JP3883144B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、被エッチング体をエッチングする際、加工精度を向上させるため被エッチング体の側壁に保護膜を形成しながらエッチングを行う半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置においては、集積度の向上の結果、素子の微細化が進み、より高く、かつ均一な加工精度が要求されるようになっている。
特に、近年のようにより微細なパターンを形成するときには、その加工精度の高低、及び不均一性が顕著に加工形状に現れるため、加工形状にバラツキが生じて、出来上がったデバイスの性能を大きく左右することが多くなってきた。例えば、ポリシリコン膜からなるゲート電極や配線の幅にばらつきが生じた場合、特性が変動してしまう。
【0003】
図4(a)〜(c)に従来例のエッチング方法を示す。図4(a),(b)は断面図、図4(c)は上面図である。
図4(a)〜(c)に示すように、異方性エッチングにおいては、被エッチング体1をエッチングするとともに、エッチングで生じた反応生成物を被エッチング体1の側壁に付着させて側壁保護膜5a、5bを形成し、さらにエッチングを続けることで、加工精度を維持してきた。なお、図中、4a,4bはレジスト膜である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、エッチングにより生じた反応生成物はエッチングされつつある被エッチング体3の側壁に等方的に飛んでくるため、形成されるパターン3a,3bのアスペクト比の大小や、それらのパターン配置の粗密度等により側壁保護膜5a,5bの厚さや組成が場所により不均一になってくる。
【0005】
即ち、図4(b)に示すように、パターン配置が密な部分では反応生成物が入り込みにくいため側壁保護膜は薄く、パターン配置が粗な部分では反応生成物が側壁に付着しやすいため、側壁保護膜は厚くなる。このため、図4(b),(c)に示すように、側壁の保護が十分でない箇所では、側壁保護膜の再エッチングや脱離が生じて、パターン3a,3bの加工形状の歪みが生じたり、パターン3a,3bの細りが生じたりする恐れがある。
【0006】
また、図5(a),(b)は他の従来例のエッチング方法を示す斜視図及び断面図である。図5(a),(b)に示すように、下地膜12a,12bの表面形状、即ち表面の凹凸等により下地膜12a,12b上に形成された被エッチング体13の膜厚t1,t2に差を生じ、その膜厚の違いから、平坦な部分で被エッチング体13が殆どエッチングされた後にストリングとよばれるエッチングの残差15が生じる。これを除去するためにオーバエッチングを行うと、被エッチング体13がほとんど存在しないためにプラズマ中にエッチャントが過剰になり、このため、折角形成した側壁保護膜が再エッチングされたり、側壁保護膜が脱離したりする場合がある。これにより、側壁保護膜が無くなった部分や、薄くなった部分から本来エッチングされてはならない部分がエッチングされ、加工形状を悪化させるという問題がある。
【0007】
さらに、上記の現象を防止するために、被エッチング体のエッチング中に厚い膜厚の側壁保護膜を形成できるようなプロセスを選択せざるを得ず、側壁保護膜の膜厚の厚薄を生じさせる原因となり、加工の融通性を損なうこともある。また、図4(b)に示すように、側壁保護膜5a,5bが厚くなると加工されたパターンも垂直形状の側壁(側壁の断面形状が垂直な場合を異方性形状という。)が得られず、台形状になってしまう。
【0008】
ところで、上記のパターン配置の粗密差による加工精度の低下をなくすためには、薄い膜厚の側壁保護膜で十分な側壁の保護が可能なエッチング方法が要求されるが、特にハロゲン系のガスを用いた導電膜のエッチングにおいては、側壁保護膜として緻密なものは得難く、また、上記オーバエッチングの際の再反応や脱離による保護能力の低下から側壁保護膜を薄くするということ自体に限界があり、微細で高精度な加工を妨げていた。
【0009】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、最終的に形成されるパターンのアスペクト比やパターン配置の粗密度によらず保護が必要な部分に均一に緻密で薄い側壁保護膜を形成して、パターンの加工形状の歪みを防ぎ、かつパターンの加工精度を向上させることができるエッチング方法を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、第1の発明である、シリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスと、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、前記混合ガスに、パルス幅が100μs乃至1msであり、デューティ比が50%以下であるパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応生成物であって前記炭素(C)および前記フッ素(F)を含有する保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され、
