JPH09185999A - ラジカルの制御方法 - Google Patents
ラジカルの制御方法Info
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- JPH09185999A JPH09185999A JP8205690A JP20569096A JPH09185999A JP H09185999 A JPH09185999 A JP H09185999A JP 8205690 A JP8205690 A JP 8205690A JP 20569096 A JP20569096 A JP 20569096A JP H09185999 A JPH09185999 A JP H09185999A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマによって発生されるラジカルの密度
および組成を高精度に制御する方法に関するものであ
り、薄膜電子デバイスの製造および新素材の創製、開発
プロセスに用いられる方法を提供するにある。本発明を
利用できる分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエ
ッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・
エッチング装置等である。 【解決手段】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカ
ルを制御するに当たり、プラズマによる反応性ガスの分
解によって生成されるラジカルの密度および組成を測定
し、プラズマ発生装置の電力を一定の周期にてパルス変
調し、該パルス変調のデュティー比を、前記測定結果に
基づいて制御することによってラジカルの密度および組
成を制御する。
および組成を高精度に制御する方法に関するものであ
り、薄膜電子デバイスの製造および新素材の創製、開発
プロセスに用いられる方法を提供するにある。本発明を
利用できる分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエ
ッチング装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・
エッチング装置等である。 【解決手段】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカ
ルを制御するに当たり、プラズマによる反応性ガスの分
解によって生成されるラジカルの密度および組成を測定
し、プラズマ発生装置の電力を一定の周期にてパルス変
調し、該パルス変調のデュティー比を、前記測定結果に
基づいて制御することによってラジカルの密度および組
成を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラジカルの密度および
組成を高精度に制御する方法に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられる方法を提供するにある。本発明を利用でき
る分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエッチング
装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・エッチン
グ装置等である。
組成を高精度に制御する方法に関するものであり、薄膜
電子デバイスの製造および新素材の創製、開発プロセス
に用いられる方法を提供するにある。本発明を利用でき
る分野は、プラズマを用いたＣＶＤ、ドライエッチング
装置およびラジカルビーム、ラジカルＣＶＤ・エッチン
グ装置等である。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを用いた薄膜形成および材料加
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
工プロセスは、ＬＳＩをはじめとする薄膜電子デバイス
の製造および新素材の創製などに必要不可欠の技術であ
る。これらのプロセスでは、ラジカルが重要な役割を果
たしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスにおいて、
ラジカルは極めて重要な役割を果たしているが、ラジカ
ルの密度や組成を高精度で制御することは不可能であっ
た。したがって、所望する材料薄膜の形成や加工を実現
することは困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のプラズ
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスプラズマ中
のラジカルの密度および組成を高精度で制御する方法を
提供するものであり、本発明の特徴とする所は次の点に
ある。 第１発明 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応
性ガスの分解により生成されるラジカルを制御するに当
たり、反応性ガスの分解により生成されるラジカルの密
度および組成を測定し、上述したプラズマ発生用装置の
電力を一定の周期にてパルス変調し、該パルス変調のデ
ューティ比を変化させることによりラジカルの密度およ
び組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方
法。 第２発明 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応
性ガスの分解によって生成されるラジカルを制御するに
当たり、前記プラズマ発生装置の電力を一定周期でパル
ス変調し、このパルス変調のデューティ比を変化させな
がら、複数の組成の異なるラジカルの密度をそれぞれ測
定して、各ラジカル毎の密度とデューティ比との関係を
表すデータを求め、このデータに基づいて前記デューテ
ィ比を制御することによりラジカルの組成および密度を
制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
マを用いた薄膜形成および材料加工プロセスプラズマ中
のラジカルの密度および組成を高精度で制御する方法を
提供するものであり、本発明の特徴とする所は次の点に
