JP4288914B2 - 共振デバイスの製造方法 - Google Patents
共振デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4288914B2 JP4288914B2 JP2002240134A JP2002240134A JP4288914B2 JP 4288914 B2 JP4288914 B2 JP 4288914B2 JP 2002240134 A JP2002240134 A JP 2002240134A JP 2002240134 A JP2002240134 A JP 2002240134A JP 4288914 B2 JP4288914 B2 JP 4288914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- electrode
- manufacturing
- piezoelectric body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5607—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
- G01C19/5628—Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5607—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
- G01C19/5621—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks the devices involving a micromechanical structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は物体の機械的な共振現象を利用したデバイスに用いられ、例えば加速度センサ、角速度センサ、共振器、フィルタ等に応用される共振デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の共振デバイスとして角速度センサを例に挙げて説明する。
【０００３】
従来の角速度センサは、例えば米国特許第５４３８２３１号の明細書に記載されているようにシリコンなどの非圧電材料からなる音叉形状の構造体に１枚の下部電極と、この下部電極上に１枚の圧電体と、この圧電体の上に２つ以上の上部電極を貼り付けた構造であり、上部電極と下部電極間に電圧を印加して音叉形状の構造体に振動を与えた状態に外部より角速度が与えられるとコリオリ力によって振動方向とは垂直な方向に変位方向が変化し、この変位量を上部電極と下部電極間に発生する電圧を変位量として測定することで角速度の量が測定できるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この音叉形状の構造体を利用した角速度センサでは駆動効率および検出感度を高めるため、音叉形状の構造体の駆動方向と検出方向の共振周波数を互いに接近させかつ所定値だけ離した共振周波数に設定する必要がある。この２つのモードの共振周波数は音叉形状の構造体の腕部の幅および厚み寸法で決定され、これらの寸法精度は±１μｍ以下と極めて高い精度が必要とされる。
【０００５】
この寸法精度を実現するためフォトリソグラフィーを用いた幅方向の加工方法や機械研削による厚み方向の加工方法が用いられている。これらの加工方法は音叉形状の構造体の腕部の幅方向、厚み方向の加工を行いそれぞれの方向の共振周波数の絶対値を決める重要なものであるが、角速度センサの感度を決定する要素として上述の共振周波数の絶対値だけではなく互いの共振周波数の差、つまり離調周波数を所定値に設定することが必要である。
【０００６】
しかし、上述の方法ではこの離調周波数を指標とする加工を行うことは困難である。それは加工の最中に測定できるのは音叉形状の構造体の腕部の幅や厚みの形状寸法だけであり、実際の共振周波数を正確に測定することが難しいからである。
【０００７】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、目標とする共振周波数および離調周波数に調整できる共振デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、以下の構成を有するものである。
【０００９】
本発明の請求項１に記載の発明は、シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングすることにより共振周波数を調整する工程とを含む共振デバイスの製造方法であり、保護膜の形成により厚み方向のエッチングを共振周波数の測定をしながら高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程において、エッチングを促進するガスとエッチングを抑制するガスの混合ガスを用いた請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面に保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、フッ化カーボンポリマーの保護膜を形成する請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、シリコンと比べてエッチングガスに対して大きなエッチング選択比をもつため、シリコンのみのエッチングができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、エッチングを促進するガスがＳＦ6、エッチングを抑制するガスがＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3のいずれか１つである請求項２に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面にフッ化カーボンのポリマーの保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、保護膜が形成されていない面をエッチングする工程において、ＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングする請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングにおいてプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響を受けずに共振周波数の測定ができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、シリコン基板の一面に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をＳＦ6ガスとＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3ガスのいずれか１つを用いてドライエッチングにより音叉形状の構造体に形成する工程と、この音叉形状の構造体上の圧電体および電極が形成された面のもう一方の面をＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングにより共振周波数を調整する共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面にフッ化カーボンのポリマーの保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができると共にエッチングにおいてプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響を受けずに安定した共振周波数の測定ができる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、シリコンからなる構造体の共振周波数を監視してエッチングする工程にフィードバック制御して調整する請求項６に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを共振周波数の測定をしながら高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、共振デバイスをパッケージまたは基板に実装してエッチングにより共振周波数を調整する請求項７に記載の共振デバイスの製造方法であり、パッケージまたは基板に実装してエッチングを共振周波数の測定をすることにより高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、一実施の形態を用いて本発明の請求項１〜８に記載の発明について説明する。
【００１８】
図１は本発明による共振デバイスとしての代表例である角速度センサの構造を示す斜視図である。シリコンからなる音叉形状の構造体１と、この構造体１の上面に白金からなる下部電極２と、この下部電極２の上面にチタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電体３の駆動用圧電体３Ａと検出用圧電体３Ｂと、この駆動用圧電体３Ａの上面に上部電極４の駆動用電極４Ａ、そして検出用圧電体３Ｂの上面に検出用電極４Ｂが形成される。また下部電極２および上部電極４は配線を通して構造体１の基部７に設けた電極パッド６に引き出され、外部と接続できるようになっている。
【００１９】
ここで、この角速度センサの原理について図１を用いて説明する。上部電極４は駆動用電極４Ａと検出用電極４Ｂに分割され、それぞれ下部電極２と共に駆動用圧電体３Ａと検出用圧電体３Ｂを挟むよう対向している。このような構成において、駆動用電極４Ａと下部電極２との間に電圧を加えると、この駆動用電極４Ａと下部電極２に挟まれた駆動用圧電体３Ａの部分が伸縮して音叉形状の構造体１の２本の腕部９Ａおよび９Ｂの形状を歪ませ水平方向に振動が発生する。
【００２０】
このとき、この音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂに平行方向の軸廻りに回転運動が生じると、腕部９Ａ，９Ｂにはこの軸と駆動による振動方向に垂直な方向に撓みが発生する。そしてこの撓みによって検出用圧電体３Ｂに電荷が発生し検出用電極４Ｂによって検出される。つまり、このような角速度センサにおいては、腕部９Ａ，９Ｂの駆動および角速度の量の検知を行うために圧電体３の圧電現象、逆圧電現象を利用する。このため腕部９Ａ，９Ｂの変位量は大きいほど角速度の検出が容易となる。
【００２１】
これは検出できる電荷は歪みの量に比例するため、通常、駆動周波数は音叉形状の構造体１が持つ駆動方向の共振周波数の近傍に設定する。これにより駆動時の変位の量が大きくなり、その結果として角速度による変位がより大きくなるので検出が容易となる。更に角速度による検出の変位をより大きくするためには検出方向の共振周波数と駆動方向の共振周波数とを接近させることが望ましい。この両方の共振周波数が離れると、角速度による変位が検出方向に伝わり難くなるからである。
【００２２】
しかし両方の共振周波数が極端に近い場合や同じ共振周波数の場合には、結合や角速度による変位がこの共振に埋もれてしまい検出ができなくなる。つまり結合を起こさない程度にできる限り接近した共振周波数に設定することが必要である。例えば駆動方向の共振周波数を２０ｋＨｚとした場合には検出方向の共振周波数を１９．８ｋＨｚ程度にすることが望ましい。つまり離調周波数は共振周波数に対してほぼ１％以下の設定および制御が必要である。
【００２３】
次に、角速度センサの製造方法について図２〜図１２を用いて説明する。図２〜図８は図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図、図９は共振デバイスの一例の角速度センサをパッケージに実装した斜視図、図１０〜図１２は図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図である。
【００２４】
図２に示すようにシリコン基板１４の上に下部電極２として白金を形成し、この下部電極２としての白金の上に圧電体３としてチタン酸ジルコン酸鉛を形成し、この圧電体３としてのチタン酸ジルコン酸鉛の上に上部電極４として金をスパッタリング、真空蒸着、ゾルゲル法などの通常の薄膜を形成する方法により形成する。
【００２５】
次に、図３に示すように上部電極４の上にレジストマスク１２をフォトリソグラフィーによりパターンを形成し図４に示すように上部電極４および圧電体３をエッチングする。このエッチングの方法としてはドライエッチングの方が望ましい。これは上部電極４と圧電体３を同じマスクで同時にエッチングするためには、サイドエッチの少ないエッチングが要求されるからである。ここで上部電極４は駆動用電極４Ａおよび検出用電極４Ｂ、圧電体３が駆動用圧電体３Ａおよび検出用圧電体３Ｂに分割される。
【００２６】
次に、図５に示すようにパターンを形成した上部電極４と一部の下部電極２の上にレジストマスク１３を形成して下部電極２をエッチングする。この方法はドライエッチングでもウエットエッチングでも可能である。ドライエッチングの場合はＣＦ4ガス、アルゴンガスを用いた通常のリアクティブオンエッチングによってエッチングされる。ウエットエッチングの場合は塩酸と硝酸の混合液が用いられる。
【００２７】
次に、図６に示すようにレジストマスク１３をそのまま用いてシリコン基板１４をエッチングする。この場合のエッチング方法はドライエッチングを用いる。このドライエッチングにおいてはエッチングを促進するガスと抑制するガスを用いる。エッチングを促進するガスとしてＳＦ6，ＣＦ4などを用いるが、これらのガスはシリコン基板１４のエッチングの深さ方向だけでなく横方向にも促進する作用がある。
【００２８】
