時、２０μ秒程度のＯＦＦ時間中
でも正イオンや中性粒子は十分存在しており密度は殆ど
低下しない。
【００１０】臭素を含むガスとして、臭素ガス、臭化水
素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガス、臭化水素ガスと塩
素の混合ガス、臭素ガスと酸素ガスの混合ガス、臭化水
素ガスと酸素の混合ガス、臭素ガスと塩素と酸素の混合
ガスの組から選択される１種又は２種以上のガスが用い
られることが好ましい。プラズマガスのプラズマ化は、
誘導結合型により行うことが望ましい。
素ガス、臭素ガスと塩素の混合ガス、臭化水素ガスと塩
素の混合ガス、臭素ガスと酸素ガスの混合ガス、臭化水
素ガスと酸素の混合ガス、臭素ガスと塩素と酸素の混合
ガスの組から選択される１種又は２種以上のガスが用い
られることが好ましい。プラズマガスのプラズマ化は、
誘導結合型により行うことが望ましい。
【００１１】更に、ＯＦＦ時間中に基板に堆積膜を形成
することにより、ＯＮ時間中には通常の連続放電と同様
にエッチングされるが、ＯＦＦ時間中にはイオンエネル
ギーが大幅に低下するため反応生成物の堆積や表面での
重合が促進されゲート酸化膜のエッチングを抑制する。
そのため、下地酸化膜に対する選択性が大幅に上昇す
る。プラズマのＯＮ、ＯＦＦの繰り返しによりポリシリ
コンのエッチング速度は殆ど連続放電と変化なく、酸化
膜表面では堆積と堆積膜のエッチングが交互に繰り返さ
れ、酸化膜のエッチングは抑制されるために選択比が大
幅に向上すると考えられる。
することにより、ＯＮ時間中には通常の連続放電と同様
にエッチングされるが、ＯＦＦ時間中にはイオンエネル
ギーが大幅に低下するため反応生成物の堆積や表面での
重合が促進されゲート酸化膜のエッチングを抑制する。
そのため、下地酸化膜に対する選択性が大幅に上昇す
る。プラズマのＯＮ、ＯＦＦの繰り返しによりポリシリ
コンのエッチング速度は殆ど連続放電と変化なく、酸化
膜表面では堆積と堆積膜のエッチングが交互に繰り返さ
れ、酸化膜のエッチングは抑制されるために選択比が大
幅に向上すると考えられる。
【００１２】基板に５ＭＨｚ以下の低周波バイアスを印
加することが好ましい。最適ＯＦＦ時間は生成されたイ
オンや中性粒子の寿命、プラズマ維持のための電子密
度、堆積膜の堆積速度により決定される。ＯＮ時間中に
生成された正イオンや中性粒子の寿命は２００〜３００
μ秒程度であるが、電子の寿命は精々１００μ秒程度で
あるため１００μ秒以上のＯＦＦ時間になると電子がま
ったくなくなってしまうこととなる。電子がなくなると
ＯＮ時の放電が難しくなったり、ＯＮ時に電子温度が急
激に上昇して電子の増殖を行う等の現象が生じ、パルス
変調の効果が阻害されてしまうこととなる。そのため、
どのプラズマ源においても１００μ秒以内のＯＦＦ時間
が最適である。一方、電子温度が十分低下して基板表面
電圧が低下するまでに少なくとも２０μ秒程度のＯＦＦ
時間を有するので、ＯＦＦ時間は少なくとも２０μ秒は
必要である。この時、放電用高周波電界とは別に基板へ
イオンを加速するために、一般的なプラズマエッチング
装置では基板にバイアスを印可することが好ましい。
加することが好ましい。最適ＯＦＦ時間は生成されたイ
オンや中性粒子の寿命、プラズマ維持のための電子密
度、堆積膜の堆積速度により決定される。ＯＮ時間中に
生成された正イオンや中性粒子の寿命は２００〜３００
μ秒程度であるが、電子の寿命は精々１００μ秒程度で
あるため１００μ秒以上のＯＦＦ時間になると電子がま
ったくなくなってしまうこととなる。電子がなくなると
ＯＮ時の放電が難しくなったり、ＯＮ時に電子温度が急
激に上昇して電子の増殖を行う等の現象が生じ、パルス
変調の効果が阻害されてしまうこととなる。そのため、
どのプラズマ源においても１００μ秒以内のＯＦＦ時間
が最適である。一方、電子温度が十分低下して基板表面
電圧が低下するまでに少なくとも２０μ秒程度のＯＦＦ
時間を有するので、ＯＦＦ時間は少なくとも２０μ秒は
必要である。この時、放電用高周波電界とは別に基板へ
イオンを加速するために、一般的なプラズマエッチング
装置では基板にバイアスを印可することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による基板のプラズマ処理
方法の実施の形態は、プラズマ生成室内で高周波電界を
利用して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマを基板
に照射して基板処理を行うプラズマ生成方法が用いられ
ている。プラズマガスとして、ＨＢｒ又はＨＢｒに塩素
を混合したガス、更には、それらに酸素を添加したガス
が用いられる。印可する高周波数電界を少なくとも２０
μ秒以上のＯＦＦ時間を持ってパルス変調することによ
り、ポリシリコンエッチング中の下地酸化膜に対する選
択性を５００以上にすることが可能である。ＨＢｒガス
をパルス変調プラズマにすることにより、連続放電やパ
ルス変調塩素プラズマにはないエッチング特性の改善を
実現できる。
方法の実施の形態は、プラズマ生成室内で高周波電界を
利用して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマを基板
に照射して基板処理を行うプラズマ生成方法が用いられ
ている。プラズマガスとして、ＨＢｒ又はＨＢｒに塩素
を混合したガス、更には、それらに酸素を添加したガス
が用いられる。印可する高周波数電界を少なくとも２０
μ秒以上のＯＦＦ時間を持ってパルス変調することによ
り、ポリシリコンエッチング中の下地酸化膜に対する選
択性を５００以上にすることが可能である。ＨＢｒガス
をパルス変調プラズマにすることにより、連続放電やパ
ルス変調塩素プラズマにはないエッチング特性の改善を
実現できる。
【００１４】ＨＢｒあるいはＨＢｒに塩素を添加したガ
ス、または塩素に酸素を添加したガスに高周波電界を、
少なくとも２０μ秒のＯＦＦ時間を持ってパルス変調す
ることにより、プラズマの密度（正イオン、中性粒子密
度）を保ちながら電子温度を低下させることができ、基
板に入射するイオンエネルギーの制御が可能であるた
め、エッチング速度がイオンエネルギーに依存する酸化
膜等のエッチング速度を大幅に低下させることができ
る。
ス、または塩素に酸素を添加したガスに高周波電界を、
少なくとも２０μ秒のＯＦＦ時間を持ってパルス変調す
ることにより、プラズマの密度（正イオン、中性粒子密
度）を保ちながら電子温度を低下させることができ、基
板に入射するイオンエネルギーの制御が可能であるた
め、エッチング速度がイオンエネルギーに依存する酸化
膜等のエッチング速度を大幅に低下させることができ
る。
【００１５】ポリシリコンはＢｒ等と反応しやすいた
め、エッチング速度は数ｅＶ以上で入射するイオンフラ
ックス（密度）に依存する。そこで、ＯＮ時間中に生成
するイオン密度によってエッチング速度が決まることと
なり、ＯＦＦ時間はイオン密度及び中性粒子密度がほぼ
低下しない２０μ秒程度から１００μ秒が最適である。
オーバーエッチング中の下地酸化膜エッチング速度は入
射するイオンエネルギーに依存し、ＯＮ時間中には通常
の連続放電と同様にエッチングされるが、ＯＦＦ時間中
にはイオンエネルギーが大幅に低下するため、反応生成
物の堆積や表面での重合が促進されゲート酸化膜のエッ
チングを抑制する。そのため、下地酸化膜に対する選択
性が大幅に上昇する。プラズマのＯＮ、ＯＦＦの繰り返
しによりポリシリコンのエッチング速度は殆ど連続放電
と変わりがなく、酸化膜表面では堆積と堆積膜のエッチ
ングが交互に繰り返され、酸化膜のエッチングは抑制さ
れるために選択比が大幅に向上すると考えられる。
め、エッチング速度は数ｅＶ以上で入射するイオンフラ
ックス（密度）に依存する。そこで、ＯＮ時間中に生成
するイオン密度によってエッチング速度が決まることと
なり、ＯＦＦ時間はイオン密度及び中性粒子密度がほぼ
低下しない２０μ秒程度から１００μ秒が最適である。
オーバーエッチング中の下地酸化膜エッチング速度は入
射するイオンエネルギーに依存し、ＯＮ時間中には通常
の連続放電と同様にエッチングされるが、ＯＦＦ時間中
にはイオンエネルギーが大幅に低下するため、反応生成
物の堆積や表面での重合が促進されゲート酸化膜のエッ
チングを抑制する。そのため、下地酸化膜に対する選択
性が大幅に上昇する。プラズマのＯＮ、ＯＦＦの繰り返
しによりポリシリコンのエッチング速度は殆ど連続放電
と変わりがなく、酸化膜表面では堆積と堆積膜のエッチ
ングが交互に繰り返され、酸化膜のエッチングは抑制さ
れるために選択比が大幅に向上すると考えられる。
【００１６】ポリシリコンのエッチング速度を決定する
イオンの密度、励起された中性粒子の密度は、それらが
生成するＯＮ時間と損失するＯＦＦ時間のバランスによ
って決まってくる。最適なＯＮ時間は放電周波数、放電
圧力、磁場の有無によって異なってくる。
イオンの密度、励起された中性粒子の密度は、それらが
生成するＯＮ時間と損失するＯＦＦ時間のバランスによ
って決まってくる。最適なＯＮ時間は放電周波数、放電
圧力、磁場の有無によって異なってくる。
【００１７】図５に示されるように、放電周波数により
プラズマ密度が安定する（定常状態に達する）時定数は
異なり、最適なＯＮ時間は異なってくる。２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を用いるプラズマでは１０μ秒から２０
μ秒、５００ＭＨｚのＵＨＦ帯を用いるプラズマでは３
０μ秒程度、１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯を用いるプラズ
マでは５０μ秒程度、２ＭＨｚを用いるプラズマでは１
００μ秒程度のＯＮ時間が必要になる。現在、最も多く
用いられている１３．５６ＭＨｚを用いた誘導結合プラ
ズマでは５０μ秒程度のＯＮ時間が最適である。誘導結
合プラズマに磁場を印可した場合、又は、ヘリコン波プ
ラズマでは、最適なＯＮ時間は磁場の効果で電子の損失
が少なくなり、３０μ秒程度のＯＮ時間でも十分に高い