第2の発明である、凹凸を有する基板上のシリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスと、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、前記混合ガスに、パルス幅が100μs乃至1msであり、デューティ比が50%以下であるパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応生成物であって前記炭素(C)および前記フッ素(F)を含有する保護膜を形成する工程と、前記基板の平坦部での前記シリコンのエッチングが終了した後も、さらに前記シリコンを前記プラズマに曝し続けてエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決され、
第3の発明である、前記ハロゲン又はハロゲン化水素を含むガスは、NF3、SF6、Cl2、Br2、I2、HCl、HBr或いはHIのうちいずれか一つであるか、又はそれらのうち少なくともいずれか二つ以上の混合ガスであることを特徴とする第1又は第2の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法によって解決され、
第4の発明である、前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスは、一般式CnF2n+2で表されるガス、又は一般式CnHmF2n+2-m(m≦2n+1)で表されるガスであることを特徴とする第1乃至第3の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法によって解決され、
第5の発明である、前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスは、一般式CnF2n+2で表されるガス、又は一般式CnHmF2n+2-m(m≦2n+1)で表されるガスの混合ガスであることを特徴とする第1乃至第3の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法によって解決され、
第6の発明である、前記エッチングガスと前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとに、さらに酸素(O2)、水素(H2)、CO、CO2又は不活性ガスのうち少なくともいずれかを加えることを特徴とする第1乃至第5の発明の何れか一に記載の半導体装置の製造方法によって解決され、
第7の発明である、シリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスにCO又はCO2を加えて、パルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応性生物であって前記炭素(C)を含有する保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【0011】
本発明においては、反応ガスとしてエッチングガスと保護膜を形成する炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとの混合ガスを用いている。
エッチングガスとして、例えばNF3 ,SF6 ,Cl2 ,Br2 ,I2 ,HCl,HBr或いはHIのうちいずれか一つ、又はそれらのうち少なくともいずれか二つ以上の混合ガスを用いる。これらのエッチングガスにより、シリコン膜やアルミニウム膜等(被エッチング体)のエッチングが可能である。
【0012】
また、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとして、一般式Cn F2n +2 で表されるガス、例えばCF4 、又は一般式Cn Hm F2n +2-m (m≦2n+1)で表されるガス、例えばCHF3 を用いる。この様な保護膜を形成するガスを用いると、上記エッチングガスによるシリコンのエッチングにより反応生成物SiClx ,SiClx Ox 等が生じてパターンの側壁に付着し、側壁保護膜が形成されるとともに、その側壁保護膜中に炭素及びフッ素が取り込まれる。又、パルス電力の印加により、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスの解離量を調整して側壁保護膜中の炭素やフッ素の量を調整することができる。
【0013】
これにより、側壁を有効に保護することができるとともに、保護膜の膜質を適正に調整し、側壁保護膜が除去しにくくなるという弊害を避けることができる。また、CF4 やCHF3 等はそれ自体で反応して強力なポリマを形成するため、そのポリマからなる膜は薄い膜厚となりやすいパターンの部分の側壁保護膜として有効である。さらに、凹凸を有する基板の平坦部の被エッチング体をエッチングした後エッチング残差を除去するためさらにオーバエッチングをする場合、エッチングによる反応生成物の発生が少なくなるが、この場合でもCF4 やCHF3 等はそれ自体で反応して強力なポリマを形成するため有効である。
