JP2015050362A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015050362A5
JP2015050362A5 JP2013181753A JP2013181753A JP2015050362A5 JP 2015050362 A5 JP2015050362 A5 JP 2015050362A5 JP 2013181753 A JP2013181753 A JP 2013181753A JP 2013181753 A JP2013181753 A JP 2013181753A JP 2015050362 A5 JP2015050362 A5 JP 2015050362A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing apparatus
dispersion plate
generation unit
plasma processing
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013181753A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015050362A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2013181753A priority Critical patent/JP2015050362A/ja
Priority claimed from JP2013181753A external-priority patent/JP2015050362A/ja
Publication of JP2015050362A publication Critical patent/JP2015050362A/ja
Publication of JP2015050362A5 publication Critical patent/JP2015050362A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

本発明は、第一のプラズマ生成部と第二のプラズマ生成部とを具備するプラズマ処理室と、前記第一のプラズマ生成部の外周を巻回するヘリカルコイルと、前記ヘリカルコイルに高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第二のプラズマ生成部内に配置され試料載置される試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一のプラズマ生成部と前記第二のプラズマ生成部を隔離前記第一のプラズマ生成部で生成されたラジカルを前記第二のプラズマ生成部に供給する孔を有する分散板とを備えるプラズマ処理装置において、前記分散板は、絶縁体の第一の分散板と導体の第二の分散板とを具備するとともに前記試料台と対向し、前記第一の分散板は、前記第二の分散板を介して前記試料台と対向し、前記第二の分散板は、前記ヘリカルコイルのアース端子に接続されていることを特徴とする。

Claims (5)

  1. 第一のプラズマ生成部と第二のプラズマ生成部とを具備するプラズマ処理室と、前記第一のプラズマ生成部の外周を巻回するヘリカルコイルと、前記ヘリカルコイルに高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第二のプラズマ生成部内に配置され試料載置される試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一のプラズマ生成部と前記第二のプラズマ生成部を隔離前記第一のプラズマ生成部で生成されたラジカルを前記第二のプラズマ生成部に供給する孔を有する分散板とを備えるプラズマ処理装置において、
    前記分散板は、絶縁体の第一の分散板と導体の第二の分散板とを具備するとともに前記試料台と対向し
    前記第一の分散板は、前記第二の分散板を介して前記試料台と対向し、
    前記第二の分散板は、前記ヘリカルコイルのアース端子に接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記分散板の全面積に対する前記孔の面積の割合を55%以下とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記第一のプラズマ生成部にガスが供給されている場合だけ前記分散板から前記第二のプラズマ生成部にガスを供給する制御が行われることを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記試料台に供給された高周波電力の位相と異なる位相に前記分散板の電位の位相を整合させる位相整合器をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
    前記絶縁体は、石英であり、
    前記ヘリカルコイルの両端がアース端子であることを特徴とするプラズマ処理装置。
JP2013181753A 2013-09-03 2013-09-03 プラズマ処理装置 Pending JP2015050362A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013181753A JP2015050362A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013181753A JP2015050362A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015050362A JP2015050362A (ja) 2015-03-16
JP2015050362A5 true JP2015050362A5 (ja) 2016-04-07

Family

ID=52700115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013181753A Pending JP2015050362A (ja) 2013-09-03 2013-09-03 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015050362A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6454488B2 (ja) * 2014-07-10 2019-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR102015891B1 (ko) * 2015-05-22 2019-08-29 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법
JP6902991B2 (ja) 2017-12-19 2021-07-14 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US11776792B2 (en) 2020-04-03 2023-10-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102521388B1 (ko) 2020-04-21 2023-04-14 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
CN113709959A (zh) * 2020-05-22 2021-11-26 江苏鲁汶仪器有限公司 一种防击穿离子源放电装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03123022A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Toshiba Corp プラズマ成膜装置
US5241245A (en) * 1992-05-06 1993-08-31 International Business Machines Corporation Optimized helical resonator for plasma processing
JPH08148473A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP3353514B2 (ja) * 1994-12-09 2002-12-03 ソニー株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法
JP3561080B2 (ja) * 1996-04-23 2004-09-02 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4382265B2 (ja) * 2000-07-12 2009-12-09 日本電気株式会社 酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置
JP5199595B2 (ja) * 2007-03-27 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
US9520275B2 (en) * 2008-03-21 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using
JP2010077489A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012227307A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Japan Steel Works Ltd:The プラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015050362A5 (ja)
CA2905931C (en) Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator
JP2012529750A5 (ja)
PH12016501267A1 (en) Inductive heating device and system for aerosol generation
JP2010135298A5 (ja)
JP2013225672A5 (ja)
JP2014107363A5 (ja)
JP6239483B2 (ja) 窒素ラジカル生成システム
JP2016091829A5 (ja)
NO20070362L (no) Ledningselektrisk utladningsanordning
Seo et al. A study on characterization of atmospheric pressure plasma jets according to the driving frequency for biomedical applications
JP2016091812A5 (ja)
JP2016092342A5 (ja)
Kim et al. Gas temperature effect on reactive species generation from the atmospheric pressure air plasma
WO2009104918A3 (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2013084653A5 (ja)
TW200626021A (en) Plasma apparatus
WO2020141806A3 (ko) 플라즈마 발생 장치 및 그 동작 방법
JP2014135305A5 (ja)
JP2013511807A5 (ja)
WO2008099896A1 (ja) 誘導コイル、プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
JP2013080643A5 (ja)
JP2015022855A5 (ja)
WO2010062040A3 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 안테나
SG11201803759QA (en) Water treatment apparatus and water treatment method