JPH0362208B2 - - Google Patents
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- JPH0362208B2 JPH0362208B2 JP60131091A JP13109185A JPH0362208B2 JP H0362208 B2 JPH0362208 B2 JP H0362208B2 JP 60131091 A JP60131091 A JP 60131091A JP 13109185 A JP13109185 A JP 13109185A JP H0362208 B2 JPH0362208 B2 JP H0362208B2
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- crystal
- tuning fork
- resonator
- vibrator
- thermometer
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/32—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は水晶振動子を測温素子として用い、そ
の振動周波数を検出することにより温度を測定す
る水晶温度計に関する。
の振動周波数を検出することにより温度を測定す
る水晶温度計に関する。
<従来の技術>
水晶は結晶異方性を有しているので、切出し角
を適当に選択することにより、温度係数を零にす
ることもでき、また、逆に温度係数を大きくする
こともできる。この温度係数の大きな水晶振動子
を測温素子として用いたものが水晶温度計で、高
分解能、高安定性を有している。
を適当に選択することにより、温度係数を零にす
ることもでき、また、逆に温度係数を大きくする
こともできる。この温度係数の大きな水晶振動子
を測温素子として用いたものが水晶温度計で、高
分解能、高安定性を有している。
<発明が解決しようとする問題点>
水晶温度計を製作する場合は、水晶から振動子
を切出す角度によつてエツチングによる加工の容
易性や温度特性が大幅に異なるので、温度計とし
ての最適条件を設定する必要がある。
を切出す角度によつてエツチングによる加工の容
易性や温度特性が大幅に異なるので、温度計とし
ての最適条件を設定する必要がある。
<問題点を解決するための手段>
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、
測温素子としての水晶振動子の切出し角と形状に
ついて検討し、エツチングによる加工が簡単で、
大きい周波数温度係数をもつた水晶温度計を提供
することを目的とするもので、その構成上の特徴
は、水晶振動子の温度による共振周波数の変化か
ら周囲温度を計測する水晶温度計において、X軸
に対する回転角が−30゜〜−70゜の範囲から厚さ
0.02〜0.2mmの水晶ウエハを切出し、前記水晶ウ
エハの平面上における面内回転角がZ′軸に対して
−15〜+15゜の範囲にフオトリソグラフイの技術
と水晶の異方性エツチング技術を利用して音叉振
動子、屈曲振動子、縦振動子のいずれかを形成し
たものである。
測温素子としての水晶振動子の切出し角と形状に
ついて検討し、エツチングによる加工が簡単で、
大きい周波数温度係数をもつた水晶温度計を提供
することを目的とするもので、その構成上の特徴
は、水晶振動子の温度による共振周波数の変化か
ら周囲温度を計測する水晶温度計において、X軸
に対する回転角が−30゜〜−70゜の範囲から厚さ
0.02〜0.2mmの水晶ウエハを切出し、前記水晶ウ
エハの平面上における面内回転角がZ′軸に対して
−15〜+15゜の範囲にフオトリソグラフイの技術
と水晶の異方性エツチング技術を利用して音叉振
動子、屈曲振動子、縦振動子のいずれかを形成し
たものである。
<実施例>
第1図は本発明の一実施例を示すもので、水晶
から水晶ウエハを切出す位置およびその水晶ウエ
ハ上における振動子のZ′軸に対する回転角を示し
ている。第1図において、X、Y、Zは水晶の結
晶軸である。10は振動子が形成される水晶ウエ
ハであり…振動子の状態をエハであり、X軸を回
転軸としてφ回転した位置にある。このときの水
晶ウエハの座標系をX、Y′、Z′と定義する。11
はその水晶ウエハ10上でZ′軸を回転軸としてウ
エハ内で振動子がφ回転した状態(以下、ウエハ
内での振動子のZ′軸を回転軸とする回転角を面内
回転角という)を示している。
から水晶ウエハを切出す位置およびその水晶ウエ
ハ上における振動子のZ′軸に対する回転角を示し
ている。第1図において、X、Y、Zは水晶の結
晶軸である。10は振動子が形成される水晶ウエ
ハであり…振動子の状態をエハであり、X軸を回
転軸としてφ回転した位置にある。このときの水
晶ウエハの座標系をX、Y′、Z′と定義する。11
はその水晶ウエハ10上でZ′軸を回転軸としてウ
エハ内で振動子がφ回転した状態(以下、ウエハ
内での振動子のZ′軸を回転軸とする回転角を面内
回転角という)を示している。
第2図は第1図における水晶ウエハ10をX軸
に対してφ回転して切出した場合、80℃の重弗化
アンモニウム(NH4F・HF)飽和水溶液に対す
るエツチング速度と、面内回転角φ=0゜の振動子
の一次の周波数温度係数(Temperature
Coefficient of Frequency…以下、TCFという)
の絶対値の角度φをパラメータとして極座標表示
したものである。
に対してφ回転して切出した場合、80℃の重弗化
アンモニウム(NH4F・HF)飽和水溶液に対す
るエツチング速度と、面内回転角φ=0゜の振動子
の一次の周波数温度係数(Temperature
Coefficient of Frequency…以下、TCFという)
の絶対値の角度φをパラメータとして極座標表示
したものである。
図において、曲線Aは一時間当たりのエツチン
グ速度の実験値*をスプライン関数で結んだもの
を表わし(単位μm/h)、曲線Bは一次TCFの
計算値(〇印は実験値)の絶対値(単位ppm/
K)を表わしている。
グ速度の実験値*をスプライン関数で結んだもの
を表わし(単位μm/h)、曲線Bは一次TCFの
計算値(〇印は実験値)の絶対値(単位ppm/
K)を表わしている。
振動子を温度センサとして利用する場合、エツ
チング速度が大きく加工が容易で、しかも一次
TCFが大きく温度センサとして充分な感度を持
つことが必要である。このような条件を満たすの
は図によれば、φ=−30゜〜−70゜の範囲である。
更に、水晶ウエハをフオトリソグラフイと異方性
エツチングによつて加工する際には、水晶ウエハ
が厚すぎると異方性エツチングによる加工が不可
能になるために実際上は0.2mmが厚さの上限であ
る。また、水晶ウエハが薄すぎると加工の際の取
扱が困難となる為に0.02mmが厚さの下限となる。
チング速度が大きく加工が容易で、しかも一次
TCFが大きく温度センサとして充分な感度を持
つことが必要である。このような条件を満たすの
は図によれば、φ=−30゜〜−70゜の範囲である。
更に、水晶ウエハをフオトリソグラフイと異方性
エツチングによつて加工する際には、水晶ウエハ
が厚すぎると異方性エツチングによる加工が不可
能になるために実際上は0.2mmが厚さの上限であ
る。また、水晶ウエハが薄すぎると加工の際の取
扱が困難となる為に0.02mmが厚さの下限となる。
本発明ではこの範囲で切出した水晶ウエハを使
用する。
用する。
水晶は圧電性を有するので振動子の表面に励振
用の電極を例えばAu、Cr薄膜パターンで形成す
るだけで発振が可能であるが、圧電性にも異方性
があるので励振を容易に行うための条件を決める
必要がある。この励振し易さはCI値(Crystal
Impedance=等価直列抵抗)で示され、切出し角
φと切出した水晶ウエハ上の面内回転角φに依存
し、CI値が小さいほど振動子を励振しやすくな
る。
用の電極を例えばAu、Cr薄膜パターンで形成す
るだけで発振が可能であるが、圧電性にも異方性
があるので励振を容易に行うための条件を決める
必要がある。この励振し易さはCI値(Crystal
Impedance=等価直列抵抗)で示され、切出し角
φと切出した水晶ウエハ上の面内回転角φに依存
し、CI値が小さいほど振動子を励振しやすくな
る。
第3図は切出し角φ=−40.23゜で切出した水晶
ウエハ上でZ′軸に対する面内回転角φをパラメー
タとし、振動子のCI値と一次TCFを極座標表示
したものである。
ウエハ上でZ′軸に対する面内回転角φをパラメー
タとし、振動子のCI値と一次TCFを極座標表示
したものである。
図において、曲線DはCI値の計算値(*印は
実験値)の逆数を表わし(単位μS)、曲線Cは一
次TCFの計算値(〇印は実験値)の絶対値を表
わしている(単位ppm/K)。
実験値)の逆数を表わし(単位μS)、曲線Cは一
次TCFの計算値(〇印は実験値)の絶対値を表
わしている(単位ppm/K)。
図によれば、CI値が小さくて振動子を励振し
やすく、しかも一次TCFの絶対値が大きい値を
示し温度計としての感度が大きいのは面内回転角
φが0゜近傍であることがわかる。
やすく、しかも一次TCFの絶対値が大きい値を
示し温度計としての感度が大きいのは面内回転角
φが0゜近傍であることがわかる。
本発明ではこの面内回転角φが−15゜〜+15゜の
範囲でフオトリソグラフイとエツチングの技術に
より振動子を加工する。
範囲でフオトリソグラフイとエツチングの技術に
より振動子を加工する。
第4図はこのようにして製作した振動子にAu、
Cu薄膜の励振用の電極を形成し、この振動子を
真空状態の容器に収納して励振させ、その状態に
おける振動子の時定数とQの値を100%とし、こ
の容器に不活性ガス(この例ではHeガス)を
徐々に報入していつた場合のHeガスの圧力と振
動子の時定数とQの関係を示す図である。図では
縦軸に時定数とQを%で示し、横軸に不活性ガス
の圧力(Torr)を対数目盛りで示している。図
中、時定数を実線で、Qを点線で示す。
Cu薄膜の励振用の電極を形成し、この振動子を
真空状態の容器に収納して励振させ、その状態に
おける振動子の時定数とQの値を100%とし、こ
の容器に不活性ガス(この例ではHeガス)を
徐々に報入していつた場合のHeガスの圧力と振
動子の時定数とQの関係を示す図である。図では
縦軸に時定数とQを%で示し、横軸に不活性ガス
の圧力(Torr)を対数目盛りで示している。図
中、時定数を実線で、Qを点線で示す。
第4図によれば、不活性ガスの圧力が高くなる
と時定数は短くなつて熱応答が向上するが、周波
数の安定度を示すQが下がつてくることがわか
る。従つて容器に封入する不活性ガスの圧力は適
切に選ぶ必要がある。
と時定数は短くなつて熱応答が向上するが、周波
数の安定度を示すQが下がつてくることがわか
る。従つて容器に封入する不活性ガスの圧力は適
切に選ぶ必要がある。
本発明では不活性ガスの圧力を0.01〜10Torr
の範囲で用いる。
の範囲で用いる。
第5図は第1図に示す音叉振動子11の具体的
寸法例を示すもので、 X軸を回転軸とする回転角:−40.23゜ 面内回転角 :0゜ 板厚 :0.07mm 全長 B:4.8mm, 音叉の切込み長さ D:2.3mm 切込みの幅 E:0.11mm 音叉部の幅 D:0.63mm として製作した。
寸法例を示すもので、 X軸を回転軸とする回転角:−40.23゜ 面内回転角 :0゜ 板厚 :0.07mm 全長 B:4.8mm, 音叉の切込み長さ D:2.3mm 切込みの幅 E:0.11mm 音叉部の幅 D:0.63mm として製作した。
第6図は上記音叉振動子にくびれを設けた他の
具体的実施例を示すもので、この音叉振動子12
はくびれ2により音叉部分3と二股状の固定端4
に分かれている。
具体的実施例を示すもので、この音叉振動子12
はくびれ2により音叉部分3と二股状の固定端4
に分かれている。
各部の寸法は次のとおりである。
全長 A:6.0mm
音叉部3の長さ B:4.8mm
音叉部の幅 D:0.63mm
音叉の切込み長さ D:2.3mm
切込みの幅 E:0.11mm
くびれ部2の幅 H:0.2mm
固定端4の幅 I:1.7mm
固定端4の高さ G:1.0mm
上記振動子12において、くびれ2は振動子1
2の固定端4の歪み、特に温度を与えた時に固定
端4の水晶の線膨張係数と固定端を接着する物質
の線膨張係数の差によつて生じる歪みが音叉3の
部分に伝わつて音叉の共振周波数が変化するのを
防ぐ為のものである。このくびれを設けた結果温
度サイクルをかけることによつて生じるヒステリ
シスを低減することができる。
2の固定端4の歪み、特に温度を与えた時に固定
端4の水晶の線膨張係数と固定端を接着する物質
の線膨張係数の差によつて生じる歪みが音叉3の
部分に伝わつて音叉の共振周波数が変化するのを
防ぐ為のものである。このくびれを設けた結果温
度サイクルをかけることによつて生じるヒステリ
シスを低減することができる。
なお、振動子は上記寸法に限ることなく各種変
形が可能である。
形が可能である。
第7図イ、ロ、ハは音叉にくびれを設けない場
合と音叉部分3の幅の50%のくびれを設けた場合
において、固定端4の両側に圧縮力を加えた場
合、音叉の二股部M−N断面に生じる応力を有限
要素法で計算し、主応力σxx、σyyの値をプロツト
したものである。図において、イは音叉の固定端
に矢印方向から圧力を加えた状態を示す図、ロ、
ハは断面M−Nにおける主応力σxxおよびσyyの関
係を示すもので曲線Eはくびれがない場合、曲線
Fはくびれを設けた場合の状態を示している。図
によれば、くびれを設けた場合は最大応力が1/4
以下に減少していることが分る。
合と音叉部分3の幅の50%のくびれを設けた場合
において、固定端4の両側に圧縮力を加えた場
合、音叉の二股部M−N断面に生じる応力を有限
要素法で計算し、主応力σxx、σyyの値をプロツト
したものである。図において、イは音叉の固定端
に矢印方向から圧力を加えた状態を示す図、ロ、
ハは断面M−Nにおける主応力σxxおよびσyyの関
係を示すもので曲線Eはくびれがない場合、曲線
Fはくびれを設けた場合の状態を示している。図
によれば、くびれを設けた場合は最大応力が1/4
以下に減少していることが分る。
くびれは細いほど音叉部への固定端の影響が小
さくなるが、半面機械的強度が減少する。
さくなるが、半面機械的強度が減少する。
本発明ではくびれの幅を音叉部の幅の10〜50%
としたものを使用する。
としたものを使用する。
なお、振動子の特性は音叉振動子以外の形状に
加工しても全く同じ事実があてはまり、第8図に
示すように水晶ウエハ10の一部を取り除いて矩
形状の板を形成し、この矩形状の板を相対する4
箇所で支持して屈曲振動子14を形成してもよ
く、また、第9図に示すように水晶ウエハ10の
一部を取り除いて矩形状の板を形成し、相対する
側の2箇所を支持して縦振動子13を形成しても
よい。このような形状によれば振動子を固定する
場合、固定部の歪みによる影響を減少させること
ができる。
加工しても全く同じ事実があてはまり、第8図に
示すように水晶ウエハ10の一部を取り除いて矩
形状の板を形成し、この矩形状の板を相対する4
箇所で支持して屈曲振動子14を形成してもよ
く、また、第9図に示すように水晶ウエハ10の
一部を取り除いて矩形状の板を形成し、相対する
側の2箇所を支持して縦振動子13を形成しても
よい。このような形状によれば振動子を固定する
場合、固定部の歪みによる影響を減少させること
ができる。
<発明の効果>
以上、実施例ととも具体的に説明したように本
発明によれば、エツチングによる加工が簡単で、
大きい一次TCFをもつた水晶温度計を実現する
ことができる。
発明によれば、エツチングによる加工が簡単で、
大きい一次TCFをもつた水晶温度計を実現する
ことができる。
第1図は本発明の一実施例を示すもので、水晶
から水晶ウエハを切出す位置およびその水晶ウエ
ハ上における振動子のZ′軸に対する回転角を示す
図、第2図は水晶ウエハの切出し角に対するエツ
チングレートと一次TCFの関係を示す図、第3
図は切出し角φ=−40.23゜で切出した水晶ウエハ
上でZ′軸に対する面内回転角φを変化させた場合
のCI値と一次TCFの関係を示す図、第4図はHe
ガスを封入した容器内における振動子の時定数と
Qの関係を示す図、第5図は音叉振動子の具体的
寸法を示す図、第6図はくびれ部を設けた音叉振
動子の具体的寸法を示す図、第7図イ、ロ、ハは
音叉にくびれを設けない場合と音叉部の幅の50%
のくびれを設けた場合において、固定端の両側に
圧縮力を加えた場合、音叉の二股部M−N断面に
生じる応力を示す図、第8図は屈曲振動子の他の
形状を示す図、第9図は縦振動子として形成した
状態を示す図である。 10……水晶ウエハ、2……くびれ、3……音
叉部分、4……固定端、11,12,13,14
……振動子。
から水晶ウエハを切出す位置およびその水晶ウエ
ハ上における振動子のZ′軸に対する回転角を示す
図、第2図は水晶ウエハの切出し角に対するエツ
チングレートと一次TCFの関係を示す図、第3
図は切出し角φ=−40.23゜で切出した水晶ウエハ
上でZ′軸に対する面内回転角φを変化させた場合
のCI値と一次TCFの関係を示す図、第4図はHe
ガスを封入した容器内における振動子の時定数と
Qの関係を示す図、第5図は音叉振動子の具体的
寸法を示す図、第6図はくびれ部を設けた音叉振
動子の具体的寸法を示す図、第7図イ、ロ、ハは
音叉にくびれを設けない場合と音叉部の幅の50%
のくびれを設けた場合において、固定端の両側に
圧縮力を加えた場合、音叉の二股部M−N断面に
生じる応力を示す図、第8図は屈曲振動子の他の
形状を示す図、第9図は縦振動子として形成した
状態を示す図である。 10……水晶ウエハ、2……くびれ、3……音
叉部分、4……固定端、11,12,13,14
……振動子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 水晶振動子の温度による共振周波数の変化か
ら周囲温度を計測する水晶温度計において、X軸
に対する回転角が−30゜〜−70゜の範囲から切出し
た厚さ0.02〜0.2mmの水晶ウエハに、その水晶ウ
エハの平面上における面内回転角がZ′軸に対して
−15〜+15゜の範囲にフオトリソグラフイの技術
と水晶の異方性エツチング技術を利用して水晶振
動子を形成し、この水晶振動子の表面に励振用電
極として金属の薄膜をフオトリソグラフイの技術
で形成したことを特徴とする水晶温度計。 2 水晶振動子は屈曲振動子として形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の水晶温
度計。 3 屈曲振動子は音叉状に形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載の水晶温度計。 4 音叉振動子は固定端と音叉部との間に固定端
の歪みが音叉部に伝達することを防止する為に、
音叉部の幅の10〜50%の幅を有するくびれを設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
水晶温度計。 5 屈曲振動子は水晶ウエハの一部を取り除いて
水晶ウエハ中に矩形状の板を形成し、相対する側
の4箇所で支持したことを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の水晶振動子。 6 水晶振動子は水晶ウエハの一部を取り除いて
矩形状の板を形成し、相対する側の2箇所で支持
し縦振動子としたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の水晶温度計。 7 0.01〜10Torrの不活性なガスを報入したケ
ースに水晶振動子を収納したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の水晶温度計。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60131091A JPS61288132A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 水晶温度計 |
US06/869,103 US4772130A (en) | 1985-06-17 | 1986-05-30 | Quartz thermometer |
GB8613426A GB2176892B (en) | 1985-06-17 | 1986-06-03 | Quartz thermometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60131091A JPS61288132A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 水晶温度計 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61288132A JPS61288132A (ja) | 1986-12-18 |
JPH0362208B2 true JPH0362208B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=15049766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60131091A Granted JPS61288132A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 水晶温度計 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4772130A (ja) |
JP (1) | JPS61288132A (ja) |
GB (1) | GB2176892B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5607236A (en) * | 1987-02-27 | 1997-03-04 | Seiko Epson Corporation | Quartz oscillator temperature sensor |
US5325574A (en) * | 1987-02-27 | 1994-07-05 | Seiko Epson Corporation | Method of forming a quartz oscillator temperature sensor |
DE3744239C1 (de) * | 1987-12-24 | 1989-06-01 | Heraeus Gmbh W C | Elektronisches Thermometer |
DE3817282A1 (de) * | 1988-05-20 | 1989-11-30 | Asea Brown Boveri | Temperaturmessgeraet |
JPH02138837A (ja) * | 1988-11-19 | 1990-05-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 無線温度測定システムとその水晶温度センサ |
JPH02149115A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Seiko Electronic Components Ltd | 温度センサ用水晶長辺縦振動子 |
US5135312A (en) * | 1990-07-20 | 1992-08-04 | Sundstrand Data Control, Inc. | Temperature transducer |
US5156460A (en) * | 1990-11-05 | 1992-10-20 | Sundstrand Corporation | Crystal temperature transducer |
US5334900A (en) * | 1990-12-19 | 1994-08-02 | Seiko Electronic Components Ltd. | Torsional quartz crystal resonator |
US5686779A (en) * | 1995-03-01 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High sensitivity temperature sensor and sensor array |
US6172443B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-01-09 | Cts Corporation | Quartz crystal resonator with improved temperature performance and method therefor |
US6328802B1 (en) | 1999-09-14 | 2001-12-11 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for determining temperature of a semiconductor wafer during fabrication thereof |
JP3373840B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2003-02-04 | 有限会社ピエデック技術研究所 | ラーメモード水晶振動子 |
JP4069773B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動片、圧電振動子および圧電デバイス |
JP2014079018A (ja) * | 2014-01-24 | 2014-05-01 | Seiko Epson Corp | 振動片、振動子及び発振器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5831050A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 水素貯蔵用合金の製造法 |
JPS5857812A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 温度検出用音叉型水晶振動子 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2009379C3 (de) * | 1970-02-27 | 1975-01-30 | Gebrueder Junghans Gmbh, 7230 Schramberg | Piezoelektrischer Oszillator in Form einer Stimmgabel als Zeitnormal für zeithaltende Geräte |
JPS6037919B2 (ja) * | 1974-12-25 | 1985-08-29 | 株式会社東芝 | 原子力発電所の自動運転制御装置 |
CH589281A5 (ja) * | 1975-01-09 | 1977-06-30 | Centre Electron Horloger | |
JPS5323589A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-04 | Seiko Epson Corp | Crystal vibrator |
GB1580600A (en) * | 1978-05-09 | 1980-12-03 | Philips Electronic Associated | Kpiezoelectric devices |
CH623690A5 (ja) * | 1978-09-08 | 1981-06-15 | Centre Electron Horloger | |
GB2042796B (en) * | 1978-12-01 | 1983-01-19 | Suwa Seikosha Kk | Piezoelectric vibrator |
DE2939844A1 (de) * | 1978-12-21 | 1980-07-10 | Seiko Instr & Electronics | Quarzschwinger |
US4255228A (en) * | 1979-01-05 | 1981-03-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of growing quartz |
US4263702A (en) * | 1979-05-18 | 1981-04-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a quartz resonator |
FR2483076A1 (fr) * | 1980-05-23 | 1981-11-27 | Quartz & Electronique | Sonde de temperature utilisant une lame de quartz |
JPS5726723A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-12 | Seiko Epson Corp | Crystal thermometer |
EP0048689B1 (fr) * | 1980-08-29 | 1985-01-30 | Asulab S.A. | Thermomètre à quartz |
JPS5748819A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Seiko Epson Corp | Coupling tuning fork type quartz oscillator |
US4419600A (en) * | 1980-11-05 | 1983-12-06 | Schlumberger Technology Corporation | Stress-compensated quartz resonators |
JPS58206935A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-12-02 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 水晶温度計 |
JPS58206936A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-12-02 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 水晶温度計 |
NL8202649A (nl) * | 1982-07-01 | 1984-02-01 | Philips Nv | Temperatuur sensor. |
JPS59170737A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-27 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 水晶感温素子 |
US4472655A (en) * | 1983-03-25 | 1984-09-18 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Tuning fork flexural quartz resonator |
US4592663A (en) * | 1984-05-10 | 1986-06-03 | Quartex, Inc. | Resonator temperature transducer |
US4634914A (en) * | 1985-05-09 | 1987-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Piezoelectric SAW device with a corrugated surface |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60131091A patent/JPS61288132A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-30 US US06/869,103 patent/US4772130A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-06-03 GB GB8613426A patent/GB2176892B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5831050A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 水素貯蔵用合金の製造法 |
JPS5857812A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 温度検出用音叉型水晶振動子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61288132A (ja) | 1986-12-18 |
GB2176892B (en) | 1989-05-10 |
US4772130A (en) | 1988-09-20 |
GB8613426D0 (en) | 1986-07-09 |
GB2176892A (en) | 1987-01-07 |
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