JPH09297148A - 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 - Google Patents
原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡Info
- Publication number
- JPH09297148A JPH09297148A JP8294045A JP29404596A JPH09297148A JP H09297148 A JPH09297148 A JP H09297148A JP 8294045 A JP8294045 A JP 8294045A JP 29404596 A JP29404596 A JP 29404596A JP H09297148 A JPH09297148 A JP H09297148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- atomic force
- etching
- force microscope
- cantilever
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 285
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 104
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 76
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000011034 rock crystal Substances 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail
- Y10S977/878—Shape/taper
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail
- Y10S977/879—Material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローブのたわみ測定が容易で、先端の尖鋭
化された原子間力顕微鏡用プローブを簡便な製造方法で
実現する。 【解決手段】 圧電結晶基板の結晶面で、先端を形成し
たプローブ、および、等方的な手法で先端を形成したプ
ローブとその製造方法を提案し、走査型原子間力顕微鏡
を構成した。
化された原子間力顕微鏡用プローブを簡便な製造方法で
実現する。 【解決手段】 圧電結晶基板の結晶面で、先端を形成し
たプローブ、および、等方的な手法で先端を形成したプ
ローブとその製造方法を提案し、走査型原子間力顕微鏡
を構成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物質間に作用する
原子間力を利用して、試料の表面形状を観察する走査型
原子間力顕微鏡に関する。
原子間力を利用して、試料の表面形状を観察する走査型
原子間力顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の走査型原子間力顕微鏡において
は、原子間力顕微鏡用プローブとして、窒化シリコンあ
るいはシリコンによって形成したカンチレバーとこの上
に形成された探針によって、探針先端と試料表面の間に
作用する原子間力をカンチレバーのたわみ、あるいは、
振動振幅の変化、あるいは、共振周波数の変化として検
知し、探針先端と試料表面の間の距離を一定に制御しな
がら、探針と試料を相対移動させることによって、試料
表面の観察を行っている。この場合の、カンチレバーの
変位の検出には、光学的な手法が主に用いられてきた。
このような光学的な手法を用いると、装置構成が複雑に
なる上、光軸調整などの調整が、必要となり、装置の取
り扱いを煩雑なものにしていた。
は、原子間力顕微鏡用プローブとして、窒化シリコンあ
るいはシリコンによって形成したカンチレバーとこの上
に形成された探針によって、探針先端と試料表面の間に
作用する原子間力をカンチレバーのたわみ、あるいは、
振動振幅の変化、あるいは、共振周波数の変化として検
知し、探針先端と試料表面の間の距離を一定に制御しな
がら、探針と試料を相対移動させることによって、試料
表面の観察を行っている。この場合の、カンチレバーの
変位の検出には、光学的な手法が主に用いられてきた。
このような光学的な手法を用いると、装置構成が複雑に
なる上、光軸調整などの調整が、必要となり、装置の取
り扱いを煩雑なものにしていた。
【0003】これに対して、電気的に振動検出を行う圧
電検知機構を内蔵したカンチレバーについて、特開平5
−196458に記載されている。さらに、原子間力顕
微鏡用プローブとして、水晶振動子を利用しようという
提案が、特開昭63−309803、特開平4−102
008に記載されている。
電検知機構を内蔵したカンチレバーについて、特開平5
−196458に記載されている。さらに、原子間力顕
微鏡用プローブとして、水晶振動子を利用しようという
提案が、特開昭63−309803、特開平4−102
008に記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記、特開平5−19
6458の光学的手法を用いずに電気的にカンチレバー
の変位を検出する方法の場合、圧電体薄膜を形成するプ
ロセスが含まれるため、プローブの製作が煩雑になると
いう欠点がある。
6458の光学的手法を用いずに電気的にカンチレバー
の変位を検出する方法の場合、圧電体薄膜を形成するプ
ロセスが含まれるため、プローブの製作が煩雑になると
いう欠点がある。
【0005】また、特開昭63−309803に記載さ
れている水晶振動子プローブについては、水晶振動子と
探針部を張り合わせた構造のものであり、製作が容易で
はない。さらに、特開平4−102008に記載されて
いる水晶振動子プローブは、電気的な検出に関するもの
ではない上、その製造に関する詳細な記述はない。した
がって、水晶振動子を用いる原子間力顕微鏡用プローブ
を簡便に製造する方法および取り扱いの簡便な走査型原
子間力顕微鏡を提供することが、課題となっている。
れている水晶振動子プローブについては、水晶振動子と
探針部を張り合わせた構造のものであり、製作が容易で
はない。さらに、特開平4−102008に記載されて
いる水晶振動子プローブは、電気的な検出に関するもの
ではない上、その製造に関する詳細な記述はない。した
がって、水晶振動子を用いる原子間力顕微鏡用プローブ
を簡便に製造する方法および取り扱いの簡便な走査型原
子間力顕微鏡を提供することが、課題となっている。
【0006】また、原子間力顕微鏡用プローブにおいて
は、先端の尖鋭化が課題となっており、尖鋭化の方法を
提供することも重要な課題である。
は、先端の尖鋭化が課題となっており、尖鋭化の方法を
提供することも重要な課題である。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明では、探針が水晶によって形成され、探
針の先端部がすくなくとも2つの結晶面を含む3つの面
の頂点として、探針を形成し、カンチレバー部が、探針
と同一の水晶で構成されるとともに、カンチレバーのた
わみを電気的に検出するための電極がカンチレバー上に
形成されている原子間力顕微鏡用プローブの構造とし
た。さらに、この製造方法として、例えば、Z板水晶基
板に対してY軸方向に位置決めされたカンチレバー用マ
スクおよびX軸方向に位置決めされ2つの結晶面の基板
に対する開き角以内で形成された探針用マスクを用いる
レジスト露光、および、この露光パターンを基にしたエ
ッチングプロセスを含む原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法とした。
ために、本発明では、探針が水晶によって形成され、探
針の先端部がすくなくとも2つの結晶面を含む3つの面
の頂点として、探針を形成し、カンチレバー部が、探針
と同一の水晶で構成されるとともに、カンチレバーのた
わみを電気的に検出するための電極がカンチレバー上に
形成されている原子間力顕微鏡用プローブの構造とし
た。さらに、この製造方法として、例えば、Z板水晶基
板に対してY軸方向に位置決めされたカンチレバー用マ
スクおよびX軸方向に位置決めされ2つの結晶面の基板
に対する開き角以内で形成された探針用マスクを用いる
レジスト露光、および、この露光パターンを基にしたエ
ッチングプロセスを含む原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法とした。
【0008】さらに、Z板水晶基板に対してY軸方向に
形成されたカンチレバーおよびX軸方向に角柱状に形成
された探針部の先端が等方的エッチングによって、尖鋭
化した原子間力顕微鏡用プローブとした。この製造方法
として、例えば、Z板水晶基板に対してY軸方向に形成
されたカンチレバー用マスクおよびX軸方向に帯状に形
成された探針用マスクを用いるレジスト露光、および、
この露光パターンを基にしたエッチングプロセスによっ
て、原子間力顕微鏡用プローブを製造する方法とした。
形成されたカンチレバーおよびX軸方向に角柱状に形成
された探針部の先端が等方的エッチングによって、尖鋭
化した原子間力顕微鏡用プローブとした。この製造方法
として、例えば、Z板水晶基板に対してY軸方向に形成
されたカンチレバー用マスクおよびX軸方向に帯状に形
成された探針用マスクを用いるレジスト露光、および、
この露光パターンを基にしたエッチングプロセスによっ
て、原子間力顕微鏡用プローブを製造する方法とした。
【0009】さらに、これらの原子間力顕微鏡用プロー
ブを用いる走査型原子間力顕微鏡として、圧電体を共振
周波数で振動させる励振手段と、プローブの先端と前記
試料表面との間に原子間力が作用した結果生じるプロー
ブの共振特性の変化を電気的特性変化として検出するた
めの手段と、検出手段が出力する検出信号に基づいて、
プローブの先端と試料表面の間隔を一定に保つための制
御手段とを有し、走査手段によって、試料表面の形状を
観察する走査型原子間力顕微鏡とした。
ブを用いる走査型原子間力顕微鏡として、圧電体を共振
周波数で振動させる励振手段と、プローブの先端と前記
試料表面との間に原子間力が作用した結果生じるプロー
ブの共振特性の変化を電気的特性変化として検出するた
めの手段と、検出手段が出力する検出信号に基づいて、
プローブの先端と試料表面の間隔を一定に保つための制
御手段とを有し、走査手段によって、試料表面の形状を