電子密度が得られる。
プラズマ密度が安定する（定常状態に達する）時定数は
異なり、最適なＯＮ時間は異なってくる。２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を用いるプラズマでは１０μ秒から２０
μ秒、５００ＭＨｚのＵＨＦ帯を用いるプラズマでは３
０μ秒程度、１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯を用いるプラズ
マでは５０μ秒程度、２ＭＨｚを用いるプラズマでは１
００μ秒程度のＯＮ時間が必要になる。現在、最も多く
用いられている１３．５６ＭＨｚを用いた誘導結合プラ
ズマでは５０μ秒程度のＯＮ時間が最適である。誘導結
合プラズマに磁場を印可した場合、又は、ヘリコン波プ
ラズマでは、最適なＯＮ時間は磁場の効果で電子の損失
が少なくなり、３０μ秒程度のＯＮ時間でも十分に高い
電子密度が得られる。
【００１８】更に、最適ＯＦＦ時間は生成されたイオン
や中性粒子の寿命、プラズマ維持のための電子密度、堆
積膜の堆積速度により決定される。ＯＮ時間中に生成さ
れた正イオンや中性粒子の寿命は２００〜３００μ秒程
度であるが、電子の寿命は精々１００μ秒程度であるた
め１００μ秒以上のＯＦＦ時間になると電子がまったく
なくなってしまうこととなる。電子がなくなるとＯＮ時
の放電が難しくなったり、ＯＮ時に電子温度が急激に上
昇して電子の増殖を行う等の現象が生じ、パルス変調の
効果が阻害されてしまうこととなる。そのため、どのプ
ラズマ源においても１００μ秒以内のＯＦＦ時間が最適
である。
や中性粒子の寿命、プラズマ維持のための電子密度、堆
積膜の堆積速度により決定される。ＯＮ時間中に生成さ
れた正イオンや中性粒子の寿命は２００〜３００μ秒程
度であるが、電子の寿命は精々１００μ秒程度であるた
め１００μ秒以上のＯＦＦ時間になると電子がまったく
なくなってしまうこととなる。電子がなくなるとＯＮ時
の放電が難しくなったり、ＯＮ時に電子温度が急激に上
昇して電子の増殖を行う等の現象が生じ、パルス変調の
効果が阻害されてしまうこととなる。そのため、どのプ
ラズマ源においても１００μ秒以内のＯＦＦ時間が最適
である。
【００１９】一方、電子温度が十分低下して基板表面電
圧が低下するまでに少なくとも２０μ秒程度のＯＦＦ時
間を有するので、ＯＦＦ時間は少なくとも２０μ秒は必
要である。この時、放電用高周波電界とは別に基板へイ
オンを加速するために、一般的なプラズマエッチング装
置では１３．５６ＭＨｚの基板バイアスを印可する。パ
ルス変調プラズマにおいてはエッチング材料により効果
的な基板バイアス周波数が異なってくる。１０１１ｃｍ
のマイナス３乗以上の高密度プラズマ中のプラズマイオ
ン周波数（高周波電界に対するイオンの追従できる周波
数）は（ｆｐｉ〜［（ｎｉｅ２）／（Ｍε０）］１／２
／２π）（ここで、ｎｉ：イオン密度、M：イオン質
量、ε0：誘電率）から５ＭＨｚと算出される。つま
り、ＲＦバイアス周波数が５ＭＨｚ以上である場合に
は、イオンは直接ＲＦ電場に追従できないため、イオン
はＲＦ電界によって加速されることがなく、電子のみが
基板に加速されて到達することとなる。
圧が低下するまでに少なくとも２０μ秒程度のＯＦＦ時
間を有するので、ＯＦＦ時間は少なくとも２０μ秒は必
要である。この時、放電用高周波電界とは別に基板へイ
オンを加速するために、一般的なプラズマエッチング装
置では１３．５６ＭＨｚの基板バイアスを印可する。パ
ルス変調プラズマにおいてはエッチング材料により効果
的な基板バイアス周波数が異なってくる。１０１１ｃｍ
のマイナス３乗以上の高密度プラズマ中のプラズマイオ
ン周波数（高周波電界に対するイオンの追従できる周波
数）は（ｆｐｉ〜［（ｎｉｅ２）／（Ｍε０）］１／２
／２π）（ここで、ｎｉ：イオン密度、M：イオン質
量、ε0：誘電率）から５ＭＨｚと算出される。つま
り、ＲＦバイアス周波数が５ＭＨｚ以上である場合に
は、イオンは直接ＲＦ電場に追従できないため、イオン
はＲＦ電界によって加速されることがなく、電子のみが
基板に加速されて到達することとなる。
【００２０】通常のプラズマでは電子と正イオンが多量
に存在するので、電子が基板に向かって加速されて基板
に蓄積することにより、負電位ができて正イオンを加速
することになるため、１３．５６ＭＨｚでも結果として
イオンを基板に十分なエネルギーで加速できるが、パル
ス変調プラズマ中では電子に代わって負イオンが多量に
存在するため１３．５６ＭＨｚでは基板にできる負バイ
アスが小さく、イオンが十分に加速されず、数十ｅＶ以
上のイオンエネルギーの必要な材料のエッチングではエ
ッチング速度が低下する（例えば、Ａｌエッチング時の
バリアメタルＴｉＮのエッチング等）という問題点があ
るが、ポリシリコン電極のように高イオンエネルギーが
必要ではないエッチングでは、１３．５６ＭＨｚで十分
である。
に存在するので、電子が基板に向かって加速されて基板
に蓄積することにより、負電位ができて正イオンを加速
することになるため、１３．５６ＭＨｚでも結果として