ある。 第１発明 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応
性ガスの分解により生成されるラジカルを制御するに当
たり、反応性ガスの分解により生成されるラジカルの密
度および組成を測定し、上述したプラズマ発生用装置の
電力を一定の周期にてパルス変調し、該パルス変調のデ
ューティ比を変化させることによりラジカルの密度およ
び組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方
法。 第２発明 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによる反応
性ガスの分解によって生成されるラジカルを制御するに
当たり、前記プラズマ発生装置の電力を一定周期でパル
ス変調し、このパルス変調のデューティ比を変化させな
がら、複数の組成の異なるラジカルの密度をそれぞれ測
定して、各ラジカル毎の密度とデューティ比との関係を
表すデータを求め、このデータに基づいて前記デューテ
ィ比を制御することによりラジカルの組成および密度を
制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
【０００５】第３の発明 プラズマ発生装置により形成されるプラズマによるガス
の分解により生成されるラジカルを制御するに当たり、
第１のガスをプラズマにより分解して準安定原子あるい
は水素原子を生成し、該準安定原子あるいは水素原子と
第２のガスとの反応によりラジカルを生成し、生成した
ラジカルの密度および組成を測定し、この測定結果に基
づいて前記プラズマ発生装置の電力を一定周期にてパル
ス変調し、該パルス変調のデューティ比を変化させるこ
とにより準安定原子あるいは水素原子の密度および組成
を制御することにより前記ラジカルの密度および組成を
制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
の分解により生成されるラジカルを制御するに当たり、
第１のガスをプラズマにより分解して準安定原子あるい
は水素原子を生成し、該準安定原子あるいは水素原子と
第２のガスとの反応によりラジカルを生成し、生成した
ラジカルの密度および組成を測定し、この測定結果に基
づいて前記プラズマ発生装置の電力を一定周期にてパル
ス変調し、該パルス変調のデューティ比を変化させるこ
とにより準安定原子あるいは水素原子の密度および組成
を制御することにより前記ラジカルの密度および組成を
制御することを特徴とするラジカルの制御方法。
【０００６】第４の発明 第１のガス導入口および第１のパルス発生装置を有する
第１のプラズマ放電用電源が接続されたプラズマ放電室
と、このプラズマ放電室および第２のガス導入口が接続
された真空容器と、プラズマ放電室より放出されるプラ
ズマに対向するように前記真空容器内に配置される被処
理基板を支持する電極と、この電極に接続され、第２の
パルス発生装置を有する第２のプラズマ放電用電源とを
具え、前記第１および第２のプラズマ放電用電源の何れ
か一方または双方によってプラズマを形成し、このプラ
ズマによる反応性ガスの分解によりラジカルを生成する
プラズマ処理装置においてラジカルを制御するに当た
り、前記プラズマによる反応性ガスの分解により生成さ
れるラジカルの密度および組成を測定し、この測定デー
タに基づいて前記第１および第２のプラズマ放電用電源
の何れか一方または双方の電力を、前記第１および第２
のパルス発生装置の何れか一方または双方により一定の
周期にてパルス変調し、該パルス変調のデューティ比を
変化させることによりラジカルの密度および組成を制御
することを特徴とするラジカルの制御方法。
第１のプラズマ放電用電源が接続されたプラズマ放電室
と、このプラズマ放電室および第２のガス導入口が接続
された真空容器と、プラズマ放電室より放出されるプラ
ズマに対向するように前記真空容器内に配置される被処
理基板を支持する電極と、この電極に接続され、第２の
パルス発生装置を有する第２のプラズマ放電用電源とを
具え、前記第１および第２のプラズマ放電用電源の何れ
か一方または双方によってプラズマを形成し、このプラ
ズマによる反応性ガスの分解によりラジカルを生成する
プラズマ処理装置においてラジカルを制御するに当た
り、前記プラズマによる反応性ガスの分解により生成さ
れるラジカルの密度および組成を測定し、この測定デー
タに基づいて前記第１および第２のプラズマ放電用電源
の何れか一方または双方の電力を、前記第１および第２
のパルス発生装置の何れか一方または双方により一定の
周期にてパルス変調し、該パルス変調のデューティ比を
変化させることによりラジカルの密度および組成を制御
することを特徴とするラジカルの制御方法。
【０００７】上述した本発明の方法を実施するに当たっ
ては、前記反応性ガスを、フルオロカーボンガスあるい
は少なくともシリコン原子および水素原子を含有する水
素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子および水
素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロゲンとす
るのが好適である。また、本発明の好適な実施例におい
ては、プラズマ発生装置として、高周波あるいは直流あ
るいはマイクロ波あるいは電子ビームを用いてプラズマ
を発生させるものを用い、高周波あるいは直流あるいは
マイクロ波あるいは電子ビームをパルス変調してラジカ
ルの制御を行なうようにする。
ては、前記反応性ガスを、フルオロカーボンガスあるい
は少なくともシリコン原子および水素原子を含有する水
素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子および水
素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロゲンとす
るのが好適である。また、本発明の好適な実施例におい
ては、プラズマ発生装置として、高周波あるいは直流あ
るいはマイクロ波あるいは電子ビームを用いてプラズマ
を発生させるものを用い、高周波あるいは直流あるいは
マイクロ波あるいは電子ビームをパルス変調してラジカ
ルの制御を行なうようにする。
【０００８】〔構成〕図１に本発明によるラジカルの制
御方法を適用したＥＣＲプラズマ処理装置の構成の一例
を示す。同図中、１は、反応室を形成する真空容器であ