観察する走査型原子間力顕微鏡とした。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。図1は、本発明の原子間力顕
微鏡用プローブの一例を示したものである。図1におけ
る原子間力顕微鏡用プローブの主たる構成要素は、水晶
であり、カンチレバー部1と探針部2によって、構成さ
れている。すなわち、探針部は、単結晶材料である水晶
によって形成され、探針の先端部は、2つの結晶面を含
む3つの面の頂点として形成されている。
図面を参照して説明する。図1は、本発明の原子間力顕
微鏡用プローブの一例を示したものである。図1におけ
る原子間力顕微鏡用プローブの主たる構成要素は、水晶
であり、カンチレバー部1と探針部2によって、構成さ
れている。すなわち、探針部は、単結晶材料である水晶
によって形成され、探針の先端部は、2つの結晶面を含
む3つの面の頂点として形成されている。
【0011】ここで、水晶の結晶面としては、図2に示
すように、X、Y、Zの結晶軸に対して、R面、r面、
s面、x面などが、存在し、エッチング条件によって、
水晶基板内から、エッチングによって、結晶面を出現さ
せることができる。つまり、水晶の結晶面方位における
エッチング速度はエッチングの条件によって、異なるた
め、エッチング速度に差がでるようなエッチング液を用
いることによって、特定の結晶面を出現させることがで
きるのである。例えば、フッ酸−フッ化アンモニウム混
合液によるエッチングでは、エッチング速度に差が出に
くくなるが、フッ酸水溶液によるエッチングでは、エッ
チング速度に差が出るため、特定の結晶面を出現させや
すくなる。特に、R面は、エッチング速度が比較的遅い
ために、エッチングによって、出現させやすい面であ
る。
すように、X、Y、Zの結晶軸に対して、R面、r面、
s面、x面などが、存在し、エッチング条件によって、
水晶基板内から、エッチングによって、結晶面を出現さ
せることができる。つまり、水晶の結晶面方位における
エッチング速度はエッチングの条件によって、異なるた
め、エッチング速度に差がでるようなエッチング液を用
いることによって、特定の結晶面を出現させることがで
きるのである。例えば、フッ酸−フッ化アンモニウム混
合液によるエッチングでは、エッチング速度に差が出に
くくなるが、フッ酸水溶液によるエッチングでは、エッ
チング速度に差が出るため、特定の結晶面を出現させや
すくなる。特に、R面は、エッチング速度が比較的遅い
ために、エッチングによって、出現させやすい面であ
る。
【0012】一方、図1において、原子間力顕微鏡用プ
ローブは、Z板水晶を基に加工されたもので、探針先端
の向きおよびカンチレバーのたわみ方向が水晶結晶のX
軸方向であるように形成されている。これは、X軸方向
が、水晶のたわみ方向の圧電効果が、作用する面だから
である。
ローブは、Z板水晶を基に加工されたもので、探針先端
の向きおよびカンチレバーのたわみ方向が水晶結晶のX
軸方向であるように形成されている。これは、X軸方向
が、水晶のたわみ方向の圧電効果が、作用する面だから
である。
【0013】従って、、図1においては、カンチレバー
部は、探針と同一の水晶で構成されていることに加え
て、カンチレバーのたわみを電気的に検出するための電
極4がカンチレバー上に、カンチレバーの4つの面に対
して、対になるように形成されている。この電極には、
たわみを電気的に検出する機能の他、交流電気信号を印
加することで、カンチレバーを振動させる機能も有して
いる。
部は、探針と同一の水晶で構成されていることに加え
て、カンチレバーのたわみを電気的に検出するための電
極4がカンチレバー上に、カンチレバーの4つの面に対
して、対になるように形成されている。この電極には、
たわみを電気的に検出する機能の他、交流電気信号を印
加することで、カンチレバーを振動させる機能も有して
いる。
【0014】また、図1において、電極4は、電極端子
5を含み、リード線6によって電気的な接続がなされ、
支持基板7によって、支持されている。図3は、本発明
の原子間力顕微鏡用プローブの探針先端部分を先端方向
および側面方向から示したものである。図3aには、先
端は、2つの結晶面と基板面から構成した探針を示す。
この場合、Z板水晶基板のエッチングによって、形成し
た場合、2つの結晶面がともに、水晶結晶の+Z軸ある
いは−Z軸方向のいずれか一方向からなることになる。
図3bには、先端が3つの結晶面から構成されている探
針を示す。この場合、2つの面が、+Z軸側の面である
とすると、もう一つの面は、−Z軸側の面で構成される
ことになる。
5を含み、リード線6によって電気的な接続がなされ、
支持基板7によって、支持されている。図3は、本発明
の原子間力顕微鏡用プローブの探針先端部分を先端方向
および側面方向から示したものである。図3aには、先
端は、2つの結晶面と基板面から構成した探針を示す。
この場合、Z板水晶基板のエッチングによって、形成し
た場合、2つの結晶面がともに、水晶結晶の+Z軸ある
いは−Z軸方向のいずれか一方向からなることになる。
図3bには、先端が3つの結晶面から構成されている探
針を示す。この場合、2つの面が、+Z軸側の面である
とすると、もう一つの面は、−Z軸側の面で構成される
ことになる。
【0015】図4は、カンチレバーと探針部の間に探針
の支持部分8を加えた例である。この支持部分8を形成
することで、凹凸の大きな試料に対する測定に対応する
ことが可能になる。この場合、支持部分8は、探針部分
の結晶面で形成された先端部と結晶面の基板に対する開
き角を超えない角度で、カンチレバー部分との間に形成
されることが必要である。
の支持部分8を加えた例である。この支持部分8を形成
することで、凹凸の大きな試料に対する測定に対応する
ことが可能になる。この場合、支持部分8は、探針部分
の結晶面で形成された先端部と結晶面の基板に対する開
き角を超えない角度で、カンチレバー部分との間に形成
されることが必要である。
【0016】図5は、カンチレバー部分のZ軸方向の厚
みに対して、探針部分、あるいは、探針と支持部分とこ
れにつながるカンチレバー部分の一部の厚みを薄く形成
した例を示したものである。このようによりアスペクト
比を高くすることで、より凹凸の大きな試料に対する測
定に対応することが可能になる。
みに対して、探針部分、あるいは、探針と支持部分とこ
れにつながるカンチレバー部分の一部の厚みを薄く形成
した例を示したものである。このようによりアスペクト
比を高くすることで、より凹凸の大きな試料に対する測
定に対応することが可能になる。
【0017】本発明の原子間力顕微鏡用プローブを振動
させて使用する場合、振動の際の機械的なロスを少なく
して、Q値を大きくすることによって、より感度の高い
制御を行うことができる。このため、図6に示すよう
に、探針を有するカンチレバーと対に振動可能なカンチ
レバーを一体に形成することによって、機械的ロスを小
さくすることができる。図6aは、Z板から形成したカ
ンチレバーを音叉型に形成した例を示したものである。
また、図6bは、X板から形成したカンチレバーを中心
の支持部を介して、対称に配置したものである。図6に
おいて、電極は、省略されているが、実際には、対にな
ったカンチレバーが対照的な振動を行うよう、電極が配
置される。
させて使用する場合、振動の際の機械的なロスを少なく
して、Q値を大きくすることによって、より感度の高い
制御を行うことができる。このため、図6に示すよう
に、探針を有するカンチレバーと対に振動可能なカンチ
レバーを一体に形成することによって、機械的ロスを小
さくすることができる。図6aは、Z板から形成したカ
ンチレバーを音叉型に形成した例を示したものである。
また、図6bは、X板から形成したカンチレバーを中心
の支持部を介して、対称に配置したものである。図6に
おいて、電極は、省略されているが、実際には、対にな
ったカンチレバーが対照的な振動を行うよう、電極が配
置される。
【0018】これまで、試料表面と探針との間に垂直方
向に作用する原子間力を利用した原子間力顕微鏡用プロ
ーブについて述べたが、特開平6−50750に示され
ているラテラルフォース制御のプローブ顕微鏡用プロー
ブにも利用が可能である。この場合は、図7に示すよう
に、探針はY方向に形成され、カンチレバーはX軸方向
にたわむことになる。
向に作用する原子間力を利用した原子間力顕微鏡用プロ
ーブについて述べたが、特開平6−50750に示され
ているラテラルフォース制御のプローブ顕微鏡用プロー
ブにも利用が可能である。この場合は、図7に示すよう
に、探針はY方向に形成され、カンチレバーはX軸方向
にたわむことになる。
【0019】さらに、特開昭63−309803に示さ
れたずり振動を利用するタイプのプローブとしては、図
8に示すように、Y板水晶基板をもとに、X軸方向で、
かつ、片方のY板面に寄った形で、探針部分の膜厚を薄
く形成することで実現することができる。
れたずり振動を利用するタイプのプローブとしては、図
8に示すように、Y板水晶基板をもとに、X軸方向で、
かつ、片方のY板面に寄った形で、探針部分の膜厚を薄
く形成することで実現することができる。
【0020】次に、これまで示した原子間力顕微鏡用プ
ローブの製造方法について説明する。図9は、探針先端
部の製造原理を示したものである。図9において、カン
チレバー用マスクは、Z板水晶基板に対してY軸方向に
位置決めされている。探針部用マスクは、X軸方向に位
置決めされている。ここで、探針先端部分の一点9か
ら、エッチングによって形成される結晶面は、R面を仮
定した場合、3つの結晶面10として出現する。したが
って、少なくとも2つの結晶面を出現させるためには、
探針先端部のマスクの開き角11は、2つの結晶面の基
板に対する開き角以内に規定される必要がある。すなわ
ち、2つの結晶面の基板に対する開き角以内で形成され
た探針用マスクを用いるレジスト露光、および、この露
光パターンを基にしたエッチングプロセスによって、露
光パターンのない部分が基板の反対側までエッチングさ
れるまで、エッチングを進めることによって、すくなく
とも2つの結晶面を含む3つの面を頂点とする探針の先
端部を形成することができる。
ローブの製造方法について説明する。図9は、探針先端
部の製造原理を示したものである。図9において、カン
チレバー用マスクは、Z板水晶基板に対してY軸方向に
位置決めされている。探針部用マスクは、X軸方向に位
置決めされている。ここで、探針先端部分の一点9か
ら、エッチングによって形成される結晶面は、R面を仮
定した場合、3つの結晶面10として出現する。したが
って、少なくとも2つの結晶面を出現させるためには、