イオンを基板に十分なエネルギーで加速できるが、パル
ス変調プラズマ中では電子に代わって負イオンが多量に
存在するため１３．５６ＭＨｚでは基板にできる負バイ
アスが小さく、イオンが十分に加速されず、数十ｅＶ以
上のイオンエネルギーの必要な材料のエッチングではエ
ッチング速度が低下する（例えば、Ａｌエッチング時の
バリアメタルＴｉＮのエッチング等）という問題点があ
るが、ポリシリコン電極のように高イオンエネルギーが
必要ではないエッチングでは、１３．５６ＭＨｚで十分
である。
【００２１】酸化膜エッチング、アルミエッチング、高
融点金属エッチングにおいてはイオンのアシストによる
エッチングが必要である。そのため５ＭＨｚ以下のＲＦ
バイアスを印可することが望ましい。理想的には１ＭＨ
ｚ以下のＲＦバイアスを印可すると正負イオンが電界に
十分追従でき基板に向けて加速することが可能である。
融点金属エッチングにおいてはイオンのアシストによる
エッチングが必要である。そのため５ＭＨｚ以下のＲＦ
バイアスを印可することが望ましい。理想的には１ＭＨ
ｚ以下のＲＦバイアスを印可すると正負イオンが電界に
十分追従でき基板に向けて加速することが可能である。
【００２２】
【実施例】図６は、本発明による実施の形態の実施例を
示している。図６に示されるように、アンテナ１に高周
波電界を導入し、誘導電場磁場によりプラズマを生成す
る。プラズマ生成室２と基板搬送室（図示せず）とが互
いに隣接するように構成されている。プラズマ生成室２
には、プラズマを生成するためのガスを導入するガス系
３が接続されている。ガスとしては、臭化水素プラズマ
又は臭化水素と塩素との混合ガス、更にはこれらに、酸
素が混合される。導入高周波電界は、パルス回路４によ
り、パルス変調される。立ち上がり時間は１０〜１００
μｓｅｃであり、立下り時間は１０〜１００μｓｅｃで
ある。そのパルスの形状は、図７に示されている。
示している。図６に示されるように、アンテナ１に高周
波電界を導入し、誘導電場磁場によりプラズマを生成す
る。プラズマ生成室２と基板搬送室（図示せず）とが互
いに隣接するように構成されている。プラズマ生成室２
には、プラズマを生成するためのガスを導入するガス系
３が接続されている。ガスとしては、臭化水素プラズマ
又は臭化水素と塩素との混合ガス、更にはこれらに、酸
素が混合される。導入高周波電界は、パルス回路４によ
り、パルス変調される。立ち上がり時間は１０〜１００
μｓｅｃであり、立下り時間は１０〜１００μｓｅｃで
ある。そのパルスの形状は、図７に示されている。
【００２３】このようにプラズマ源の導入パワーをパル
ス化することによって、パルスＯＮ時に正イオンと中性
粒子を生成し、パルスのＯＦＦ時間に電子温度を低下さ
せて負イオンが発生する。その時、基板に入射するイオ
ンエネルギーが低下し、ガスの解離は停止する。
ス化することによって、パルスＯＮ時に正イオンと中性
粒子を生成し、パルスのＯＦＦ時間に電子温度を低下さ
せて負イオンが発生する。その時、基板に入射するイオ
ンエネルギーが低下し、ガスの解離は停止する。
【００２４】解離とイオン化は、放電中の電子の衝突に
より生じるので放電時間（図８）に依存する。そのた
め、ＯＮ時間の長さによりプラズマ中のガス解離度や電
子密度（イオン密度）を左右しエッチング特性が変化す
る。また、ＯＦＦ時間中には電子温度が低下するため、
基板表面にできる負バイアスが小さくなり入射する正イ
オンエネルギーは低下する。図３は、誘導結合塩素プラ
ズマ中の電子温度、電子密度、正イオン密度の時間変化
を示している。電子温度はＯＮした瞬間に上昇し、電子
密度は、図４に示されるように、３０μ秒程度の時定数
にて定常状態に達する。つまり、１３．５６ＭＨｚの誘
導結合プラズマを安定してパルス変調させるためには、
５０μ秒程度のＯＮ時間が最適となる。ポリシリコンエ
ッチングにおいてパルス変調臭化水素プラズマを用いる
と、図１０に示されるように、エッチング速度のドーパ
ント依存性がなくなる。これは、ＢｒはＣｌに比べて原
子半径が大きいので吸着反応が乏しくイオンアシスト反
応が主になることによると考えられる。
より生じるので放電時間（図８）に依存する。そのた
め、ＯＮ時間の長さによりプラズマ中のガス解離度や電
子密度（イオン密度）を左右しエッチング特性が変化す
る。また、ＯＦＦ時間中には電子温度が低下するため、
基板表面にできる負バイアスが小さくなり入射する正イ
オンエネルギーは低下する。図３は、誘導結合塩素プラ
ズマ中の電子温度、電子密度、正イオン密度の時間変化
を示している。電子温度はＯＮした瞬間に上昇し、電子
密度は、図４に示されるように、３０μ秒程度の時定数
にて定常状態に達する。つまり、１３．５６ＭＨｚの誘
導結合プラズマを安定してパルス変調させるためには、
５０μ秒程度のＯＮ時間が最適となる。ポリシリコンエ
ッチングにおいてパルス変調臭化水素プラズマを用いる
と、図１０に示されるように、エッチング速度のドーパ
ント依存性がなくなる。これは、ＢｒはＣｌに比べて原
子半径が大きいので吸着反応が乏しくイオンアシスト反
