JP4101851B2 - ドーピング制御層が形成された高分解能抵抗性チップを備えた半導体探針及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11、21 カンチレバー
12 半導体電極領域
13、24 抵抗領域
14 ボディー部
15 第2半導体電極領域
22 第1電極領域
23 第2電極領域
25 ドーピング制御層
W 抵抗性チップの幅
Claims (12)
- カンチレバーの端部に形成された抵抗性チップを備える半導体探針において、
第1不純物がドーピングされたカンチレバーと、
前記カンチレバーの端部に突出して形成され、第2不純物が低濃度でドーピングされた抵抗性チップと、
前記抵抗性チップの突出した端部の両側部に形成されたドーピング制御層と、
前記ドーピング制御層の下部に形成され、前記第2不純物が高濃度でドーピングされた第1電極領域及び第2電極領域と、を備えることを特徴とするドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針。 - 前記抵抗性チップは、10〜100nmの幅を有する四角柱状であることを特徴とする請求項1に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針。
- 前記抵抗性チップの幅は、10〜50nmであることを特徴とする請求項2に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針。
- 前記ドーピング制御層は、絶縁物質または金属物質で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針。
- 前記金属物質は、Al、Ti、W、Sn、CuまたはCrであることを特徴とする請求項4に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針。
- カンチレバーの端部に形成された抵抗性チップを備える半導体探針の製造方法において、
(イ)第1不純物がドーピングされた基板の表面にストライプ状のマスク膜を形成するステップと、
(ロ)前記マスク膜の上方から前記基板をエッチングして、ストライプ状の突出部を形成するステップと、
(ハ)前記突出部の両側部にドーピング制御層を形成するステップと、
(ニ)前記ドーピング制御層の側部に露出された前記基板の表面に第2不純物を高濃度でドーピングして、第1電極領域及び第2電極領域を形成するステップと、を含むことを特徴とするドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。 - 前記基板上に前記突出部に対して直交する方向にストライプ状の感光剤を形成するステップと、
前記感光剤をマスク膜として、前記突出部及び前記基板をエッチングして前記基板上に抵抗性チップを形成するステップと、
前記基板の下面をエッチングして、前記抵抗性チップが末端部に位置するようにカンチレバーを形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。 - 前記(ハ)ステップは、
前記マスク膜及び前記基板上に絶縁物質または金属物質を蒸着するステップと、
前記基板の上部から異方性エッチング工程を実施して、前記マスク膜及び前記基板表面を露出させ、前記突出部の両側部にドーピング制御層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項6に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。 - 前記(ニ)ステップは、
前記基板にイオン注入するエネルギーが10keVであることを特徴とする請求項6に記載の半導体探針製造方法。 - 前記(ニ)ステップは、
前記基板をRTA工程により熱処理して、前記第1電極領域及び前記第2電極領域を活性化する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。 - 前記(イ)ステップで、
前記ストライプ状のマスク膜の幅は、10〜100nmであることを特徴とする請求項6に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。 - 前記金属物質は、Al、Ti、W、Sn、CuまたはCrであることを特徴とする請求項8に記載のドーピング制御層が形成された高分解能チップを備えた半導体探針の製造方法。
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