探針先端部のマスクの開き角11は、2つの結晶面の基
板に対する開き角以内に規定される必要がある。すなわ
ち、2つの結晶面の基板に対する開き角以内で形成され
た探針用マスクを用いるレジスト露光、および、この露
光パターンを基にしたエッチングプロセスによって、露
光パターンのない部分が基板の反対側までエッチングさ
れるまで、エッチングを進めることによって、すくなく
とも2つの結晶面を含む3つの面を頂点とする探針の先
端部を形成することができる。
【0021】ここで、エッチングを行う場合には、水晶
板の裏表2枚のマスクパターンのうち片面のみに探針の
パターンを配置することが望ましい。つまり、例えば、
+Z面と−Z面をエッチングしていった場合、結晶面
は、立体的に対称であるため、両側のマスクパターンに
同一の探針のパターンを配置した場合、先端の形成され
る位置にずれが生じてしまうのである。
板の裏表2枚のマスクパターンのうち片面のみに探針の
パターンを配置することが望ましい。つまり、例えば、
+Z面と−Z面をエッチングしていった場合、結晶面
は、立体的に対称であるため、両側のマスクパターンに
同一の探針のパターンを配置した場合、先端の形成され
る位置にずれが生じてしまうのである。
【0022】図10は、本発明の原子間力顕微鏡用プロ
ーブの製造工程の一例をZ板水晶基板12を用いた場合
について探針部分の断面図をもとに示したものである。
この工程では、まず、Z板水晶基板に対して、(1)ク
ロムおよび金の2層で構成されるエッチング保護膜13
の形成、(2)レジスト膜14の塗布を行った後、
(3)探針パターンを含むマスクパターンの露光を行
い、(4)レジストの現像によって、現像されたレジス
ト膜15を形成し、(5)保護膜13のエッチングによ
ってパターン化された保護膜16を形成し、(6)水晶
基板12のエッチングを行い、図10fで原子間力顕微
鏡用プローブの外形を形成する。次に、圧電素子として
機能させるための電極を形成させるための金属層18を
形成させるが、この前に、図10g、hに示すように、
探針パターンを形成した側とは反対側に、カンチレバー
部だけのマスクパターンで形成された保護膜17を形成
して、探針部をさらにわずかだけエッチングすることも
可能である。これによって、探針先端部に図3bに示し
たような3つ目の結晶面を顕著に形成させることができ
る。もっとも、図10fの外形形状形成の段階で、探針
先端部では、エッチング液のマスクパターンへの回り込
みによって、おおかた3つ目の結晶面は形成されてしま
うと考えて良い。また、図10gにおけるマスクパター
ン17は、必ずしも必要ではなく、マスクパターンがな
い状態でエッチングを行ってもカンチレバー部が若干、
エッチングされるものの、おおむね同様の形状を得るこ
とができる。このように、先端が結晶面の頂点として形
成された場合、先端は、原子レベルのスケールで尖鋭化
されることになり、高い平面分解能を持つプローブとな
る。
ーブの製造工程の一例をZ板水晶基板12を用いた場合
について探針部分の断面図をもとに示したものである。
この工程では、まず、Z板水晶基板に対して、(1)ク
ロムおよび金の2層で構成されるエッチング保護膜13
の形成、(2)レジスト膜14の塗布を行った後、
(3)探針パターンを含むマスクパターンの露光を行
い、(4)レジストの現像によって、現像されたレジス
ト膜15を形成し、(5)保護膜13のエッチングによ
ってパターン化された保護膜16を形成し、(6)水晶
基板12のエッチングを行い、図10fで原子間力顕微
鏡用プローブの外形を形成する。次に、圧電素子として
機能させるための電極を形成させるための金属層18を
形成させるが、この前に、図10g、hに示すように、
探針パターンを形成した側とは反対側に、カンチレバー
部だけのマスクパターンで形成された保護膜17を形成
して、探針部をさらにわずかだけエッチングすることも
可能である。これによって、探針先端部に図3bに示し
たような3つ目の結晶面を顕著に形成させることができ
る。もっとも、図10fの外形形状形成の段階で、探針
先端部では、エッチング液のマスクパターンへの回り込
みによって、おおかた3つ目の結晶面は形成されてしま
うと考えて良い。また、図10gにおけるマスクパター
ン17は、必ずしも必要ではなく、マスクパターンがな
い状態でエッチングを行ってもカンチレバー部が若干、
エッチングされるものの、おおむね同様の形状を得るこ
とができる。このように、先端が結晶面の頂点として形
成された場合、先端は、原子レベルのスケールで尖鋭化
されることになり、高い平面分解能を持つプローブとな
る。
【0023】図11は、探針パターンとカンチレバーパ
ターンを含むマスクパターンで形成された保護膜19と
カンチレバーのみのマスクパターンで形成された保護膜
20によって、同時にエッチングを行い、プローブを形
成する例を示したものである。この場合、探針部の厚み
を図10で示したプローブに比べて、約1/2にするこ
とができる。
ターンを含むマスクパターンで形成された保護膜19と
カンチレバーのみのマスクパターンで形成された保護膜
20によって、同時にエッチングを行い、プローブを形
成する例を示したものである。この場合、探針部の厚み
を図10で示したプローブに比べて、約1/2にするこ
とができる。
【0024】次に、探針部分の膜厚をより薄くする製造
方法について述べる。図12の例では、(1)クロムお
よび金の2層で構成されるエッチング保護膜の形成、
(2)レジストの塗布を行った後、(3)探針パターン
を含まないマスクパターンの露光を行い、(4)レジス
トの現像によって、現像されたレジスト膜を形成し、
(5)保護膜のエッチングを行い、(6)水晶基板のエ
ッチングを行い、探針が形成される部分21が、薄く残
るところで、エッチングをやめ、エッチングした面に保
護膜22を形成し、エッチングを行った面とは反対側の
面に、(7)レジストの塗布、(8)マスクパターンの
露光、(9)レジストの現像、(10)保護膜のエッチ
ングを行い、マスクパターンで形成された保護膜23を
形成させ、(11)水晶基板のエッチングを行い、先端
を形成させている。この場合、保護膜22の形成は、必
ずしも必要ではなく、保護膜22がない場合には、探針
部の膜厚はさらに薄くなる。ただし、探針部の膜厚が、
十分に薄くない場合には、探針先端部に、予定外の結晶
面が出現することがある。
方法について述べる。図12の例では、(1)クロムお
よび金の2層で構成されるエッチング保護膜の形成、
(2)レジストの塗布を行った後、(3)探針パターン
を含まないマスクパターンの露光を行い、(4)レジス
トの現像によって、現像されたレジスト膜を形成し、
(5)保護膜のエッチングを行い、(6)水晶基板のエ
ッチングを行い、探針が形成される部分21が、薄く残
るところで、エッチングをやめ、エッチングした面に保
護膜22を形成し、エッチングを行った面とは反対側の
面に、(7)レジストの塗布、(8)マスクパターンの
露光、(9)レジストの現像、(10)保護膜のエッチ
ングを行い、マスクパターンで形成された保護膜23を
形成させ、(11)水晶基板のエッチングを行い、先端
を形成させている。この場合、保護膜22の形成は、必
ずしも必要ではなく、保護膜22がない場合には、探針
部の膜厚はさらに薄くなる。ただし、探針部の膜厚が、
十分に薄くない場合には、探針先端部に、予定外の結晶
面が出現することがある。
【0025】図13の例では、(1)クロムおよび金の
2層で構成されるエッチング保護膜の形成、(2)レジ
ストの塗布を行った後、(3)探針パターンを含むマス
クパターンの露光を行い、(4)レジストの現像によっ
て、現像されたレジスト膜を形成し、(5)保護膜のエ
ッチングを行い保護膜パターン24を形成し、(6)水
晶基板のエッチングを行い、探針部分25が、わずかに
形成された段階で、エッチングをやめ、エッチングした
面に(7)エッチング保護膜26を形成し、エッチング
された面とは反対の面に、(8)レジストの塗布、
(9)マスクパターンの露光、(10)レジストの現
像、(11)保護膜のエッチングを行い、マスクパター
のないカンチレバーパターンのみのパターン27を形成
し、(12)水晶基板のエッチングを行い、先端を形成
させている。
2層で構成されるエッチング保護膜の形成、(2)レジ
ストの塗布を行った後、(3)探針パターンを含むマス
クパターンの露光を行い、(4)レジストの現像によっ
て、現像されたレジスト膜を形成し、(5)保護膜のエ
ッチングを行い保護膜パターン24を形成し、(6)水
晶基板のエッチングを行い、探針部分25が、わずかに
形成された段階で、エッチングをやめ、エッチングした
面に(7)エッチング保護膜26を形成し、エッチング
された面とは反対の面に、(8)レジストの塗布、
(9)マスクパターンの露光、(10)レジストの現
像、(11)保護膜のエッチングを行い、マスクパター
のないカンチレバーパターンのみのパターン27を形成
し、(12)水晶基板のエッチングを行い、先端を形成
させている。
【0026】図14は、カンチレバーパターンのみのパ
ターン28を形成して、水晶基板の中央部分が薄く残る
までエッチングし、次に、カンチレバーパターンを取り
除き、片側の面には探針パターン29を形成し、反対側
の面は全面を被覆して、探針を形成させる例を示してい
る。
ターン28を形成して、水晶基板の中央部分が薄く残る
までエッチングし、次に、カンチレバーパターンを取り
除き、片側の面には探針パターン29を形成し、反対側
の面は全面を被覆して、探針を形成させる例を示してい
る。
【0027】図23は、はじめから探針パターン201
とカンチレバーパターン202をそれぞれの面に形成さ
せ、わずかにエッチングした後、探針パターン201の
上から保護被覆203を被覆して、さらに、基板が抜け
て探針が形成されるまでエッチングを進める例を示した
ものである。この方法の場合、マスクパターンの形成
は、はじめに行うだけで、薄型の探針の形成が可能であ
る。
とカンチレバーパターン202をそれぞれの面に形成さ
せ、わずかにエッチングした後、探針パターン201の
上から保護被覆203を被覆して、さらに、基板が抜け
て探針が形成されるまでエッチングを進める例を示した
ものである。この方法の場合、マスクパターンの形成
は、はじめに行うだけで、薄型の探針の形成が可能であ
る。
【0028】以上の方法によって、カンチレバー部分の
Z軸方向の厚みに対して、探針部分、あるいは、探針と
支持部分とこれにつながるカンチレバー部分の一部の厚
みを薄く形成することができる。
Z軸方向の厚みに対して、探針部分、あるいは、探針と
支持部分とこれにつながるカンチレバー部分の一部の厚