応が主になることによると考えられる。
【００２５】一方、酸化膜に対する選択性は、パルス変
調プラズマにおいて塩素ガスに酸素添加を行うことで向
上する。ポリシリコンのエッチングが終了し下地ゲート
酸化膜が露出した時点で、酸化膜上にSixClyOzを堆積さ
せてエッチングを抑制させる効果があるからである。し
かし、エッチング均一性などの問題からポリシリコンが
全てなくなってから酸素を添加するというプロセスは難
しく、ポリシリコンエッチング時から酸素を添加してエ
ッチングを行うこととなる。連続放電を用いるとポリシ
リコンは酸化されやすく、図１１に示すようにポリシリ
コンのエッチング速度を維持するためには最大でも５％
程度以下の酸素添加しかできないのが現状である。５％
の酸素添加では選択性を向上させるために十分な堆積膜
の生成ができないため、大幅な選択性の向上は望めな
い。これは、Ｏ２分子から解離されて多量に生成するＯ
原子がＳｉと反応性が高いことにより、ポリシリコンの
酸化速度が速いためである。
調プラズマにおいて塩素ガスに酸素添加を行うことで向
上する。ポリシリコンのエッチングが終了し下地ゲート
酸化膜が露出した時点で、酸化膜上にSixClyOzを堆積さ
せてエッチングを抑制させる効果があるからである。し
かし、エッチング均一性などの問題からポリシリコンが
全てなくなってから酸素を添加するというプロセスは難
しく、ポリシリコンエッチング時から酸素を添加してエ
ッチングを行うこととなる。連続放電を用いるとポリシ
リコンは酸化されやすく、図１１に示すようにポリシリ
コンのエッチング速度を維持するためには最大でも５％
程度以下の酸素添加しかできないのが現状である。５％
の酸素添加では選択性を向上させるために十分な堆積膜
の生成ができないため、大幅な選択性の向上は望めな
い。これは、Ｏ２分子から解離されて多量に生成するＯ
原子がＳｉと反応性が高いことにより、ポリシリコンの
酸化速度が速いためである。
【００２６】一方、ＯＮ時間を５０μ秒のパルス変調プ
ラズマを用いると、解離が抑制されＯ原子よりもＯ２分
子密度が高くなり、ポリシリコンの酸化は抑制され１０
％以上の酸素を添加してもポリシリコンのエッチング速
度は低下しない。ゲート酸化膜上への保護膜の堆積は酸
素濃度に依存し酸素添加量にしたがって上昇する。この
時、下地ゲート酸化膜に対する選択性は１００以上とな
る。つまり、添加した酸素の解離度を抑制することによ
り酸化膜上に堆積するSixClyOzの堆積速度を増加でき
る。
ラズマを用いると、解離が抑制されＯ原子よりもＯ２分
子密度が高くなり、ポリシリコンの酸化は抑制され１０
％以上の酸素を添加してもポリシリコンのエッチング速
度は低下しない。ゲート酸化膜上への保護膜の堆積は酸
素濃度に依存し酸素添加量にしたがって上昇する。この
時、下地ゲート酸化膜に対する選択性は１００以上とな
る。つまり、添加した酸素の解離度を抑制することによ
り酸化膜上に堆積するSixClyOzの堆積速度を増加でき
る。
【００２７】ＨＢｒを主に用いたガスによるエッチング
では、更に、パルス変調プラズマの効果が顕著である。
ＨＢｒガスは塩素ガスに比べると反応生成物の堆積が激
しいガスである。そのため、ゲート酸化膜との選択性を
向上させるためにＨＢｒが用いられるケースが多い。こ
れは、SixBry等の反応生成物がプラズマ中で解離しやす
く堆積しやすいからである。しかし、ポリシリコンなど
のエッチング中にも堆積が多く、エッチング形状がテー
パーになる、ロコス等の段差のエッジにポリシリコン残
さ（ストリンガー）が発生するなどの問題があった。パ
ルス変調プラズマを用いると、ＯＦＦ時間中には反応生
成物の分解がなくなり排気されやすくなるためポリシリ
コンエッチング中の堆積を抑制することが可能であり、
テーパーエッチング形状や残さ発生を抑制することがで
きる。
では、更に、パルス変調プラズマの効果が顕著である。
ＨＢｒガスは塩素ガスに比べると反応生成物の堆積が激
しいガスである。そのため、ゲート酸化膜との選択性を
向上させるためにＨＢｒが用いられるケースが多い。こ
れは、SixBry等の反応生成物がプラズマ中で解離しやす
く堆積しやすいからである。しかし、ポリシリコンなど
のエッチング中にも堆積が多く、エッチング形状がテー
パーになる、ロコス等の段差のエッジにポリシリコン残
さ（ストリンガー）が発生するなどの問題があった。パ
ルス変調プラズマを用いると、ＯＦＦ時間中には反応生
成物の分解がなくなり排気されやすくなるためポリシリ
コンエッチング中の堆積を抑制することが可能であり、
テーパーエッチング形状や残さ発生を抑制することがで
きる。
【００２８】一方、ポリシリコンエッチングが終了し下
地酸化膜が露出した場合には、中性粒子やＯＦＦ時間中
に生成した負イオンがイオン衝撃が少ないために酸化膜
表面に吸着しやすくなり酸化膜表面にSixBryOz膜を形成
する。そのため酸化膜のエッチングを抑制するように働
く。この時、ＯＦＦ時間では電子温度の低下によりイオ
ンエネルギーが低下するので、この保護膜形成を促進