り、真空容器１の上部には、ＥＣＲ放電を発生する放電
室２が連結されている。放電室２には、例えば2.45ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入するための導波管３が設けられ、
これによりマイクロ波電源４に接続されている。マイク
ロ波電源４は、パルス発生装置５に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。また、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三
フッ化メタン（ＣＨＦ3）等の反応性ガス（Ａ）を導入
するための第１の導入口６が放電室２に取り付けられて
いる。７は放電室２の外壁を水冷するために設けられた
冷却機構であり、冷却機構７の外側には、磁気コイル８
が放電室２を取囲んで取り付けられている。放電室２に
おいてマイクロ波で放電が生起し、その放電中で電子が
サイクロトロン運動するように磁気コイル８により、例
えば875 ガウス程度の磁界が与えられて高密度のプラズ
マが生成される。
御方法を適用したＥＣＲプラズマ処理装置の構成の一例
を示す。同図中、１は、反応室を形成する真空容器であ
り、真空容器１の上部には、ＥＣＲ放電を発生する放電
室２が連結されている。放電室２には、例えば2.45ＧＨ
ｚのマイクロ波を導入するための導波管３が設けられ、
これによりマイクロ波電源４に接続されている。マイク
ロ波電源４は、パルス発生装置５に接続され、これによ
りその出力はパルス状波形から連続波形まで任意に制御
可能である。また、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三
フッ化メタン（ＣＨＦ3）等の反応性ガス（Ａ）を導入
するための第１の導入口６が放電室２に取り付けられて
いる。７は放電室２の外壁を水冷するために設けられた
冷却機構であり、冷却機構７の外側には、磁気コイル８
が放電室２を取囲んで取り付けられている。放電室２に
おいてマイクロ波で放電が生起し、その放電中で電子が
サイクロトロン運動するように磁気コイル８により、例
えば875 ガウス程度の磁界が与えられて高密度のプラズ
マが生成される。
【０００９】一方、真空容器１の内部には、試料ホルダ
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されて装置真空容器１および放電室２内
は、所定のガス圧力に保たれる。
ーとしての電極９が設置され、この電極９上に被処理基
板10としてのウエハー等が載置されている。電極９に
は、マッチング回路11を介してバイアス用高周波電力印
加用の高周波電源12が接続されている。高周波電源12
は、パルス発生装置13が接続され、これにより出力はパ
ルス状波形から連続波形まで任意に制御可能であるよう
構成する。従って、この電極９には、上記高周波の印加
によりマイナス数10〜マイナス300 Ｖ程度のバイアスが
生じる。14は、電極９内部を通じて設けられ被処理基板
10を冷却するための冷却水冷管である。また、真空容器
１には、例えばＨｅ等の不活性ガスおよび三フッ化メタ
ン（ＣＨＦ3 ）等の反応性ガス（Ｂ）を導入するための
第２の導入口15が取り付けられるとともに、真空排気装
置17に通じる排気管16が接続されている。各導入口６，
15から原料ガスが一定量導入されるとともに、真空排気
装置17で排気されて装置真空容器１および放電室２内
は、所定のガス圧力に保たれる。
【００１０】放電室２に導入された三フッ化メタン（Ｃ
ＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，ＣＦ，ＣＦ2 ，Ｃ
Ｆ3 等のラジカルＲが発生する。このプラズマＰは、放
電室２から真空容器１内に延びている。プラズマＰから
発生したラジカルＲは、被処理基板10上で重合し、ポリ
マー薄膜が成長する。一方、被処理基板10に高周波電源
12より高周波出力を印加するとこの高周波により被処理
基板10表面には、セルフバイアス電圧が誘起され、この
バイアス電圧によりプラズマからイオンが引き出されて
被処理基板10が衝撃される。イオン衝撃により被処理基
板10のエッチングが生じる。また、高周波電源12の出力
を適宜調整することにより、被処理基板10表面に高周波
引加によるプラズマの発生も可能である。
ＨＦ3 ）は、プラズマＰになり、Ｆ，ＣＦ，ＣＦ2 ，Ｃ
Ｆ3 等のラジカルＲが発生する。このプラズマＰは、放
電室２から真空容器１内に延びている。プラズマＰから
発生したラジカルＲは、被処理基板10上で重合し、ポリ
マー薄膜が成長する。一方、被処理基板10に高周波電源
12より高周波出力を印加するとこの高周波により被処理
基板10表面には、セルフバイアス電圧が誘起され、この
バイアス電圧によりプラズマからイオンが引き出されて
被処理基板10が衝撃される。イオン衝撃により被処理基
板10のエッチングが生じる。また、高周波電源12の出力
を適宜調整することにより、被処理基板10表面に高周波
引加によるプラズマの発生も可能である。
【００１１】マイクロ波電源４から発生するマイクロ波
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
引加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
出力をパルス発生装置５にて変調し、あるいは、高周波
電源12から発生する高周波出力をパルス発生装置13によ
り変調し、あるいはマイクロ波出力および高周波出力の
引加を時間分割し、適宜組み合わせることにより、真空
容器１内におけるラジカルＲの密度および組成を制御す
ることが可能である。
【００１２】なお、第２反応性ガス導入口を設ける理由
は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、その
ガス導入口６より放電室２に直接導入される。放電室２
においては、マイクロ波で放電が生起し高密度のプラズ
マが生ずる。プラズマは磁場により電極９の方向に拡散
する。プラズマの密度および電子温度も、放電室２から
電極９に向って次第に減衰する。
は、例えば、図１において第１の反応性ガスＡは、その
ガス導入口６より放電室２に直接導入される。放電室２
においては、マイクロ波で放電が生起し高密度のプラズ