みを薄く形成することができる。
【0029】次に、X板水晶に対するエッチングによっ
て、プローブを形成する方法について述べる。図15で
は、X板水晶基板30に対して、Y軸方向に位置決めさ
れたカンチレバー用マスク31およびカンチレバー先端
付近に点状に形成された探針用マスク32を用いるレジ
スト露光、および、この露光パターンを基にしたエッチ
ングを行い、探針用保護膜33を頂点にした結晶面で構
成された突起34を構成することができる。次に、探針
用保護膜33を除去して、エッチングを行うことで、結
晶面を頂点とする突起35を得ることができる。こうし
て、外形を形成した水晶基板に対して、駆動電極を形成
することによって、原子間力顕微鏡用プローブとして、
機能させることができる。
て、プローブを形成する方法について述べる。図15で
は、X板水晶基板30に対して、Y軸方向に位置決めさ
れたカンチレバー用マスク31およびカンチレバー先端
付近に点状に形成された探針用マスク32を用いるレジ
スト露光、および、この露光パターンを基にしたエッチ
ングを行い、探針用保護膜33を頂点にした結晶面で構
成された突起34を構成することができる。次に、探針
用保護膜33を除去して、エッチングを行うことで、結
晶面を頂点とする突起35を得ることができる。こうし
て、外形を形成した水晶基板に対して、駆動電極を形成
することによって、原子間力顕微鏡用プローブとして、
機能させることができる。
【0030】これまでは、水晶のエッチング異方性を用
いて、製造する原子間力顕微鏡用プローブについて述べ
たが、次に、等方的なエッチングによって、探針先端を
形成した原子間力顕微鏡用プローブの例について述べ
る。図16aは、Z板水晶基板に対してY軸方向に形成
されたカンチレバー36およびX軸方向に角柱状に形成
された探針部37の先端が等方的エッチングによって、
尖鋭化されている原子間力顕微鏡用プローブである。
いて、製造する原子間力顕微鏡用プローブについて述べ
たが、次に、等方的なエッチングによって、探針先端を
形成した原子間力顕微鏡用プローブの例について述べ
る。図16aは、Z板水晶基板に対してY軸方向に形成
されたカンチレバー36およびX軸方向に角柱状に形成
された探針部37の先端が等方的エッチングによって、
尖鋭化されている原子間力顕微鏡用プローブである。
【0031】図16bは、探針はY方向に形成され、カ
ンチレバー38はX軸方向にたわむ構成の原子間力顕微
鏡用プローブにおいて、角柱状に形成された探針部39
の先端が等方的エッチングによって、尖鋭化されている
例である。さらに、図16cは、Y板水晶基板40をも
とに、X軸方向でかつ、片方のY板面に寄った形で、探
針部分41を膜厚の薄い角柱状に形成した探針部の先端
が等方的エッチングによって、尖鋭化されている例であ
る。
ンチレバー38はX軸方向にたわむ構成の原子間力顕微
鏡用プローブにおいて、角柱状に形成された探針部39
の先端が等方的エッチングによって、尖鋭化されている
例である。さらに、図16cは、Y板水晶基板40をも
とに、X軸方向でかつ、片方のY板面に寄った形で、探
針部分41を膜厚の薄い角柱状に形成した探針部の先端
が等方的エッチングによって、尖鋭化されている例であ
る。
【0032】このように等方的なエッチングは、探針先
端部の曲率半径は、結晶面によって構成される先端より
大きくなるが、全体的にアスペクト比の高い探針形状を
得やすいという特長を持っている。図16中では省略さ
れているが、カンチレバーのたわみを電気的に検出する
ための電極をカンチレバー上に形成することによって、
原子間力顕微鏡用プローブとして機能させることができ
る。
端部の曲率半径は、結晶面によって構成される先端より
大きくなるが、全体的にアスペクト比の高い探針形状を
得やすいという特長を持っている。図16中では省略さ
れているが、カンチレバーのたわみを電気的に検出する
ための電極をカンチレバー上に形成することによって、
原子間力顕微鏡用プローブとして機能させることができ
る。
【0033】このような原子間力顕微鏡用プローブを形
成するには、例えば図16cの例では、Z板水晶基板に
対してY軸方向に形成されたカンチレバー用マスクおよ
びX軸方向に帯状に形成された探針用マスクを用いて、
レジスト露光、および、この露光パターンを基にしたエ
ッチングを行い、さらに、探針先端部の尖鋭化のための
等方的なエッチングを行うことによって、形成させるこ
とができる。
成するには、例えば図16cの例では、Z板水晶基板に
対してY軸方向に形成されたカンチレバー用マスクおよ
びX軸方向に帯状に形成された探針用マスクを用いて、
レジスト露光、および、この露光パターンを基にしたエ
ッチングを行い、さらに、探針先端部の尖鋭化のための
等方的なエッチングを行うことによって、形成させるこ
とができる。
【0034】ここで、等方的なエッチングの方法につい
て述べる。まず、図17は、角柱状に形成された探針4
2をエッチング液43とその上に展開した非エッチング
液44の界面において、エッチングし、先端部を尖鋭化
する方法である。ここで、エッチング液としては、既に
述べたように、結晶面におけるエッチング速度に差が出
にくいフッ酸−フッ化アンモニウム混合液によるエッチ
ングが適している。非エッチング液としては、有機溶
媒、オイルなど、エッチング液より比重の小さな疎水性
の液体を利用することができる。
て述べる。まず、図17は、角柱状に形成された探針4
2をエッチング液43とその上に展開した非エッチング
液44の界面において、エッチングし、先端部を尖鋭化
する方法である。ここで、エッチング液としては、既に
述べたように、結晶面におけるエッチング速度に差が出
にくいフッ酸−フッ化アンモニウム混合液によるエッチ
ングが適している。非エッチング液としては、有機溶
媒、オイルなど、エッチング液より比重の小さな疎水性
の液体を利用することができる。
【0035】次に、図18に帯状に形成された探針42
の先端近くの部分以外をエッチング保護膜45で被覆
し、先端部を等方的なエッチング手段によって、エッチ
ングする手法を示したものである。また、図19では、
帯状に形成された探針42の中間部分以外をエッチング
保護膜46で被覆し、先端部を等方的なエッチング手段
によって、エッチングする手法を示している。この図1
8,19に示した手法においては、エッチング手段とし
ては、フッ酸−フッ化アンモニウム混合液によるエッチ
ングを用いることも、反応性イオンビームエッチングに
よるエッチングを用いることもできる。
の先端近くの部分以外をエッチング保護膜45で被覆
し、先端部を等方的なエッチング手段によって、エッチ
ングする手法を示したものである。また、図19では、
帯状に形成された探針42の中間部分以外をエッチング
保護膜46で被覆し、先端部を等方的なエッチング手段
によって、エッチングする手法を示している。この図1
8,19に示した手法においては、エッチング手段とし
ては、フッ酸−フッ化アンモニウム混合液によるエッチ
ングを用いることも、反応性イオンビームエッチングに
よるエッチングを用いることもできる。
【0036】この等方性エッチングをより均一に行うた
めには、被エッチング部位に対して、エッチング処理を
行う以前に、アニール処理を行うことが有効である。ア
ニール処理の一例としては、炭酸ガスレーザーを局部的
に照射して、水晶の融解点まで、加熱し、ガラス状にす
る手法を挙げることができる。
めには、被エッチング部位に対して、エッチング処理を
行う以前に、アニール処理を行うことが有効である。ア
ニール処理の一例としては、炭酸ガスレーザーを局部的
に照射して、水晶の融解点まで、加熱し、ガラス状にす
る手法を挙げることができる。
【0037】さらに、以上述べた原子間力顕微鏡用プロ
ーブについて、探針先端方向からのイオンビーム照射に
よって、さらに、探針の先端径を小さくするとともに、
アスペクト比を高めることも可能である。続いて、以上
に述べた原子間力顕微鏡用プローブを用いた走査型原子
間力顕微鏡の構成について説明する。
ーブについて、探針先端方向からのイオンビーム照射に
よって、さらに、探針の先端径を小さくするとともに、
アスペクト比を高めることも可能である。続いて、以上
に述べた原子間力顕微鏡用プローブを用いた走査型原子
間力顕微鏡の構成について説明する。
【0038】図20では、本発明の原子間力顕微鏡用プ
ローブ51を共振周波数で振動させる励振手段52と、
プローブの先端と試料表面との間に原子間力が作用した
結果生じるプローブの共振特性の変化を電気的特性変化
として検出するための手段52と、前記検出手段が出力
する検出信号に基づいて、前記プローブの先端と試料表
面の間隔を一定に保つための制御手段53とを有し、走
査手段54によって、試料表面の形状を観察することが
できる。
ローブ51を共振周波数で振動させる励振手段52と、
プローブの先端と試料表面との間に原子間力が作用した
結果生じるプローブの共振特性の変化を電気的特性変化
として検出するための手段52と、前記検出手段が出力
する検出信号に基づいて、前記プローブの先端と試料表
面の間隔を一定に保つための制御手段53とを有し、走
査手段54によって、試料表面の形状を観察することが
できる。
【0039】この場合、励振手段は、カンチレバーを電
気的に駆動する交流駆動信号を発生するための駆動回路
52であり、前記検出手段は、原子間力が作用した結果
生じる前記交流駆動信号の電流変化をプローブに設けら
れた電極55から検出し、前記プローブの先端部と試料
表面との間隔を一定に保つための検出信号を出力する機
能を有する。
気的に駆動する交流駆動信号を発生するための駆動回路
52であり、前記検出手段は、原子間力が作用した結果
生じる前記交流駆動信号の電流変化をプローブに設けら
れた電極55から検出し、前記プローブの先端部と試料
表面との間隔を一定に保つための検出信号を出力する機
能を有する。
【0040】また、この他、図21に示すように、励振
手段をカンチレバーを外部から振動するバイモルフ56
として、検出手段57は、バイモルフによって、振動さ
れた結果としてプローブに生じる電荷が、原子間力の作
用によって、変化するのを電極55から検出し、前記プ
ローブの先端部と試料表面との間隔を一定に保つための
検出信号を出力する構成も可能である。
手段をカンチレバーを外部から振動するバイモルフ56
として、検出手段57は、バイモルフによって、振動さ
れた結果としてプローブに生じる電荷が、原子間力の作
用によって、変化するのを電極55から検出し、前記プ
ローブの先端部と試料表面との間隔を一定に保つための
検出信号を出力する構成も可能である。
【0041】さらに、励振手段の励振信号とプローブの