し、酸化膜エッチング速度を低下させ選択性を大幅に向
上できる。例えば、連続放電プラズマ中やパルスＯＮ時
間中にはイオンエネルギーが２０〜３０ｅＶ程度である
が、５０μ秒ＯＦＦ時間中には数ｅＶ程度まで低下す
る。この時、その数ｅＶ程度のイオンエネルギーでエッ
チングできるポリシリコンのエッチング速度は低下しな
いが、ゲート電極エッチング時の下地ゲート酸化膜エッ
チング速度はイオンエネルギーに依存し低下する。その
ため、ポリシリコンエッチングの下地酸化膜に対する選
択性は大幅に向上する。連続放電では、ここまでイオン
エネルギーを低下させることは不可能であるため酸化膜
に対して１００程度の選択比であったが、パルス変調臭
化水素プラズマを用いることで５００以上まで大幅な向
上が可能となった。
地酸化膜が露出した場合には、中性粒子やＯＦＦ時間中
に生成した負イオンがイオン衝撃が少ないために酸化膜
表面に吸着しやすくなり酸化膜表面にSixBryOz膜を形成
する。そのため酸化膜のエッチングを抑制するように働
く。この時、ＯＦＦ時間では電子温度の低下によりイオ
ンエネルギーが低下するので、この保護膜形成を促進
し、酸化膜エッチング速度を低下させ選択性を大幅に向
上できる。例えば、連続放電プラズマ中やパルスＯＮ時
間中にはイオンエネルギーが２０〜３０ｅＶ程度である
が、５０μ秒ＯＦＦ時間中には数ｅＶ程度まで低下す
る。この時、その数ｅＶ程度のイオンエネルギーでエッ
チングできるポリシリコンのエッチング速度は低下しな
いが、ゲート電極エッチング時の下地ゲート酸化膜エッ
チング速度はイオンエネルギーに依存し低下する。その
ため、ポリシリコンエッチングの下地酸化膜に対する選
択性は大幅に向上する。連続放電では、ここまでイオン
エネルギーを低下させることは不可能であるため酸化膜
に対して１００程度の選択比であったが、パルス変調臭
化水素プラズマを用いることで５００以上まで大幅な向
上が可能となった。
【００２９】一方、Ｔｉ、Ｗ等の高融点金属のエッチン
グの場合には反応性が乏しいのでイオンを加速して基板
に入射させることが必要である。この時５ＭＨｚ以下の
高周波バイアスを基板に印可すると、正負イオンが直接
ＲＦ電界により加速され基板に入射するため、エッチン
グ速度が上昇する。更に、基板に負イオンを照射した結
果、基板表面での電荷蓄積は抑制され電荷蓄積によるダ
メージが抑制されるとともに、エッチング反応生成物に
負イオンにより基板表面まで運ばれた電子が付着して反
応生成物の電子状態を変化させる。この時、反応生成物
の離脱エネルギーが低下し、離脱する速度が速くなり、
エッチング速度が向上する。
グの場合には反応性が乏しいのでイオンを加速して基板
に入射させることが必要である。この時５ＭＨｚ以下の
高周波バイアスを基板に印可すると、正負イオンが直接
ＲＦ電界により加速され基板に入射するため、エッチン
グ速度が上昇する。更に、基板に負イオンを照射した結
果、基板表面での電荷蓄積は抑制され電荷蓄積によるダ
メージが抑制されるとともに、エッチング反応生成物に
負イオンにより基板表面まで運ばれた電子が付着して反
応生成物の電子状態を変化させる。この時、反応生成物
の離脱エネルギーが低下し、離脱する速度が速くなり、
エッチング速度が向上する。
【００３０】本発明は、放電周波数及び放電の形式に依
存することなく適用できる。例えば、現在、広く使用さ
れている電子サイクロトロン共鳴プラズマ源、表面波プ
ラズマ源、ヘリコン波プラズマ源や平行平板型装置など
にも同様な方法を用いることにより、高精度なエッチン
グを実現できることが分かっている。
存することなく適用できる。例えば、現在、広く使用さ
れている電子サイクロトロン共鳴プラズマ源、表面波プ
ラズマ源、ヘリコン波プラズマ源や平行平板型装置など
にも同様な方法を用いることにより、高精度なエッチン
グを実現できることが分かっている。
【００３１】
【発明の効果】本発明による基板のプラズマ処理方法
は、ポリシリコン等のゲート材料のエッチングにおい
て、下地酸化膜のような基板表面層に対して高選択エッ
チングを実現できる。
は、ポリシリコン等のゲート材料のエッチングにおい
て、下地酸化膜のような基板表面層に対して高選択エッ
チングを実現できる。
【図１】図１は、パルスプラズマエッチングによるポリ
シリコンエッチングのエッチング速度ドーパント依存性
を示すグラフである。
シリコンエッチングのエッチング速度ドーパント依存性
を示すグラフである。
【図２】図２は、ポリシリコンエッチング時のゲート酸
化膜突き抜け現象を示す断面図である。
化膜突き抜け現象を示す断面図である。
【図３】図３は、高周波電界のパルス変調と電子温度、
イオンエネルギー、堆積速度との関係を示すグラフであ
る。
イオンエネルギー、堆積速度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】図４は、パルス変調塩素、ＨＢｒプラズマ中の
ＯＮ時間における電子密度依存性を示すグラフである。
ＯＮ時間における電子密度依存性を示すグラフである。
【図５】図５は、ＨＢｒプラズマにおける放電周波数に