【0014】
また、混合ガスにパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化し、かつ、パルス幅及びデューティ比等を調整して炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスの解離量を調整している。
ところで、異方性を向上させるため低圧化すると、保護膜を形成するC及びFの含有ガスの解離量が促進される。保護膜を形成するガス、例えばCF4 やCHF3 が下地膜、例えばシリコン酸化膜等のエッチングガスでもある場合、解離量が多いと被エッチング体と下地膜とのエッチング選択性が十分にとれなくなる。このため、印加電力をパルス状とし、そのパルス幅やデューティ比等を調整してCF4 等の解離量を調整することにより、十分なエッチング選択性を得るようにすることができる。
【0015】
さらに、反応ガスに酸素を添加することにより、下地膜との選択性を向上させることができる。また、反応ガスに水素を添加することにより、保護膜を形成するガスによる成膜を促進させることができる。また、反応ガスに不活性ガスを添加することにより、反応ガスが希釈されるため、反応ガスの分子のエッチング室内での滞留時間が短くなる。従って、不活性ガスの流量を調整することで側壁保護膜の膜厚を制御することができる。
【0016】
また、保護膜を形成するガスとしてのC及びFの含有ガスの代わりに、自身では成膜しないCOやCO2 を用いてもよい。この場合も、Cを含む反応生成物からなる側壁保護膜を形成することができるので、高精度、かつ異方性形状を有するパターンの形成に有効である。
さらに、場合により、エッチングガスに保護膜形成ガスを加えずに酸素だけを加えてもよい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るエッチング方法に用いるエッチング装置の構成について示す側面図である。発散磁場型のECR(Electron Cyclotron Resonance)によるエッチング装置である。
【0018】
図1において、111は減圧可能な容器で、上部がプラズマ生成室101であり、下部がエッチング室102である。プラズマ生成室101とエッチング室102は連通している。
プラズマ生成室101には反応ガスの導入口104が設けられており、反応ガスの導入口104から反応ガスがプラズマ生成室101に導入される。
【0019】
プラズマ生成室101には導波管103が接続されており、導波管103は周波数2.45GHzのマイクロ波の電力をプラズマ生成室101に導く。
プラズマ生成室101の周囲にはマグネットコイル106が設けられており、発生させた磁場による電子の回転運動とマイクロ波の周波数を一致させることにより、共鳴吸収を起こさせて電子にマイクロ波エネルギを吸収させ、さらにそのエネルギを反応ガスに与えて反応ガスをプラズマ化する。下流のマグネットコイル107はプラズマを下流のエッチング室102に導き、所定のプラズマ分布形状とするために設けられている。
【0020】
また、エッチング室102には排気口105が設けられており、排気口105には図示しない排気装置が接続されている。排気口105を通して両室101,102が減圧される。
また、エッチング室102には基板載置台108が備えられ、エッチングすべき被エッチング体が形成されたウエハ109が置かれる。基板載置台108には周波数13.56MHz又は400kHzの高周波電力を供給する電源110が接続されている。
【0021】
上記エッチング装置を用いて被エッチング体のエッチングを行う場合は以下のように行う。
即ち、基板載置台108にウエハ109を載置し、基板載置台108に電源110から高周波電力を印加する。
そして、プラズマ生成室101に反応ガスを導入し、導波管103によりマイクロ波の電力をプラズマ生成室101に導く。所定のパルス幅、所定のデューティ比のパルス状のマイクロ波の電力を印加する。これにより、エッチングガスがプラズマ化されるとともに、保護膜形成ガスの解離が調整される。このとき、高周波電力とプラズマとにより、ウエハ109は所定値の負の直流電圧でバイアスされる。
【0022】
この様にして生成されたプラズマはプラズマ生成室101からエッチング室102に流れる。基板載置台108上の被エッチング体がプラズマに曝されてエッチングされる。
上記のエッチング装置やエッチング方法においては、反応ガスとしてエッチングガスと保護膜を形成するガスとの混合ガスを用いる。
【0023】
反応ガスのうちエッチングガスとしてNF3 ,SF6 ,Cl2 ,Br2 ,I2 ,HCl,HBr或いはHIのうちいずれか一つ、又はそれらのうち少なくともいずれか二つ以上の混合ガスを用いる。これらのエッチングガスを用いてシリコン膜やアルミニウム膜等(被エッチング体)のエッチングが可能である。
