KR100624434B1 - 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법 - Google Patents

저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 단계와, 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 단계를 구비한다.

Description

저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법{Semiconductor probe with resistive tip and methoc of fabricating the same}
도 1은 종래의 반도체 탐침을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 탐침의 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 탐침을 보여주는 도면이다.
도 4a 내지 도 4l는 본 발명의 실시예에 따른 탐침의 제조방법을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 작용을 설명하는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
20,41: 캔티레버 22,30,50: 저항성 팁
31: 기판 32,52 ; 제1반도체 전극영역
33 ; 마스크막 34, 54 ; 제2반도체 전극영역
35,37,42 ; 감광제 36, 56 ; 저항 영역
44 ; 절연층 38 ; 포토마스크
46 ; 전극 패드 53 ; 기록매체
55 ; 하부전극 68 ; 공핍영역
본 발명은 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침과 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침과 그 제조방법에 관한 것이다.
오늘날 휴대용 통신 단말기, 전자 수첩등 소형 제품에 대한 수요가 증가함에 따라 초소형 고집적 비휘발성 기록매체의 필요성이 증가하고 있다. 기존의 하드 디스크는 소형화가 용이하지 아니하며, 플래쉬 메모리(flash memory)는 고집적도를 달성하기 어려우므로 이에 대한 대안으로 주사 탐침(Scanning probe)을 이용한 정보 저장 장치가 연구되고 있다.
탐침은 여러 SPM(Scanning Probe Microscopy)기술에 이용된다. 예를 들어, 탐침과 시료 사이에 인가되는 전압차이에 따라 흐르는 전류를 검출하여 정보를 재생하는 주사관통현미경(Scanning Tunneling Microscope; STM), 탐침과 시료 사이의 원자적 힘을 이용하는 원자간력 현미경(Atomic Force Microscope; AFM), 시료의 자기장과 자화된 탐침간의 힘을 이용하는 자기력 현미경(Magnetic Force Microscope; MFM), 가시광선의 파장에 의한 해상도 한계를 개선한 근접장 주사 광학 현미경(Scanning Near-Field Optical Microscope; SNOM), 시료와 탐침간의 정전력을 이용한 정전력 현미경(Electrostatic Force Microscope;EFM) 등에 이용된다.
이러한 SPM 기술을 이용하여 정보를 고속 고밀도로 기록 및 재생하기 위해서 는 수십나노미터 직경의 작은 영역에 존재하는 표면전하를 검출할 수 있어야 하며, 기록 및 재생속도를 향상시키기 위해 캔티레버를 어레이 형태로 제작할 수 있어야 한다.
도 1은 국제특허 공개번호 WO 03/096409 호에 개시된 반도체 탐침을 개략적으로 도시한 도면이다.
반도체 탐침은 캔티레버(10)와 캔티레버(10)의 일단부에 형성된 팁(12)으로 이루어져 있다. 상기 팁(12)은 저항성 영역과 저항성 영역의 양측에 형성된 전극영역으로 이루어져 있다. 일반적으로 탐침을 이용해 기판의 물리량을 측정할 때, 캔티레버(10)는 대략 15도 각도로 기울어져서 탐침을 하게 된다. 캔티레버(10)와 탐침을 접촉시킬 기판(14)과의 기울어진 각도를 θ, 팁 높이를 h, 그리고 팁 끝과 캔티레버 단(11)까지의 거리를 d라고 할 때, 캔티레버(10)의 단(11)과 탐침이 접촉된 기판(14)과의 간격 g는 도 1로부터 기하학적으로 계산되어 다음 식 1로 표현된다.
Figure 112004040469988-pat00001
저항성 팁을 이용하여 기판의 정보를 측정할 때, 팁의 높이가 낮을 경우 다음과 같은 장점이 있다. 첫째, 전극영역의 저항이 낮아져 시리즈 저항이 줄어들고 감도가 증가한다. 둘째, 전극영역의 저항을 낮추기 위해 진행하는 2차 이온주입 공정을 생략할 수 있다. 그러나, 기존의 탐침 공정에서는, 팁과 캔티레버 마스크의 정렬공정 마진을 고려한 캔티레버 단(11)과 팁 끝간의 간격(d)이 존재하므로, 팁 높이를 낮출 경우 캔티레버 단(11)이 기판(14)과 매우 근접하게 되고, 결국 팁(12)보다 캔티레버 단(11)이 먼저 기판(14)에 닿게 되는 문제가 발생한다. 예를 들어, 팁(12)과 캔티레버 단(11)의 정렬마진을 1 ㎛로 고려할 경우, 팁 높이(h)가 540 nm 이하가 되면 캔티레버의 단(11)이 기판(140)에 닿게 된다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 저항성 팁이 정렬마진 없이 캔티레버의 단에 형성된 반도체 탐침 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은,
제1불순물로 도핑된 반 사각뿔 형상의 팁;
상기 팁이 일단부 상에 위치하는 캔티레버;
상기 팁의 첨두부에서 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물로 저농도로 도핑된 저항영역; 및
상기 팁의 경사면에서 상기 제2불순물이 고농도로 도핑되며, 서로 이격되게형성되며, 상기 저항영역과 전기적으로 연결된 제1 및 제2반도체 전극영역;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 팁의 수직면은 상기 캔티레버의 상기 일단부면과 일치되게 형성된다.