図７に示すようにＣＨＦ3，Ｃ4Ｆ8などのエッチングを抑制するガスを混合することによりエッチングの側面にフッ化カーボンポリマーである保護膜５を生成してエッチングをレジストマスク１３の下方のみに進行させることが可能となる。またエッチングの進行方向の側面を垂直にする他の方法としてエッチングを促進するガスによってエッチングを少しだけ行い抑制するガスにより保護膜５を少しだけ形成する工程を繰り返してもほぼ垂直な側面が形成できる。具体的にはＳＦ6を１３０ｓｃｃｍ流して７秒間プラズマを発生させ約０．０１μｍの保護膜５を形成する工程を約１８０回繰り返した結果、約２００μｍの深さのほぼ垂直な側面が形成でき音叉形状の構造体１を形成することができた。
【００２９】
なおエッチングの過程においてエッチングを抑制するガスによって保護膜５は音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂの側面だけでなく底面にも形成されるが、底面に形成された保護膜５は側面の保護膜５に比べてエッチングを促進するガスにより容易に除去されるのでエッチングは下方のみに進行するのである。そしてエッチングによりシリコン基板１４の底面まで貫通して音叉形状の構造体１が切り出されエッチングが終了する。このときエッチングを抑制するガスによるプラズマを発生させて終了することが望ましい。これにより確実に側面にフッ化カーボンポリマーの保護膜５が形成されるのである。
【００３０】
そして図８に示すようにレジストマスク１３を除去する。なおレジストマスク１３の上の保護膜５は除去されるがシリコン基板の構造体１の側面に形成された保護膜５は除去されない。
【００３１】
次に、図９に示すように音叉形状の構造体１をパッケージ８に実装してパッケージ８の電極と構造体１の基部７に形成した電極パッド６とをワイヤー１０で接続する。１１はパッケージ８の外側に設けた外部電極である。
【００３２】
図１０に示すようにパッケージ８に実装された音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂが中に浮いた状態となっている。この状態で図１１に示すようにエッチング装置１５の中に入れ、検出方向の共振周波数を外部の計測器１６によって測定する。そして図１２に示すようにガス導入口１７よりガスを導入すると音叉形状の構造体１のシリコンが露出している底面のみがエッチングされることになる。底面のシリコンがエッチングされると検出方向の共振周波数が徐々に低下する。この共振周波数は常に計測されエッチングにフィードバックされ、所定の値になるとフッ化キセノンガスの導入が停止する。
【００３３】
なお音叉形状の構造体１の側面はフッ化カーボンポリマーの保護膜５により保護されているためエッチングされることはなく駆動方向の共振周波数は変化しない。また音叉形状の構造体１の上面も下部電極２、圧電体３、上部電極４で覆われているためエッチングされることはない。
【００３４】
以上の共振デバイスの一例としての角速度センサの製造方法において、検出方向の共振周波数を常に測定しながらエッチングを行うことにより、所定の高精度な共振周波数に調整ができる。さらにフッ化キセノンガスのエッチングによりプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響がなく共振周波数の高精度な測定ができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の共振デバイスの製造方法は、シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングする工程とを含む共振デバイスの製造方法であり、保護膜の形成により厚み方向のエッチングを共振周波数の測定をしながら高精度な加工ができ、所定の離調周波数に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による共振デバイスの角速度センサの構造を示す斜視図
【図２】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図３】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図４】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図５】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図６】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図７】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図８】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図９】 角速度センサをパッケージに実装した斜視図
【図１０】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【図１１】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【図１２】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【符号の説明】
１ 音叉形状の構造体
２ 下部電極
３ 圧電体
３Ａ 駆動用圧電体
３Ｂ 検出用圧電体
４ 上部電極
４Ａ 駆動用電極
４Ｂ 検出用電極
５ 保護膜
６ 電極パッド
７ 基部
８ パッケージ
９Ａ 腕部
９Ｂ 腕部
１０ ワイヤー
１１ 外部電極
１２ レジストマスク
１３ レジストマスク
１４ シリコン基板
１５ エッチング装置
１６ 計測器
１７ ガス導入口
【発明の属する技術分野】
本発明は物体の機械的な共振現象を利用したデバイスに用いられ、例えば加速度センサ、角速度センサ、共振器、フィルタ等に応用される共振デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の共振デバイスとして角速度センサを例に挙げて説明する。
【０００３】
従来の角速度センサは、例えば米国特許第５４３８２３１号の明細書に記載されているようにシリコンなどの非圧電材料からなる音叉形状の構造体に１枚の下部電極と、この下部電極上に１枚の圧電体と、この圧電体の上に２つ以上の上部電極を貼り付けた構造であり、上部電極と下部電極間に電圧を印加して音叉形状の構造体に振動を与えた状態に外部より角速度が与えられるとコリオリ力によって振動方向とは垂直な方向に変位方向が変化し、この変位量を上部電極と下部電極間に発生する電圧を変位量として測定することで角速度の量が測定できるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この音叉形状の構造体を利用した角速度センサでは駆動効率および検出感度を高めるため、音叉形状の構造体の駆動方向と検出方向の共振周波数を互いに接近させかつ所定値だけ離した共振周波数に設定する必要がある。この２つのモードの共振周波数は音叉形状の構造体の腕部の幅および厚み寸法で決定され、これらの寸法精度は±１μｍ以下と極めて高い精度が必要とされる。
【０００５】