マが生ずる。プラズマは磁場により電極９の方向に拡散
する。プラズマの密度および電子温度も、放電室２から
電極９に向って次第に減衰する。
【００１３】従って、第１反応性ガスＡは、まず、高密
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
度のプラズマの放電室２に導入されるため、ガスの分解
率も高く、ガスは低次の原子に至るまで分解が生ずる。
【００１４】一方、第２のガス導入口15に供給される第
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15より放電
室２の下部から真空容器１に導入される。上述の如く第
２の反応性ガス導入口15は、高密度プラズマから拡散し
たプラズマに接触する。この領域のプラズマは放電室２
におけるプラズマに比べ電子温度が低く（即ち低エネル
ギー）なっていることが特徴である。
２の反応性ガスＢは、第２反応性ガス導入口15より放電
室２の下部から真空容器１に導入される。上述の如く第
２の反応性ガス導入口15は、高密度プラズマから拡散し
たプラズマに接触する。この領域のプラズマは放電室２
におけるプラズマに比べ電子温度が低く（即ち低エネル
ギー）なっていることが特徴である。
【００１５】従って、第２の反応性ガス導入口15から第
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
２の反応性ガスを導入した場合、第２の反応性ガスの分
解は、第１の反応性ガスの分解に比べ若干低いマイルド
なものとなる。
【００１６】このようにエネルギーの異なるプラズマ
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせるのが可能となる。
（電子温度が異なるプラズマ）に対してガスを選択し、
適宜第１の反応性ガス導入口６又は第２の反応性ガス導
入口15からガスをそれぞれ導入することにより、種々の
反応を選択的に生じさせるのが可能となる。
【００１７】本発明において、第２反応性ガスとしてど
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
のようなガスを真空容器１に導入し、どのような反応を
させることを意図しているのかについては、実施例１〜
３において、第１の反応性ガスとしてＣＨＦ3 およびＣ
ＨＦ3 ／Ｈｅ等不活性ガスを導入する。本質的には実施
例１および実施例２においては、第１のガス導入口６の
かわりに第２のガス導入口15よりＣＨＦ3 およびＣＨＦ
3 とＨｅとの混合物等を導入しても大体同様の効果が期
待される。又、第２のガス導入口15からガス導入した方
が分解解離が抑制されるので、ガスの選択によってはラ
ジカルの組成が第１のガス導入口６から導入した場合と
異なってくる。
【００１８】次に下記のプロセスでは第１のガス導入口
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
６と第２のガス導入口15とで種々の変化が生ずる。第１
のガス導入口６からは、例えば不活性ガス（Ｈｅ，Ｎ
ｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒ）あるいはＨ2 を導入し、第２の
導入口15からＣＨＦ3 等の反応性ガスを導入することも
可能である。
【００１９】まず、第１のガス導入口６からＣＨＦ3 を
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口（図中矢印で示されるマイクロ波の直下）
に設置してあるマイクロ波導入窓19がＣＨＦ3 の分解よ
り生じたラジカル等により、堆積膜が付着し汚損する。
この汚損が大きくなると、マイクロ波導入の効率が低下
し、放電が不安定となる。
導入するとガスの高い分解より、図１に示すようにマイ
クロ波導入口（図中矢印で示されるマイクロ波の直下）
に設置してあるマイクロ波導入窓19がＣＨＦ3 の分解よ
り生じたラジカル等により、堆積膜が付着し汚損する。
この汚損が大きくなると、マイクロ波導入の効率が低下
し、放電が不安定となる。
【００２０】一方、第１の導入口６より不活性ガスある
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）が放電室２へ導入されないため、窓19の汚染は生じ
ない。
いはＨ2 を導入するとこれらのガス（Ａ）の流下によ
り、第２のガス導入口15より導入したＣＨＦ3 （ガス
Ｂ）が放電室２へ導入されないため、窓19の汚染は生じ
ない。
【００２１】又、第１のガス導入口６より導入された不
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
活性ガスあるいはＨ2 が電子温度の高いプラズマにより
分解されＨｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＫｒのイオンやＨｅ
* ，Ａｒ* ，Ｎｅ* ，Ｘｅ* ，Ｋｒ* の準安定原子が生
ずる。又Ｈ2 よりはＨ原子が生ずる。
【００２２】したがって、第２のガス導入口15より導入
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
されたＣＨＦ3 （ガス（Ｂ））は、比較的電子温度の低
いプラズマによりマイルドに分解されるとともに寿命の
長い準安定原子（Ｈｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ* ，Ｋｒ* ，Ｘ
ｅ* ）あるいはＨ原子とＣＨＦ3 との反応が支配的にな
る。後者のような他の原子との衝突反応の割合が大きく
なって来るとプラズマにより分解されるものとは反応が
大きく変化し、生じるラジカルの密度、組成も変化する
ことになる。
【００２３】さらに、実施例３のように、メッシュ等に
より形成された第２の電極18を挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ*，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
より形成された第２の電極18を挿入し、第１のガス導入
口６より不活性ガス、第２のガス導入口15より反応性ガ
ス（ＣＨＦ3 ）を導入すると、電極18にてプラズマおよ
びイオンが除去されるので真空容器１の電極９へは、不