電極55から検出される電気信号との位相を比較するこ
とで、励振信号の周波数をカンチレバーの共振周波数に
追従させ、原子間力が発生した結果生じる共振周波数変
化を検出して、この検出信号をもとに共振周波数を一定
に保つよう制御することで、プローブの先端と試料表面
の間隔を一定に保つこともできる。
電極55から検出される電気信号との位相を比較するこ
とで、励振信号の周波数をカンチレバーの共振周波数に
追従させ、原子間力が発生した結果生じる共振周波数変
化を検出して、この検出信号をもとに共振周波数を一定
に保つよう制御することで、プローブの先端と試料表面
の間隔を一定に保つこともできる。
【0042】次に、本発明のプローブを用いて、液中測
定を行う構成について述べる。図22では、カンチレバ
ープローブ部51の上面と側面を覆い、前記プローブの
先端部を前記試料表面に満たした液体61中に挿入した
状態で、前記試料表面を液中環境で観察するためのカバ
ー62を設けることによって、探針先端部のみが液中に
挿入されるような構成になっており、液中での測定を可
能にしている。
定を行う構成について述べる。図22では、カンチレバ
ープローブ部51の上面と側面を覆い、前記プローブの
先端部を前記試料表面に満たした液体61中に挿入した
状態で、前記試料表面を液中環境で観察するためのカバ
ー62を設けることによって、探針先端部のみが液中に
挿入されるような構成になっており、液中での測定を可
能にしている。
【0043】なお、以上述べた、プローブのサイズは、
X軸方向のたわみを用いるタイプのプローブでは、カン
チレバー長で、0.2から2mm程度の大きさであり、
共振周波数は、10kHzから500kHz程度のもの
まで、カンチレバー部の長さや厚さを変えることによっ
て、製造が可能である。また、Q値については、通常
で、1000程度、対称な振動の構造の場合には、10
000程度の値が得られる。Y板を用いる場合は、厚み
が、0.1から0.5mm程度で、共振周波数は、5か
ら20MHz程度である。本発明のプローブの原子間力
顕微鏡としての、探針−試料間での距離方向の制御感度
は、従来のシリコン、窒化シリコンのカンチレバーを光
学的な手法で、制御するのに比べて、同等以上である。
X軸方向のたわみを用いるタイプのプローブでは、カン
チレバー長で、0.2から2mm程度の大きさであり、
共振周波数は、10kHzから500kHz程度のもの
まで、カンチレバー部の長さや厚さを変えることによっ
て、製造が可能である。また、Q値については、通常
で、1000程度、対称な振動の構造の場合には、10
000程度の値が得られる。Y板を用いる場合は、厚み
が、0.1から0.5mm程度で、共振周波数は、5か
ら20MHz程度である。本発明のプローブの原子間力
顕微鏡としての、探針−試料間での距離方向の制御感度
は、従来のシリコン、窒化シリコンのカンチレバーを光
学的な手法で、制御するのに比べて、同等以上である。
【0044】これまでの記述において、X,Y,Z板に
ついては、必ずしも厳密なX,Y,Z板である必要はな
く、結晶軸に対して、若干の傾きを持っていても実用上
問題はない。また、製造法の実施例の説明図において、
プローブを1個として、記載したが、実際には、同一基
板内に複数個のプローブを同時に形成することが可能で
ある。すなわち、プローブの電極を配置した基部で基板
に保持されるようパターニングすることで、プローブ
は、プロセスの終了する段階まで、基板に保持された状
態が保たれることになる。
ついては、必ずしも厳密なX,Y,Z板である必要はな
く、結晶軸に対して、若干の傾きを持っていても実用上
問題はない。また、製造法の実施例の説明図において、
プローブを1個として、記載したが、実際には、同一基
板内に複数個のプローブを同時に形成することが可能で
ある。すなわち、プローブの電極を配置した基部で基板
に保持されるようパターニングすることで、プローブ
は、プロセスの終了する段階まで、基板に保持された状
態が保たれることになる。
【0045】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。本発明
の原子間力顕微鏡用プローブおよび走査型原子間力顕微
鏡によって、従来の光検出手法を用いない、簡便に観察
を行うことが可能になり、本発明の原子間力顕微鏡用プ
ローブの製造方法によって、比較的簡便にプローブの製
造を行うことが可能になるとともに、高解像度の原子間
力顕微鏡用プローブの提供が可能になった。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。本発明
の原子間力顕微鏡用プローブおよび走査型原子間力顕微
鏡によって、従来の光検出手法を用いない、簡便に観察
を行うことが可能になり、本発明の原子間力顕微鏡用プ
ローブの製造方法によって、比較的簡便にプローブの製
造を行うことが可能になるとともに、高解像度の原子間
力顕微鏡用プローブの提供が可能になった。
【図1】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの説明
図である。
図である。
【図2】水晶結晶の結晶面の説明である。
【図3】本発明による原子間力顕微鏡用プローブ先端部
の説明図である。
の説明図である。
【図4】本発明による原子間力顕微鏡用プローブ先端部
の説明図である。
の説明図である。
【図5】本発明による原子間力顕微鏡用プローブ先端部
の説明図である。
の説明図である。
【図6】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの説明
図である。
図である。
【図7】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの説明
図である。
図である。
【図8】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの説明
図である。
図である。
【図9】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製造
方法の説明図である。
方法の説明図である。
【図10】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図11】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図12】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図
造方法の説明図
【図13】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図14】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図15】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図16】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの説
明図である。
明図である。
【図17】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図18】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図19】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
【図20】本発明による走査型原子間力顕微鏡用の説明
図である。
図である。
【図21】本発明による走査型原子間力顕微鏡用の説明
図である。
図である。
【図22】本発明による走査型原子間力顕微鏡用の説明
図である。
図である。
【図23】本発明による原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法の説明図である。
造方法の説明図である。
1 カンチレバー部 2 探針部 3 結晶面 4 電極 5 電極端子 6 リード線 7 支持基板 8 探針の支持部分 9 探針先端部分の点 10 結晶面 11 探針先端部のマスクの開き角 12 水晶基板 13 エッチング保護膜 14 レジスト膜 15 現像されたレジスト膜 16、17 パターン化された保護膜 18 金属層 19、20 パターン化された保護膜 21 水晶基板の探針部分 22 保護膜 23、24 パターン化された保護膜 25 水晶基板の探針部分 26、27、28、29 パターン化された保護膜 30 水晶基板 31 カンチレバー用マスク 32 探針用マスク 33 探針用保護膜 34、35 水晶の突起 36 カンチレバー 37 探針 38 カンチレバー 39 探針 40 水晶基板 41、42 探針 43 エッチング液 44 非エッチング液 45、46 保護膜 51 原子間力顕微鏡用プローブ 52 励振手段と検出手段 53 制御手段 54 走査手段 55 電極 56 バイモルフ 61 液体 62 カバー 201、202 パターン化された保護膜 203 保護膜
Claims (31)
- 【請求項1】 カンチレバー部と探針部によって、構成
される原子間力顕微鏡用プローブにおいて、探針が単結
晶材料によって形成され、探針の先端部がすくなくとも
2つの結晶面を含む3つの面の頂点として形成されるこ
とを特徴とする原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項2】 上記単結晶材料が水晶であり、上記カン
チレバー部が、上記探針と同一の水晶で構成されるとと
もに、上記カンチレバーのたわみを電気的に検出するた
めの電極が上記カンチレバー上に形成されていることを
特徴とする請求項1記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項3】 探針先端の向きおよびカンチレバーのた
わみ方向が水晶結晶のX軸方向であることを特徴とする
請求項2記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項4】 上記2つの結晶面がともに、水晶結晶の
+Z軸あるいは−Z軸方向のいずれか一方向からなるこ
とを特徴とする請求項3記載の原子間力顕微鏡用プロー
ブ。 - 【請求項5】 探針先端の3つの面がすべて結晶面から
構成される請求項1記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項6】 探針部分が結晶面で形成された先端部と
結晶面の基板に対する開き角を超えない角度で、カンチ
レバー部分との間に形成された支持部分を有することを
