JP2764524B2 - ラジカルの制御装置 - Google Patents
ラジカルの制御装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラジカルの密度および
組成を高精度に制御する装置に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられるラジカル制御装置を提供するにある。本発
明を利用できる分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドラ
イエッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶ
Ｄ・エッチング装置等である。
組成を高精度に制御する装置に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられるラジカル制御装置を提供するにある。本発
明を利用できる分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドラ
イエッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶ
Ｄ・エッチング装置等である。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを用いた薄膜形成および材料加
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のプラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおけるプ
ラズマ中のラジカルの密度および組成を測定し、これに
基づいてプラズマ放電用電源の電力をパルス変調するデ
ューティ比を制御して、ラジカルの密度および組成を高
精度で制御する装置を提供するものである。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおけるプ
ラズマ中のラジカルの密度および組成を測定し、これに
基づいてプラズマ放電用電源の電力をパルス変調するデ
ューティ比を制御して、ラジカルの密度および組成を高
精度で制御する装置を提供するものである。
【０００５】本発明の特徴とする所は、デューティ比を
変えられる第１のパルス発生装置を具備した第１のプラ
ズマ放電用電源と、第１のガス導入口とが接続されたプ
ラズマ放電室と、このプラズマ放電室に接続され第２の
ガス導入口を設けた真空容器と、プラズマ放電室より放
出されるプラズマに対向するよう前記真空容器内に配置
される被処理基板を支持する第２の電極と、この第２の
電極に接続されデューティ比を変えられる第２のパルス
発生装置を具備した第２のプラズマ放電用電源とを具
え、前記第１および第２のプラズマ放電用電源の何れか
一方または双方によって形成されるプラズマにより反応
性ガスを分解してラジカルを生成する手段と、このラジ
カルの密度および組成を測定する手段と、前記第１およ
び第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方の
電力を前記第１および第２のパルス発生装置の何れか一
方または双方により一定の周期にてパルス変調する手段
と、該パルス変調のデューティ比を変化させることによ
りラジカルの密度および組成を制御する手段とを具備し
たラジカルの制御装置にある。
変えられる第１のパルス発生装置を具備した第１のプラ
ズマ放電用電源と、第１のガス導入口とが接続されたプ
ラズマ放電室と、このプラズマ放電室に接続され第２の
ガス導入口を設けた真空容器と、プラズマ放電室より放
出されるプラズマに対向するよう前記真空容器内に配置
される被処理基板を支持する第２の電極と、この第２の
電極に接続されデューティ比を変えられる第２のパルス
発生装置を具備した第２のプラズマ放電用電源とを具
え、前記第１および第２のプラズマ放電用電源の何れか
一方または双方によって形成されるプラズマにより反応
性ガスを分解してラジカルを生成する手段と、このラジ
カルの密度および組成を測定する手段と、前記第１およ
び第２のプラズマ放電用電源の何れか一方または双方の
電力を前記第１および第２のパルス発生装置の何れか一
方または双方により一定の周期にてパルス変調する手段
と、該パルス変調のデューティ比を変化させることによ
りラジカルの密度および組成を制御する手段とを具備し
たラジカルの制御装置にある。
【０００６】本発明によるラジカルの制御装置の好適な
実施例においては、前記プラズマ放電用真空容器に接続
されたプラズマ放電室と、該プラズマ放電室に接続され
たガス導入口とを設ける。また、前記プラズマ放電用真
空容器とプラズマ放電室との間に、プラズマ放電室にお
いてプラズマから発生されるイオン、電子等の荷電粒子
を除去するメッシュ状の第２電極を設ける。上述したラ
ジカルの密度および組成の測定は、前記プラズマ放電用
真空容器に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置で行
なうことができる。さらに、前記第１および第２のプラ
ズマ放電用電源は、高周波電源あるいは直流電源あるい
はマイクロ波電源あるいは電子ビーム発生用電源とする
のが好適である。
実施例においては、前記プラズマ放電用真空容器に接続
されたプラズマ放電室と、該プラズマ放電室に接続され
たガス導入口とを設ける。また、前記プラズマ放電用真
空容器とプラズマ放電室との間に、プラズマ放電室にお
いてプラズマから発生されるイオン、電子等の荷電粒子
を除去するメッシュ状の第２電極を設ける。上述したラ