よる放電開始から電子密度が安定になるまでの時間を示
すグラフである。
よる放電開始から電子密度が安定になるまでの時間を示
すグラフである。
【図６】図６は、プラズマ発生装置を示す断面図であ
る。
る。
【図７】図７は、導入パルス変調波形を示すグラフであ
る。
る。
【図８】図８は、放電時間を示すグラフである。
【図９】図９は、パルス変調ＨＢｒ誘導結合プラズマ中
の電子温度、電子密度、イオン密度の変化を示すグラフ
である。
の電子温度、電子密度、イオン密度の変化を示すグラフ
である。
【図１０】図１０は、誘導結合パルス変調塩素ＨＢｒプ
ラズマによるポリシリコンエッチングのエッチング速度
のドーパント依存性を示すグラフである。
ラズマによるポリシリコンエッチングのエッチング速度
のドーパント依存性を示すグラフである。
【図１１】図１１は、誘導プラズマにおける連続放電と
パルス変調プラズマにおける選択性の改善を示すグラフ
である。
パルス変調プラズマにおける選択性の改善を示すグラフ
である。
２…高周波生成室
Claims (7)
- 【請求項１】プラズマガスを生成させる高周波電界をパ
ルス変調すること、 前記パルス変調には２０μ秒以上のＯＦＦ時間を与える
こと、 前記プラズマガスにより基板を処理することとからなる
基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項２】請求項１において、更に、 前記パルス変調には１００μ秒以下のＯＦＦ時間を与え
ることからなる基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】請求項１において、 前記プラズマガスとして、臭素を含むガスが用いられる
ことを特徴とする基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】請求項３において、 前記臭素を含むガスとして、臭素ガス、臭化水素ガス、
臭素ガスと塩素の混合ガス、臭化水素ガスと塩素の混合
ガス、臭素ガスと酸素ガスの混合ガス、臭化水素ガスと
酸素の混合ガス、臭素ガスと塩素と酸素の混合ガスの組
から選択される１種又は２種以上のガスが用いられる基
板のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】請求項１において、更に、 前記プラズマガスのプラズマ化を誘導結合型により行う
ことからなる基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項６】請求項１において、更に、 前記ＯＦＦ時間中に、前記基板に堆積膜を形成すること
からなる基板のプラズマ処理方法。 - 【請求項７】請求項１において、更に、 前記基板に５ＭＨｚ以下の低周波バイアスを印加するこ
とからなる基板のプラズマ処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116268A JP2000306894A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 基板のプラズマ処理方法 |
| TW089107498A TW454258B (en) | 1999-04-23 | 2000-04-18 | Plasma processing method to wafer with high selection ratio |
| GB0009746A GB2349506B (en) | 1999-04-23 | 2000-04-19 | Plasma processing method for a semiconductor wafer |
| KR1020000021500A KR20000071789A (ko) | 1999-04-23 | 2000-04-22 | 고선택비로 웨이퍼에 대한 플라즈마 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116268A JP2000306894A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 基板のプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306894A true JP2000306894A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14682888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11116268A Pending JP2000306894A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 基板のプラズマ処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306894A (ja) |
| KR (1) | KR20000071789A (ja) |
