JP2006190877A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マイクロ波発生装置39からパルス状のマイクロ波を、マッチング回路38を経て導波管37に導き、内導体41を介して平面アンテナ部材31に供給し、平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を介してチャンバー1内におけるウエハWの上方空間に放射させる。平面アンテナ部材31からマイクロ波透過板28を経てチャンバー1に放射されたパルス状のマイクロ波によりチャンバー1内で電磁界が形成され、Arガス、H2ガス、O2ガスがプラズマ化してウエハWに対し酸化膜の形成が行なわれる。
【選択図】 図1
Description
これまで、シリコン表面に酸化膜を形成するには、多くの場合、熱酸化法が用いられてきた。しかし、高温で行なわれる熱酸化では、ドーピングされた不純物の再拡散が起こるなど、熱処理によるダメージを伴うという問題があった。
(1) 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させることにより、シリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマは、パルス状の電磁波により形成されることを特徴とする、プラズマ処理方法。
(2) 前記電磁波がマイクロ波であることを特徴とする、上記(1)に記載のプラズマ処理方法。
(3) 前記パルス状の電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度が、連続電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度と比較して50%以下で、かつ、
前記パルス状の電磁波のプラズマによる酸化レートが、連続電磁波のプラズマによる酸化レートに比較して55%以上、
となるようにパルス条件を制御することを特徴とする、上記(1)または(2)に記載のプラズマ処理方法。
(4) 処理ガスとして、希ガスと酸素と水素を含むガスを用いることを特徴とする、上記(3)に記載のプラズマ処理方法。
(5) 紫外領域での発光が、OHラジカルによる発光であることを特徴とする、上記(3)または(4)に記載のプラズマ処理方法。
(6) 前記パルス状の電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度が、連続電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度と比較して90%以下で、かつ、
前記パルス状の電磁波のプラズマによる酸化レートが、連続電磁波のプラズマによる酸化レートに比較して80%以上、
となるようにパルス条件を制御することを特徴とする、上記(1)または(2)に記載のプラズマ処理方法。
(7) 処理ガスとして、希ガスと酸素を含むガスを用いることを特徴とする、上記(6)に記載のプラズマ処理方法。
(8) 前記パルスの周波数が1〜100kHz、デューティー比が10〜90%であることを特徴とする、上記(1)から(7)のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
(9) 前記パルスの周波数が5〜50kHz、デューティー比が50%〜90%であることを特徴とする、上記(1)から(7)のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
(10) 処理圧力が66.7.〜266.6Paであることを特徴とする、上記(1)から(9)のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
(11) 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させることにより、シリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成するプラズマ処理方法であって、
前記処理室内にパルス状の電磁波を導入することによりプラズマを発生させるとともに、前記処理室内のプラズマの発光強度を測定し、その値に応じてパルス条件を変更することによって発光強度を制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。
(12) 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させて処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理室内にパルス状の電磁波を導入することによりプラズマを発生させるとともに、パルス条件によって前記処理室内のプラズマの発光強度を制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。
(13) 前記処理室内のプラズマの発光強度を測定し、その値に応じてパルス条件を変更することによって発光強度を制御することを特徴とする、上記(12)に記載のプラズマ処理方法。
(14) プラズマの発光が、紫外領域での発光であることを特徴とする、上記(12)または(13)に記載のプラズマ処理方法。
(15) 前記プラズマ処理装置は、複数のスロットを有する平面アンテナを備えており、該平面アンテナにて前記処理室内にマイクロ波を導入するものであることを特徴とする、上記(1)から(14)のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
(16) パルス状の電磁波によりプラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体上に成膜処理を行なうための処理室を区画する処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を載置する支持体と、
前記処理容器内を減圧するための排気手段と、
前記処理容器内にガスを供給するためのガス供給手段と、
前記処理容器内で、上記(1)から(15)のいずれかに記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
(17) コンピュータ上で動作し、実行時に、上記(1)から(15)のいずれかに記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