ジカルの密度および組成の測定は、前記プラズマ放電用
真空容器に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置で行
なうことができる。さらに、前記第１および第２のプラ
ズマ放電用電源は、高周波電源あるいは直流電源あるい
はマイクロ波電源あるいは電子ビーム発生用電源とする
のが好適である。
【０００７】本発明によるラジカルの制御装置を用いて
ラジカルの制御を行なう際の反応性ガスとしては、フル
オロカーボンガスあるいは少くともシリコン原子および
水素原子を含有する水素化シリコンガスあるいは少くと
も炭素原子および水素原子を含有する水素化炭素ガスあ
るいはハロゲンガスを使用することができる。また、後
述する実施例で説明するように、第１のプラズマ放電用
電源をマイクロ波電源とし、第２のプラズマ放電用電源
を高周波電源とし、第１のパルス発生装置によってマイ
クロ波電源をパルス変調し、このパルス変調のデューテ
ィ比をラジカルの密度および組成の測定データに基づい
て制御し、一方高周波電源は、動作させなかったり（実
施例１）、連続的に動作させたり（実施例２および３）
することができる。もちろん、第１のパルス発生装置に
よってマイクロ波電源をパルス変調するともに第２のパ
ルス発生装置によって高周波電源をパルス変調すること
もできる。また、第２のパルス発生装置によって高周波
電源のみをパルス変調することもできる。
ラジカルの制御を行なう際の反応性ガスとしては、フル
オロカーボンガスあるいは少くともシリコン原子および
水素原子を含有する水素化シリコンガスあるいは少くと
も炭素原子および水素原子を含有する水素化炭素ガスあ
るいはハロゲンガスを使用することができる。また、後
述する実施例で説明するように、第１のプラズマ放電用
電源をマイクロ波電源とし、第２のプラズマ放電用電源
を高周波電源とし、第１のパルス発生装置によってマイ
クロ波電源をパルス変調し、このパルス変調のデューテ
ィ比をラジカルの密度および組成の測定データに基づい
て制御し、一方高周波電源は、動作させなかったり（実
施例１）、連続的に動作させたり（実施例２および３）
することができる。もちろん、第１のパルス発生装置に
よってマイクロ波電源をパルス変調するともに第２のパ
ルス発生装置によって高周波電源をパルス変調すること
もできる。また、第２のパルス発生装置によって高周波
電源のみをパルス変調することもできる。
【０００８】 〔構成〕 図１に本発明を適用したＥＣＲプラズマ処理装置の構成
の一例を示す。同図中、１は、反応室を形成するプラズ
マ放電用真空容器であり、該真空容器１の上部には、Ｅ
ＣＲ放電を発生するプラズマ放電用放電室２が連結され
ている。プラズマ放電用放電室２には、例えば2.45ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入するための導波管３が設けられ、
これによりマイクロ波電源４に接続されている。マイク
ロ波電源４は、パルス発生装置５に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。また、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三
フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ａ）を導入
するための第１の導入口６がプラズマ放電用放電室２に
取り付けられている。７はプラズマ放電用放電室２の外
壁を水冷するために設けられた冷却機構であり、冷却機
構７の外側には、磁気コイル８がプラズマ放電用放電室
２を取囲んで取り付けられている。プラズマ放電用放電
室２においてマイクロ波で放電が生起し、その放電中で
電子がサイクロトロン運動するように磁気コイル８によ
り、例えば875 ガウス程度の磁界が与えられて高密度の
プラズマが生成される。
の一例を示す。同図中、１は、反応室を形成するプラズ
マ放電用真空容器であり、該真空容器１の上部には、Ｅ
ＣＲ放電を発生するプラズマ放電用放電室２が連結され
ている。プラズマ放電用放電室２には、例えば2.45ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入するための導波管３が設けられ、
これによりマイクロ波電源４に接続されている。マイク
ロ波電源４は、パルス発生装置５に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。また、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三
フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ａ）を導入
するための第１の導入口６がプラズマ放電用放電室２に
取り付けられている。７はプラズマ放電用放電室２の外
壁を水冷するために設けられた冷却機構であり、冷却機
構７の外側には、磁気コイル８がプラズマ放電用放電室
２を取囲んで取り付けられている。プラズマ放電用放電
室２においてマイクロ波で放電が生起し、その放電中で
電子がサイクロトロン運動するように磁気コイル８によ
り、例えば875 ガウス程度の磁界が与えられて高密度の
プラズマが生成される。
【０００９】一方、真空容器１の内部には、試料ホルダ
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されてプラズマ放電用真空容器１およびプ
ラズマ放電用放電室２内は、所定のガス圧力に保たれ
る。
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されてプラズマ放電用真空容器１およびプ