상기의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은,
제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 상기 제1불순물과 다른 극성의 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극 영역을 형성하는 제1단계;
상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극 영역 사이의 거리를 좁히고, 상기 제1 및 제2 반도체 전극 영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 제2단계;
상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 제3단계;
상기 기판 상에 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 제4단계;
상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 제5단계; 및
상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 제6단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일국면에 따르면, 상기 제2단계는,
상기 제1 및 제2반도체 전극영역에서 확산된 저항영역이 서로 접촉되어 첨두부 형성부를 형성하는 단계;를 더 포함한다.
또한, 상기 제4단계는, 상기 제1감광제를 덮도록 제2감광제를 도포한 후, 패 터닝하여 패터닝된 제2감광제가 상기 마스크막 상의 제1감광제의 일부 상에 배치되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 제6단계는,
상기 패터닝된 마스크막을 제거한 기판을 산소 분위기에서 열처리하여 표면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계; 및
상기 산화막을 제거하여 상기 저항성 영역의 단을 뾰족하게 하는 단계;를 더 구비한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법을 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 탐침의 구조를 보여주는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 실리콘 기판(31)의 상부에 절연층(44)이 적층되어 있으며, 절연층(44)의 상면에는 전극(46)이 형성되어 있다. 기판(31)의 표면의 실리콘층으로부터 연장되어 캔티레버(41)가 형성되어 있으며, 캔티레버(41)의 단의 표면에 수직한 방향으로 반사각뿔 형상의 저항성 팁(30)이 형성되어 있다. 저항성 팁(30)의 경사면에는 제2불순물이 고농도 도핑된 제1 및 제2반도체 전극 영역(32, 34)이 형성되어 있으며, 상기 팁(30)의 첨두부에는 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항 영역(36)이 위치하고 있다. 제1 및 제2 반도체 전극 영역(32, 34)은 저항영역과 전기적으로 연결되어 있으며, 캔티레버(41)를 통해 금속 전극(39)과 연결된다. 상기 팁(30)은 캔티레버(41) 상에서 정렬마진 없이 형성되어 있다. 즉, 팁(30)의 수직면은 상기 캔티레버(41)의 단과 일치되게 형성되어 있다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 탐침을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 탐침은 캔티레버(20)와, 캔티레버(20)이 단에 형성된 반사각뿔 형상의 팁(22)을 구비한다. 캔티레버(20)에는 종래의 제조공정상 오차를 감안한 정렬마진(도 1의 d)이 "0'이므로 캔티레버(20)의 단이 탐침대상물(24)에 닿지 않는다. 따라서, 저항성 팁(22)의 제조에 있어서, 높이(h)의 제한이 없다.
도 4a 내지 도 4l은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 탐침의 제조과정을 순차적으로 보여주는 사시도이다.
먼저, 제1불순물로 도핑된 실리콘 기판(31) 또는 SOI(Silicon On Insulator) 기판의 표면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등의 마스크막(33)을 형성하고, 마스크막(33) 상에 감광제(35)를 도포한다. 이어서, 스트라이프 형상의 마스크(38)를 감광제(35) 상방에 배치시킨다(도 4a 참조).
이어서, 마스크(38)를 사용하여 감광제(35)를 노광, 현상 및 식각 공정을 수행하여 패터닝한다. 사진 및 식각공정을 통해, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스트라이프 형상의 마스크막(33a)을 기판(31)의 상부에 형성시킨다. 이어서, 마스크막(33a)을 제외한 영역을 제2불순물로 고농도 도핑하여 기판(31)에 제1 및 제2 반도체 전극 영역(32, 34)을 형성한다. 제1 및 제2반도체 전극 영역(32, 34)은 비저항값이 매우 낮게 형성되어 도전체로 작용한다.
이어서, 열처리(annealing) 공정을 수행하여 제1 및 제2반도체 전극 영역(32, 34) 사이의 폭을 마스크막(33a)의 폭보다 줄인다. 도 4c에 도시된 것과 같이 제2불순물의 고농도 영역(32, 34)이 확대되면, 고농도 영역과 인접한 영역에 제2불순물이 확산되어서 제2불순물의 저농도영역 즉, 저항 영역(36)을 형성한다. 마스크막(33a) 하부의 저항영역(36)은 서로 접촉되어 후술하는 저항성 팁의 첨두부 형성부를 형성한다. 첨두부 형성부를 형성하는 공정은 후술하는 열산화공정에서 이루어져도 된다.