活性ガスの分解により生じたＨｅ* ，Ｎｅ* ，Ａｒ*，
Ｋｒ* ，Ｘｅ* の寿命の長い準安定原子およびこの準安
定原子とＣＨＦ3 ガスとの反応により生成したラジカル
が電極９に導入される。このときＣＨＦ3 は、プラズマ
により分解されたのではなく、準安定原子との衝突によ
り分解が生じているため、生成されるラジカル特性も変
化する。
【００２４】この場合も、プラズマのオン・オフデュー
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
ティ比を変化させることにより準安定原子の時間的密度
が変化するのでＣＨＦ3 が分解し、生じたラジカルの組
成も変化し、上述のような制御が可能となる。
【００２５】最後にＨ2 は容易に分解が生ぜず高いエネ
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
ルギー（高い電子温度）が必要となる。したがって、Ｈ
2 をガス導入口６より導入することにより効率的にＨ原
子を形成させ、Ｈ原子とガス導入口６又はガス導入口15
より導入したＣＨＦ3 ガスとの反応によりラジカルの組
成等を制御することも可能となる。
【００２６】以上により、ガス導入口６又はガス導入口
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
15にどのようなガスを導入するかは、プロセスに応じ適
宜選択することが可能である。
【００２７】
〔実施例１〕次に、第１の実施例として図１に示すＥＣ
Ｒプラズマ処理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆
積方法に係わるラジカル制御方法を説明する。まず、図
１に示す装置の放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）
を導入し、ＣＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マイクロ
波は、マイクロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃｃｍ、
周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイクロ波
電源の出力のデューテイ比を15〜100 ％（連続）まで変
化させプラズマのオン・オフ変調を行った。この場合、
被処理基板10にＳｉ基板を使用し、高周波の引加は行わ
なかった。ＯＮ期間とＯＦＦ期間の和は100 msecで一定
とした。
Ｒプラズマ処理装置を用いたフルオロカーボン薄膜の堆
積方法に係わるラジカル制御方法を説明する。まず、図
１に示す装置の放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）
を導入し、ＣＨＦ3 の圧力を0.4 Ｐａに保つ。マイクロ
波は、マイクロ波入力電力300 Ｗ、流量5.0 ｓｃｃｍ、
周期100 msecとし、パルス発生装置５によりマイクロ波
電源の出力のデューテイ比を15〜100 ％（連続）まで変
化させプラズマのオン・オフ変調を行った。この場合、
被処理基板10にＳｉ基板を使用し、高周波の引加は行わ
なかった。ＯＮ期間とＯＦＦ期間の和は100 msecで一定
とした。
【００２８】真空容器１に設置した赤外半導体レーザ吸
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板10の２cm
上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 のそれぞれのラジカ
ル密度を測定した。
【００２９】図２および図３に本発明を適用して得られ
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50msec以上で飽和する。これより、デューティ比を変
化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度お
よび組成を制御することが可能であることが分かった。
た結果の例を示す。図２よりＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジ
カル密度は連続放電よりもオン・オフ放電をさせること
により増加することが分かる。ＣＦ3 ラジカルは、オン
期間の増加とともに僅かに増加するがオン期間70 msec
以上では次第に減少する。すなわち、ＯＮ−ＯＦＦ期間
の変化に対して密度の変化は小さく、連続放電では密度
がわずかに小さくなる傾向が観測された。一方、Ｃ
Ｆ2 ，ＣＦラジカルはＯＮ期間が15 msec の時の密度は
連続放電の時に比べそれぞれ３倍、４倍大きいことが分
かった。オン期間の増加とともに急速に減少し、オン期
間50msec以上で飽和する。これより、デューティ比を変
化させることによりＥＣＲプラズマ中のラジカル密度お
よび組成を制御することが可能であることが分かった。
【００３０】図３は、ＳｉおよびＳｉＯ2 上に堆積した
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
フルオロカーボン膜のオン・オフ変調デューティ比依存
性を示している。プラズマ処理時間は、120 分である。
ＳｉおよびＳｉＯ2 の基板の相違において、堆積膜厚の
変化は、観測されなかった。堆積したフルオロカーボン
膜厚は、デューティ比とともにに増加する。一方、堆積
速度（堆積したフルオロカーボンの膜厚／（放電時間12
0 分×デューティ比））は、デューティ比とともに減少
することが分かった。堆積速度とＣＦ2 ，ＣＦラジカル
密度の間には、相関関係があり、デューティ比を変化さ
せることにより、プラズマ中のラジカルと堆積速度の膜
厚制御が可能となる。
【００３１】〔実施例２〕次に、第２の実施例として上
述のＥＣＲプラズマ処理装置を用いたエッチング方法に
係わるラジカル制御方法を説明する。まず、放電室２に
三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに
保つ。マイクロ波は、周期100 msecとし、パルス発生装
置５によりマイクロ波電源出力を時間分割し、マイクロ
波パワー400 Ｗと100 Ｗにて、デューティ比を１〜100
％（連続）まで変化させ、マイクロ波パワーの変調を行