ラズマ放電用放電室２内は、所定のガス圧力に保たれ
る。
【００１０】プラズマ放電用放電室２に導入された三フ
ッ化メタン（ＣＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，Ｃ
Ｆ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 等のラジカルＲが発生する。このプ
ラズマＰは、プラズマ放電用放電室２から真空容器１内
に延びている。プラズマＰから発生したラジカルＲは、
被処理基板10上で重合し、ポリマー薄膜が成長する。一
方、被処理基板10に高周波電源12より高周波出力を印加
するとこの高周波により被処理基板10表面には、セルフ
バイアス電圧が誘起され、このバイアス電圧によりプラ
ズマからイオンが引き出されて被処理基板10が衝撃され
る。イオン衝撃により被処理基板10のエッチングが生じ
る。また、高周波電源12の出力を適宜調整することによ
り、被処理基板10表面に高周波印加によるプラズマの発
生も可能である。
ッ化メタン（ＣＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，Ｃ
Ｆ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 等のラジカルＲが発生する。このプ
ラズマＰは、プラズマ放電用放電室２から真空容器１内
に延びている。プラズマＰから発生したラジカルＲは、
被処理基板10上で重合し、ポリマー薄膜が成長する。一
方、被処理基板10に高周波電源12より高周波出力を印加
するとこの高周波により被処理基板10表面には、セルフ
バイアス電圧が誘起され、このバイアス電圧によりプラ
ズマからイオンが引き出されて被処理基板10が衝撃され
る。イオン衝撃により被処理基板10のエッチングが生じ
る。また、高周波電源12の出力を適宜調整することによ
り、被処理基板10表面に高周波印加によるプラズマの発
生も可能である。
【００１１】マイクロ波電源４から発生するマイクロ波
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
印加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
印加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
【００１２】なお、第２反応性ガス導入口15を設ける理
由は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、そ
のガス導入口６よりプラズマ放電用放電室２に直接導入
される。放電室２においては、マイクロ波で放電が生起
し高密度のプラズマが生ずる。プラズマは磁場８により
電極９の方向に拡散する。プラズマの密度および電子温
度も、プラズマ放電用放電室２から電極９に向って次第
に減衰する。
由は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、そ
のガス導入口６よりプラズマ放電用放電室２に直接導入
される。放電室２においては、マイクロ波で放電が生起
し高密度のプラズマが生ずる。プラズマは磁場８により
電極９の方向に拡散する。プラズマの密度および電子温
度も、プラズマ放電用放電室２から電極９に向って次第
に減衰する。
【００１３】従って、第１反応性ガスＡは、まず、高密
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
【００１４】一方、第２のガス導入口15に供給される第
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15よりプラ
ズマ放電用放電室２の下部から真空容器１に導入され
る。上述の如く第２の反応性ガス導入口15は、高密度プ
ラズマから拡散したプラズマに接触する。この領域のプ
ラズマはプラズマ放電用放電室２におけるプラズマに比
べ電子温度が低く（即ち低エネルギー）なっていること
が特徴である。
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15よりプラ
ズマ放電用放電室２の下部から真空容器１に導入され
る。上述の如く第２の反応性ガス導入口15は、高密度プ
ラズマから拡散したプラズマに接触する。この領域のプ
ラズマはプラズマ放電用放電室２におけるプラズマに比
べ電子温度が低く（即ち低エネルギー）なっていること
が特徴である。
【００１５】従って、第２の反応性ガス導入口15から第
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
【００１６】このようにエネルギーの異なるプラズマ
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせることが可能となる。
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせることが可能となる。
【００１７】本発明において、第２反応性ガスとしてど
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
【００１８】次に下記のプロセスでは第１のガス導入口
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
【００１９】まず、第１のガス導入口６からＣＨＦ3 を
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口３Ａ（図中矢印で示されるマイクロ波の直