この寸法精度を実現するためフォトリソグラフィーを用いた幅方向の加工方法や機械研削による厚み方向の加工方法が用いられている。これらの加工方法は音叉形状の構造体の腕部の幅方向、厚み方向の加工を行いそれぞれの方向の共振周波数の絶対値を決める重要なものであるが、角速度センサの感度を決定する要素として上述の共振周波数の絶対値だけではなく互いの共振周波数の差、つまり離調周波数を所定値に設定することが必要である。
【０００６】
しかし、上述の方法ではこの離調周波数を指標とする加工を行うことは困難である。それは加工の最中に測定できるのは音叉形状の構造体の腕部の幅や厚みの形状寸法だけであり、実際の共振周波数を正確に測定することが難しいからである。
【０００７】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、目標とする共振周波数および離調周波数に調整できる共振デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、以下の構成を有するものである。
【０００９】
本発明の請求項１に記載の発明は、シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングすることにより共振周波数を調整する工程とを含む共振デバイスの製造方法であり、保護膜の形成により厚み方向のエッチングを共振周波数の測定をしながら高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程において、エッチングを促進するガスとエッチングを抑制するガスの混合ガスを用いた請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面に保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、フッ化カーボンポリマーの保護膜を形成する請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、シリコンと比べてエッチングガスに対して大きなエッチング選択比をもつため、シリコンのみのエッチングができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、エッチングを促進するガスがＳＦ6、エッチングを抑制するガスがＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3のいずれか１つである請求項２に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面にフッ化カーボンのポリマーの保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、保護膜が形成されていない面をエッチングする工程において、ＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングする請求項１に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングにおいてプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響を受けずに共振周波数の測定ができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、シリコン基板の一面に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をＳＦ6ガスとＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3ガスのいずれか１つを用いてドライエッチングにより音叉形状の構造体に形成する工程と、この音叉形状の構造体上の圧電体および電極が形成された面のもう一方の面をＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングにより共振周波数を調整する共振デバイスの製造方法であり、エッチングを抑制するガスによりエッチングの側面にフッ化カーボンのポリマーの保護膜を生成してレジスト膜の下方のみに進行させることができると共にエッチングにおいてプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響を受けずに安定した共振周波数の測定ができる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、シリコンからなる構造体の共振周波数を監視してエッチングする工程にフィードバック制御して調整する請求項６に記載の共振デバイスの製造方法であり、エッチングを共振周波数の測定をしながら高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、共振デバイスをパッケージまたは基板に実装してエッチングにより共振周波数を調整する請求項７に記載の共振デバイスの製造方法であり、パッケージまたは基板に実装してエッチングを共振周波数の測定をすることにより高精度に行うことができ、所定の離調周波数に調整できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、一実施の形態を用いて本発明の請求項１〜８に記載の発明について説明する。
【００１８】
図１は本発明による共振デバイスとしての代表例である角速度センサの構造を示す斜視図である。シリコンからなる音叉形状の構造体１と、この構造体１の上面に白金からなる下部電極２と、この下部電極２の上面にチタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電体３の駆動用圧電体３Ａと検出用圧電体３Ｂと、この駆動用圧電体３Ａの上面に上部電極４の駆動用電極４Ａ、そして検出用圧電体３Ｂの上面に検出用電極４Ｂが形成される。また下部電極２および上部電極４は配線を通して構造体１の基部７に設けた電極パッド６に引き出され、外部と接続できるようになっている。
【００１９】
ここで、この角速度センサの原理について図１を用いて説明する。上部電極４は駆動用電極４Ａと検出用電極４Ｂに分割され、それぞれ下部電極２と共に駆動用圧電体３Ａと検出用圧電体３Ｂを挟むよう対向している。このような構成において、駆動用電極４Ａと下部電極２との間に電圧を加えると、この駆動用電極４Ａと下部電極２に挟まれた駆動用圧電体３Ａの部分が伸縮して音叉形状の構造体１の２本の腕部９Ａおよび９Ｂの形状を歪ませ水平方向に振動が発生する。
【００２０】
このとき、この音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂに平行方向の軸廻りに回転運動が生じると、腕部９Ａ，９Ｂにはこの軸と駆動による振動方向に垂直な方向に撓みが発生する。そしてこの撓みによって検出用圧電体３Ｂに電荷が発生し検出用電極４Ｂによって検出される。つまり、このような角速度センサにおいては、腕部９Ａ，９Ｂの駆動および角速度の量の検知を行うために圧電体３の圧電現象、逆圧電現象を利用する。このため腕部９Ａ，９Ｂの変位量は大きいほど角速度の検出が容易となる。
【００２１】
