KR100767012B1 - 프로브 카드와 프로브 카드의 니들 및 니들의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 검사에 사용되는 프로브 카드와 프로브 카드의 니들 및 니들의 제조방법에 대한 것으로서, 그 목적은 도금처리된 프로브 카드 니들의 빔부의 강성을 유지시키면서도 탐침부와 패드간의 접촉면적을 줄이며, 장비에 무리가 생기는 것을 방지함에 있다.
이를 위하여 본 발명은 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되며, 외면에 도금층이 없는 탐침부; 상기 탐침부로 전기적 신호를 전달할 수 있도록 프로브 카드의 회로기판에 솔더링 되는 솔더링부; 및 상기 탐침부와 상기 솔더링부를 연결시키고, 상기 탐침부가 상기 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되도록 탄력을 갖는 빔부를 포함하고 상기 빔부에만 도금처리 된 것에 의하여 프로브 카드의 니들과 패드와의 접촉의 정확성을 향상시키고, 프로브 카드의 니들의 오접촉이 발생하지 않으며, 장비에 무리를 주지 않는 효과를 갖는다.
프로브 카드, 뒤틀림, 변형, 니들, 검사 소자
Description
도 1은 종래의 기술에 따른 프로브 카드의 니들을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 니들을 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조 과정을 도시한 도면이다.
도 4a 내지 4f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조과정을 도시한 도면이다.
도 5a 내지 5f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조과정을 도시한 도면이다.
도 6a는 빔부가 도금처리 되고, 프로브 카드의 기판에 솔더링된 니들들의 정단면도이다.
도 6b와 도 6c는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 구성하는 니들들 중에서 일부 니들의 측단면도와 정단면도이다.
<도면의 주요부분들에 대한 참조 부호들의 설명>
200 : 니들 210 : 탐침부
220 : 빔부 221 : 도금
230 : 솔더링부
본 발명은 프로브 카드의 니들과 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프로브 카드의 니들과 웨이퍼 다이의 패드와의 접촉의 정확성 증대 및 프로브 카드의 니들의 뒤틀림을 방지하여 전기적 신호의 전달이 원활하게 이루어지게 하는 프로브 카드의 니들과 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼(Wafer)상에 패턴(pattern)을 형성시키는 패브리케이션(Fabrication)공정과 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 소자로 조립하는 어셈블리(Assembly)공정을 통해서 제조된다.
패브리케이션공정이 끝난 반도체 소자는 어셈블리공정을 거치기 이전에 웨이퍼에 형성된 각각의 소자에 대해서 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting : 이하 'EDS'라 함.)공정을 거치게 된다.
여기서 EDS공정은 웨이퍼에 형성된 소자들 중에서 불량소자를 판별하기 위해서 실시되는 공정이다. EDS공정에서는 웨이퍼 위의 소자에 전기적 신호를 인가시키고 소자로부터 응답되는 전기적 신호를 분석하여 소자의 불량여부를 판정하는 검사 장치를 주로 이용한다.
소자의 불량여부를 판정하는 검사장비와 소자의 패드 사이에 전기적 신호를 전달하기 위해 프로브 카드가 이용된다. 프로브 카드는 하나 이상의 니들(Needle)을 갖추고 있다. 웨이퍼 위의 소자에 연결된 패드에 니들을 접촉시킨다. 반도체 소자 검사장비는 프로브 카드의 니들을 통하여 소자의 패드와 전기적 신호를 주고 받음으로서 소자의 불량여부를 판단하게 된다.
한편 최근 반도체 소자는 고집적화 및 극소형화가 되면서 패턴의 디자인 룰이 더욱 미세해지는 추세이다. 반도체 소자가 미세화 되어감에 따라 프로브 카드의 니들이 접촉되는 웨이퍼 다이의 패드의 크기도 미세화 되고 있다. 웨이퍼 다이의 패드의 크기가 미세화 됨에 따라 도금처리된 프로브 카드의 니들과 패드와의 접촉이 부정확하게 되는 문제가 발생되는데 이에 대해 더 상세히 하술한다.
도 1은 종래의 기술에 따른 프로브 카드의 니들을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 프로브 카드의 니들(100)의 탐침부(110)와 빔(Beam : 구조물의 들보, 도리)부(120)는 도금처리(121) 되어 있었다. 즉, 종래에는 니들의 뒤틀림이나 휨의 변형을 방지하기 위하여 니들(100)을 도금(121)처리 하였었다. 따라서, 프로브 카드의 니들(100)의 탐침부(110)도 도금(121)처리되어 뭉툭해지게 되었다. 그런데 전술한 바와 같이 웨이퍼 다이의 패드의 크기가 미세화 되면 상대적으로 패드와 니들(100)의 탐침부(110)와의 접촉 면적이 커져서 니들(100)과 패드(도시되지 않음)간의 접촉이 부정확하게 되는 문제점이 있었다.
한편, 니들(100)과 웨이퍼 다이의 패드 간의 접촉이 안정적으로 이루어지기 위해서는 니들(100)이 웨이퍼 다이의 패드를 찍는 침압(패드의 단위면적당 니들의 끝이 패드를 누르는 힘)이 있어야 한다. 그리고 소자의 고집적화에 따라 패드의 개수가 증가하므로 니들(100)의 개수도 증가한다. 니들(100)의 개수가 증가되면 개개의 니들(100)로 패드를 찍는 힘이 분배되므로 일정한 침압을 유지하기 위해서는 프로브카드에 가해지는 힘이 커져야 한다.
그런데, 종래의 도금(121)처리된 니들(100)은 탐침부(110)의 접촉면적이 크기 때문에 일정수준의 침압을 유지하기 위해서 니들(100)에 가해지는 힘이 그만큼 커져야 했다. 이러한 경우, 반도체 소자의 고집적화 및 극소형화에 따라 니들(100)의 개수가 증가됨에 따라 개개의 니들마다 일정 수준의 침압을 유지하기 위해서 프로브카드에 가해지는 힘이 커져야 했다. 이렇게 니들(100)에 가해지는 힘이 커지게 되면 장비에 무리가 발생하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점들을 해결하기 위하여 도금처리된 빔부의 강성을 유지시키면서도 패드와 탐침부의 접촉면적을 줄이며, 장비에 무리가 생기는 것을 방지할 수 있는 프로브 카드의 니들 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 프로브 카드의 니들의 상호 간섭을 방지하고, 고집적화된 반도체 소자를 검사할 수 있는 프로브 카드를 제공함에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 프로브 카드의 니들은 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되며, 외면에 도금층이 없는 탐침부; 상기 탐침부로 전기적 신호를 전달할 수 있도록 프로브 카드의 회로기판에 솔더링 되는 솔더링부; 및 상기 탐침부와 상기 솔더링부를 연결시키고, 상기 탐침부가 상기 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되도록 탄력을 갖는 빔부를 포함하고 상기 빔부에만 도금처리 된 것을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양태에 따른 프로브 카드의 니들은 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되며, 외면에 도금층이 없는 탐침부; 상기 탐침부로 전기적 신호를 전달할 수 있도록 프로브 카드의 회로기판에 솔더링 되는 솔더링부; 및 상기 탐침부와 상기 솔더링부를 연결시키고, 상기 탐침부가 상기 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되도록 탄력을 갖는 빔부를 포함하고 탐침부를 제외한 솔더링부와 빔부가 도금처리된 것을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 프로브 카드의 니들 제조방법은 니들의 원자재의 팁부에 포토레지스트리를 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제1중간재를 도금시킴으로서 제2중간재를 제조하는 단계; 및 상기 니들의 제2중간재에서 팁부의 포토레지스트리를 제거시키는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양태에 따른 프로브 카드의 니 들 제조방법은 니들의 원자재를 포토레지스트리로 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제1중간재에서 빔부 및 탐침부에 코팅된 포토레지스트리를 제거하여 제2중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제2중간재에서 팁부에 포토레지스트리를 코팅시키어 제3중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제3중간재를 도금시키어 제4중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제4중간재에 존재하는 코팅된 포토레지스트리를 제거시키는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양태에 따른 프로브 카드의 니들 제조방법은 니들의 원자재를 포토레지스트리로 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제1중간재에서 빔부 및 솔더링부에 코팅된 포토레지스트리를 제거하여 제2중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제2중간재에서 솔더링부에 포토레지스트리를 코팅시키어 제3중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제3중간재를 도금시키어 제4중간재를 제조하는 단계; 상기 니들의 제4중간재에 존재하는 코팅된 포토레지스트리를 제거시키는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 프로브 카드는 다수의 회로패턴을 가지는 기판; 및 상기 기판의 다수의 회로패턴에 각각 전기적으로 접속되는 다수의 니들;을 포함하고, 상기 다수의 니들 각각은 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되는 탐침부; 상기 탐침부로 전기적 신호를 전달할 수 있도록 상기의 기판에 솔더링 되는 솔더링부; 및 상기 탐침부와 상기 솔더링부를 연결시키고, 상기 탐침부가 상기 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되도록 탄력을 가지는 빔부;를 포함하며, 상기 다수의 니들 중 서로 이웃하는 니들의 솔더링부로부터 빔부까지의 높이는 서로 다른 것을 특징으로 한다.
나아가 상기 다수의 니들의 빔부는 도금 처리된 것임을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 니들을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로브 카드의 니들(200)은 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되는 탐침부(210)와 상기 탐침부(210)로 전기적 신호를 전달할 수 있도록 프로브 카드의 회로기판(도시되지 않음)에 솔더링되는 솔더링부(230) 및 상기 탐침부(210)와 상기 솔더링부(230)를 연결시키고, 상기 탐침부(210)가 상기 웨이퍼 다이의 패드(도시되지 않음)에 소정의 침압으로 접촉되도록 탄력을 가지며, 상기 탐침부(210)의 뒤틀림을 방지하기 위하여 도금(221)처리된 빔부(220)를 포함함을 특징으로 한다.
상기 탐침부(210)는 상기 빔부(220)와 연결되며, 탐침부(210)의 끝은 첨단을 이루도록 형성된다. 탐침부(210)는 웨이퍼 다이의 패드에 소정의 침압으로 접촉되며, 탐침부(210)는 도금(221)처리되지 않는다. 따라서, 도금(221)처리 되지 않은 탐침부(210)의 끝은 뭉툭하지 않으며, 웨이퍼 다이의 패드와의 접촉면적은 작게 된다.
상기 솔더링부(230)는 상기 프로브 카드의 회로기판에 솔더링(soldering)된다. 상기 솔더링부(230)가 프로브 카드의 회로기판에 솔더링됨으로서 상기 니들(200)을 지지하며 웨이퍼 다이의 패드와 프로브 카드 간의 전기적 신호를 전달한다. 상기 니들(200)의 솔더링부(230)는 도금(221)처리 되어 있지 않도록 하여 니들(200)의 교체가 용이하게 하는 것이 바람직하다.
상기 빔부(220)는 상기 솔더링부(230)와 상기 탐침부(210)를 연결시키고, 상기 니들의 탐침부(210)를 지지하며, 빔부(220)의 탄력(즉, 형태복원력)에 의해 일정한 침압으로 탐침부(210)와 웨이퍼 다이의 패드와 접촉되게 한다. 상기 빔부(220)는 상기 니들(200)의 뒤틀림과 휨을 방지하기 위해 도금(221)처리 되어 있다. 상기 빔부(220)는 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu)등과 같이 전도성이 좋은 금속재질로 도금(221)처리된다.