下）がＣＨＦ3 の分解より生じたラジカル等により、堆
積膜が付着し汚損する。この汚損が大きくなると、マイ
クロ波導入の効率が低下し、放電が不安定となる。
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口３Ａ（図中矢印で示されるマイクロ波の直
下）がＣＨＦ3 の分解より生じたラジカル等により、堆
積膜が付着し汚損する。この汚損が大きくなると、マイ
クロ波導入の効率が低下し、放電が不安定となる。
【００２０】一方、第１の導入口６より不活性ガスある
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）がプラズマ放電用放電室２へ導入されないため、マ
イクロ波導入口３Ａの汚染は生じない。
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）がプラズマ放電用放電室２へ導入されないため、マ
イクロ波導入口３Ａの汚染は生じない。
【００２１】又、第１のガス導入口６より導入された不
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
【００２２】したがって、第２のガス導入口15より導入
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
【００２３】さらに、実施例３（図５参照）のように、
メッシュ等により形成された第２の電極18をプラズマ放
電用放電室２の出口側の窓19に挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
メッシュ等により形成された第２の電極18をプラズマ放
電用放電室２の出口側の窓19に挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
【００２４】この場合も、プラズマのオン・オフデュー
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
【００２５】最後にＨ2 は容易に分解が生ぜず高いエネ
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
【００２６】以上により、ガス導入口６又はガス導入口
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
【００２７】
【実施例】〔実施例１〕 次に、第１の実施例として図１に示すＥＣＲプラズマ処
理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆積方法に係わ
るラジカル制御方法を説明する。まず、図１に示す装置
のプラズマ放電用放電室２に三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）を導入し、ＣＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マ
イクロ波は、マイクロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃ
ｃｍ、周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイ
クロ波電源４の出力のデューテイー比を15〜100 ％（連
続）まで変化させ、プラズマのオン・オフ変調を行っ
た。この場合、被処理基板10にＳｉ基板を使用し、高周
波の印加は行わなかった。ＯＮ期間とＯＦＦ期間の和は
100 msecで一定とした。
理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆積方法に係わ
るラジカル制御方法を説明する。まず、図１に示す装置
のプラズマ放電用放電室２に三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）を導入し、ＣＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マ
イクロ波は、マイクロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃ
ｃｍ、周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイ
クロ波電源４の出力のデューテイー比を15〜100 ％（連
続）まで変化させ、プラズマのオン・オフ変調を行っ
た。この場合、被処理基板10にＳｉ基板を使用し、高周
波の印加は行わなかった。ＯＮ期間とＯＦＦ期間の和は
100 msecで一定とした。
【００２８】真空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
【００２９】図２および図３に本発明を適用して得られ
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50 msec 以上で飽和する。これより、デューティ比を
変化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度
および組成を制御することが可能であることが分かっ
た。
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50 msec 以上で飽和する。これより、デューティ比を
変化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度
および組成を制御することが可能であることが分かっ
た。