이어서, 기판(31)의 상면에 마스크막(33a)을 덮도록 감광제(37)를 도포한 다음 그 상방에 도 4d에 도시된 바와 같이 마스크막(33a)과 직교하도록 스트라이프 형상의 포토마스크(40)를 배치시킨다. 이어서, 노광, 현상 및 식각 공정을 실시하면 포토마스크(40)와 동일한 형상의 감광제층(37a)이 형성된다.(도 4e 참조).
이어서, 스트라이프 형상의 감광제(37a)에 의해 덮히지 않은 마스크막(33a)을 건식 식각하여 사각형상의 마스크막(33b)을 형성한다.(도 4f 참조).
이어서, 기판(31) 상에서 감광제(37a)를 덮는 감광제(42)를 형성한다(도 4g 참조). 이때 감광제(37a)를 베이킹한 후에 감광제(42)를 도포하거나 또는 감광제(37a)와 구별되게 패터닝되는 감광제(42)를 선택할 수도 있다. 감광제(37a) 상에 감광제(42)를 패터닝하는 과정은 감광제(42)가 감광제(37a)에 겹쳐지면 되므로 별도의 정렬 마진을 필요로 하지 않는다.
이어서, 감광제(42)를 선택적으로 패터닝하면, 감광제(37a)의 일부분, 예컨대 반(half)을 덮는 감광제(42a)가 형성된다(도 4h 참조). 이과정은 캔티레버 영역 을 한정하기 위한 것이다. 이하 도 4h 내지 도 4k에서는 편의상 캔티레버의 일부 영역만을 도시하였다.
이어서, 감광제들(37a, 42a)을 마스크로 하여 건식 식각하여 캔티레버 이외의 영역을 식각한다. 도 4i는 식각된 결과물을 보여준다.
이어서, 감광제(37a, 42a)를 제거한 후, 사각형상의 마스크막(33b)을 마스크로 하여 기판(31)을 습식 또는 건식 식각한다(도 4j 참조).
도 4k를 참조하면, 반사각뿔 형상의 팁(도 4l의 30 참조)의 경사면에 제1 및 제2반도체 전극영역(도 4l의 32, 34)이 위치하며, 저항영역(36)은 팁(30)의 첨두부에 정렬된다.
이어서, 마스크막(33b)을 제거한 후, 기판(31)을 산소 분위기에서 가열하면, 기판의 상면에 소정 두께의 실리콘 산화막(미도시)이 형성되며, 이 산화막을 제거하면 저항성 영역(36)의 단이 뾰족해진다. 이러한, 열산화공정을 수행하면 팁(30)의 샤프닝(sharpening)과 함께 격리된 저항성 영역을 겹치게 하여 첨두부 형성부를 형성할 수도 있다.
이어서, 기판(31)의 하면을 식각하면, 기판(31)으로부터 연장된 캔티레버(41)가 형성되며, 캔티레버(41)의 일단부면과 팁(30)의 수직면이 일치하게 된다.
이어서, 잘알려진 반도체 공정으로 제1 및 제2반도체 전극영역(32, 34)의 단에 절연층(44) 및 전극패드층(46)을 순차적으로 적층 및 패터닝하여 도 4l에 도시된 바와 같은 반도체 탐침을 완성한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 탐침 제조방법에서는, 팁(30) 제작 전에 제 1 및 제2반도체 전극 영역(32, 34)을 형성하는 이온 주입 공정을 수행하여, 미세한 사진 식각 공정을 수행할 수 있으며 열확산 공정으로 저항 영역(36)을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 사각형상 마스크(33b) 상에 감광제(42)를 패터닝하면 자기정렬된 저항성 팁을 제조할 수 있기 때문에, 마스크(33b)의 폭에 해당되는 정렬마진, 예컨대 1 ㎛ 이상의 마진을 확보할 수 있으므로 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조가 용이해진다.
또한, 캔티레버의 단과 정렬된 반사각형뿔 형상의 팁을 적용함으로써, 팁의 높이를 낮추어도 캔티레버 단이 기판에 근접하는 현상이 발생되지 않아 신호 노이즈를 줄일 수 있으며, 데이터의 기록/재생 해상도도 향상시킬 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 팁 부분만을 간략히 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 반도체 탐침의 팁(50)은, 제1불순물이 도핑된 팁(50)의 몸체부(58)와, 팁(50)의 첨두부에 위치하며 제2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된 저항 영역(56)과, 저항 영역(56)을 사이에 두고 팁(50)의 경사면에 위치하며 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극 영역(52, 54)을 구비한다. 여기서, 제1불순물이 p형 불순물인 경우 제2불순물은 n형 불순물이고 제1불순물이 n형 불순물인 경우 제2불순물은 p형 불순물이다.