| GB (1) | GB2349506B (ja) |
| TW (1) | TW454258B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089933A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2015034590A1 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching materials using synchronized rf pulses |
| JP2016076718A (ja) * | 2015-11-20 | 2016-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4073174B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2008-04-09 | 株式会社荏原製作所 | 中性粒子ビーム処理装置 |
| TW200511430A (en) * | 2003-05-29 | 2005-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP5224837B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| CN113387370B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-01-03 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种使用低温等离子技术调节沸石分子筛晶体形貌与结构的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2584389B2 (ja) * | 1992-06-10 | 1997-02-26 | 栄電子工業 株式会社 | Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法 |
| JPH1079372A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JPH10312899A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP4013308B2 (ja) * | 1998-01-21 | 2007-11-28 | ヤマハ株式会社 | 配線形成方法 |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11116268A patent/JP2000306894A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-18 TW TW089107498A patent/TW454258B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-04-19 GB GB0009746A patent/GB2349506B/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-22 KR KR1020000021500A patent/KR20000071789A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089933A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2015034590A1 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching materials using synchronized rf pulses |
| US9269587B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching materials using synchronized RF pulses |
| JP2016076718A (ja) * | 2015-11-20 | 2016-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0009746D0 (en) | 2000-06-07 |
| KR20000071789A (ko) | 2000-11-25 |
| GB2349506A (en) | 2000-11-01 |
| TW454258B (en) | 2001-09-11 |
| GB2349506B (en) | 2002-04-24 |
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|---|---|---|---|
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