【００３０】図３は、ＳｉおよびＳｉＯ2 上に堆積した
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
【００３１】〔実施例２〕 次に、第２の実施例として上述のＥＣＲプラズマ処理装
置を用いたエッチング方法に係わるラジカル制御方法を
説明する。まず、プラズマ放電用放電室２に三フッ化メ
タン（ＣＨＦ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイ
クロ波は、周期100 msecとし、パルス発生装置５により
マイクロ波電源４の出力を時間分割し、マイクロ波パワ
ー400 Ｗと100 Ｗにて、デューティ比を１〜100 ％（連
続）まで変化させ、マイクロ波パワーの変調を行った。
この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 上に適当なエ
ッチングパターンを形成したものを用いた。被処理基板
10に13.56 ＭＨｚの高調波を印加し、バイアス100 Ｖの
電圧を被処理基板10の表面に印加した。この場合、実施
例１と同様、真空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定
した。ＣＦ，ＣＦ2 ， ＣＦ3 ラジカルは、実施例１に
おいて、図２に示したものと良く似た挙動をすることが
分かった。
置を用いたエッチング方法に係わるラジカル制御方法を
説明する。まず、プラズマ放電用放電室２に三フッ化メ
タン（ＣＨＦ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイ
クロ波は、周期100 msecとし、パルス発生装置５により
マイクロ波電源４の出力を時間分割し、マイクロ波パワ
ー400 Ｗと100 Ｗにて、デューティ比を１〜100 ％（連
続）まで変化させ、マイクロ波パワーの変調を行った。
この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 上に適当なエ
ッチングパターンを形成したものを用いた。被処理基板
10に13.56 ＭＨｚの高調波を印加し、バイアス100 Ｖの
電圧を被処理基板10の表面に印加した。この場合、実施
例１と同様、真空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定
した。ＣＦ，ＣＦ2 ， ＣＦ3 ラジカルは、実施例１に
おいて、図２に示したものと良く似た挙動をすることが
分かった。
【００３２】図４に本発明を適用して得られたエッチン
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
【００３３】〔実施例３〕 次に、実施例３としてラジカルビーム装置を用いたエッ
チング方法に係わるラジカル制御方法を説明する。図５
は実施例３に用いたラジカルビーム装置である。図５に
おいて、図１に示したものと同一部分は同一符号を付し
その説明を省略する。図５に示したＥＣＲプラズマ処理
装置において、真空容器１とプラズマ放電用放電室２と
の間にメッシュにより形成された第２の電極18を挿入し
た。第２の電極18は、適当な正および負のバイアスを印
加することにより、プラズマ放電用放電室２においてプ
ラズマから発生したイオンや電子等の荷電粒子を除去
し、真空容器１へ、ラジカルのみを導くことが可能であ
る。
チング方法に係わるラジカル制御方法を説明する。図５
は実施例３に用いたラジカルビーム装置である。図５に
おいて、図１に示したものと同一部分は同一符号を付し
その説明を省略する。図５に示したＥＣＲプラズマ処理
装置において、真空容器１とプラズマ放電用放電室２と
の間にメッシュにより形成された第２の電極18を挿入し
た。第２の電極18は、適当な正および負のバイアスを印
加することにより、プラズマ放電用放電室２においてプ
ラズマから発生したイオンや電子等の荷電粒子を除去
し、真空容器１へ、ラジカルのみを導くことが可能であ
る。
【００３４】まず、本例においては、実施例２と同様
に、プラズマ放電用放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ
3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周
期100msecとし、マイクロ波パワーを時間分割し、400
Ｗと100 Ｗを交互に導入した。パルス発生装置５により
マイクロ波電源４の出力をデューティ比を15〜100 ％
（連続）まで変化させ、プラズマのパワー変調を行っ
た。この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 を用い
た。被処理基板10に13.56 ＭＨｚの高周波を印加し、高
周波電力500 Ｗにて高調波放電を形成し、プラズマを生
成した。これにより、バイアス200 Ｖの電圧が被処理基
板10の表面に印加される。また、高周波の印加は、パル
ス発生装置13によるパルスの変調を行わないで連続とし
た。
に、プラズマ放電用放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ
3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周
期100msecとし、マイクロ波パワーを時間分割し、400
Ｗと100 Ｗを交互に導入した。パルス発生装置５により
マイクロ波電源４の出力をデューティ比を15〜100 ％
（連続）まで変化させ、プラズマのパワー変調を行っ
た。この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 を用い