った。この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 上に適
当なエッチングパターンを形成したものを用いた。被処
理基板10に13.56 ＭＨｚの高調波を引加し、バイアス10
0 Ｖの電圧を被処理基板10の表面に引加した。この場
合、実施例１と同様、真空容器１に設置した赤外半導体
レーザ吸収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板
10の２cm上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密
度を測定した。ＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカルは、実施
例１において、図２に示したものと良く似た挙動をする
ことが分かった。
述のＥＣＲプラズマ処理装置を用いたエッチング方法に
係わるラジカル制御方法を説明する。まず、放電室２に
三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、圧力0.4 Ｐａに
保つ。マイクロ波は、周期100 msecとし、パルス発生装
置５によりマイクロ波電源出力を時間分割し、マイクロ
波パワー400 Ｗと100 Ｗにて、デューティ比を１〜100
％（連続）まで変化させ、マイクロ波パワーの変調を行
った。この場合、被処理基板10として、ＳｉＯ2 上に適
当なエッチングパターンを形成したものを用いた。被処
理基板10に13.56 ＭＨｚの高調波を引加し、バイアス10
0 Ｖの電圧を被処理基板10の表面に引加した。この場
合、実施例１と同様、真空容器１に設置した赤外半導体
レーザ吸収分光装置（図示省略）を用いて、被処理基板
10の２cm上部におけるＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密
度を測定した。ＣＦ，ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカルは、実施
例１において、図２に示したものと良く似た挙動をする
ことが分かった。
【００３２】図４に本発明を適用して得られたエッチン
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
グ結果の例を示す。すなわち、図４は、ＳｉＯ2 のエッ
チング速度と加工形状の関係を示している。この場合の
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となる。
【００３３】〔実施例３〕次に、実施例３としてラジカ
ルビーム装置を用いたエッチング方法に係わるラジカル
制御方法を説明する。図５は実施例３に用いたラジカル
ビーム装置である。図５において、図１に示したものと
同一部分は同一符号を付しその説明を省略する。図５に
示したＥＣＲプラズマ処理装置において、真空容器１と
真空容器２の間にメッシュにより形成された第２の電極
18を挿入した。第２の電極18は、適当な正および負のバ
イアスを引加することにより、放電室２においてプラズ
マから発生したイオンや電子等の荷電粒子を除去し、真
空容器１へ、ラジカルのみを導くことが可能である。
ルビーム装置を用いたエッチング方法に係わるラジカル
制御方法を説明する。図５は実施例３に用いたラジカル
ビーム装置である。図５において、図１に示したものと
同一部分は同一符号を付しその説明を省略する。図５に
示したＥＣＲプラズマ処理装置において、真空容器１と
真空容器２の間にメッシュにより形成された第２の電極
18を挿入した。第２の電極18は、適当な正および負のバ
イアスを引加することにより、放電室２においてプラズ
マから発生したイオンや電子等の荷電粒子を除去し、真
空容器１へ、ラジカルのみを導くことが可能である。
【００３４】まず、本例においては、実施例２と同様
に、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、
圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周期100 msecと
し、マイクロ波パワーを時間分割し400 Ｗと100 Ｗを交
互に導入した。パルス発生装置５によりマイクロ波電源
出力をデューティ比を15〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、プラズマのパワー変調を行った。この場合、被処理
基板10として、ＳｉＯ2 を用いた。被処理基板10に13.5
6 ＭＨｚの高周波を引加し、高周波電力500 Ｗにて高調
波放電を形成し、プラズマを生成した。これにより、バ
イアス200 Ｖの電圧が被処理基板10の表面に引加され
る。また、高周波の引加は、パルス発生装置13によるパ
ルスの変調を行わないで連続とした。
に、放電室２に三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）を導入し、
圧力0.4 Ｐａに保つ。マイクロ波は、周期100 msecと
し、マイクロ波パワーを時間分割し400 Ｗと100 Ｗを交
互に導入した。パルス発生装置５によりマイクロ波電源
出力をデューティ比を15〜100 ％（連続）まで変化さ
せ、プラズマのパワー変調を行った。この場合、被処理
基板10として、ＳｉＯ2 を用いた。被処理基板10に13.5
6 ＭＨｚの高周波を引加し、高周波電力500 Ｗにて高調
波放電を形成し、プラズマを生成した。これにより、バ
イアス200 Ｖの電圧が被処理基板10の表面に引加され
る。また、高周波の引加は、パルス発生装置13によるパ
ルスの変調を行わないで連続とした。
【００３５】本例においては、実施例１と同様、真空容
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，ＣＦ
2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に示
す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカル
組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能で
あることが分かる。