(18) コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、上記(1)から(15)のいずれかに記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように、前記プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
しかも、プラズマ酸化処理においては、パルス条件を選択することにより、連続電磁波によるプラズマに近い酸化レートを維持しながら良質な酸化膜を形成することが可能になる。
また、プラズマ処理時にパルス条件を可変にすることによって、プラズマの紫外領域の発光強度を制御できるので、プラズマダメージの少ない処理が可能になる。
まず、ゲートバルブ26を開にして搬入出口25からシリコン層が形成されたウエハWをチャンバー1内に搬入し、サセプタ2上に載置する。そして、ガス供給系16のArガス供給源17およびH2ガス供給源18、O2ガス供給源19から、Arガス、H2ガスおよびO2ガスを所定の流量でガス導入部材15を介してチャンバー1内に導入する。具体的には、例えばArなどの希ガス流量を250〜1000mL/min(sccm)、H2ガス流量を1〜20mL/min(sccm)、O2ガス流量を1〜20mL/min(sccm)に設定し、チャンバー内を6.7〜1333Pa(50mTorr〜10Torr)、好ましくは66.7〜266.6Pa(500mTorr〜2Torr)、望ましくは133.3Pa前後の処理圧力に調整し、ウエハWの温度を300〜800℃、好ましくは400〜600℃程度に加熱する。
次に示す条件でパルス状の電磁波としてマイクロ波を用いてSi基板を酸化して酸化膜(SiO2膜)を形成する際に、モノクロメータでチャンバー内の波長310nmにおける発光強度を測定し、連続マイクロ波を用いた場合と比較した。その結果を図5に示した。
Ar/H2/O2流量比=500/5/5mL/min(sccm)
チャンバー内圧力=133.3Pa
マイクロ波パワー=2750W
ウエハW温度=500℃
パルス状マイクロ波プラズマ1:周波数=5kHz、デューティー比=50%
パルス状マイクロ波プラズマ2:周波数=50kHz、デューティー比=50%
連続マイクロ波プラズマ:周波数=2.45GHz
<条件>
(1)Ar/H2/O2
流量比=500/5/5mL/min(sccm)
チャンバー内圧力=133.3Pa
マイクロ波パワー=2750W
ウエハW温度=500℃
パルス周波数=1kHzまたは50kHz(いずれもデューティー比=50%)
(2)Ar/O2
流量比=500/5mL/min(sccm)
チャンバー内圧力=133.3Pa
マイクロ波パワー=2750W
ウエハW温度=500℃
パルス周波数=5kHz、30kHzまたは50kHz(いずれもデューティー比=50%)
(3)連続マイクロ波プラズマ:上記二通りのガス系で、周波数=2.45GHzとした以外は同様の条件で実施した。
(1)Ar/H2/O2
流量比=500/5/5mL/min(sccm)
チャンバー内圧力=133.3Pa
マイクロ波パワー=2750W
ウエハW温度=500℃
パルス周波数=1kHzから50kHzの範囲で変化させた(いずれもデューティー比=50%)
処理時間=180秒
(2)Ar/O2
流量比=500/5mL/min(sccm)
チャンバー内圧力=133.3Pa
マイクロ波パワー=2750W
ウエハW温度=500℃
パルス周波数=1kHzから50kHzの範囲で変化させた(いずれもデューティー比=50%)
処理時間=180秒
(3)連続マイクロ波プラズマ:上記二通りのガス系で、周波数=2.45GHzの連続波とした以外は同様の条件で実施した。
また、Ar/O2の場合は、パルス周波数が2kHz〜50kHzまでは酸化レートが一定で、この範囲では連続波に対する酸化レートの低下が少なく、パルス周波数が2kHz以下になると酸化レートが低下した。以上のことから、Ar/H2/O2およびAr/O2のいずれのガス系の場合でも、酸化レートを維持しながらOH*の発光強度を低減する観点で、デューティー比=50%においてパルス周波数5kHz〜50kHzの範囲が特に好ましいと考えられる。
(共通の条件)
Ar/H2/O2流量比=500/5/5mL/min(sccm);
チャンバー内圧力=約133.3Pa(1Torr);
ウエハ温度=500℃;
処理時間;180秒
周波数=2.45GHz
パルス状マイクロ波プラズマ:
(条件A−1)パルスオン(ON)タイム 100μ秒、ピークマイクロ波パワー2750W
(条件A−2)パルスオン(ON)タイム 50μ秒、ピークマイクロ波パワー2750W
(条件A−3)パルスオン(ON)タイム 10μ秒、ピークマイクロ波パワー2750W
(条件A−4)周波数5kHz デューティー比50%、ピークマイクロ波パワー2750W
(条件A−5)周波数50kHz デューティー比50%、ピークマイクロ波パワー2750W
(共通の条件)
チャンバー内圧力=約133.3Pa(1Torr);
マイクロ波パワー=2750W;
ウエハ温度=500℃;
処理時間;180秒
Ar/O2流量比=500/5mL/min(sccm)
(条件B−2)パルス状マイクロ波プラズマ
周波数5kHz デューティー比50%
Ar/O2流量比=500/5mL/min(sccm)
(条件B−3)パルス状マイクロ波プラズマ
周波数50kHz デューティー比50%
Ar/O2流量比=500/5mL/min(sccm)
(条件B−4)連続マイクロ波プラズマ
Ar/H2/O2流量比=500/5/5mL/min(sccm)
(条件B−5)パルス状マイクロ波プラズマ
周波数5kHz デューティー比50%
Ar/H2/O2流量比=500/5/5mL/min(sccm)
(条件B−6)パルス状マイクロ波プラズマ
周波数50kHz デューティー比50%
Ar/H2/O2流量比=500/5/5mL/min(sccm)
このように、パルス状マイクロ波プラズマにより形成された酸化膜では、紫外光により増加する界面準位密度が連続マイクロ波プラズマにより形成された酸化膜に比べて低いことから、例えばCCDセンサやCMOSセンサなどの撮像素子を製造する過程での酸化膜形成に好適に利用できることが示された。
さらに、図1に示すプラズマ処理装置100の如く、チャンバー1の窓200を通じて分光制御計202によりプラズマの紫外領域の発光強度をモニターし、その結果に応じてパルス条件を可変にすることにより、紫外領域の発光を制御してプラズマ酸化などの処理を行うことも有効である。