た。被処理基板10に13.56 ＭＨｚの高周波を印加し、高
周波電力500 Ｗにて高調波放電を形成し、プラズマを生
成した。これにより、バイアス200 Ｖの電圧が被処理基
板10の表面に印加される。また、高周波の印加は、パル
ス発生装置13によるパルスの変調を行わないで連続とし
た。
【００３５】本例においては、実施例１と同様、真空容
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に
示す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカ
ル組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能
であることが分かる。
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に
示す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカ
ル組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能
であることが分かる。
【００３６】すなわち、図６に本発明を適用して得られ
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、図６
（Ｂ）に示すようにデューティ比とともに垂直形状とな
ることが分かる。これより、デューティ比を変化させる
ことにより、プラズマ中のラジカルとエッチング形状の
制御が可能となることが判った。
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、図６
（Ｂ）に示すようにデューティ比とともに垂直形状とな
ることが分かる。これより、デューティ比を変化させる
ことにより、プラズマ中のラジカルとエッチング形状の
制御が可能となることが判った。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、第１のパルス発生装置
５を有する第１のプラズマ放電用マイクロ波電源４およ
び第２のパルス発生装置13を有する第２のプラズマ放電
用電源12を設け、プラズマから生じるラジカルの密度お
よび組成を測定し、この測定結果に基づいて、前記第１
および第２のパルス発生装置５，12の何れか一方または
双方におけるパルス変調のデューティ比を制御すること
によってラジカルの密度および組成を制御するようにし
たので、ラジカルの密度および組成を高精度で制御可能
となる。したがって、プラズマによって反応性ガスを分
解して生成されるラジカルを用いるプラズマＣＶＤ装置
やプラズマエッチング装置において、ラジカルを高精度
に制御しながら高品質の薄膜を形成したり、高精度の微
細加工が可能となる。例えば、非晶質シリコン薄膜およ
び微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、シリコン化
合物などの形成を行なうプラズマＣＶＤ装置や、フルオ
ロカーボンガスやハロゲンガスを反応性ガスとして用
い、容量結合あるいは誘導結合型で高周波を印加して得
られるプラズマエッチング装置あるいはマイクロ波によ
りプラズマを生成するプラズマエッチング装置などのド
ライエッチング装置への適用が可能である。
５を有する第１のプラズマ放電用マイクロ波電源４およ
び第２のパルス発生装置13を有する第２のプラズマ放電
用電源12を設け、プラズマから生じるラジカルの密度お
よび組成を測定し、この測定結果に基づいて、前記第１
および第２のパルス発生装置５，12の何れか一方または
双方におけるパルス変調のデューティ比を制御すること
によってラジカルの密度および組成を制御するようにし
たので、ラジカルの密度および組成を高精度で制御可能
となる。したがって、プラズマによって反応性ガスを分
解して生成されるラジカルを用いるプラズマＣＶＤ装置
やプラズマエッチング装置において、ラジカルを高精度
に制御しながら高品質の薄膜を形成したり、高精度の微
細加工が可能となる。例えば、非晶質シリコン薄膜およ
び微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、シリコン化
合物などの形成を行なうプラズマＣＶＤ装置や、フルオ
ロカーボンガスやハロゲンガスを反応性ガスとして用
い、容量結合あるいは誘導結合型で高周波を印加して得
られるプラズマエッチング装置あるいはマイクロ波によ
りプラズマを生成するプラズマエッチング装置などのド
ライエッチング装置への適用が可能である。
【００３８】上述したように本発明によれば、ラジカル
を高精度に制御したプラズマＣＶＤ装置およびプラズマ
エッチング装置や、ラジカルの組成を任意に可変可能な
ラジカルビーム装置を提供することができ、工業上大な
る効果がある。特に、第１のパルス発生装置５を有する
第１のプラズマ放電用マイクロ波電源４および第２のパ
ルス発生装置13を有する第２のプラズマ放電用電源12を
設け、これら第１および第２のパルス発生装置５，13の
何れか一方または双方によるパルス変調のデューティ比
を、ラジカルの密度および組成の測定結果に基づいて制
御するようにしたので、所望の処理に応じた最適のラジ
カル制御を行なうことができる。
を高精度に制御したプラズマＣＶＤ装置およびプラズマ
エッチング装置や、ラジカルの組成を任意に可変可能な
ラジカルビーム装置を提供することができ、工業上大な
る効果がある。特に、第１のパルス発生装置５を有する
第１のプラズマ放電用マイクロ波電源４および第２のパ
ルス発生装置13を有する第２のプラズマ放電用電源12を
設け、これら第１および第２のパルス発生装置５，13の
何れか一方または双方によるパルス変調のデューティ比
を、ラジカルの密度および組成の測定結果に基づいて制
御するようにしたので、所望の処理に応じた最適のラジ
カル制御を行なうことができる。
【図１】図１は本発明の装置の実施の一例を示す装置の
構成を示す略図である。
構成を示す略図である。
【図２】図２は本発明装置を用いて実施例１で測定した
ラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す特性図で
ある。
ラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す特性図で
ある。
【図３】図３は本発明装置を用い実施例１で測定したポ
リマー厚さとオン−オフ周期との関係を示す特性図であ
る。
リマー厚さとオン−オフ周期との関係を示す特性図であ
る。
【図４】図４（Ａ）は本発明装置を用い実施例２で測定
したエッチング率と、周期およびテーパー角との関係を
示す特性図であり、図４（Ｂ）は本発明装置を用い実施
例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパー角
との関係を示す特性図である。
したエッチング率と、周期およびテーパー角との関係を
示す特性図であり、図４（Ｂ）は本発明装置を用い実施
例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパー角
との関係を示す特性図である。
【図５】図５は本発明装置の実施の他の一例を示す装置
の構成を示す略図である。
の構成を示す略図である。
【図６】図６（Ａ）は本発明装置を使用し実施例３で測
定したエッチング率と周期との関係を示す特性図であ
り、図６（Ｂ）は本発明装置を使用し実施例３で測定し
たエッチング率と周期との関係を断面を以って示した説
明図である。
定したエッチング率と周期との関係を示す特性図であ
り、図６（Ｂ）は本発明装置を使用し実施例３で測定し
たエッチング率と周期との関係を断面を以って示した説
明図である。
１ プラズマ放電用真空容器 ２ プラズマ放電用放電室 ３ 導波管 ３Ａ マイクロ波導入口 ４ マイクロ波電源 ５ パルス発生装置 ６ 第１反応性ガス導入口 ７ 水冷却機構 ８ 磁気コイル ９ 第１電極 １０ 被処理基板 １１ 高周波マッチング回路 １２ 高周波電源 １３ パルス発生装置 １４ 冷却水冷管 １５ 第２反応性ガス導入口 １６ 排気管 １７ 真空排気装置 １８ メッシュ状第２電極 １９ 窓 Ｐ プラズマ Ｒ ラジカル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/365 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ａ Ｈ０５Ｈ 1/00 1/46 Ａ 1/46 Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ａ (56)参考文献 特開 平６−267900（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−149965（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−51753（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−259184（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−259512（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−359515（ＪＰ，Ａ) プラズマ研究会資料、「赤外レーザー 吸収法によるパルスＳｉＨ４／Ｈ２放電 中のＳｉＨ３（Ｘ２Ａ１）ラジカル密度 の計測」、社団法人電気学会、1988年８ 月、Ｐ．75−84
Claims (4)
- 【請求項１】 デューティ比を変えられる第１のパルス
発生装置を具備した第１のプラズマ放電用電源と、第１
のガス導入口とが接続されたプラズマ放電室と、このプ
ラズマ放電室に接続され第２のガス導入口を設けた真空
容器と、プラズマ放電室より放出されるプラズマに対向
するよう前記真空容器内に配置される被処理基板を支持
する第２の電極と、この第２の電極に接続されデューテ
ィ比を変えられる第２のパルス発生装置を具備した第２
のプラズマ放電用電源とを具え、前記第１および第２の
プラズマ放電用電源の何れか一方または双方によって形
成されるプラズマにより反応性ガスを分解してラジカル
を生成する手段と、このラジカルの密度および組成を測
定する手段と、前記第１および第２のプラズマ放電用電
源の何れか一方または双方の電力を前記第１および第２
のパルス発生装置の何れか一方または双方により一定の
周期にてパルス変調する手段と、該パルス変調のデュー
ティ比を変化させることによりラジカルの密度および組
成を制御する手段とを具備したことを特徴とするラジカ
ルの制御装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ放電用真空容器１とプラズ
マ放電用放電室２との間の、プラズマ放電室の出口側窓
19においてプラズマから発生される荷電粒子を除去する
メッシュ状の第２電極18を設けたことを特徴とする請求
項１記載のラジカルの制御装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ放電用真空容器１に、前記
ラジカルの密度を測定する赤外半導体レーザ吸収分光装
置を設置したことを特徴とする請求項１記載のラジカル
の制御装置。 - 【請求項４】 前記第１および第２のプラズマ放電用電
源を、高周波電源12あるいは直流電源あるいはマイクロ
波電源４あるいは電子ビーム発生用電源としたことを特
徴とする請求項１記載のラジカルの制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241487A JP2764524B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ラジカルの制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241487A JP2764524B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ラジカルの制御装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8205690A Division JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794130A JPH0794130A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2764524B2 true JP2764524B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17075053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5241487A Expired - Lifetime JP2764524B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ラジカルの制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764524B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| JP3883144B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-02-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4936276B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-05-23 | 株式会社デンソー | 窒化処理装置 |
| JP5120924B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2013-01-16 | トヨタ自動車株式会社 | アモルファスカーボン膜の製造方法 |
| EP2341525B1 (en) * | 2009-12-30 | 2013-10-23 | FEI Company | Plasma source for charged particle beam system |
| US20130059448A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Lam Research Corporation | Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration |
| US9064671B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-06-23 | Arcam Ab | Method and apparatus for generating electron beams |
| JP6100580B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-03-22 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム |
| JP6035606B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP6063816B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-01-18 | 株式会社デンソー | 表面処理装置及び表面処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03259512A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Fujitsu Ltd | 高周波プラズマ化学気相成長装置 |
| JP2771347B2 (ja) * | 1991-06-06 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP5241487A patent/JP2764524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| プラズマ研究会資料、「赤外レーザー吸収法によるパルスＳｉＨ４／Ｈ２放電中のＳｉＨ３（Ｘ２Ａ１）ラジカル密度の計測」、社団法人電気学会、１９８８年８月、Ｐ．７５−８４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794130A (ja) | 1995-04-07 |
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