器１に設置した赤外半導体レーザ吸収分光装置（図示省
略）を用いて、被処理基板10の２cm上部におけるＣＦ，
ＣＦ2 ，ＣＦ3 ラジカル密度を測定した。ＣＦ，ＣＦ
2 ，ＣＦ3 ラジカルのデューティ比依存性は、図２に示
す実施例１の結果と同様であった。これより、ラジカル
組成を任意に可変可能なラジカルビームの形成が可能で
あることが分かる。
【００３６】すなわち、図６に本発明を適用して得られ
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となることが
判った。
たエッチング結果の例を示す。すなわち、図６は、Ｓｉ
Ｏ2 のエッチング速度と加工形状の関係を示している。
プラズマ処理時間は５分である。エッチング速度は、デ
ューティ比とともに増加する。一方、加工形状は、デュ
ーティ比とともに垂直形状となることが分かる。これよ
り、デューティ比を変化させることにより、プラズマ中
のラジカルとエッチング形状の制御が可能となることが
判った。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマから生じるラ
ジカルの密度および組成を測定し、その測定結果に基づ
いてプラズマ発生装置の電力のデューティ比を制御する
ようにしたので、ラジカルの密度および組成を高精度に
制御することができる。したがって、プラズマＣＶＤ、
プラズマエッチングプロセスにおいて、ラジカルを高精
度で制御した高品質薄膜材料の形成や高精度の微細加工
が可能となる。例えば、プラズマＣＶＤによる非晶質シ
リコンおよび微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、
シリコン化合物の形成プロセスや、フルオロカーボンガ
スやハロゲンガスを反応性ガスとして用い、容量結合あ
るいは誘導結合型で高周波を印加して得られるプラズマ
エッチング装置あるいはマイクロ波によりプラズマを生
成したプラズマエッチング装置を用いるドライエッチン
グプロセスへの適用が可能である。
ジカルの密度および組成を測定し、その測定結果に基づ
いてプラズマ発生装置の電力のデューティ比を制御する
ようにしたので、ラジカルの密度および組成を高精度に
制御することができる。したがって、プラズマＣＶＤ、
プラズマエッチングプロセスにおいて、ラジカルを高精
度で制御した高品質薄膜材料の形成や高精度の微細加工
が可能となる。例えば、プラズマＣＶＤによる非晶質シ
リコンおよび微結晶シリコン薄膜、ダイヤモンド薄膜、
シリコン化合物の形成プロセスや、フルオロカーボンガ
スやハロゲンガスを反応性ガスとして用い、容量結合あ
るいは誘導結合型で高周波を印加して得られるプラズマ
エッチング装置あるいはマイクロ波によりプラズマを生
成したプラズマエッチング装置を用いるドライエッチン
グプロセスへの適用が可能である。
【００３８】上述したように本発明によれば、プラズマ
ＣＶＤ装置およびプラズマエッチング装置においてラジ
カルを高精度で制御することができるともに、ラジカル
ビーム装置においてラジカル組成を任意に可変でき、工
業上大なる効果がある。
ＣＶＤ装置およびプラズマエッチング装置においてラジ
カルを高精度で制御することができるともに、ラジカル
ビーム装置においてラジカル組成を任意に可変でき、工
業上大なる効果がある。
【図１】図１は本発明によるラジカル制御方法を実施す
る装置の一例を示す略図である。
る装置の一例を示す略図である。
【図２】図２は本発明のラジカル制御方法の実施例１で
測定したラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す
特性図である。
測定したラジカル密度とオン−オフ周期との関係を示す
特性図である。
【図３】図３は同じく実施例１で測定したポリマー厚さ
とオン−オフ周期との関係を示す特性図である。
とオン−オフ周期との関係を示す特性図である。
【図４】図４（Ａ）は本発明によるラジカル制御方法の
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図であり、図４（Ｂ）は同じく
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図である。
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図であり、図４（Ｂ）は同じく
実施例２で測定したエッチング率と、周期およびテーパ
ー角との関係を示す特性図である。
【図５】図５は本発明によるラジカル制御方法他を実施
するる装置の他の例の構成を示す略図である。
するる装置の他の例の構成を示す略図である。
【図６】図６は本発明によるラジカル制御方法の実施例
３で測定したエッチング率と周期との関係を示す特性図
である。
３で測定したエッチング率と周期との関係を示す特性図
である。
１ 真空容器 ２ 放電室 ３ 導波管 ４ マイクロ波電源 ５ パルス発生装置 ６ 第１反応性ガス導入口 ７ 水冷却機構 ８ 磁気コイル ９ 第１電極 １０ 被処理基板 １１ 高周波マッチング回路 １２ 高周波電源 １３ パルス発生装置 １４ 冷却水冷管 １５ 第２反応性ガス導入口 １６ 排気管 １７ 真空排気装置 １８ メッシュ状第２電極 １９ 窓 Ｐ プラズマ Ｒ ラジカル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 27/18 Ｈ０１Ｊ 27/18 37/08 37/08 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/203 Ｓ // Ｈ０１Ｌ 21/203 21/302 Ａ
Claims (7)
- 【請求項１】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによる反応性ガスの分解により生成されるラジカル
を制御するに当たり、反応性ガスの分解により生成され
るラジカルの密度および組成を測定し、上述したプラズ
マ発生用装置の電力を一定の周期にてパルス変調し、該
パルス変調のデューティ比を変化させることによりラジ
カルの密度および組成を制御することを特徴とするラジ
カルの制御方法。 - 【請求項２】 前記反応性ガスを、フルオロカーボンガ
スあるいは少なくともシリコン原子および水素原子を含
有する水素化シリコンガスあるいは少なくとも炭素原子