また、反応ガスのうち保護膜を形成するガスとして、一般式Cn F2n +2 で表されるガス、例えばCF4 、又は一般式Cn Hm F2n +2-m (m≦2n+1)で表されるガス、例えばCHF3 を用いる。この様な保護膜を形成するガスを用いると、エッチングにより反応生成物SiClx ,SiClx Ox 等が生じてパターンの側壁に付着し、側壁保護膜が形成されるとともに、その側壁保護膜中に炭素やフッ素が取り込まれる。なお、フッ素や炭素の取り込み量はパルス電力のデューティ比等の調整により保護膜形成ガスの解離量を調整することで、調整可能である。炭素は側壁保護膜を緻密化し、硬くするが、フッ素がともに取り込まれることで側壁保護膜を適度な硬さとする。これにより、側壁を有効に保護することができるとともに、あまり硬すぎると側壁保護膜が除去しにくくなるという弊害を避けることができる。また、CF4 やCHF3 等はそれ自体で反応してポリマを形成するため、そのポリマからなる膜は側壁保護膜が薄くなりやすいパターンの部分の側壁保護膜の形成材料として有効である。また、凹凸を有する基板の平坦部の被エッチング体をエッチングし、さらにエッチング残差を除去するためオーバエッチングをする場合、エッチングによる反応生成物の発生が少なくなるが、この場合でもCF4 やCHF3 等はそれ自体で反応して強力なポリマを形成するため有効である。
【0024】
さらに、反応ガスをプラズマ化する場合、図2(a),(b)に示すように、所定の電力及びパルス幅のパルスを繰り返し印加することによりマイクロ波の電力を印加する。この様にするのは、以下の理由による。即ち、保護膜形成ガスとして用いるCF4 やCHF3 は下地膜であるシリコン酸化膜等のエッチングガスであるため、活性化される量が多いと被エッチング体と下地膜とのエッチング選択性が十分にとれなくなる。このため、印加電力をパルス状とし、そのパルス高さ、パルス幅及びデューティ比のうち少なくともいずれかを調整することによりCF4 等の解離量を調整し、十分なエッチング選択性が得られるようにする。従って、保護膜形成ガスは、パルス幅やデューティ比等を調整することにより解離量が容易に調整できるような、所謂パルス敏感なガスである必要がある。一方、エッチングガスはパルス幅やデューティ比の変化によって解離量があまり変化しないで、かつ印加パルスで十分にイオン化するようなガスである必要がある。
【0025】
この場合、マイクロ波電力として、図2(a)又は図2(b)に示すようなパルス列を印加する。図2(a)はデューティ比50%の場合を示し、図2(b)は50%より小さいデューティ比の場合を示す。パルス幅は任意に選べるが、100μs〜1msが好ましい。また、デューティ比も任意に選べるが、特に、それを50%以下とすることにより、下地膜との選択比を確保しながら緻密で、適度に硬い側壁保護膜を形成することができる。
【0026】
次に、上記のエッチング装置を用いてポリシリコン膜(被エッチング体)をエッチングする場合について図3(a)〜(c)を参照しながら説明する。図3(a),(b)は断面図、図3(c)は上面図で、図3(b)は図3(c)のC−C線断面図である。
まず、図3(a)に示すように、シリコン基板21に膜厚100nmのシリコン酸化膜22を形成する。続いて、シリコン酸化膜22上に膜厚400nmのポリシリコン膜23を形成した後、ポリシリコン膜23上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜を露光し、現像することにより、配線を形成すべき領域にレジスト膜24a,24bのマスクを形成する。
【0027】
次いで、上記のエッチング装置の基板載置台108にウエハ109を載置した後、プラズマ生成室101内及びエッチング室102内を減圧する。
次に、ウエハ109を負の直流電圧でバイアスするため、基板載置台108に電力20〜60Wを印加する。また、反応ガスの導入口104から、流量50sccmの塩素ガス(Cl2 )(エッチングガス)と、流量5sccmの酸素ガス(O2 )と、これらのガスに対して10%の濃度のCF4 ガス(保護膜形成ガス)とを同時に導入し、室内の圧力を約1mTorrに保持する。O2 ガスは、被エッチング体であるポリシリコン膜23の下地膜であるシリコン酸化膜22のエッチングを抑制して、ポリシリコン膜23とシリコン酸化膜22とのエッチング選択比を向上させるために添加するものである。
【0028】
次いで、所定のパルス幅,所定の電力のマイクロ波電力を所定のデューティ比で繰り返し印加する。CF4 の解離量を適度にするため、例えば、電力1kWとし、パルス幅を好ましくは100μs〜1msの範囲で調整し、またデューティ比を好ましくは50%以下で調整する。
上記により、エネルギを与えられた反応ガスはプラズマ化し、プラズマは下流のウエハ109に到達する。
【0029】