기록매체(53)의 표면전하(57)의 전하량의 차이는 발생되는 전계의 크기 차이를 유발하고, 전계의 크기 차이는 저항영역(56)의 저항값 차이를 유발하는데, 이 저항값의 변화로부터 표면 전하의 극성과 크기를 검출할 수 있다.
도 6은 도 5의 반도체 탐침의 팁(50)의 말단부를 확대한 도면이다.
저항성 팁(50)은 공핍 영역(68)이 반도체전극 영역(52, 54)까지 확장되지 않더라도 부도체인 공핍영역(68)에 의해 저항 영역(56)의 면적이 줄어들게 됨으로써 저항영역(56)의 저항값의 변화가 발생하여 표면전하(57)의 극성과 크기를 검출할 수 있다. 상기 반도체 탐침(50)은, 종래의 FET 팁에 비해 표면전하를 감지할 수 있는 문턱전계값이 낮아져 팁(50)의 감도가 더 우수하다.
저항 영역(56)의 내부에 형성되는 공핍 영역(68)이 표면 음전하(57)가 발생시키는 전계에 의해 점차 제1 및 제2반도체 전극 영역(52, 54)방향으로 확장되고 있는 것을 볼 수 있다.
본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침에 따르면, 캔티레버의 단과 팁의 단면이 일치하게 형성되어 있어서, 첫째, 캔티레버 단이 기판의 정보에 반응하여 발생하는 신호 노이즈를 줄일 수 있고, 둘째, 팁의 높이를 줄일 수 있으므로 시리즈 저항을 낮출 수 있고 2차 임플랜테이션 공정을 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법에 따르면, 상술한 자기정렬에 의해서 반도체 전극 영역 사이에 존재하는 저항 영역을 팁 끝의 중앙에 형성시킬 수 있는 있으며, 열확산공정으로 저농도의 불순물 영역인 저항영역을 형성할 수 있으므로 제작과정이 단순화된다.
또한, 팁을 형성하기 위한 마스크 폭의 감광제 상에 캔티레버 형성을 위한 감광제를 패터닝하면 되므로, 정렬마진 없이도 용이하게 저항성 팁을 제조할 수 있 다. 따라서, 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
이러한 제조방법으로 탐침의 캔티레버의 말단부에 수직으로 형성되는 팁에 작은 폭의 저항 영역을 구현함으로써 기록매체 상에 작은 영역에 존재하는 작은 양의 표면 전하를 감지할 수 있는 주사탐침 기술을 이용한 나노 소자를 제작하기에 용이하다.
또한, 이렇게 제작된 탐침을 주사탐침기술을 응용한 대용량, 초소형 정보저장장치에 이용하는 경우, 작은 영역에 존재하는 전하를 검출하고 형성하여 정보를 기록 및 재생할 수 있는 장치로 이용할 수 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 제1불순물로 도핑된 반 사각뿔 형상의 팁;
    상기 팁이 일단부 상에 위치하는 캔티레버;
    상기 팁의 첨두부에서 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물로 저농도로 도핑된 저항영역; 및
    상기 팁의 경사면에서 상기 제2불순물이 고농도로 도핑되며, 서로 이격되게형성되며, 상기 저항영역과 전기적으로 연결된 제1 및 제2반도체 전극영역;을 구비 하는 것을 특징으로 하는 반도체 탐침.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 팁의 수직면은 상기 캔티레버의 상기 일단부면과 일치되게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐침.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 p형 불순물이고, 상기 제2불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체 탐침.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 n형 불순물이고, 상기 제2불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체 탐침.
  5. 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 상기 제1불순물과 다른 극성의 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극 영역을 형성하는 제1단계;
    상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극 영역 사이의 거리를 좁히고, 상기 제1 및 제2 반도체 전극 영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 제2단계;
    상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 제3단계;
    상기 기판 상에 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 제4단계;
    상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 제5단계; 및
    상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 제6단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2단계는,
    상기 제1 및 제2반도체 전극영역에서 확산된 저항영역이 서로 접촉되어 첨두부 형성부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제4단계는, 상기 제1감광제를 덮도록 제2감광제를 도포한 후, 패터닝하여 패터닝된 제2감광제가 상기 마스크막 상의 제1감광제의 일부 상에 배치되도록 하는 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제6단계는,
    상기 마스크막을 제거한 기판을 산소 분위기에서 열처리하여 표면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 산화막을 제거하여 상기 저항 영역의 단을 뾰족하게 하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2반도체 전극영역에서 확산된 저항영역이 상기 기판의 상부에서 서로 접촉되어 첨두부를 형성하는 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 p형 불순물이고, 상기 제2불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1불순물은 n형 불순물이고, 상기 제2불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 제조방법.
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