これは検出できる電荷は歪みの量に比例するため、通常、駆動周波数は音叉形状の構造体１が持つ駆動方向の共振周波数の近傍に設定する。これにより駆動時の変位の量が大きくなり、その結果として角速度による変位がより大きくなるので検出が容易となる。更に角速度による検出の変位をより大きくするためには検出方向の共振周波数と駆動方向の共振周波数とを接近させることが望ましい。この両方の共振周波数が離れると、角速度による変位が検出方向に伝わり難くなるからである。
【００２２】
しかし両方の共振周波数が極端に近い場合や同じ共振周波数の場合には、結合や角速度による変位がこの共振に埋もれてしまい検出ができなくなる。つまり結合を起こさない程度にできる限り接近した共振周波数に設定することが必要である。例えば駆動方向の共振周波数を２０ｋＨｚとした場合には検出方向の共振周波数を１９．８ｋＨｚ程度にすることが望ましい。つまり離調周波数は共振周波数に対してほぼ１％以下の設定および制御が必要である。
【００２３】
次に、角速度センサの製造方法について図２〜図１２を用いて説明する。図２〜図８は図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図、図９は共振デバイスの一例の角速度センサをパッケージに実装した斜視図、図１０〜図１２は図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図である。
【００２４】
図２に示すようにシリコン基板１４の上に下部電極２として白金を形成し、この下部電極２としての白金の上に圧電体３としてチタン酸ジルコン酸鉛を形成し、この圧電体３としてのチタン酸ジルコン酸鉛の上に上部電極４として金をスパッタリング、真空蒸着、ゾルゲル法などの通常の薄膜を形成する方法により形成する。
【００２５】
次に、図３に示すように上部電極４の上にレジストマスク１２をフォトリソグラフィーによりパターンを形成し図４に示すように上部電極４および圧電体３をエッチングする。このエッチングの方法としてはドライエッチングの方が望ましい。これは上部電極４と圧電体３を同じマスクで同時にエッチングするためには、サイドエッチの少ないエッチングが要求されるからである。ここで上部電極４は駆動用電極４Ａおよび検出用電極４Ｂ、圧電体３が駆動用圧電体３Ａおよび検出用圧電体３Ｂに分割される。
【００２６】
次に、図５に示すようにパターンを形成した上部電極４と一部の下部電極２の上にレジストマスク１３を形成して下部電極２をエッチングする。この方法はドライエッチングでもウエットエッチングでも可能である。ドライエッチングの場合はＣＦ4ガス、アルゴンガスを用いた通常のリアクティブオンエッチングによってエッチングされる。ウエットエッチングの場合は塩酸と硝酸の混合液が用いられる。
【００２７】
次に、図６に示すようにレジストマスク１３をそのまま用いてシリコン基板１４をエッチングする。この場合のエッチング方法はドライエッチングを用いる。このドライエッチングにおいてはエッチングを促進するガスと抑制するガスを用いる。エッチングを促進するガスとしてＳＦ6，ＣＦ4などを用いるが、これらのガスはシリコン基板１４のエッチングの深さ方向だけでなく横方向にも促進する作用がある。
【００２８】
図７に示すようにＣＨＦ3，Ｃ4Ｆ8などのエッチングを抑制するガスを混合することによりエッチングの側面にフッ化カーボンポリマーである保護膜５を生成してエッチングをレジストマスク１３の下方のみに進行させることが可能となる。またエッチングの進行方向の側面を垂直にする他の方法としてエッチングを促進するガスによってエッチングを少しだけ行い抑制するガスにより保護膜５を少しだけ形成する工程を繰り返してもほぼ垂直な側面が形成できる。具体的にはＳＦ6を１３０ｓｃｃｍ流して７秒間プラズマを発生させ約０．０１μｍの保護膜５を形成する工程を約１８０回繰り返した結果、約２００μｍの深さのほぼ垂直な側面が形成でき音叉形状の構造体１を形成することができた。
【００２９】
なおエッチングの過程においてエッチングを抑制するガスによって保護膜５は音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂの側面だけでなく底面にも形成されるが、底面に形成された保護膜５は側面の保護膜５に比べてエッチングを促進するガスにより容易に除去されるのでエッチングは下方のみに進行するのである。そしてエッチングによりシリコン基板１４の底面まで貫通して音叉形状の構造体１が切り出されエッチングが終了する。このときエッチングを抑制するガスによるプラズマを発生させて終了することが望ましい。これにより確実に側面にフッ化カーボンポリマーの保護膜５が形成されるのである。
【００３０】
そして図８に示すようにレジストマスク１３を除去する。なおレジストマスク１３の上の保護膜５は除去されるがシリコン基板の構造体１の側面に形成された保護膜５は除去されない。
【００３１】
次に、図９に示すように音叉形状の構造体１をパッケージ８に実装してパッケージ８の電極と構造体１の基部７に形成した電極パッド６とをワイヤー１０で接続する。１１はパッケージ８の外側に設けた外部電極である。
【００３２】
図１０に示すようにパッケージ８に実装された音叉形状の構造体１の腕部９Ａ，９Ｂが中に浮いた状態となっている。この状態で図１１に示すようにエッチング装置１５の中に入れ、検出方向の共振周波数を外部の計測器１６によって測定する。そして図１２に示すようにガス導入口１７よりガスを導入すると音叉形状の構造体１のシリコンが露出している底面のみがエッチングされることになる。底面のシリコンがエッチングされると検出方向の共振周波数が徐々に低下する。この共振周波数は常に計測されエッチングにフィードバックされ、所定の値になるとフッ化キセノンガスの導入が停止する。
【００３３】
なお音叉形状の構造体１の側面はフッ化カーボンポリマーの保護膜５により保護されているためエッチングされることはなく駆動方向の共振周波数は変化しない。また音叉形状の構造体１の上面も下部電極２、圧電体３、上部電極４で覆われているためエッチングされることはない。
【００３４】
以上の共振デバイスの一例としての角速度センサの製造方法において、検出方向の共振周波数を常に測定しながらエッチングを行うことにより、所定の高精度な共振周波数に調整ができる。さらにフッ化キセノンガスのエッチングによりプラズマを発生させる必要がないため、プラズマによるノイズの影響がなく共振周波数の高精度な測定ができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の共振デバイスの製造方法は、シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングする工程とを含む共振デバイスの製造方法であり、保護膜の形成により厚み方向のエッチングを共振周波数の測定をしながら高精度な加工ができ、所定の離調周波数に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による共振デバイスの角速度センサの構造を示す斜視図
【図２】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図３】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図４】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図５】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図６】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図７】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図８】 図１の角速度センサのＡ−Ａ断面による製造工程図
【図９】 角速度センサをパッケージに実装した斜視図
【図１０】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【図１１】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【図１２】 図９のパッケージに実装した角速度センサのＢ−Ｂ断面による製造工程図
【符号の説明】
１ 音叉形状の構造体
２ 下部電極
３ 圧電体
３Ａ 駆動用圧電体
３Ｂ 検出用圧電体
４ 上部電極
４Ａ 駆動用電極
４Ｂ 検出用電極
５ 保護膜
６ 電極パッド
７ 基部
８ パッケージ
９Ａ 腕部
９Ｂ 腕部
１０ ワイヤー
１１ 外部電極
１２ レジストマスク
１３ レジストマスク
１４ シリコン基板
１５ エッチング装置
１６ 計測器
１７ ガス導入口
Claims (8)
- シリコン基板に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をエッチングして構造体を形成する工程と、この構造体の少なくとも一面に保護膜を形成する工程と、この保護膜が形成されていない面をエッチングすることにより共振周波数を調整する工程とを含む共振デバイスの製造方法。
- シリコン基板をエッチングして音叉形状の構造体を形成する工程において、エッチングを促進するガスとエッチングを抑制するガスの混合ガスを用いた請求項１に記載の共振デバイスの製造方法。
- フッ化カーボンポリマーの保護膜を形成する請求項１に記載の共振デバイスの製造方法。
- エッチングを促進するガスがＳＦ6、エッチングを抑制するガスがＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3のいずれか１つである請求項２に記載の共振デバイスの製造方法。
- 保護膜が形成されていない面をエッチングする工程において、ＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングする請求項１に記載の共振デバイスの製造方法。
- シリコン基板の一面に圧電体および電極を形成する工程と、この圧電体および電極をフォトリソグラフィーによりパターンを形成する工程と、シリコン基板をＳＦ6ガスとＣ4Ｆ8またはＣＨＦ3ガスのいずれか１つを用いてドライエッチングにより音叉形状の構造体に形成する工程と、この音叉形状の構造体上の圧電体および電極が形成された面のもう一方の面をＸｅＦ2ガスを用いてドライエッチングにより共振周波数を調整する共振デバイスの製造方法。
- シリコンからなる構造体の共振周波数を監視してエッチングする工程にフィードバック制御して調整する請求項６に記載の共振デバイスの製造方法。
- 共振デバイスをパッケージまたは基板に実装してエッチングにより共振周波数を調整する請求項７に記載の共振デバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240134A JP4288914B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 共振デバイスの製造方法 |
| CNB038016206A CN100403571C (zh) | 2002-08-21 | 2003-08-20 | 共振器件的制造方法 |
| US10/494,640 US7083740B2 (en) | 2002-08-21 | 2003-08-20 | Method for manufacturing resonant device |
| PCT/JP2003/010492 WO2004019426A1 (ja) | 2002-08-21 | 2003-08-20 | 共振デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240134A JP4288914B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 共振デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004079869A JP2004079869A (ja) | 2004-03-11 |
| JP4288914B2 true JP4288914B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=31943929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002240134A Expired - Fee Related JP4288914B2 (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 共振デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7083740B2 (ja) |
| JP (1) | JP4288914B2 (ja) |
| CN (1) | CN100403571C (ja) |
| WO (1) | WO2004019426A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4434537B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2010-03-17 | パナソニック株式会社 | 圧電機能部品 |
| GB0308249D0 (en) * | 2003-04-10 | 2003-05-14 | Trikon Technologies Ltd | Method of depositing piezoelectric films |
| US7227292B2 (en) | 2003-04-10 | 2007-06-05 | Aviza Technologies, Inc. | Methods of depositing piezoelectric films |
| JP4658925B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-03-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 水晶振動子の製造方法 |