次に、このプラズマを用い、レジスト膜24a,24bをマスクとして、ポリシリコン膜23をエッチングする。このとき、図3(b)に示すように、エッチングされつつあるポリシリコン膜23a,23bの側壁には、C及びFを含む反応生成物SiClx Ox からなる側壁保護膜25a,25bが形成される。また、形成すべきパターンの密な箇所では、ポリシリコン膜23a,23bの側壁に反応生成物が付着しにくいが、CF4 ガス自体が反応してポリマからなる強力な膜形成が行われるので、その膜がポリシリコン膜23a,23bの側壁に付着すると、その膜厚が薄くても、十分にその側壁を保護することができる。
【0030】
このように、全体として、側壁保護膜25a,25bの膜厚を薄くしても、C及びFを含むSiClx Ox は緻密で、適度に硬いため、再エッチングや脱離を防止することができる。また、側壁保護膜25a,25bの膜厚を薄くできるので、ポリシリコン膜(配線)23a,23bの側壁をほぼ垂直な形状とすることができる。
【0031】
所定の時間保持して、下地が平坦な部分のポリシリコン膜23のエッチングを終了する。その後、ストリンガ(エッチング残差)を除去するため引き続きエッチングを続ける。このとき、ポリシリコン膜23a,23bの側壁にはC及びFを含むSiClx Ox からなる側壁保護膜25a,25bが形成されているので、側壁保護膜25a,25bの再エッチングや脱離を防止して、異方性形状を有するゲート電極のパターンを形成することができる。
【0032】
なお、上記では、本発明を被エッチング体としてシリコン膜に適用しているが、アルミニウム膜(Al膜)やその他の金属の場合にも適用することができる。この場合、反応ガスのうちエッチングガスとしてハロゲン又はハロゲン化水素ガスのうちから適当なものを選ぶ。例えば、Al膜の場合、Cl2 とBCl3 との混合ガスを用いることができる。
【0033】
さらに、シリコン膜のエッチングガスとしてCl2 を用いているが、HBrを用いてもよいし、Cl2 とHBrとの混合ガスを用いてもよい。
また、保護膜形成ガスとしてCF4 を用いているが、他のC,F含有ガスを用いてもよい。
さらに、被エッチング体とその下地膜との選択比をとるためエッチングガス及び保護膜形成ガスに酸素を添加しているが、場合により酸素を添加しなくてもよい。
【0034】
また、エッチングガス及び保護膜形成ガスに水素(H2 )を添加することができる。フロン系のエッチングガスの場合、H2 の添加によりポリマの形成を促進する。
さらに、エッチングガス及び保護膜形成ガスにヘリウム(He)を添加してもよい。Heを添加して総流量を増やし、かつ圧力を一定にすることで、反応ガスが希釈されるため、反応ガスの分子のエッチング室内での滞留時間が短くなる。このため、Heの流量を調整することで側壁保護膜の膜厚を制御することができる。
【0035】
また、エッチングガス及び保護膜形成ガスにCOやCO2 を添加してもよい。さらに、エッチング装置としてECR型のものを用いているが、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合プラズマ)型のものやヘリコンプラズマ型のものを用いてもよい。
さらに、C及びFの含有ガスの代わりに、COやCO2 を用いることも可能である。この場合も、Cを含む反応生成物からなる側壁保護膜を形成することができるので、高精度、かつ異方性形状を有するパターンの形成に有効である。また、場合により、エッチングガスに保護膜を形成するガスを加えずに酸素だけを加えてもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、反応ガスとしてエッチングガスと保護膜を形成するC及びFの含有ガスとの混合ガスを用いている。
この様な反応ガスを用いると、上記エッチングガスによるエッチングにより反応生成物が生じてパターンの側壁に付着し、側壁保護膜が形成されるとともに、その側壁保護膜中に炭素及びフッ素が取り込まれる。これにより、側壁保護膜が緻密化し、適度に硬くなり、側壁の保護が適切に行われる。
【0037】
また、C及びFの含有ガスはそれ自体で反応して強力なポリマを形成するため、そのポリマからなる膜は薄い膜厚となりやすい部分の側壁保護膜として有効である。さらに、エッチングによる反応生成物が発生しにくいオーバエッチングをする場合にも有効である。
また、混合ガスにパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化し、かつ、パルス幅及びデューティ比等を調整して炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスの解離量を調整している。
【0038】
ところで、異方性を向上させるため低圧化するとC及びFの含有ガスの解離量が促進される。保護膜を形成するガスが被エッチング体の下地膜のエッチングガスでもある場合、解離量が多いと被エッチング体と下地膜とのエッチング選択性が十分にとれなくなる。
この場合、印加電力をパルス状とし、そのデューティ比等を調整することによりCF4 等の解離量を調整し、十分なエッチング選択性を得るように得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施の形態に係るエッチング方法に用いるエッチング装置について示す側面図である。