および水素原子を含有する水素化炭素ガスあるいはハロ
ゲンとすることを特徴とする請求項１記載のラジカルの
制御方法。 - 【請求項３】 前記プラズマ発生装置として、高周波あ
るいは直流あるいはマイクロ波あるいは電子ビームを用
いてプラズマを発生させるものを用い、高周波あるいは
直流あるいはマイクロ波あるいは電子ビームをパルス変
調してラジカルを制御することを特徴とする請求項１記
載のラジカルの制御方法。 - 【請求項４】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによる反応性ガスの分解によって生成されるラジカ
ルを制御するに当たり、前記プラズマ発生装置の電力を
一定周期でパルス変調し、このパルス変調のデューティ
比を変化させながら、複数の組成の異なるラジカルの密
度をそれぞれ測定して、各ラジカル毎の密度とデューテ
ィ比との関係を表すデータを求め、このデータに基づい
て前記デューティ比を制御することによりラジカルの組
成および密度を制御することを特徴とするラジカルの制
御方法。 - 【請求項５】 プラズマ発生装置により形成されるプラ
ズマによるガスの分解により生成されるラジカルを制御
するに当たり、第１のガスをプラズマにより分解して準
安定原子あるいは水素原子を生成し、該準安定原子ある
いは水素原子と第２のガスとの反応によりラジカルを生
成し、生成したラジカルの密度および組成を測定し、前
記プラズマ発生装置の電力を一定周期にてパルス変調
し、該パルス変調のデューティ比を変化させることによ
り準安定原子あるいは水素原子の密度および組成を制御
することにより前記ラジカルの密度および組成を制御す
ることを特徴とするラジカルの制御方法。 - 【請求項６】 前記第１のガスを、不活性ガスおよび少
なくとも水素原子を含有するガスとし、前記第２のガス
を、フルオロカーボンあるいはハロゲンガスとすること
を特徴とする請求項５記載のラジカルの制御方法。 - 【請求項７】 第１のガス導入口および第１のパルス発
生装置を有する第１のプラズマ放電用電源が接続された
プラズマ放電室と、このプラズマ放電室および第２のガ
ス導入口が接続された真空容器と、プラズマ放電室より
放出されるプラズマに対向するように前記真空容器内に
配置される被処理基板を支持する電極と、この電極に接
続され、第２のパルス発生装置を有する第２のプラズマ
放電用電源とを具え、前記第１および第２のプラズマ放
電用電源の何れか一方または双方によってプラズマを形
成し、このプラズマによる反応性ガスの分解によりラジ
カルを生成するプラズマ処理装置においてラジカルを制
御するに当たり、前記プラズマによる反応性ガスの分解
により生成されるラジカルの密度および組成を測定し、
この測定データに基づいて前記第１および第２のプラズ
マ放電用電源の何れか一方または双方の電力を、前記第
１および第２のパルス発生装置の何れか一方または双方
により一定の周期にてパルス変調し、該パルス変調のデ
ューティ比を変化させることによりラジカルの密度およ
び組成を制御することを特徴とするラジカルの制御方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205690A JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205690A JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5241487A Division JP2764524B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ラジカルの制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185999A true JPH09185999A (ja) | 1997-07-15 |
| JP2764575B2 JP2764575B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16511101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8205690A Expired - Lifetime JP2764575B2 (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | ラジカルの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764575B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000017920A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement au plasma |
| JP2000150492A (ja) * | 1997-09-26 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
| JP2002538618A (ja) * | 1999-03-05 | 2002-11-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 時間変調プラズマによる種の動的制御 |
| WO2006073152A1 (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理方法 |
| JP2006278223A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ活性粒子の密度計測方法及び密度計測装置 |
| JP2007044628A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Osaka Prefecture Univ | 半導体プロセス用排ガス処理方法及び処理装置 |
| US8828254B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-09-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
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