特徴とする請求項3記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項7】 カンチレバー部分のZ軸方向の厚みに対
して、探針部分、探針と支持部分、あるいは、探針と支
持部分とこれにつながるカンチレバー部分の一部の厚み
が薄く形成されていることを特徴とする請求項1から6
記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項8】 探針を有するカンチレバーと対に振動可
能なカンチレバーを一体に有することを特徴とする請求
項2記載の原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項9】 探針およびカンチレバーをY軸方向に形
成させ、カンチレバーのたわみ方向がX軸方向であるこ
とを特徴とする請求項2記載の原子間力顕微鏡用プロー
ブ。 - 【請求項10】 Y板水晶基板をもとに、X軸方向でか
つ、片方のY板面に寄った形で、探針部分の膜厚を薄く
形成した探針をずり振動により動作可能な構成としたこ
とを特徴とする請求項2記載の原子間力顕微鏡用プロー
ブ。 - 【請求項11】 すくなくとも、カンチレバー用マスク
および2つの結晶面の基板に対する開き角以内で形成さ
れた探針用マスクを用いるレジスト露光、および、この
露光パターンを基にしたエッチングプロセスを含む原子
間力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項12】 水晶板の裏表いずれか一方のマスクパ
ターンに探針のパターンを有することを特徴とする請求
項11記載の原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項13】 すくなくとも、Z板水晶基板に対し
て、(1)エッチング保護膜の形成、(2)レジストの
塗布、(3)マスクパターンの露光、(4)レジストの
現像、(5)保護膜のエッチング、(6)水晶基板のエ
ッチング、のプロセスを含む請求項12記載の原子間力
顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項14】 すくなくとも、Z板水晶基板に対し
て、(1)エッチング保護膜の形成、(2)レジストの
塗布、(3)マスクパターンの露光、(4)レジストの
現像、(5)保護膜のエッチング、(6)水晶基板のエ
ッチング、(7)レジストの塗布、(8)マスクパター
ンの露光、(9)レジストの現像、(10)保護膜のエ
ッチング、(11)水晶基板のエッチング、のプロセス
を含む請求項12記載の原子間力顕微鏡用プローブの製
造方法。 - 【請求項15】 すくなくとも、Z板水晶基板に対し
て、(1)エッチング保護膜の形成、(2)レジストの
塗布、(3)マスクパターンの露光、(4)レジストの
現像、(5)保護膜のエッチング、(6)水晶基板のエ
ッチング、(7)エッチング保護膜の形成、(8)レジ
ストの塗布、(9)マスクパターンの露光、(10)レ
ジストの現像、(11)保護膜のエッチング、(12)
水晶基板のエッチング、のプロセスを含む請求項12記
載の原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項16】 すくなくとも、X板水晶基板に対して
Y軸方向に位置決めされたカンチレバー用マスクおよび
カンチレバー先端付近に点状に形成された探針用マスク
を用いるレジスト露光、および、この露光パターンを基
にしたエッチングプロセスを含む原子間力顕微鏡用プロ
ーブの製造方法。 - 【請求項17】 水晶基板に対して形成されたカンチレ
バーと一体に角柱状に形成された探針部の先端が等方的
エッチングによって、尖鋭化されていることを特徴とす
る原子間力顕微鏡用プローブ。 - 【請求項18】 カンチレバーのたわみを電気的に検出
するための電極がカンチレバー上に形成されていること
を特徴とする請求項17記載の原子間力顕微鏡用プロー
ブ。 - 【請求項19】 すくなくとも、水晶基板に対して形成
されたカンチレバー用マスクおよび帯状に形成された探
針用マスクを用いるレジスト露光、および、この露光パ
ターンを基にしたエッチングプロセス、さらに、探針先
端部の尖鋭化のためのエッチングプロセスを含む原子間
力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項20】 上記尖鋭化プロセスが、エッチング液
とその上に展開した非エッチング液の界面において、角
柱状に形成された探針をエッチングすることを特徴とす
る請求項19記載の原子間力顕微鏡用プローブの製造方
法。 - 【請求項21】 上記尖鋭化プロセスが、帯状に形成さ
れた探針の先端近くの部分以外をエッチング保護膜で被
覆し、先端部を等方的なエッチング手段によって、エッ
チングすることによって、尖鋭な先端を形成することを
特徴とする請求項19記載の原子間力顕微鏡用プローブ
の製造方法。 - 【請求項22】 上記尖鋭化プロセスが、角柱状に形成
された探針の中間部分以外をエッチング保護膜で被覆
し、中間部を等方的なエッチング手段によって、エッチ
ングするによって、尖鋭な先端を形成することを特徴と
する請求項19記載の原子間力顕微鏡用プローブの製造
方法。 - 【請求項23】 上記エッチング手段がフッ酸−フッ化
アンモニウム混合液によるエッチングであることを特徴
とする請求項21あるいは22記載の原子間力顕微鏡用
プローブの製造方法。 - 【請求項24】 上記エッチング手段が反応性イオンビ
ームエッチングであることを特徴とする請求項19ある
いは20記載の原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項25】 被エッチング部位に対して、エッチン
グ処理を行う以前に、アニールプロセスを有することを
特徴とする請求項19から24記載の原子間力顕微鏡用
プローブの製造方法。 - 【請求項26】 探針先端方向からのイオンビーム照射
によって、さらに、探針のアスペクト比を高めるプロセ
スを含むことを特徴とする請求項11から16、19か
ら25記載の原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。 - 【請求項27】 すくなくとも、請求項2から26記載
の原子間力顕微鏡用プローブ、あるいは、原子間力顕微
鏡用プローブの製造方法によって製作した原子間力顕微
鏡用プローブを有し、前記プローブを共振周波数で振動
させる励振手段と、前記プローブの先端と前記試料表面
との間に原子間力が作用した結果生じる前記プローブの
共振特性の変化を電気的特性変化として検出するための
手段と、前記検出手段が出力する検出信号に基づいて、
前記プローブの先端と試料表面の間隔を一定に保つため
の制御手段とを有し、走査手段によって、試料表面の形
状を観察する原子間力顕微鏡。 - 【請求項28】 前記励振手段は、プローブを電気的に
駆動する交流駆動信号を発生するための駆動回路であ
り、前記検出手段は、原子間力が作用した結果生じる前
記交流駆動信号の電流変化を前記電極から検出し、前記
プローブの先端部と試料表面との間隔を一定に保つため
の検出信号を出力する請求項27記載の原子間力顕微
鏡。 - 【請求項29】 前記励振手段は、前記プローブを外部
から振動するバイモルフであり、前記検出手段は、前記
バイモルフによって、振動された結果として前記プロー
ブに生じる電荷が、原子間力の作用によって、変化する
のを前記電極から検出し、前記プローブの先端部と試料
表面との間隔を一定に保つための検出信号を出力する請
求項27記載の原子間力顕微鏡。 - 【請求項30】 前記励振手段の励振信号と前記プロー
ブの前記電極から検出される電気信号との位相を比較す
ることで、前記励振信号の周波数を前記カンチレバーの
共振周波数に追従させる手段を備え、前記原子間力が発
生した結果生じる共振周波数変化を検出して検出信号を
出力するとともに、前記制御手段は、前記プローブの共
振周波数を一定に保つよう制御することで、前記プロー
ブの先端と試料表面の間隔を一定に保つ請求項27記載
の原子間力顕微鏡。 - 【請求項31】 前記プローブの上面と側面を覆い、前
記プローブの先端部を前記試料表面に満たした液体中に
挿入した状態で、前記試料表面を液中環境で観察するた
めのカバーを有することを特徴とする請求項27記載の
原子間力顕微鏡。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29404596A JP3370527B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-11-06 | 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 |
DE69714320T DE69714320T2 (de) | 1996-03-08 | 1997-03-06 | Sonde für Atomkraftmikroskop, Verfahren zur Herstellung der Sonde und Atomkraftmikroskop |
US08/812,846 US5877412A (en) | 1996-03-08 | 1997-03-06 | Probe for atomic force microscope and atomic force microscope |
EP97103780A EP0794406B1 (en) | 1996-03-08 | 1997-03-06 | Probe for atomic force microscope, method of fabricating same, and atomic force microscope |
CA002199528A CA2199528A1 (en) | 1996-03-08 | 1997-03-07 | Probe for atomic force microscope, method of fabricating same, and atomic force microscope |
US09/235,668 US6358426B1 (en) | 1996-03-08 | 1999-01-22 | Method of fabricating probe force atomic force microscope |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-52109 | 1996-03-08 | ||
JP5210996 | 1996-03-08 | ||