たとえば、図1では、RLSA方式のプラズマ処理装置100を例に挙げたが、高密度のプラズマ、マイクロ波プラズマ、反射波プラズマ、誘導結合型プラズマ等を用いるプラズマ処理装置であれば、特に限定されず、同様に本発明を適用することが可能である。なお、電磁波としてはマイクロ波に限らず、より周波数の低い電磁波にも適用できる。
また、被処理体としては、シリコン基板に限らず、例えばLCD基板、化合物半導体基板などの基板に適用可能である。
2;サセプタ
3;支持部材
5;ヒータ
15;ガス導入部材
16;ガス供給系
17;Arガス供給源
18;H2ガス供給源
19;O2ガス供給源
23;排気管
24;排気装置
25;搬入出口
26;ゲートバルブ
27;支持部
28;マイクロ波透過板
29;シール部材
31;平面アンテナ部材
32;マイクロ波放射孔
37;導波管
37a;同軸導波管
37b;矩形導波管
39;マイクロ波発生装置
40;モード変換器
50;プロセスコントローラ
100;プラズマ処理装置
W…ウエハ(基板)
Wd…ダミーウエハ
Claims (18)
- 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させることにより、シリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマは、パルス状の電磁波により形成されることを特徴とする、プラズマ処理方法。 - 前記電磁波がマイクロ波であることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パルス状の電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度が、連続電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度と比較して50%以下で、かつ、
前記パルス状の電磁波のプラズマによる酸化レートが、連続電磁波のプラズマによる酸化レートに比較して55%以上、
となるようにパルス条件を制御することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 処理ガスとして、希ガスと酸素と水素を含むガスを用いることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマ処理方法。
- 紫外領域での発光が、OHラジカルによる発光であることを特徴とする、請求項3または請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パルス状の電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度が、連続電磁波によるプラズマの紫外領域での発光強度と比較して90%以下で、かつ、
前記パルス状の電磁波のプラズマによる酸化レートが、連続電磁波のプラズマによる酸化レートに比較して80%以上、
となるようにパルス条件を制御することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。 - 処理ガスとして、希ガスと酸素を含むガスを用いることを特徴とする、請求項6に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パルスの周波数が1〜100kHz、デューティー比が10〜90%であることを特徴とする、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記パルスの周波数が5〜50kHz、デューティー比が50%〜90%であることを特徴とする、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 処理圧力が66.7.〜266.6Paであることを特徴とする、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させることにより、シリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成するプラズマ処理方法であって、
前記処理室内にパルス状の電磁波を導入することによりプラズマを発生させるとともに、前記処理室内のプラズマの発光強度を測定し、その値に応じてパルス条件を変更することによって発光強度を制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。 - 被処理体に対し、プラズマ処理装置の処理室内でプラズマを作用させて処理するプラズマ処理方法であって、
前記処理室内にパルス状の電磁波を導入することによりプラズマを発生させるとともに、パルス条件によって前記処理室内のプラズマの発光強度を制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。 - 前記処理室内のプラズマの発光強度を測定し、その値に応じてパルス条件を変更することによって発光強度を制御することを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマの発光が、紫外領域での発光であることを特徴とする、請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理装置は、複数のスロットを有する平面アンテナを備えており、該平面アンテナにて前記処理室内にマイクロ波を導入するものであることを特徴とする、請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
- パルス状の電磁波によりプラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体上に成膜処理を行なうための処理室を区画する処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を載置する支持体と、
前記処理容器内を減圧するための排気手段と、
前記処理容器内にガスを供給するためのガス供給手段と、
前記処理容器内で、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項15のいずれか1項に記載されたプラズマ処理方法が行なわれるように、前記プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
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