【図2】図2(a),(b)は、本発明の実施の形態に係るエッチング方法に用いる反応ガスに印加するマイクロ波電力のパルス列について示す図である。
【図3】図3(a),(b)は、本発明の実施の形態に係るエッチング方法について示す断面図、図3(c)は本発明の実施の形態に係るエッチング方法について示す上面図であり、図3(b)は図3(c)のC−C線断面図である。
【図4】図4(a),(b)は、従来例に係るエッチング方法について示す断面図、図4(c)は従来例に係るエッチング方法について示す上面図であり、図4(b)は図4(c)のA−A線断面図である。
【図5】図5(a)は、従来例に係るエッチング方法について示す斜視図であり、図5(b)は、従来例に係るエッチング方法について示す断面図で、図5(a)のB−B線断面図である。
【符号の説明】
21 シリコン基板(半導体基板)、
22 シリコン酸化膜(下地膜)、
23 ポリシリコン膜(被エッチング体)、
23a,23b ポリシリコン膜(配線)、
24a,24b レジスト膜、
25a,25b 側壁保護膜、
101 プラズマ生成室、
102 エッチング室、
103 導波管、
104 反応ガスの導入口、
105 排気口、
106,107 マグネットコイル、
108 基板載置台、
109 ウエハ、
110 電源、
111 チャンバ(容器)。
Claims (7)
- シリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスと、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、
前記混合ガスに、パルス幅が100μs乃至1msであり、デューティ比が50%以下であるパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、
前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応生成物であって前記炭素(C)および前記フッ素(F)を含有する保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 凹凸を有する基板上のシリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスと、炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、
前記混合ガスに、パルス幅が100μs乃至1msであり、デューティ比が50%以下であるパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、
前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応生成物であって前記炭素(C)および前記フッ素(F)を含有する保護膜を形成する工程と、
前記基板の平坦部での前記シリコンのエッチングが終了した後も、さらに前記シリコンを前記プラズマに曝し続けてエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハロゲン又はハロゲン化水素を含むガスは、NF3、SF6、Cl2、Br2、I2、HCl、HBr或いはHIのうちいずれか一つであるか、又はそれらのうち少なくともいずれか二つ以上の混合ガスであることを特徴とする請求項1又は2の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスは、一般式CnF2n+2で表されるガス、又は一般式CnHmF2n+2-m(m≦2n+1)で表されるガスであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスは、一般式CnF2n+2で表されるガス、又は一般式CnHmF2n+2-m(m≦2n+1)で表されるガスの混合ガスであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングガスと前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとに、さらに酸素(O2)、水素(H2)、CO、CO2又は不活性ガスのうち少なくともいずれかを加えることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコンをエッチングするハロゲン又はハロゲン化水素を含むエッチングガスにCO又はCO2を加えて、パルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化する工程と、前記シリコンを前記プラズマに曝して前記シリコンをエッチングし、前記エッチング中の前記シリコンの側壁に、前記ハロゲンおよび前記シリコンからなる反応性生物であって前記炭素(C)を含有する保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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