JP29404596A JP3370527B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-11-06 | 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09297148A true JPH09297148A (ja) | 1997-11-18 |
JP3370527B2 JP3370527B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=26392718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29404596A Expired - Fee Related JP3370527B2 (ja) | 1996-03-08 | 1996-11-06 | 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5877412A (ja) |
EP (1) | EP0794406B1 (ja) |
JP (1) | JP3370527B2 (ja) |
CA (1) | CA2199528A1 (ja) |
DE (1) | DE69714320T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000258330A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19740763C2 (de) * | 1997-09-16 | 2001-06-07 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Hebelarm für ein Rasterkraftmikroskop |
US6415653B1 (en) * | 1998-03-24 | 2002-07-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Cantilever for use in a scanning probe microscope |
US6405584B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-06-18 | Agere Systems Guardian Corp. | Probe for scanning probe microscopy and related methods |
US6437329B1 (en) | 1999-10-27 | 2002-08-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Use of carbon nanotubes as chemical sensors by incorporation of fluorescent molecules within the tube |
US6583412B2 (en) * | 2000-03-17 | 2003-06-24 | University Of Utah Research Foundation | Scanning tunneling charge transfer microscope |
US6455847B1 (en) | 2000-04-26 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Carbon nanotube probes in atomic force microscope to detect partially open/closed contacts |
DE10027060B4 (de) * | 2000-06-05 | 2006-11-30 | Nanosurf Ag | Abtastspitzen,Verfahren zur Herstellung und Verwendung derselben, insbesondere für die Rastersondenmikroskopie |
US6504151B1 (en) * | 2000-09-13 | 2003-01-07 | Fei Company | Wear coating applied to an atomic force probe tip |
JP2003215161A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード |
US7089787B2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-08-15 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Torsional harmonic cantilevers for detection of high frequency force components in atomic force microscopy |
KR100624434B1 (ko) * | 2004-09-07 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법 |
US7444856B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-11-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Sensors for electrochemical, electrical or topographical analysis |
WO2006042065A2 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Imago Scientific Instruments Corporation | Method to form microptips |
US9423693B1 (en) | 2005-05-10 | 2016-08-23 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
US7571638B1 (en) * | 2005-05-10 | 2009-08-11 | Kley Victor B | Tool tips with scanning probe microscopy and/or atomic force microscopy applications |
KR100664443B1 (ko) * | 2005-08-10 | 2007-01-03 | 주식회사 파이컴 | 캔틸레버형 프로브 및 그 제조 방법 |
DE102006011598A1 (de) * | 2006-03-10 | 2007-09-13 | Universität Hamburg | Cantilever eines Rastersondenmikroskops |
US7603891B2 (en) * | 2006-04-25 | 2009-10-20 | Asylum Research Corporation | Multiple frequency atomic force microscopy |
CN101501785A (zh) * | 2006-06-02 | 2009-08-05 | 维克托·B·克利 | 针对米到亚纳米长度范围内的高速测量、分析和成像的系统及方法 |
US7784107B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-08-24 | Victor B. Kley | High speed measurement, analysis and imaging systems and methods for length scales from meter to sub-nanometer |
US8024963B2 (en) * | 2006-10-05 | 2011-09-27 | Asylum Research Corporation | Material property measurements using multiple frequency atomic force microscopy |
JP4916893B2 (ja) * | 2007-01-05 | 2012-04-18 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブの製造方法 |
US8484761B2 (en) | 2008-06-11 | 2013-07-09 | Imec | Method for cost-efficient manufacturing diamond tips for ultra-high resolution electrical measurements and devices obtained thereof |
WO2012057723A1 (en) | 2009-10-22 | 2012-05-03 | Proksch, Roger | Thermal measurements using multiple frequency atomic force microscopy |
DE102010023353B4 (de) | 2010-06-10 | 2022-05-05 | Jenoptik Industrial Metrology Germany Gmbh | Tastarm für ein Oberflächenmeßgerät |
US8984966B2 (en) * | 2011-10-04 | 2015-03-24 | Femtotools Ag | Sub-millinewton capacitive MEMS force sensor for mechanical testing on a microscope |
US8689361B1 (en) | 2012-10-29 | 2014-04-01 | Oicmicro, LLC | Method of making thin film probe tip for atomic force microscopy |
US9778572B1 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-03 | Victor B. Kley | In-plane scanning probe microscopy tips and tools for wafers and substrates with diverse designs on one wafer or substrate |
