JP4050291B2 - 抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法 - Google Patents
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Description
図3Eに示すように、露光、現像及びエッチング工程を実施すれば、フォトマスク40と同じ形状の感光剤層41aが形成される。
図5に示すように、抵抗領域56の内部に形成される空乏領域68が、表面電荷57が発生させる電界により次第に第1電極半導体領域52及び第2電極半導体領域54の方向に拡張していることが分かる。抵抗性チップ50は、空乏領域68が第1電極半導体領域52及び第2電極半導体領域54まで拡張しなくても、不導体である空乏領域68により抵抗領域56の面積が減ることによって、抵抗領域56の抵抗値の変化が発生して表面電荷57の極性と量とを検出できる。半導体探針は、従来のFETチップに比べて表面電荷を感知できる臨界電界値が低くなり、抵抗性チップ50の感度が更に優れている。
31 シリコン基板
32 第1電極半導体領域
33 第1マスク膜
33a 第1マスク膜
33b 第1マスク膜
33c 第3マスク膜
34 第2電極半導体領域
35 第2マスク膜
35a 第2マスク膜
35b 第2マスク膜
36 抵抗領域
37 感光剤層
38 マスク
40 フォトマスク
41 感光剤層
41a 感光剤層
41a 感光剤層
42 カンチレバー
44 絶縁層
46 金属電極
50 抵抗性チップ
52 第1電極半導体領域
54 第2電極半導体領域
56 抵抗領域
57 表面電荷
58 本体
68 空乏領域
68 抵抗領域
W’ 幅
Claims (10)
- 第1不純物をドーピングした基板の上面にストライプ状の第1マスク膜及び第2マスク膜を順次に形成し、前記第1マスク膜及び前記第2マスク膜をマスクとして基板の領域に第2不純物を高濃度でドーピングして、第1電極半導体領域及び第2電極半導体領域を形成する第1ステップと、
前記基板を熱処理して、前記第1電極半導体領域及び前記第2電極半導体領域の周辺に前記第2不純物が拡散されて低濃度の抵抗領域を形成する第2ステップと、
前記第1マスク膜及び前記第2マスク膜を所定の形状にパターニングする第3ステップと、
前記パターニングされた第1マスク膜及び第2マスク膜をマスクとして基板の上面をエッチングして、前記第1マスク膜の下部に第1幅のチップネック部分を形成する第4ステップと、
露出された第1マスク膜をエッチングして、前記チップネック部分に対応する第3マスク膜を形成する第5ステップと、
前記第2マスク膜を除去し、前記第3マスク膜をマスクとして前記基板をエッチングして、前記チップネック部分の幅を所定の第2幅に形成する第6ステップと、
前記第3マスク膜を除去し、前記基板を熱処理し、形成された酸化膜を除去して抵抗性チップを形成する第7ステップと、
前記基板を裏側からエッチングして、前記抵抗性チップが末端部に位置するようにカンチレバーを形成する第8ステップと、
を含み、
前記第1マスク膜及び前記第2マスク膜は、互いにエッチング選択比が異なることを特徴とする抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第2ステップは、
前記第1電極半導体領域及び第2電極半導体領域で広がった抵抗領域が互いに接触して、チップの先端形成部を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第3ステップは、
前記第1マスク膜及び前記第2マスク膜と直交する方向にストライプ状の感光剤を形成した後、エッチングして、前記第1マスク膜及び前記第2マスク膜を四角形に形成するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第6ステップは、
前記第1幅をインライン電子走査顕微鏡で測定するステップと、
前記第1幅が前記第2幅より広いと測定されれば、前記第3マスク膜をマスクとして前記基板の上面をエッチングして、前記チップネック部分の幅を所定の第2幅に形成するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第7ステップは、
前記第3マスク膜を除去した基板を酸素雰囲気で熱処理して、前記基板の表面に所定の厚さの酸化膜を形成し、前記抵抗領域が前記基板の上部で接触してチップの先端形成部を形成するステップと、
前記酸化膜を除去して前記先端形成部を尖らすステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第7ステップは、
前記第3マスク膜を除去した基板を酸素雰囲気で熱処理して、前記基板の表面に所定の厚さの酸化膜を形成するステップと、
前記酸化膜を除去して前記先端形成部を尖らすステップと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。 - 前記第1マスク膜は、シリコン酸化物であり、前記第2マスク膜は、シリコン窒化物であることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。
- 前記第1マスク膜は、シリコン窒化物であり、前記第2マスク膜は、シリコン酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。
- 前記第1不純物は、p型不純物であり、前記第2不純物は、n型不純物であることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。
- 前記第1不純物は、n型不純物であり、前記第2不純物は、p型不純物であることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法。
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