이와 같은 니들(200)은 그 탐침부(210)가 뭉툭하지 않으므로 패드의 접촉면적이 작게 된다. 따라서, 상기 빔부(220)의 작은 탄력으로도 일정한 수준의 침압을 유지하면서 웨이퍼 다이의 패드와 접촉되기 때문에 장비에 무리가 발생하지 않는다. 또한, 상기 니들(200)의 빔부(220)에 도금(221)처리 되었기 때문에 니들(200)의 뒤틀림이 발생하지 않는다. 따라서, 상기 프로브 카드의 니들(200)은 니들(200)과 패드와의 접촉의 정확성을 향상시키고, 니들(200)의 오접촉이 발생하지 않으며, 장비에 무리를 주지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 니들의 제조방법을 설명한다.
도 3a 내지 도 3d 는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조과정을 나타낸 도면들이다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 프로브 카드의 니들의 원자재(300a)의 팁부(310)에 포토레지스트(photo resist)(PR1)를 코팅(Coating)시킨다. 참고로 상기 니들의 원자재(300a)의 재질은 종래의 프로브 카드의 니들처럼 Ni-W 등으로 이루어질 수 있다. 상기 포토레지스트(PR1)로는 THB-151N(JSR), PMER, AZ9296, 등이 사용될 수 있다. 상기 프로브 카드의 니들의 원자재(300a)의 팁부(310)를 포토레지스트(PR1)에 코팅시킴으로서 도 3b에 도시된 바와 같이 제1중간재(300b)가 제조된다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 니들의 제1중간재(300b)를 도금(321)시킨다. 도금(321) 소재로는 앞서 언급했듯이 전도성이 있는 금(Au), 니켈(Ni) 구리(Cu) 등이 사용될 수 있다. 제1중간재(300b)에서 코팅된 포토레지스트(PR1)는 니들의 탐침부(310)가 도금처리 되는 것을 방지하는 마스크역할을 하게 된다. 상기 니들의 제1중간재(300b)를 도금(321)시킴으로서 제2중간재(300c)가 제조된다.
마지막으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 니들의 제2중간재(300c)에서 탐침부(310)의 포토레지스트(PR1)를 제거제를 사용하여 제거시킨다. 상기 포토레지스트의 제거제로는 THB-S1, PMER104, AZ700k 등이 사용될 수 있다. 상기 탐침부(310)에 있던 포토레지스트(PR1)가 마스크 역할을 하였기 때문에 탐침부(310)에는 도금처리가 되어 있지 않다. 따라서, 니들의 빔부(320)만 도금처리된 프로브 카드의 니들(300)이 제조된다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조과정을 나타낸 도면들이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 프로브 카드의 니들의 원자재(400a)를 포토레지스트(PR2)로 코팅시킴으로서, 도 4b에 도시된 바와 같은 니들의 제1중간재(400b)가 제조된다. 이때, 사용하는 포토레지스트(PR2)는 앞서 설명한 실시예에서 본 바와 같다. 상기 니들의 제1중간재(400b)는 니들의 원자재(400a) 전체가 포토레지스트(PR2)로 코팅된 상태이다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이 상기 니들의 제1중간재(400b)에서 빔부(420) 및 탐침부(410)에 코팅된 포토레지스트(PR2)를 제거하여 제2중간재(400c)가 제조된다. 이때, 사용하는 포토레지스트(PR2)의 제거제도 앞서 설명한 실시예에서 본 바와 같다. 상기 니들의 빔부(420) 및 탐침부(410)에 코팅된 포토레지스트(PR2)를 제거한 결과 상기 니들의 솔더링부(430)에만 포토레지스트(PR2)가 남아 있는 제2중간재(400c)가 제조된다.
그 다음으로, 상기 니들의 제2중간재(400c)의 탐침부(410)에 포토레지스트(PR2)를 코팅시킴으로서 도 4d에 도시된 바와 같은 니들의 제3중간재(400d)가 제조된다. 상기 니들의 제3중간재(400d)는 솔더링부(430)와 탐침부(410)가 포토레지스트(PR2)로 코팅된 상태가 된다.
그 다음으로, 상기 니들의 제3중간재(400d)를 도금(421)시킴으로서 도 4e에 도시된 바와 같은 제4중간재(400e)가 제조된다. 상기 니들의 제3중간재(400d)에서 빔부(420)에 포토레지스트가 존재하지 않기 때문에 빔부(420)가 도금(421)처리된 제4중간재(400e)가 제조된다.
마지막으로, 상기 니들의 제4중간재(400e)에 존재하는 코팅된 포토레지스트(PR2)를 제거한다. 상기 니들의 제4중간재(400e)를 포토레지스트(PR2) 제거제로 처리함으로서 솔더링부(430)와 탐침부(410)에 존재하는 포토레지스트(PR2)가 제거된다. 그 결과 도 4f에 도시된 바와 같이 빔부(420)만이 도금(421)처리된 프로브 카드의 니들(400)이 제조된다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 니들 제조과정을 나타낸 도면들이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 프로브 카드의 니들의 원자재(500a)를 포토레지스트(PR3)로 코팅시킴으로서 제1중간재(500b)가 제조된다. 이때, 사용하는 포토레지스트(PR3)는 앞서 설명한 실시예에서 본 바와 같다. 상기 제1중간재(500b)는 니들의 전체가 포토레지스트(PR3)로 코팅된 상태이다.
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 니들의 제1중간재(500b)에서 빔부 (520) 및 솔더링부(530)에 코팅된 포토레지스트(PR3)를 제거하여 제2중간재(500c)가 제조된다. 이때, 사용하는 포토레지스트(PR3)의 제거제도 앞서 설명한 실시예에서 본 바와 같다. 상기 니들의 빔부(520) 및 솔더링부(530)에 코팅된 포토레지스트(PR3)를 제거한 결과 상기 니들의 탐침부(510)에만 포토레지스트(PR3)가 남아 있는 제2중간재(500c)가 제조된다.
그 다음으로, 상기 니들의 제2중간재(500c)에서 솔더링부(530)를 포토레지스트(PR3)를 코팅시킴으로서 도 5d에 도시된 바와 같은 니들의 제3중간재(500d)가 제조된다. 상기 니들의 제3중간재(500d)는 솔더링부(530)와 탐침부(510)가 포토레지스트(PR3)로 코팅된 상태가 된다.
그 다음으로, 상기 니들의 제3중간재(500d)를 도금시킴으로서 도 5e에 도시된 바와 같은 제4중간재(500e)가 제조된다. 상기 니들의 제3중간재(500d)에서 빔부(520)에 포토레지스트(PR3)가 존재하지 않기 때문에 빔부(520)가 도금(521) 처리된 제4중간재(500e)가 제조된다.
마지막으로, 상기 니들의 제4중간재(500e)에 존재하는 코팅된 포토레지스트(PR3)를 제거한다. 상기 니들의 제4중간재(500e)를 포토레지스트(PR3) 제거제로 처리함으로서 솔더링부(530)와 탐침부(510)에 존재하는 포토레지스트(PR3)가 제거된다. 그 결과 도 5f에 도시된 바와 같이 빔부(520)만이 도금(521)처리된 프로브 카드의 니들(500)이 제조된다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드에 대하여 설명한다.
도 6a는 빔부가 도금처리 되고, 프로브 카드의 기판에 솔더링된 니들들의 정단면도이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 다수의 회로패턴을 가지는 기판(700)에 솔더링되는 니들(600)의 솔더링부(630)로부터 빔부(620)까지의 높이(a)가 동일하거나, 탐침부(610)의 길이(b)가 동일하며, 빔부(620)가 도금처리(621)된 다수의 니들로 구성 된 프로브 카드에 있어서, 이웃하는 니들의 빔부(620)들 사이의 간격(d)이 협소해지게 된다. 협소한 빔부(620)들 사이의 간격(d)은 니들들의 상호 간섭을 유발할 수 있다.
도 6b와 도 6c는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드를 구성하는 니들들 중에서 일부 니들의 측단면도와 정단면도이다.
도 6b와 도 6c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드에서는 임의의 니들(600a)과 이에 이웃하는 니들(600b)의 빔부(620a,620b)의 위치가 서로 다르게 배치된다.
즉, 니들(600a)의 솔더링부(630a)로부터 빔부(620a)까지의 높이(c)와 이웃하는 니들(600b)의 솔더링부(630b)로부터 빔부(620b)까지의 높이(c')를 서로 달리하거나 각 니들(600a,600b)의 탐침부(610a,610b)의 길이(b,b')를 서로 달리하기 때문에 각 니들들의 빔부(620a,620b)의 위치가 서로 다르다.
각 니들들의 빔부(620a,620b)의 위치가 서로 다르기에 각 니들의 빔부의 위치 차이(t)가 생긴다.
따라서, 이웃하는 니들(600a,600b)의 빔부(620a,620b)의 위치가 서로 다르며, 빔부의 위치 차이 (t)가 있기 때문에 니들(620a,620b)의 빔부(620a,620b)가 도금처리(621a,621b)되어도 이웃하는 니들들(600a,600b)의 상호 간섭이 발생할 가능성이 없거나 현저히 감소된다.
또한, 상기의 니들들(600a,600b)의 빔부(620a,620b)의 위치 차이(t)가 있기 때문에 프로브 카드의 기판(700)에 니들(600a,600b)들을 구성함에 있어서 니들들이 고집적화된 프로브 카드를 제조할 수 있다.
참고로, 본 발명에 의하면, 니들의 빔부의 위치를 달리하는 니들은 2 이상의 종류가 있을 수 있으며, 이 경우에도 이웃하는 니들간의 빔부의 위치를 달리하는 프로브 카드가 가능하다.
따라서, 본 발명에 의해 상기의 니들들의 조합에 따라 고집적화된 프로브 카드를 제조할 수 있으므로 고집적화된 반도체 소자를 쉽게 검사할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
상술한 바와 같이, 니들의 빔부에 도금처리 되었기 때문에 니들의 뒤틀림이 발생하지 않는다. 니들의 탐침부와 패드의 접촉면적이 작기 때문에 니들이 패드에 접촉되는 정확성을 향상시킨다. 그리고 빔부의 작은 탄력으로도 일정한 수준의 침압을 유지하면서 패드와 접촉되기 때문에 장비에 무리가 발생하지 않는다. 아울러 니들의 솔더링부에 도금처리되지 않으므로 니들의 교체가 용이하다.
따라서, 본 발명의 프로브 카드의 니들은 니들과 패드와의 접촉의 정확성을 향상시키고, 니들의 오접촉이 발생하지 않으며, 니들의 교체도 용이하며, 장비에 무리를 주지 않는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명의 프로브 카드는 빔부와 솔더링부와의 간격을 달리하는 니들들의 조합으로 된 구성을 포함하기 때문에 니들들의 상호 간섭 가능성이 없거나 현저히 감소되며, 프로브 카드의 니들들이 고집적화 될 수 있는 효과를 갖는다.
Claims (7)
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- 니들의 원자재의 탐침부에 포토레지스트를 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제1중간재를 도금시킴으로서 제2중간재를 제조하는 단계; 및상기 니들의 제2중간재에서 탐침부의 포토레지스트를 제거시키는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 프로브 카드의 니들 제조방법.
- 니들의 원자재를 포토레지스트로 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제1중간재에서 빔부 및 탐침부에 코팅된 포토레지스트를 제거하여 제2중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제2중간재에서 탐침부에 포토레지스트를 코팅시키어 제3중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제3중간재를 도금시키어 제4중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제4중간재에 존재하는 코팅된 포토레지스트를 제거시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 프로브 카드의 니들 제조방법.
- 니들의 원자재를 포토레지스트로 코팅시킴으로서 제1중간재를 제조하는 단 계;상기 니들의 제1중간재에서 빔부 및 솔더링부에 코팅된 포토레지스트를 제거하여 제2중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제2중간재에서 솔더링부에 포토레지스트를 코팅시키어 제3중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제3중간재를 도금시키어 제4중간재를 제조하는 단계;상기 니들의 제4중간재에 존재하는 코팅된 포토레지스트를 제거시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 프로브 카드의 니들 제조방법.
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