| JP2006023186A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 角速度センサおよびその製造方法 |
| EP1816434A4 (en) * | 2004-10-07 | 2011-01-19 | Panasonic Corp | ANGLE SPEED SENSOR |
| FR2883370B1 (fr) * | 2005-03-21 | 2007-06-01 | Sagem | Procede de fabrication d'un resonateur mecanique en etoile pour dispositif de mesure gyrometrique |
| JP2007024810A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 角速度センサ素子およびその製造方法 |
| US8652385B2 (en) * | 2006-09-07 | 2014-02-18 | Okia Optical Company Ltd. | Method of manufacturing a decorative article with sealed decorative laminated sheet |
| JP2008118264A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 音叉振動子およびその製造方法 |
| JP2008172713A (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 圧電薄膜共振器および圧電薄膜共振器フィルタおよびその製造方法 |
| JP4987684B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-07-25 | シチズンホールディングス株式会社 | ジャイロセンサ素子の製造方法 |
| JP4533934B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2010-09-01 | エプソントヨコム株式会社 | 振動片及び振動子の製造方法 |
| JP4468469B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4489132B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2010060361A (ja) | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 音叉型振動子、音叉型振動子の製造方法および角速度センサ |
| JP4568367B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4575498B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4575499B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP5099385B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2012-12-19 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片及び振動子 |
| JP5238780B2 (ja) | 2010-09-17 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置 |
| JP4775502B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | 角速度センサ素子 |
| JP6117467B2 (ja) * | 2011-11-04 | 2017-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | ジャイロセンサーの製造方法 |
| JP6044101B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2016-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | センサーデバイス、センサーデバイスの製造方法および電子機器 |
| JP6209886B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 振動片、振動子、発振器、電子機器および移動体 |
| JP6295607B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-03-20 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子の製造方法 |
| FR3054666B1 (fr) * | 2016-07-27 | 2018-07-20 | Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales (Onera) | Resonateur mecanique optimise pour fonctionner dans un fluide |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187025A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エッチング方法及びｘ線リソグラフィ用マスクの製造方法 |
| JP3303379B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 角速度センサ |
| DE4317623C2 (de) * | 1993-05-27 | 2003-08-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten und dessen Verwendung |
| US5438231A (en) * | 1993-08-23 | 1995-08-01 | Rockwell International Corporation | Thin film micromechanical resonator gyro |
| CA2230269C (en) * | 1995-08-25 | 2001-04-24 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Piezoelectric oscillator component, structure for supporting piezoelectric oscillator and method of mounting piezoelectric oscillator |