US9383388B2 (en) | 2014-04-21 | 2016-07-05 | Oxford Instruments Asylum Research, Inc | Automated atomic force microscope and the operation thereof |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3771711D1 (de) * | 1987-05-12 | 1991-08-29 | Ibm | Atomares kraeftemikroskop mit oscillierendem quarz. |
DE68902141T2 (de) * | 1989-08-16 | 1993-02-25 | Ibm | Verfahren fuer die herstellung mikromechanischer messfuehler fuer afm/stm-profilometrie und mikromechanischer messfuehlerkopf. |
JPH03218998A (ja) | 1989-10-10 | 1991-09-26 | Univ Leland Stanford Jr | 探針付きカンチレバー及びその製造方法 |
US5021364A (en) * | 1989-10-31 | 1991-06-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Microcantilever with integral self-aligned sharp tetrahedral tip |
JP2624873B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1997-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法 |
JP3053456B2 (ja) * | 1990-08-31 | 2000-06-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその作製方法 |
JP3010318B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-02-21 | キヤノン株式会社 | 微小プローブ、その製造方法、該プローブを用いた表面観察装置及び情報処理装置 |
US5264696A (en) * | 1991-05-20 | 1993-11-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Cantilever chip for scanning probe microscope having first and second probes formed with different aspect ratios |
JPH06103176A (ja) | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Sony Corp | 不揮発性メモリの処理方法 |
JPH06323845A (ja) | 1993-03-19 | 1994-11-25 | Tadatomo Suga | 走査型力顕微鏡用薄膜式力検出プローブ |
US5883387A (en) * | 1994-11-15 | 1999-03-16 | Olympus Optical Co., Ltd. | SPM cantilever and a method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-11-06 JP JP29404596A patent/JP3370527B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-06 EP EP97103780A patent/EP0794406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-06 US US08/812,846 patent/US5877412A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-06 DE DE69714320T patent/DE69714320T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-07 CA CA002199528A patent/CA2199528A1/en not_active Abandoned
-
1999
- 1999-01-22 US US09/235,668 patent/US6358426B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000258330A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
WO2008001805A1 (fr) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cathode de rayonnement d'électrons en diamant, source d'électrons, microscope électronique et dispositif d'exposition de faisceau électronique |
JPWO2008001805A1 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-11-26 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド電子放射陰極、電子源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
US7898161B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-03-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond electron radiation cathode, electron source, electron microscope, and electron beam exposer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69714320D1 (de) | 2002-09-05 |
EP0794406B1 (en) | 2002-07-31 |
JP3370527B2 (ja) | 2003-01-27 |
EP0794406A1 (en) | 1997-09-10 |
US5877412A (en) | 1999-03-02 |
US6358426B1 (en) | 2002-03-19 |
CA2199528A1 (en) | 1997-09-08 |
DE69714320T2 (de) | 2003-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3370527B2 (ja) | 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡 | |
US5354985A (en) | Near field scanning optical and force microscope including cantilever and optical waveguide | |
JP4288914B2 (ja) | 共振デバイスの製造方法 | |
US8756710B2 (en) | Miniaturized cantilever probe for scanning probe microscopy and fabrication thereof | |
US6242276B1 (en) | Method for fabricating micro inertia sensor | |
JPH0875475A (ja) | 共振子、当該共振子を用いた光走査装置、視覚認識装置、振動センサ及び振動ジャイロ | |
JP2003019700A (ja) | マイクロ構造体、およびその作製方法 | |
US5717132A (en) | Cantilever and process for fabricating it | |
JP3230359B2 (ja) | 共振型振動素子 | |
JP4667544B2 (ja) | エッチング方法 | |
JPH08105748A (ja) | 角速度センサ、その共振周波数調整方法及びその製造方法 | |
KR100388916B1 (ko) | 주사 탐침 현미경용 캔틸레버 및 그의 제조 방법 | |
JPH10270719A (ja) | 半導体慣性センサ及びその製造方法 | |
JPH1183498A (ja) | 半導体振動子の振動調整方法 | |
JP4785537B2 (ja) | プローブ、走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの製造方法 | |
JP4554118B2 (ja) | 音叉型角速度センサ素子の製造方法 | |
JP2001264066A (ja) | 振動型ジャイロスコープおよびその製造方法 | |
JP3834378B2 (ja) | カンチレバーチップ | |
JP4428058B2 (ja) | 弾性表面波素子用結晶材、その製造方法および球状弾性表面波素子 | |
JP4751190B2 (ja) | 温度測定用プローブ | |
KR100233848B1 (ko) | 마이크로 자이로스코프 제조 방법 | |
JPH112638A (ja) | カンチレバーの製造方法およびカンチレバー、並びにその方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JPH09211019A (ja) | 半導体梁構造およびこの半導体梁構造を用いた半導体センサならびに半導体梁構造の製造方法 | |
JP3188929B2 (ja) | 振動ジャイロの振動体共振周波数の調整方法 | |
JP2006255847A (ja) | ナノピンセット、これを備える微小力計測装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |