JP2014204050A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、第一のパルスにより前記第一の高周波電力を変調し、プラズマの解離状態が所望の解離状態となるように前記第一のパルスのデューティー比をプラズマ処理時間の経過とともに漸次的に変化させることを特徴とする。
また、本発明は、試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第一の高周波電力を変調するための第一のパルスを発生させる第一のパルス発生器と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第二の高周波電力を変調するための第二のパルスを発生させる第二のパルス発生器とを備えるプラズマ処理装置において、前記第一の高周波電源のオンとオフを制御する信号を発生させる第一のオンオフ信号発生器と、前記第二の高周波電源のオンとオフを制御する信号を発生させる第二のオンオフ信号発生器と、前記第一のパルスのオン期間中に前記第一の高周波電源が前記第一のオンオフ信号発生器よりオフ信号を受信した場合、前記第一の高周波電力の供給を停止するように前記第一の高周波電源を制御する制御部とをさらに備えることを特徴とする。
Claims (11)
- 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
第一のパルスにより前記第一の高周波電力を変調し、
プラズマの解離状態が所望の解離状態となるように前記第一のパルスのデューティー比をプラズマ処理時間の経過とともに漸次的に変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記デューティー比は、前記試料のエッチング形状に基づいて規定されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオン期間における第一の高周波電力をプラズマが安定的に生成されるような電力とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
第二のパルスにより前記第二の高周波電力を変調し、
前記第二のパルスは、前記第一のパルスのオン期間中にオンとなることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
第二のパルスにより前記第二の高周波電力を変調し、
前記第一のパルスのデューティー比を前記プラズマ処理時間の経過とともに漸次的に減少させ、
前記第二のパルスのデューティー比を前記プラズマ処理時間の経過とともに漸次的に増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
第二のパルスにより前記第二の高周波電力を変調し、
前記第一のパルスのデューティー比を前記プラズマ処理時間の経過とともに漸次的に増加させ、
前記第二のパルスのデューティー比を前記プラズマ処理時間の経過とともに漸次的に減少させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオン期間を維持しながらオフ期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスのオフ期間を維持しながらオン期間を変えることにより前記第一のパルスのデューティー比を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマは、ＣＨＦ3ガスとＣＯガスとＨ2ガスとの混合ガス、ＣＨＦ3ガスとＣＯ2ガスとＨ2ガスとの混合ガス、Ｃ2Ｆ6ガスとＣＯガスとＨ2ガスとの混合ガス、またはＣ2Ｆ6ガスとＣＯ2ガスとＨ2ガスとの混合ガスを用いて生成されることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
第一のパルスにより前記第一の高周波電力を変調し、
プラズマの解離状態が所望の解離状態となるように前記試料のエッチング深さまたはプラズマのインピーダンスに基づいて前記第一のパルスのデューティー比を規定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第一の高周波電力を変調するための第一のパルスを発生させる第一のパルス発生器と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第二の高周波電力を変調するための第二のパルスを発生させる第二のパルス発生器とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一の高周波電源のオンとオフを制御する信号を発生させる第一のオンオフ信号発生器と、
前記第二の高周波電源のオンとオフを制御する信号を発生させる第二のオンオフ信号発生器と、
前記第一のパルスのオン期間中に前記第一の高周波電源が前記第一のオンオフ信号発生器よりオフ信号を受信した場合、前記第一の高周波電力の供給を停止するように前記第一の高周波電源を制御する制御部とをさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
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