JP6298867B2 - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
.5Paである。Pmを1000Wにしてデューティー比を変えてマイクロ波電力を変える場合は全ての領域で放電は安定しているが、従来のようにPmを減少させた場合は700から800Wで放電不安定が発生する。すなわち、従来方法では高精度のエッチングができない。
102 ウエハ
103 試料台
104 マイクロ波透過窓
105 導波管
106 マグネトロン
107 ソレノイドコイル
108 静電吸着電源
109 第二の高周波電源
110 ウエハ搬入口
111 ガス導入口
112 プラズマ
113 第一の高周波電源
114 電力制御部
201 マイコン
202 時間変換部
203 第一のパルス発生器
204 第二のパルス発生器
205 マスタークロック
206 パルス波形
207 第一のオンオフ信号発生器
208 第二のオンオフ信号発生器
401 窒素含有シリコン膜
402 ポリシリコン膜
403 酸化膜
404 シリコン基板
601 シリコン溝
602 酸化膜
603 エッチ残り
Claims (12)
- 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
第一のパルスにより前記第一の高周波電力を時間変調し、
前記プラズマ処理の開始から終了までの間、プラズマ処理時間の経過とともに前記第一のパルスのオン期間の前記第一の高周波電力を変化させずに前記第一のパルスのデューティー比を漸次的に変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
第一のパルスにより前記第一の高周波電力を時間変調し、
前記プラズマ処理の開始から終了までの間、プラズマ処理時間の経過とともに前記第一のパルスのオン期間の前記第一の高周波電力を変化させずに前記第一のパルスのデューティー比を漸次的に増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング形状に基づいてプラズマ処理時間の経過とともに前記デューティー比を漸次的に変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング形状に基づいてプラズマ処理時間の経過とともに前記デューティー比を漸次的に増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
第二のパルスにより前記第二の高周波電力を時間変調し、
前記第二のパルスは、前記第一のパルスのオン期間中にオンとなることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオン期間を維持しながら前記第一のパルスのオフ期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオン期間を維持しながら前記第一のパルスのオフ期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオフ期間を維持しながら前記第一のパルスのオン期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオフ期間を維持しながら前記第一のパルスのオン期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマは、CHF 3 ガスとCOガスとH 2 ガスとの混合ガス、CHF 3 ガスとCO 2 ガスとH 2 ガスとの混合ガス、C 2 F 6 ガスとCOガスとH 2 ガスとの混合ガスまたはC 2 F 6 ガスとCO 2 ガスとH 2 ガスとの混合ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
パルスにより前記第一の高周波電力が時間変調される場合、前記プラズマ処理の開始から終了までの間、プラズマ処理時間の経過とともに前記パルスのオン期間の前記第一の高周波電力を変化させずに前記パルスのデューティー比を漸次的に変化させる制御部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
パルスにより前記第一の高周波電力が時間変調される場合、前記プラズマ処理の開始から終了までの間、プラズマ処理時間の経過とともに前記パルスのオン期間の前記第一の高周波電力を変化させずに前記パルスのデューティー比を漸次的に増加させる制御部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
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