| JP3434672B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2003-08-11 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 小型回転式アクチュエータ及び小型回転式アクチュエータの共振周波数補正方法 |
| JP3285140B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2002-05-27 | 株式会社村田製作所 | 振動ジャイロの調整方法 |
| JP3883144B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2007-02-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000199714A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度センサ |
| DE19930188A1 (de) * | 1999-06-30 | 2001-01-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Gräben für Speicherkondensatoren von DRAM-Halbleiterspeichern |
| JP4147784B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2008-09-10 | 富士通株式会社 | 角速度センサ |
| US6657517B2 (en) * | 2001-12-20 | 2003-12-02 | Agere Systems, Inc. | Multi-frequency thin film resonators |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240134A patent/JP4288914B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-20 CN CNB038016206A patent/CN100403571C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-20 US US10/494,640 patent/US7083740B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-20 WO PCT/JP2003/010492 patent/WO2004019426A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7083740B2 (en) | 2006-08-01 |
| CN100403571C (zh) | 2008-07-16 |
| CN1596481A (zh) | 2005-03-16 |
| US20050000934A1 (en) | 2005-01-06 |
| JP2004079869A (ja) | 2004-03-11 |
| WO2004019426A1 (ja) | 2004-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4288914B2 (ja) | 共振デバイスの製造方法 | |
| US7263884B2 (en) | Vibration type gyrosensor device | |
| EP1116008A2 (en) | Formation of suspended beams using soi substrates, and application to the fabrication of a vibrating gyrometer | |
| US7188525B2 (en) | Angular velocity sensor | |
| JPH09297148A (ja) | 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 | |
| US6242276B1 (en) | Method for fabricating micro inertia sensor | |
| KR101239636B1 (ko) | Ｍｅｍｓ 공진기, 이를 구비하는 센서 및 ｍｅｍｓ 공진기의 제조방법 | |
| KR20060043443A (ko) | 진동형 자이로 센서 소자 제조 방법, 진동형 자이로 센서소자 및 진동 방향 조정 방법 | |
| JP4815857B2 (ja) | 力学量検出センサの製造方法 | |
| JP2007108053A (ja) | 振動子および振動型ジャイロスコープ用測定素子 | |
| JPH0362208B2 (ja) | ||
| JPH0643179A (ja) | 加速度センサ及び該センサの製造方法 | |
| JP4305625B2 (ja) | 振動子および物理量測定用信号発生素子 | |
| JP2004120351A (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
| JP2007303974A (ja) | 振動センサ、振動センサの製造方法、歩数計、加速度センサ及び地震検知器 | |
| JP2008141307A (ja) | 圧電振動子及びその製造方法ならびに物理量センサー | |
| JP4554118B2 (ja) | 音叉型角速度センサ素子の製造方法 | |
| JP2005227110A (ja) | 振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び振動型ジャイロセンサ素子 | |
| JP3567052B2 (ja) | 半導体のマイクロマシニング方法 | |
| JP3230359B2 (ja) | 共振型振動素子 | |
| JP2007306471A (ja) | 水晶振動子及びその製造方法ならびに物理量センサー | |
| JP3891182B2 (ja) | 振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び離調度調整方法 | |
| JP2005249746A (ja) | 振動子および物理量測定装置 | |
| CN117168662B (zh) | 一种谐振式压力传感器及其制备方法 | |
| JP5353651B2 (ja) | 角速度センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050214 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050530 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090323 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |